JP2002216330A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/653—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Fe or Ni
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い成膜温度または低いアニール温度で形成
でき、かつ高Ｋｕを有する規則合金結晶を磁性層とする
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板と、基板上に形成された下地層と、
下地層上に形成された磁性層と、磁性層上に形成された
保護層とを具備し、磁性層はＦｅおよびＰｔ、Ｆｅおよ
びＰｄ、またはＣｏおよびＰｔを主成分とするＬ１0構
造を有する結晶粒からなり、結晶粒内に少なくとも一種
の添加元素が０．１から５０原子パーセントの範囲で固
溶している。
でき、かつ高Ｋｕを有する規則合金結晶を磁性層とする
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板と、基板上に形成された下地層と、
下地層上に形成された磁性層と、磁性層上に形成された
保護層とを具備し、磁性層はＦｅおよびＰｔ、Ｆｅおよ
びＰｄ、またはＣｏおよびＰｔを主成分とするＬ１0構
造を有する結晶粒からなり、結晶粒内に少なくとも一種
の添加元素が０．１から５０原子パーセントの範囲で固
溶している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する磁性膜を備えた磁気記録媒体に関する。
適する磁性膜を備えた磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のコンピュータの処理速度向上に伴
って、情報の記憶・再生を行う磁気記憶装置（ＨＤＤ）
には高速・高密度化が要求されている。これに伴い、多
粒子系の磁気記録媒体において磁性粒子の孤立化・微細
化が進んだ結果、近年熱揺らぎによる記録磁化の劣化が
問題となってきている。磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性の
指標として一般にＫｕＶ／ｋＴ（ここでＫｕ、Ｖ、ｋ、
Ｔはそれぞれ、磁気異方性エネルギー、磁化反転におけ
る活性化体積、ボルツマン定数、絶対温度を表わす）が
用いられる。この値が８０以上であれば、その磁気記録
媒体は熱的に安定であるとされている。高密度化に伴っ
て磁性微粒子の粒径が約３ｎｍ、膜厚が約１０ｎｍ程度
まで微細化が進むとすると、１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の
高Ｋｕが必要となる。室温で高Ｋｕを有する磁性材料と
しては、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔといった規則相
合金系材料が知られており、これらの材料を磁性層とし
て用いることにより熱揺らぎ耐性を著しく高めることが
できる。これらの材料は、面心正方格子（ｆｃｔ）にお
いて｛００１｝面を磁性元素が、｛００２｝面を貴金属
元素が（あるいは｛００２｝面を磁性元素が、｛００
１｝面を貴金属元素が）それぞれ占める、Ｌ１0型（Ｃ
ｕＡｕ−Ｉ型）構造といわれる結晶構造をとった場合の
み、そのｃ軸方向に非常に大きなＫｕが発現する。しか
し、スパッタリングや電子ビーム蒸着といったＨＤＤ媒
体作製プロセスで通常用いられる成膜法のみでは、前述
の結晶構造を有する規則相を形成することができない。
ほぼ完全な規則相を形成するには、基板を５００℃以上
の高温に加熱した状態で成膜を行うか、または成膜後に
５００℃以上の高温で熱処理（アニール）を行う必要が
ある。しかし、現行のＨＤＤ媒体の生産プロセスにおい
て通常用いられている成膜装置では、このような高温の
プロセスは現実的ではない。したがって、規則相合金系
材料を用いた磁気記録媒体の実用化には、基板温度また
はアニール温度の低温化が必要である。
って、情報の記憶・再生を行う磁気記憶装置（ＨＤＤ）
