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- TFT−LCDアレイ基板の製造方法であって、
基板にゲート金属薄膜を堆積し、パターンニング工程によってゲートラインとゲート電極とのパターンが含まれたパターンを形成するステップと、
第1絶縁層と、透明導電薄膜とを順次堆積し、パターンニング工程によって画素電極のパターンが含まれたパターンを形成するステップと、
第2絶縁層と、半導体層と、ドープ半導体層とを順次堆積し、パターンニング工程によって活性層と、前記画素電極の上方の第2絶縁層に位置する絶縁層ビアーホールとのパターンが含まれたパターンを形成するステップと、
ソース・ドレイン金属薄膜を堆積し、パターンニング工程によってデータラインと、ソース電極と、前記絶縁層ビアーホールを介して画素電極に接続するドレイン電極と、そのドープ半導体層が完全にエッチングされることにより、その下の前記半導体層が露出されるTFTチャネル領域とのパターンが含まれたパターンを形成するステップと、を備えることを特徴とするTFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 活性層と、絶縁層ビアーホールとのパターンが含まれたパターンを形成するステップは、
プラズマ強化化学気相蒸着法により、第2絶縁層と、半導体層と、ドープ半導体層とを順次堆積するステップと、
前記ドープ半導体層にホトレジストを塗布するステップと、
ハーフトーンマスク、或いはグレートーンマスクによって露光し、前記ホトレジストを、活性層のパターンが位置する領域に対応するホトレジスト完全保留領域と、絶縁層ビアーホールのパターンが位置する領域に対応するホトレジスト完全除去領域と、活性層のパターン及び絶縁層ビアーホールのパターン以外の領域に対応するホトレジスト半保留領域とに形成し、露光された前記ホトレジストに対して現像処理を行った後、前記ホトレジスト完全保留領域のホトレジストの厚さには変化がなく、前記ホトレジスト完全除去領域のホトレジストは完全に除去され、前記ホトレジスト半保留領域のホトレジストは薄くなるステップと、
第1回のエッチング工程により、前記ホトレジスト完全除去領域のドープ半導体層と、半導体層と、第2絶縁層とを完全にエッチングにより除去し、その中で前記画素電極が露出された前記絶縁層ビアーホールのパターンを形成するステップと、
アッシング工程により、前記ホトレジスト半保留領域のホトレジストを除去し、前記ドープ半導体層を露出するステップと、
第2回のエッチング工程により、前記ホトレジスト半保留領域のドープ半導体層と半導体層を完全にエッチングにより除去し、活性層のパターンを形成するステップと、
残りのホトレジストを剥離するステップと、を備えることを特徴とする請求項1に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - データラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、TFTチャネル領域とのパターンが含まれたパターンを形成するステップは、
磁気制御スパッタリング法、或いは熱蒸着法により、ソース・ドレイン金属層を堆積するステップと、
普通のマスクでパターンニング工程によってソース・ドレイン金属層に対してパターニングを行い、データラインと、その一端は活性層に位置し、他端はデータラインに接続するソース電極と、その一端は活性層に位置し、他端は絶縁層ビアーホールを介して画素電極に接続するドレイン電極と、TFTチャネル領域とのパターンを形成するステップと、を備え、
ソース電極とドレイン電極との間におけるTFTチャネル領域のドープ半導体層は完全にエッチングされ、半導体層は厚さ方向の一部がエッチングされることによってTFTチャネル領域の半導体層を露出させることを特徴とする請求項1に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記第1絶縁層は高速堆積法によって堆積され、前記第2絶縁層は低速堆積法によって堆積されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- 前記高速堆積のRFパワーは4500W〜7000Wであり、シランの流量は900sccm〜1600sccmであり、且つ前記低速堆積のRFパワーは2500W〜4000Wであり、シランの流量は500sccm〜800sccmであることを特徴とする請求項4に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- 前記TFTチャネル領域の露出された半導体層に対して酸化処理を行い、前記ドープ半導体層を介して露出された半導体層の表面に酸化層を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- 前記酸化処理のRFパワーは5KW〜13KWであり、気圧は100mT〜500mTであり、酸素の流量は1000sccm〜4000sccmであることを特徴とする請求項6に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- ゲートラインと、ゲート電極とのパターンが含まれたパターンが形成されるとともに、ゲートラインと平行して延伸する共通電極ラインも形成され、この共通電極ラインは、その後に形成される画素電極と重なることを特徴とする請求項1に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は前記ゲートラインの一部を覆うことを特徴とする請求項1〜3、或いは請求項8のいずれか一項に記載のTFT−LCDアレイ基板の製造方法。
- 基板に形成されたゲートラインと、データラインとを備えるTFT−LCDアレイ基板であって、
前記ゲートラインとデータラインとは交差して画素領域を画成し、前記画素領域内に画素電極と薄膜トランジスタが形成され、前記ゲートラインとデータラインとの間に第1絶縁層と第2絶縁層が形成され、前記画素電極は前記第1絶縁層と第2絶縁層との間に配置されることを特徴とするTFT−LCDアレイ基板。 - 前記第1絶縁層は前記ゲートラインと前記薄膜トランジスタのゲート電極に形成され、前記画素電極は前記第1絶縁層に形成され、前記第2絶縁層は前記画素電極と前記第1絶縁層に形成され、前記第2絶縁層において、前記画素電極に絶縁層ビアーホールが形成され、活性層が第2絶縁層に形成され、且つ前記ゲート電極の上方に位置し、薄膜トランジスタのソース電極の一端は前記活性層に位置し、他端はデータラインに接続し、薄膜トランジスタのドレイン電極の一端は前記活性層に位置し、他端は前記絶縁層ビアーホールを介して画素電極に接続し、前記ソース電極とドレイン電極との間にTFTチャネル領域が形成されることを特徴とする請求項10に記載のTFT−LCDアレイ基板。
- 前記活性層は堆積された半導体層とドープ半導体層を備え、前記TFTチャネル領域において、前記ドープ半導体層は完全にエッチングされ、前記半導体層の厚さ方向の一部がエッチングされることにより、TFTチャネル領域の半導体層を露出させることを特徴とする請求項11に記載のTFT−LCDアレイ基板。
- 前記TFTチャネル領域において、前記ドープ半導体層を介して露出された半導体層の表面に、酸化処理によって形成された酸化層があることを特徴とする請求項12に記載のTFT−LCDアレイ基板。
- 前記画素領域内に、前記画素電極と重なって蓄積コンデンサを構成する共通電極ラインが更に形成されたことを特徴とする請求項10〜13のいずれか一項に記載のTFT−LCDアレイ基板。
- 前記画素電極は前記ゲートラインの一部を覆うことを特徴とする請求項10〜14のいずれか一項に記載のTFT−LCDアレイ基板。
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