JP2010199539A - FePt系磁性層を備える積層体構造物およびそれを用いた磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のTa層と、このTa層の上に形成された酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたFePt系磁性層と、を有して構成される。
【選択図】 図1
Description
(1)Ta層91/ZnO金属酸化物層93/FePt系磁性層95、および
(2)Ta層91/MgO金属酸化物層93/FePt系磁性層95、
の2通り積層体構造物90の積層態様が存在する。
Ta層91は、少なくとも2nm以上の膜厚を備えて構成される。好ましくは、2〜10nmの膜厚、より好ましくは4〜6nmの膜厚を有して構成されるのが良い。Ta層91の膜厚が2nm未満となると、本願発明の効果を発現させることが困難となる。
Ta層91の上には、酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層93が成膜される。
金属酸化物層93の上には、FePt系磁性層95が形成される。
上述してきた積層体構造物90を、磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加用の磁石90(直交化バイアス用磁石90)として用いた好適な適用態様について、以下、図2〜図13を参照しつつ説明する。
図2や図3に示されるように、直交化バイアス用磁石を機能させる前の状態(バイアスが印加されていない状態)で、2つのフリー層30、50の磁化方向がトラック幅方向に沿った反平行状態とすることは素子の作用上、極めて重要である。その態様について以下説明しておく。
第1の強磁性層30および第2の強磁性層50は、直交化バイアス用磁石90(積層体構造物90)からのバイアス磁界が印加される前の状態で、第1の強磁性層30および第2の強磁性層50の磁化が互いに反平行となるように非磁性中間層40を介して交換結合されている状態が第1の態様として例示できる。
図8に示されるように、磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果部8と、この磁気抵抗効果部8を、実質的に、上下に挟むようにして配置形成される第1のシールド層3(下部シールド層3と呼ぶ場合もある)および第2のシールド層5(上部シールド層5と呼ぶ場合もある)と、を有している。そして、磁気抵抗効果部8の積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の磁気抵抗効果素子である。
上記第2の態様における第1のシールド層3および第2のシールド層5の構成を、さらに発展させたものが第3の態様として図10に例示されている。
フリー層として機能する第1の強磁性層30と第2の強磁性層50の互いの磁化を反平行とさせるために、反強磁性層によりピン止め制御された一部のシールド層の磁化を活用した第4の態様の例が図12に示される。
図13には、いわゆるエアベアリング面(ABS)に平行な薄膜磁気ヘッドの断面図(Y−Z平面での断面)が示されている。
次いで、上述してきた薄膜ヘッドが搭載されて使用されるヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の一例について説明する。
DCスパッタ装置を用いて、ALTIC基板の上に、下記表1に示されるような組成および厚さの下地層を形成し、この下地層の上に厚さ35nmのFePt系磁性層を形成した。なお、FePt系磁性層は、14at%のCuを含むFePtから構成され、Fe/Pt原子比は1とした。
上記の実験例Iにおけるサンプル作製要領において、アニール処理温度を250℃以外に、100℃、150℃、200℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃、および550℃の各サンプルを作製し、各サンプルに対して同様に保磁力Hcを測定した。
結果を下記表2に示した。
すなわち、本発明の積層体構造物は、アモルファス状態のTa層と、このTa層の上に形成された酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたFePt系磁性層と、を有して構成されているので、300℃以下(特に、200〜300℃)の温度において、L10構造FePt規則合金を得ることができる。
91…アモルファス状態のTa層
93…金属酸化物層
95…FePt系磁性層
97…保護膜
Claims (13)
- アモルファス状態のTa層と、このTa層の上に形成された酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたFePt系磁性層と、を有してなる積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、L10構造FePt規則合金を主成分として構成される、請求項1に記載の積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、保磁力6000Oe以上の物性を備える、請求項1または請求項2に記載の積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、成膜後に300℃以下の熱処理がなされている請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、成膜後に200〜300℃の熱処理がなされている請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の積層体構造物。
- 前記Ta層は、少なくとも2nm以上の膜厚を有し、前記金属酸化物層は、少なくとも2nm以上の膜厚を有し、前記FePt系磁性層は、少なくとも10nm以上の膜厚を有してなる請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の積層体構造物。
- 前記Ta層は、2〜10nmの膜厚を有し、前記金属酸化物層は、2〜10nmの膜厚を有し、前記FePt系磁性層は、10〜50nmの膜厚を有してなる、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、Fe原子とPt原子の総和量を少なくとも80at%以上含む、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の積層体構造物。
- 前記FePt系磁性層は、添加物としてCuを含有し、そのCu含有量が5〜30at%である、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の積層体構造物。
- 非磁性中間層と、この非磁性中間層を挟むようにして積層形成され、フリー層として機能する第1の強磁性層およびフリー層として機能する第2の強磁性層とを有する磁気抵抗効果部を備え、この磁気抵抗効果部の積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の磁気抵抗効果素子であり、前記磁気抵抗効果部の後部には、第1の強磁性層および第2の強磁性層の磁化方向の実質的な直交化作用に影響を与える直交化バイアス用磁石が形成されており、
前記直交化バイアス用磁石が、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の積層体構造物を備えて構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項10に記載された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の積層方向に電流を流すための一対の電極と、
を有してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 請求項11に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項11に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とする磁気ディスク装置。
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---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012113808A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Headway Technologies Inc | Cpp−mrセンサ、mrセンサ、mr再生ヘッドの製造方法 |
JP2012142555A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子 |
JP2012174737A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
JP2013079954A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Hgst Netherlands B V | シザーズ構造を有する磁気抵抗センサの磁気バイアス構造 |
JP2013149998A (ja) * | 2013-03-12 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
WO2016157764A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 薄膜磁石および薄膜磁石の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8582250B2 (en) * | 2009-12-04 | 2013-11-12 | Seagate Technology Llc | Double biasing for trilayer MR sensors |
US8218270B1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-07-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with improved hard magnet biasing structure |
US8570690B2 (en) | 2011-06-20 | 2013-10-29 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having a hard bias seed structure |
KR101308105B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2013-09-12 | 한국과학기술연구원 | 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법 |
US9513349B2 (en) * | 2014-02-06 | 2016-12-06 | HGST Netherlands B.V. | Scissor type magnetic sensor with high magnetic moment bias structure for reduced signal asymmetry |
US9449621B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio |
US9384763B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-07-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer |
US9472216B1 (en) | 2015-09-23 | 2016-10-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Differential dual free layer magnetic reader |