には高速・高密度化が要求されている。これに伴い、多
粒子系の磁気記録媒体において磁性粒子の孤立化・微細
化が進んだ結果、近年熱揺らぎによる記録磁化の劣化が
問題となってきている。磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性の
指標として一般にＫｕＶ／ｋＴ（ここでＫｕ、Ｖ、ｋ、
Ｔはそれぞれ、磁気異方性エネルギー、磁化反転におけ
る活性化体積、ボルツマン定数、絶対温度を表わす）が
用いられる。この値が８０以上であれば、その磁気記録
媒体は熱的に安定であるとされている。高密度化に伴っ
て磁性微粒子の粒径が約３ｎｍ、膜厚が約１０ｎｍ程度
まで微細化が進むとすると、１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の
高Ｋｕが必要となる。室温で高Ｋｕを有する磁性材料と
しては、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔといった規則相
合金系材料が知られており、これらの材料を磁性層とし
て用いることにより熱揺らぎ耐性を著しく高めることが
できる。これらの材料は、面心正方格子（ｆｃｔ）にお
いて｛００１｝面を磁性元素が、｛００２｝面を貴金属
元素が（あるいは｛００２｝面を磁性元素が、｛００
１｝面を貴金属元素が）それぞれ占める、Ｌ１0型（Ｃ
ｕＡｕ−Ｉ型）構造といわれる結晶構造をとった場合の
み、そのｃ軸方向に非常に大きなＫｕが発現する。しか
し、スパッタリングや電子ビーム蒸着といったＨＤＤ媒
体作製プロセスで通常用いられる成膜法のみでは、前述
の結晶構造を有する規則相を形成することができない。
ほぼ完全な規則相を形成するには、基板を５００℃以上
の高温に加熱した状態で成膜を行うか、または成膜後に
５００℃以上の高温で熱処理（アニール）を行う必要が
ある。しかし、現行のＨＤＤ媒体の生産プロセスにおい
て通常用いられている成膜装置では、このような高温の
プロセスは現実的ではない。したがって、規則相合金系
材料を用いた磁気記録媒体の実用化には、基板温度また
はアニール温度の低温化が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、熱揺
らぎ耐性を高める材料として規則相合金系材料は有望で
あるが、その実用化には規則化に必要な基板温度または
アニール温度を低下させる必要がある。
らぎ耐性を高める材料として規則相合金系材料は有望で
あるが、その実用化には規則化に必要な基板温度または
アニール温度を低下させる必要がある。
【０００４】本発明の目的は、規則相形成に必要な基板
温度またはアニール温度を低減させることができる磁気
記録媒体を提供することにある。
温度またはアニール温度を低減させることができる磁気
記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層
上に形成された磁性層と、該磁性層上に形成された保護
層とを具備し、前記磁性層はＦｅおよびＰｔを主成分と
するＬ１0構造を有する結晶粒からなり、該結晶粒内に
Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｄからなる群より選択
される少なくとも一種の元素が０．１から５０原子パー
セントの範囲で存在していることを特徴とする。
は、基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層
上に形成された磁性層と、該磁性層上に形成された保護
層とを具備し、前記磁性層はＦｅおよびＰｔを主成分と
するＬ１0構造を有する結晶粒からなり、該結晶粒内に
Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｄからなる群より選択
される少なくとも一種の元素が０．１から５０原子パー
セントの範囲で存在していることを特徴とする。
【０００６】本発明の他の磁気記録媒体は、基板と、該
基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された
