JP2010225944A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の受光部が形成された基板と、前記複数の受光部の直上にそれぞれ設けられた導波モード共鳴格子からなるカラーフィルタと、を備え、前記導波モード共鳴格子の上面または下面の少なくともいずれか一方は、前記導波モード共鳴格子よりも屈折率が低い層により被覆されていることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【選択図】図1
Description
このような固体撮像装置は、消費電力が低く小型であることが要求される。これらの要求を満たす固体撮像装置として、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)型エリアセンサ(以下、CMOSセンサと呼称する。)、あるは、CCD(Charge-Coupled Device:電荷結合素子)型エリアセンサ等が注目されている。
また、このような固体撮像装置には、光を集光するためのマイクロレンズと、特定の波長域の光のみを透過させる有機樹脂製の顔料カラーフィルタとが受光部上に設けられている。そして、固体撮像装置では、その高解像度化を図るために、固体撮像装置の微細化が益々進行しつつある。
本発明では、受光効率を向上させ、高解像度化を実現させる固体撮像装置を提供することを目的とする。
固体撮像装置1においては、その基材として、シリコン(Si)基板10が用いられ、シリコン基板10の表面部の一部に、受光部であるフォトダイオード(PD)10aが形成されている。このようなフォトダイオード10aは、その内部において、例えば、PN接合を形成している。
また、シリコン基板10には、これらの他に、電荷転送部であるCCD、またはCMOSトランジスタの拡散層が形成されている(図示しない)。
なお、固体撮像装置1においては、多層配線層20内に、専用の遮光膜を形成してもよい(図示せず)。また、多層配線層20内には、電荷転送部への転送電極を形成してもよい(図示せず)。
また、層間絶縁膜20aの材質は、例えば、SiO2(屈折率:約1.45)等の絶縁材が適用される。
また、配線20bの材質は、例えば、銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等の高融点金属、または、TiSi、MoSi、WSi等の高融点金属のシリサイドが適用される。
また、カラーフィルタ40の格子部40aの材質は、例えば、シリコン(Si)、窒化シリコン(SiN)等が適用される。特に、シリコン(Si)を格子部40aの主成分としたときは、格子部40aは、回折格子を備えた高屈折率材層となる。また、カラーフィルタ40の絶縁層40bの材質は、格子部40aよりも屈折率の低い材料が適用され、例えば、その材質としては、SiO2が該当する。
図2は、導波モード共鳴格子を備えたカラーフィルタの作用を説明するための要部断面模式図である。
この図2には、絶縁層40b上に格子部40aが配置された状態が例示されている。
(1)低屈折率材層から高屈折率材層への入射(または、高屈折率材層から低屈折率材層への入射)で透過光には、位相差が生じない。
(2)格子部により反射して、領域1に戻された光の位相φには、位相差πが生じる。 (3)格子部による回折で光の位相φには、位相差π/2が生じる。
という規則に従う。
そして、回折格子部40aaによって回折された回折光Dの位相は、上記規則に従えば、φ=π/2となる。さらに回折光Dが格子部40a内で導波され、再び回折格子部40aaに入射すると、その一部に新たな回折が生じて、格子部40aの上方及び下方に回折する。そして、その回折光Dの位相は、結果的にφ=πとなる。さらに、格子部40a内での導波の繰り返しが生じ、回折格子部40aaによって再び格子部40aの上方及び下方に回折する回折光Dの位相は、φ=πとなる。
このように、波長λの入射光Aは、格子部40aによる回折光が格子部40a内での全反射条件を満たし、導波モードを満たす場合に、カラーフィルタ40内で、その透過が抑制(遮断)される。
また、このようなカラーフィルタ40は、光の反射作用や透過作用に主に寄与する格子部40aが2次元平面の構成となっているために、カラーフィルタの薄型化を実現し易い。
図3は、カラーフィルタの効果を説明するための図である。ここで、図3(a)には、カラーフィルタ40に、波長530nmの光を入射させた場合の光の強度のシミュレーション結果が示され、図中の色が濃いほど、その場所での光の強度が強いことを表している。なお、シミュレーションは、FDTD(Finite-Difference Time-Domain)法に依っている。また、図3(b)には、このシミュレーションで用いたカラーフィルタ40のモデル構造が示されている。そして、図3(a)の横軸は、モデルの横方向(図中のX軸方向)の寸法(μm)が示され、縦軸は、モデルの横方向(図中のZ軸方向)の寸法(μm)が示されている。また、このシミュレーションでは、モデルの両端をPML(完全吸収)条件で計算している。
また、図3(a)の縦軸の0μmの位置は、絶縁層40bの上面に対応している。
図4の結果から分かるように、回折格子部40aaの凸部の個数が1個では、光(λ:530nm)の反射率が13(%)となった。そして、その個数が2個になると反射率が50(%)になり、3個で反射率が65(%)、4個で反射率が70(%)になった。さらに、5個以上で、74(%)以上になることが分かった。
すなわち、カラーフィルタ40の反射率を高くするには、カラーフィルタ40の回折格子部40aaの凸部の個数として、5個以上周期的に形成されていることが望ましい。
このように、カラーフィルタ40の構成を変えることにより、特定の波長の光の反射率、透過率を変えることができる。
図6は、カラーフィルタの効果を説明するための図である。ここで、図6(a)の横軸には、光の波長(μm)が示され、縦軸には、透過率(%)が示されている。透過率の計算は、RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)法シミュレーションに依っている。また、図6(b)には、このシミュレーションで用いたカラーフィルタ40のモデル構造が示されている。なお、このシミュレーションでは、複数の画素を横方向に並べることを想定し、モデルの両端をPeriod(周期)条件で計算している。
また、格子部40aにおいては、上述した平面部40abの高さd(μm)としている。また、回折格子部40aaの高さをh(μm)とし、回折格子部40aaの凸部の幅をWとしている。
また、h=0.04μm、d=0.1μm、W=0.12μmの場合は、主に、緑色の波長範囲の光の透過率が高くなることが分かった。
また、h=0.1μm、d=0μm、W=0.16μmの場合は、主に、赤色の波長範囲の光の透過率が高くなることが分かった。
このように、カラーフィルタ40の構成を変えることにより、特定の波長の光の透過率を変えることができる。すなわち、このようなカラーフィルタ40を、フォトダイオード10aの直上域に配置することにより、特定の波長領域の光をフォトダイオード10aに入射させることができる。
図7は、ライン&スペース状の導波モード共鳴格子の光の偏向依存を説明する図である。