US11009570B2 (en) * | 2018-11-16 | 2021-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hybrid oxide/metal cap layer for boron-free free layer |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002216330A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JP2004348851A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Hitachi Ltd | 完全c軸配向L10−FePt系ナノ粒子磁気記録媒体 |
JP2005019464A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 |
JP2007142364A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-06-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 |
JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2009004784A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Headway Technologies Inc | 交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP2009032382A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tdk Corp | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3392317B2 (ja) | 1996-03-25 | 2003-03-31 | 和明 深道 | 交換結合膜 |
JP2001210989A (ja) | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Furuya Kinzoku:Kk | 電磁波遮蔽膜及びこの遮蔽膜を用いた積層体 |
JP3869219B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2007-01-17 | 山洋電気株式会社 | ヒートシンクを備えた冷却装置 |
US6724583B2 (en) * | 2000-12-19 | 2004-04-20 | Seagate Technology Llc | Adjustable permanent magnet bias |
JP3619475B2 (ja) | 2001-08-07 | 2005-02-09 | 株式会社日立製作所 | 磁性積層膜、磁気記録媒体、磁気抵抗効果積層膜、及び磁気ヘッド |
US6538888B1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-03-25 | Intel Corporation | Radial base heatsink |
US7035062B1 (en) * | 2001-11-29 | 2006-04-25 | Seagate Technology Llc | Structure to achieve sensitivity and linear density in tunneling GMR heads using orthogonal magnetic alignments |
GB2385995B (en) * | 2002-02-28 | 2005-09-07 | Sun Microsystems Inc | Cooling units for electronic circuitry |
JP4175829B2 (ja) | 2002-04-22 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体 |
KR100505554B1 (ko) * | 2003-01-24 | 2005-08-03 | 아이큐리랩 홀딩스 리미티드 | 하이브리드형 냉각 장치 |
US6999313B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-02-14 | Epserv Tech Corporation | Signal connection assembly of cooling module |
TWM242763U (en) * | 2003-06-17 | 2004-09-01 | Wistron Corp | System structure and fan module thereof |
US7177122B2 (en) * | 2003-10-27 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Biasing for tri-layer magnetoresistive sensors |
US7446985B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-11-04 | Agency For Science Technology And Research | Epitaxial oxide cap layers for enhancing GMR performance |
JP4069205B2 (ja) | 2004-03-29 | 2008-04-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 磁気記録媒体の製造方法 |
CN100414695C (zh) * | 2004-07-30 | 2008-08-27 | 奇鋐科技股份有限公司 | 具有导引风管的散热模组 |
WO2006109929A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-19 | Zalman Tech Co., Ltd. | Apparatus for cooling computer parts and method of manufacturing the same |
US7532442B2 (en) * | 2005-09-19 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive (MR) elements having pinning layers formed from permanent magnetic material |
TWM295285U (en) * | 2006-02-21 | 2006-08-01 | Bing-Jiun Ju | Case housing with thermoelectric cooling apparatus |
US7916429B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-03-29 | Tdk Corporation | Magnetic field detecting element having thin stack with a plurality of free layers and thick bias magnetic layer |
US20090223239A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Chun-Ju Lin | Cooling structure for a housing |
JP5178451B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-04-10 | 昭和電工株式会社 | 磁気記憶媒体製造方法 |
-
2009
- 2009-02-26 US US12/379,632 patent/US8147994B2/en active Active
- 2009-09-29 JP JP2009223869A patent/JP4905526B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002216330A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JP2004348851A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Hitachi Ltd | 完全c軸配向L10−FePt系ナノ粒子磁気記録媒体 |
JP2005019464A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 |
JP2007142364A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-06-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 |
JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2009004784A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Headway Technologies Inc | 交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP2009032382A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tdk Corp | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012113808A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Headway Technologies Inc | Cpp−mrセンサ、mrセンサ、mr再生ヘッドの製造方法 |
JP2012142555A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US8405935B2 (en) | 2010-12-28 | 2013-03-26 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect element having spacer layer including main spacer layer containing gallium oxide and nonmagnetic layer |
JP2012174737A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
US8649127B2 (en) | 2011-02-17 | 2014-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-resistive effect device, magnetic head assembly, and magnetic recording device |
JP2013079954A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Hgst Netherlands B V | シザーズ構造を有する磁気抵抗センサの磁気バイアス構造 |
JP2013149998A (ja) * | 2013-03-12 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
WO2016157764A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 薄膜磁石および薄膜磁石の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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