磁性層と、該磁性層上に形成された保護層とを具備し、
前記磁性層はＦｅおよびＰｄを主成分とするＬ１0構造
を有する結晶粒からなり、該結晶粒内にＣｕ、Ａｕ、Ｚ
ｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種
の元素が０．１から５０原子パーセントの範囲で存在し
ていることを特徴とする。
基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された
磁性層と、該磁性層上に形成された保護層とを具備し、
前記磁性層はＦｅおよびＰｄを主成分とするＬ１0構造
を有する結晶粒からなり、該結晶粒内にＣｕ、Ａｕ、Ｚ
ｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種
の元素が０．１から５０原子パーセントの範囲で存在し
ていることを特徴とする。
【０００７】本発明の磁気記録媒体は、基板と、該基板
上に形成された下地層と、該下地層上に形成された磁性
層と、該磁性層上に形成された保護層とを具備し、前記
磁性層はＣｏおよびＰｔを主成分とするＬ１0構造を有
する結晶粒からなり、該結晶粒内にＮｉおよびＡｕから
なる群より選択される少なくとも一種の元素が０．１か
ら５０原子パーセントの範囲で存在していることを特徴
とする。
上に形成された下地層と、該下地層上に形成された磁性
層と、該磁性層上に形成された保護層とを具備し、前記
磁性層はＣｏおよびＰｔを主成分とするＬ１0構造を有
する結晶粒からなり、該結晶粒内にＮｉおよびＡｕから
なる群より選択される少なくとも一種の元素が０．１か
ら５０原子パーセントの範囲で存在していることを特徴
とする。
【０００８】本発明の磁気記録媒体は７ｋＯｅ以上の保
磁力を有することが好ましい。
磁力を有することが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は図１に示
す構造を有する。図１に示すように、基板１上に、下地
層２、磁性層３および保護層４が順次積層されている。
す構造を有する。図１に示すように、基板１上に、下地
層２、磁性層３および保護層４が順次積層されている。
【００１０】本発明において用いられる基板は、ガラ
ス、セラミックス等の非晶質または多結晶の材料が望ま
しい。ここで、多結晶基板とは、結晶内に一つ以上の結
晶粒界が存在する結晶のことである。また、硬質の材料
からなる基板に金属またはセラミックス等を堆積したも
のを基板とすることもできる。
ス、セラミックス等の非晶質または多結晶の材料が望ま
しい。ここで、多結晶基板とは、結晶内に一つ以上の結
晶粒界が存在する結晶のことである。また、硬質の材料
からなる基板に金属またはセラミックス等を堆積したも
のを基板とすることもできる。
【００１１】本発明に用いられる下地層は磁性層の磁気
記録媒体としての機能を補強するものである。具体的に
は、磁性層と基板との間に挿入される薄膜であり、一つ
の材料系からなる層でもよいし、いくつかの層から構成
される多層膜であってもよい。下地層は一部分が前記の
条件を満たしているものであれば、薄膜状である必要も
ない。
記録媒体としての機能を補強するものである。具体的に
は、磁性層と基板との間に挿入される薄膜であり、一つ
の材料系からなる層でもよいし、いくつかの層から構成
される多層膜であってもよい。下地層は一部分が前記の
条件を満たしているものであれば、薄膜状である必要も
ない。
【００１２】本発明に用いられる磁性層は、磁性金属元
素および貴金属元素を主成分としＬ１0型構造を有する
規則合金結晶粒中に、一種以上の添加元素を固溶させた
ものである。Ｌ１0型（ＣｕＡｕ−Ｉ型）構造とは、面
心正方格子（ｆｃｔ）において｛００１｝面を磁性元素
が、｛００２｝面を貴金属元素が（あるいは｛００２｝
面を磁性元素が、｛００１｝面を貴金属元素が）それぞ
れ占める結晶構造のことをいう。なお、Ｌ１0構造は二
元系合金の結晶構造の一つであり、添加元素を固溶させ
た３元系以上の合金は厳密にはＬ１0構造とはいえない
が、本発明においては主成分である磁性元素と貴金属元