ここで、図7の横軸には、光の波長(μm)が示され、縦軸には、透過率(%)が示されている。透過率の計算は、RCWA法シミュレーションによる。また、図7(a)には、ライン&スペースのライン(または、スペース)に平行に偏向させた光(TEと称する)をカラーフィルタ40に入射させた場合の透過率が示され、図7(b)には、ライン&スペースのライン(または、スペース)に垂直に偏向させた光(TMと称する)をカラーフィルタ40に入射させた場合の透過率が示されている。また、モデルは、図6(b)に示すモデルを用い、h=0.06μm、d=0μm、W=0.16μmとしている。そして、図7には、ピッチPを偏向させた場合の透過率が併せて示されている。
図示するカラーフィルタ40においては、絶縁層40b内にドット状の格子部40aを備えている。この格子部40aは、それぞれ島状の層となって独立し、複数の回折格子が2次元平面で碁盤目状(格子状)に配列されている。格子部40aの材質は、シリコン(Si)が適用される。そして、このようなカラーフィルタ40を用いると、さらに、以下のような有利な効果を奏する。
このシミュレーションでのパラメータは、格子部40aの材質を、例えば、シリコン(Si)とし、その屈折率NをN=4.14とし、吸収率Kを0.043としている。また、絶縁層40bの材質を、例えば、酸化シリコン(SiO2)とし、その屈折率NをN=1.45としている。また、P=0.32μm、h=0.06μm、d=0μm、W=0.16μmとしている。
また、ドット状の格子部40aを備えたカラーフィルタ40の入射角依存についても調査した。この場合のパラメータは、図9を用いて説明したときと同じである。
また、カラーフィルタ40は、無機材料で構成されていることから、カラーフィルタ40の耐熱性が高く、製造工程中または長時間使用しても劣化が起きにくい。従って、信頼性の高い固体撮像装置1が実現する。
図12は、本発明の実施の形態に係わる固体撮像装置の要部断面模式図である。
図12(a)に示す固体撮像装置2においては、その基材として、シリコン基板10が用いられ、シリコン基板10上に、多層配線層20が設けられている。多層配線層20においては、絶縁機能を備えた層間絶縁膜20aが設けられ、この層間絶縁膜20a内に、配線20bが多層となって配置されている。また、多層配線層20上には、受光部であるフォトダイオード10aが形成されている。
また、多層配線層20には、これらの他に、電荷転送部であるCCD、またはCMOSトランジスタの拡散層が形成されている(図示しない)。
また、固体撮像装置2では、多層配線層20をフォトダイオード10aの下方に配置することから、配線20bによる遮光の影響がなくなり、固体撮像装置2のさらなる狭ピッチ化を図ることができる。
図13は、本発明の実施の形態に係わるカラーフィルタの要部斜視模式図である。
例えば、図13(a)に示すカラーフィルタ40においては、絶縁層40b内にドット状の格子部40aを備え、さらに格子部40aが平面部40abで支持されている。このようなカラーフィルタ40を固体撮像装置1、2に組み込んでもよい。なお、この場合、平面部40abの厚みdも、上述したカラーフィルタ40の反射率(または、透過率)を決定するパラメータの一部に含まれる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものも含まれる。
1a 固体撮像素子
10 シリコン基板
10a フォトダイオード
20 多層配線層
20a 層間絶縁膜
20b 配線
30 光導波路
40 カラーフィルタ
40a 格子部
40aa 回折格子部
40ab 平面部
40ac シリコン板
40ah 孔部
40b 絶縁層
50 マイクロレンズ
Claims (10)
- 複数の受光部が形成された基板と、
前記複数の受光部の直上にそれぞれ設けられた導波モード共鳴格子からなるカラーフィルタと、
を備え、
前記導波モード共鳴格子の上面または下面の少なくともいずれか一方は、前記導波モード共鳴格子よりも屈折率が低い層により被覆されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記導波モード共鳴格子は、回折格子を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記回折格子の周期は、5以上であることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記基板の主面に対して略平行な方向に、前記回折格子がドット状に配列されていることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記基板の主面に対して略平行な方向に、前記回折格子が碁盤目状に配列されていることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記基板の主面に対して略平行な方向における、前記回折格子の切断面は、円形状であることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記回折格子は、平面板内に孔部を配列した構成をなしていることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
- 前記導波モード共鳴格子の材料は、珪素(Si)であり、
前記導波モード共鳴格子の上面または下面に配置された前記層の材料は、酸化珪素(SiO2)であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記カラーフィルタの上には、それぞれレンズが設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
- 前記レンズの直下に、前記カラーフィルタが配置されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109813A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2013055202A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
US8823123B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
US8963267B2 (en) | 2011-10-17 | 2015-02-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device |
US9064767B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state imaging device and method of manufacturing the same |
WO2015151479A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 凸版印刷株式会社 | 表示体、および表示体の製造方法 |
JP2017103445A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 黄色フィルタユニットを有するイメージセンサー |
JP2017123451A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサおよび画像取込装置 |
JP2017143211A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2017162986A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