素の２元素からなる副格子がＬ１0構造をとっている場
合には、その結晶構造はＬ１0構造であるとみなしてい
る。また、磁性層の全体が完全にＬ１0型構造をとって
いる必要はなく、磁性層中において規則相（Ｌ１0構造
を有する相）の不規則相に対する体積比が１：１以上で
あれば十分である。
素および貴金属元素を主成分としＬ１0型構造を有する
規則合金結晶粒中に、一種以上の添加元素を固溶させた
ものである。Ｌ１0型（ＣｕＡｕ−Ｉ型）構造とは、面
心正方格子（ｆｃｔ）において｛００１｝面を磁性元素
が、｛００２｝面を貴金属元素が（あるいは｛００２｝
面を磁性元素が、｛００１｝面を貴金属元素が）それぞ
れ占める結晶構造のことをいう。なお、Ｌ１0構造は二
元系合金の結晶構造の一つであり、添加元素を固溶させ
た３元系以上の合金は厳密にはＬ１0構造とはいえない
が、本発明においては主成分である磁性元素と貴金属元
素の２元素からなる副格子がＬ１0構造をとっている場
合には、その結晶構造はＬ１0構造であるとみなしてい
る。また、磁性層の全体が完全にＬ１0型構造をとって
いる必要はなく、磁性層中において規則相（Ｌ１0構造
を有する相）の不規則相に対する体積比が１：１以上で
あれば十分である。
【００１３】上記のように、磁性層は磁性元素と貴金属
元素と添加元素を含有する。本発明で用いられる添加元
素は、以下のような性質を有する。すなわち、添加元素
と磁性元素との固溶熱（エンタルピー）と、添加元素と
貴金属元素との固溶熱が互いに異符号となるような添加
元素が用いられる。添加元素は１種または２種以上用い
てもよい。合金系を正則溶体とみなした場合、一般にＡ
−Ｂ二元系合金間の固溶熱ΔＨA-Bは次のように表わさ
れる。
元素と添加元素を含有する。本発明で用いられる添加元
素は、以下のような性質を有する。すなわち、添加元素
と磁性元素との固溶熱（エンタルピー）と、添加元素と
貴金属元素との固溶熱が互いに異符号となるような添加
元素が用いられる。添加元素は１種または２種以上用い
てもよい。合金系を正則溶体とみなした場合、一般にＡ
−Ｂ二元系合金間の固溶熱ΔＨA-Bは次のように表わさ
れる。
【００１４】ΔＨA-B＝ｘAｘBΩAB ここで、ｘA、ｘBはそれぞれＡ、Ｂのモル分率、ΩABは
相互作用パラメーターと呼ばれる物理量である。Ａ−
Ａ、Ｂ−Ｂ、Ａ−Ｂ原子対の結合エネルギーをそれぞれ
ＥAA、ＥBB、ＥABとすると、ΩABは｛ＥAB−（ＥAA＋Ｅ
BB）／２｝に比例する。ΩAB＞０すなわちΔＨA-B＞０
のときＡ原子とＢ原子は互いに反発し、ΩA B＜０すなわ
ちΔＨA-B＜０のときＡ原子とＢ原子は互いに引き合う
傾向にある。したがって、添加元素は磁性元素および貴
金属元素の一方と反発し、他方と引き合う傾向にある元
素である。
相互作用パラメーターと呼ばれる物理量である。Ａ−
Ａ、Ｂ−Ｂ、Ａ−Ｂ原子対の結合エネルギーをそれぞれ
ＥAA、ＥBB、ＥABとすると、ΩABは｛ＥAB−（ＥAA＋Ｅ
BB）／２｝に比例する。ΩAB＞０すなわちΔＨA-B＞０
のときＡ原子とＢ原子は互いに反発し、ΩA B＜０すなわ
ちΔＨA-B＜０のときＡ原子とＢ原子は互いに引き合う
傾向にある。したがって、添加元素は磁性元素および貴
金属元素の一方と反発し、他方と引き合う傾向にある元
素である。
【００１５】このような添加元素Ｘを例えばＦｅＰｔ結
晶粒に添加すると、図２に示すようなＬ１0型構造をと
る。この図に示されるように、最近接サイトに添加原子
Ｘと引き合う傾向にあるＡ（Ｐｔ）原子が配置され、第
二近接サイトにＸ原子と反発する傾向にあるＢ（Ｆｅ）
原子が配置されている。一方、図３にＡ（Ｐｔ）原子と
Ｂ（Ｆｅ）原子が不規則に配置されている構造を示す。
このように添加元素ＸをＦｅＰｔ結晶粒に添加した場合
には、図２のＬ１0型構造をとる方が、図３の不規則な
構造をとるよりも安定になるため、規則化の駆動力が増
大する。したがって、磁性元素と貴金属元素に添加元素
を添加した場合には、添加しない場合に比べて低温で規
則化させることができる。
晶粒に添加すると、図２に示すようなＬ１0型構造をと
る。この図に示されるように、最近接サイトに添加原子
Ｘと引き合う傾向にあるＡ（Ｐｔ）原子が配置され、第
二近接サイトにＸ原子と反発する傾向にあるＢ（Ｆｅ）
原子が配置されている。一方、図３にＡ（Ｐｔ）原子と
Ｂ（Ｆｅ）原子が不規則に配置されている構造を示す。
このように添加元素ＸをＦｅＰｔ結晶粒に添加した場合
には、図２のＬ１0型構造をとる方が、図３の不規則な
構造をとるよりも安定になるため、規則化の駆動力が増
大する。したがって、磁性元素と貴金属元素に添加元素
を添加した場合には、添加しない場合に比べて低温で規
則化させることができる。
【００１６】次に、本発明に用いられる磁性層の構成元
素について、より詳細に説明する。Ｆｅ−Ｐｔ系合金に
対しては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｄからなる
群より選択される少なくとも一種の元素が添加される。
これらの添加元素はいずれも、Ｆｅとの固溶熱が正の値
を示し、かつＰｔとの固溶熱が負の値を示す。したがっ
て、添加元素の添加効果によりＦｅＰｔの規則化が促進
され、ＦｅおよびＰｔを主成分とするＬ１0型構造を有
する結晶粒中に上記添加元素が固溶した構造が得られ
る。添加元素のＦｅＰｔ結晶粒中への固溶量は０．１〜
５０原子パーセントの範囲であることが好ましい。添加
元素の固溶量が上記の範囲であれば、磁性層のＫｕが大
きくなる。また、Ｆｅ：Ｐｔの組成比は４：６〜６：４
の範囲にあることが好ましい。組成比が上記の範囲であ
れば、Ｌ１0構造を有する規則相が形成される。
素について、より詳細に説明する。Ｆｅ−Ｐｔ系合金に
対しては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｄからなる
群より選択される少なくとも一種の元素が添加される。
これらの添加元素はいずれも、Ｆｅとの固溶熱が正の値
を示し、かつＰｔとの固溶熱が負の値を示す。したがっ
て、添加元素の添加効果によりＦｅＰｔの規則化が促進
され、ＦｅおよびＰｔを主成分とするＬ１0型構造を有
する結晶粒中に上記添加元素が固溶した構造が得られ
る。添加元素のＦｅＰｔ結晶粒中への固溶量は０．１〜
５０原子パーセントの範囲であることが好ましい。添加
元素の固溶量が上記の範囲であれば、磁性層のＫｕが大
きくなる。また、Ｆｅ：Ｐｔの組成比は４：６〜６：４
の範囲にあることが好ましい。組成比が上記の範囲であ
れば、Ｌ１0構造を有する規則相が形成される。
【００１７】Ｆｅ−Ｐｄ系合金に対しては、Ｃｕ、Ａ
ｕ、ＺｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくと
も一種の元素が添加される。これらの添加元素はいずれ
も、Ｆｅとの固溶熱が正の値を示し、かつＰｄとの固溶
熱が負の値を示す。したがって、添加元素の添加効果に
よりＦｅＰｄの規則化が促進され、ＦｅおよびＰｄを主
成分とするＬ１0型構造を有する結晶粒中に上記添加元
素が固溶した構造が得られる。添加元素のＦｅＰｄ結晶
粒中への固溶量は０．１〜５０原子パーセントの範囲で
あることが好ましい。添加元素の固溶量が上記の範囲で
あれば、磁性層のＫｕが大きくなる。また、Ｆｅ：Ｐｄ
の組成比は４：６〜６：４の範囲にあることが好まし
い。組成比が上記の範囲であれば、Ｌ１0構造を有する
規則相が形成される。
ｕ、ＺｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくと
も一種の元素が添加される。これらの添加元素はいずれ
も、Ｆｅとの固溶熱が正の値を示し、かつＰｄとの固溶
熱が負の値を示す。したがって、添加元素の添加効果に
よりＦｅＰｄの規則化が促進され、ＦｅおよびＰｄを主
成分とするＬ１0型構造を有する結晶粒中に上記添加元
素が固溶した構造が得られる。添加元素のＦｅＰｄ結晶
粒中への固溶量は０．１〜５０原子パーセントの範囲で
あることが好ましい。添加元素の固溶量が上記の範囲で
あれば、磁性層のＫｕが大きくなる。また、Ｆｅ：Ｐｄ
の組成比は４：６〜６：４の範囲にあることが好まし
い。組成比が上記の範囲であれば、Ｌ１0構造を有する
規則相が形成される。