JP2017228774A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-28 | 株式会社リコー | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および撮像装置 |
JP2018525837A (ja) * | 2015-08-21 | 2018-09-06 | クアルコム,インコーポレイテッド | 撮像システムに関する近赤外スペクトル応答を拡張するためのシステムおよび方法 |
WO2019124562A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2020520467A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-07-09 | オフィス ナショナル デテュード エ ドゥ ルシェルシュ アエロスパシアル | 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法 |
JPWO2019039371A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2020-07-30 | 国立大学法人東北大学 | 透過型導波モード共鳴格子一体型分光デバイス及びその製造方法 |
US10739575B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light detection device including light detector, light-transmissive first layer, first optical coupler, and second optical coupler, and light detection system including the same |
JP2021005843A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 凸版印刷株式会社 | 光学デバイス |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5760811B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-08-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
CN104241308A (zh) * | 2014-09-19 | 2014-12-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像像素阵列 |
EP3062142B1 (en) | 2015-02-26 | 2018-10-03 | Nokia Technologies OY | Apparatus for a near-eye display |
EP3745167A1 (en) * | 2015-04-07 | 2020-12-02 | Magic Leap, Inc. | Diffraction grating and method of manufacture |
EP3261130B1 (en) * | 2016-06-20 | 2020-11-18 | ams AG | Photodetector device with integrated high-contrast grating polarizer |
US10650552B2 (en) | 2016-12-29 | 2020-05-12 | Magic Leap, Inc. | Systems and methods for augmented reality |
EP3343267B1 (en) | 2016-12-30 | 2024-01-24 | Magic Leap, Inc. | Polychromatic light out-coupling apparatus, near-eye displays comprising the same, and method of out-coupling polychromatic light |
JP7062366B2 (ja) | 2017-03-03 | 2022-05-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示方法及び色分離素子 |
US10578870B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-03 | Magic Leap, Inc. | Exit pupil expander |
EP3721270B1 (en) | 2017-12-10 | 2024-04-10 | Magic Leap, Inc. | Anti-reflective coatings on optical waveguides |
WO2019126331A1 (en) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Magic Leap, Inc. | Insert for augmented reality viewing device |
JP2019113604A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電磁波処理装置 |
US10755676B2 (en) | 2018-03-15 | 2020-08-25 | Magic Leap, Inc. | Image correction due to deformation of components of a viewing device |
EP3803488A4 (en) | 2018-05-30 | 2021-07-28 | Magic Leap, Inc. | COMPACT VARIABLE FOCUS CONFIGURATIONS |
WO2019231850A1 (en) | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Magic Leap, Inc. | Radar head pose localization |
EP3804306B1 (en) | 2018-06-05 | 2023-12-27 | Magic Leap, Inc. | Homography transformation matrices based temperature calibration of a viewing system |
US11092812B2 (en) | 2018-06-08 | 2021-08-17 | Magic Leap, Inc. | Augmented reality viewer with automated surface selection placement and content orientation placement |
WO2020010097A1 (en) | 2018-07-02 | 2020-01-09 | Magic Leap, Inc. | Pixel intensity modulation using modifying gain values |
US11856479B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-12-26 | Magic Leap, Inc. | Systems and methods for virtual and augmented reality along a route with markers |
US11510027B2 (en) | 2018-07-03 | 2022-11-22 | Magic Leap, Inc. | Systems and methods for virtual and augmented reality |
US11624929B2 (en) | 2018-07-24 | 2023-04-11 | Magic Leap, Inc. | Viewing device with dust seal integration |
EP3827224B1 (en) | 2018-07-24 | 2023-09-06 | Magic Leap, Inc. | Temperature dependent calibration of movement detection devices |
WO2020028834A1 (en) | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Magic Leap, Inc. | A viewing system with interpupillary distance compensation based on head motion |
US10795458B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-10-06 | Magic Leap, Inc. | Unfused pose-based drift correction of a fused pose of a totem in a user interaction system |
WO2020102412A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Magic Leap, Inc. | Image size triggered clarification to maintain image sharpness |
EP3921720A4 (en) | 2019-02-06 | 2022-06-29 | Magic Leap, Inc. | Target intent-based clock speed determination and adjustment to limit total heat generated by multiple processors |
KR20200108133A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미징 장치 |
WO2020185405A1 (en) | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Magic Leap, Inc. | Registration of local content between first and second augmented reality viewers |
US11445232B2 (en) | 2019-05-01 | 2022-09-13 | Magic Leap, Inc. | Content provisioning system and method |
WO2021021670A1 (en) | 2019-07-26 | 2021-02-04 | Magic Leap, Inc. | Systems and methods for augmented reality |
CN111052385A (zh) * | 2019-07-30 | 2020-04-21 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法、芯片及手持装置 |
US11737832B2 (en) | 2019-11-15 | 2023-08-29 | Magic Leap, Inc. | Viewing system for use in a surgical environment |
FR3114189A1 (fr) * | 2020-09-11 | 2022-03-18 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif électronique comprenant une région semiconductrice photosensible et procédé de fabrication correspondant |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101109A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その作製方法、画像保存装置および画像伝送装置 |
JP2008053627A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
WO2008123461A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | 波長分波光学素子 |
JP2009025558A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tohoku Univ | 波長選択素子及びその製造方法 |
JP2009038352A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-02-19 | Canon Inc | 光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4740018B2 (ja) | 2006-04-10 | 2011-08-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
JP2007317859A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5188107B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2013-04-24 | 株式会社東芝 | アレイ型受光素子 |
-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009072918A patent/JP5121764B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-18 US US12/726,938 patent/US8759929B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101109A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その作製方法、画像保存装置および画像伝送装置 |
JP2008053627A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
WO2008123461A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | 波長分波光学素子 |
JP2009038352A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-02-19 | Canon Inc | 光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法 |
JP2009025558A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tohoku Univ | 波長選択素子及びその製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109813A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
JP2013055202A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
KR101315537B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2013-10-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고체 촬상 소자 |
US8890984B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging element |
US8963267B2 (en) | 2011-10-17 | 2015-02-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device |
US9064767B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state imaging device and method of manufacturing the same |
US8823123B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
WO2015151479A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 凸版印刷株式会社 | 表示体、および表示体の製造方法 |
JP2015194617A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 凸版印刷株式会社 | 表示体、および表示体の製造方法 |
JP2018525837A (ja) * | 2015-08-21 | 2018-09-06 | クアルコム,インコーポレイテッド | 撮像システムに関する近赤外スペクトル応答を拡張するためのシステムおよび方法 |
JP2017103445A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 黄色フィルタユニットを有するイメージセンサー |
US9876995B2 (en) | 2015-12-04 | 2018-01-23 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
JP2017123451A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサおよび画像取込装置 |
US9948839B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-04-17 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor and image capture device |
JP2017143211A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2017162986A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
US10739575B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light detection device including light detector, light-transmissive first layer, first optical coupler, and second optical coupler, and light detection system including the same |
JP2017228774A (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-28 | 株式会社リコー | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および撮像装置 |
JP2020520467A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-07-09 | オフィス ナショナル デテュード エ ドゥ ルシェルシュ アエロスパシアル | 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法 |
JP7396898B2 (ja) | 2017-04-06 | 2023-12-12 | オフィス ナショナル デテュード エ ドゥ ルシェルシュ アエロスパシアル | 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法 |
JPWO2019039371A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2020-07-30 | 国立大学法人東北大学 | 透過型導波モード共鳴格子一体型分光デバイス及びその製造方法 |
JP7268880B2 (ja) | 2017-08-24 | 2023-05-08 | 国立大学法人東北大学 | 透過型導波モード共鳴格子一体型分光デバイス及びその製造方法 |
US11719575B2 (en) | 2017-08-24 | 2023-08-08 | Tohoku University | Transmission guided-mode resonant grating integrated spectroscopy device and method for manufacturing same |
WO2019124562A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US11508767B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-11-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic device for enhanced color reproducibility of images |
JP2021005843A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 凸版印刷株式会社 | 光学デバイス |
JP7334498B2 (ja) | 2019-06-27 | 2023-08-29 | 凸版印刷株式会社 | 光学デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP5121764B2 (ja) | 2013-01-16 |
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