【００１８】Ｃｏ−Ｐｔ系合金に対してはＮｉおよびＡ
ｕからなる群より選択される少なくとも一種の元素が添
加される。これらの添加元素はいずれも、Ｃｏとの固溶
熱が正の値を示し、かつＰｔとの固溶熱が負の値を示
す。したがって、添加元素の添加効果によりＣｏＰｔの
規則化が促進され、ＣｏおよびＰｄを主成分とするＬ１
0型構造を有する結晶粒中に上記添加元素が固溶した構
造が得られる。添加元素のＦｅＰｄ結晶粒中への固溶量
は０．１〜５０原子パーセントの範囲であることが好ま
しい。添加元素の固溶量が上記の範囲であれば、磁性層
のＫｕが大きくなる。また、Ｃｏ：Ｐｔの組成比は４：
６〜６：４の範囲にあることが好ましい。組成比が上記
の範囲であれば、Ｌ１0構造を有する規則相が形成され
る。
ｕからなる群より選択される少なくとも一種の元素が添
加される。これらの添加元素はいずれも、Ｃｏとの固溶
熱が正の値を示し、かつＰｔとの固溶熱が負の値を示
す。したがって、添加元素の添加効果によりＣｏＰｔの
規則化が促進され、ＣｏおよびＰｄを主成分とするＬ１
0型構造を有する結晶粒中に上記添加元素が固溶した構
造が得られる。添加元素のＦｅＰｄ結晶粒中への固溶量
は０．１〜５０原子パーセントの範囲であることが好ま
しい。添加元素の固溶量が上記の範囲であれば、磁性層
のＫｕが大きくなる。また、Ｃｏ：Ｐｔの組成比は４：
６〜６：４の範囲にあることが好ましい。組成比が上記
の範囲であれば、Ｌ１0構造を有する規則相が形成され
る。
【００１９】磁性層が規則構造をとっているか否かは、
Ｘ線回折や電子線回折で確認することができる。磁性層
が規則構造をとっている場合、不規則ｆｃｃ構造では現
れない（００１）、（１１０）、（００３）といった面
からの回折ピークや回折スポットが観測される。
Ｘ線回折や電子線回折で確認することができる。磁性層
が規則構造をとっている場合、不規則ｆｃｃ構造では現
れない（００１）、（１１０）、（００３）といった面
からの回折ピークや回折スポットが観測される。
【００２０】なお、特開平９−３２０８４７号公報に
は、規則相合金に元素を添加することが開示されてい
る。しかし、この公知例では実質的に磁性元素としてＦ
ｅおよびＣｏを含有する合金しか記載されていない。し
かも、この公知例では添加元素の添加量を規定している
ものの、合金結晶中における添加元素の存在位置につい
ての記載がなく、添加元素が規則合金に固溶している量
と規則合金の結晶粒界などに析出している量が区別され
ていない。合金の規則化を促進するには添加元素が規則
合金と固溶することが必要であり、したがって公知例に
開示されている条件のみでは規則化を促進することはで
きない。また、公知例に開示されている添加元素には添
加によってむしろ規則化を妨げる働きをする元素もふく
まれており、したがって上記公知例に開示されている条
件のみでは規則化に必要な基板温度またはアニール温度
を低下させることはできない。また、公知例に開示され
ている添加元素には添加によってむしろ規則化を妨げる
働きをする元素も含まれている。したがって、上記公知
例の開示からは、規則化に要する基板温度またはアニー
ル温度を低下できるという効果は示唆されない。
は、規則相合金に元素を添加することが開示されてい
る。しかし、この公知例では実質的に磁性元素としてＦ
ｅおよびＣｏを含有する合金しか記載されていない。し
かも、この公知例では添加元素の添加量を規定している
ものの、合金結晶中における添加元素の存在位置につい
ての記載がなく、添加元素が規則合金に固溶している量
と規則合金の結晶粒界などに析出している量が区別され
ていない。合金の規則化を促進するには添加元素が規則
合金と固溶することが必要であり、したがって公知例に
開示されている条件のみでは規則化を促進することはで
きない。また、公知例に開示されている添加元素には添
加によってむしろ規則化を妨げる働きをする元素もふく
まれており、したがって上記公知例に開示されている条
件のみでは規則化に必要な基板温度またはアニール温度
を低下させることはできない。また、公知例に開示され
ている添加元素には添加によってむしろ規則化を妨げる
働きをする元素も含まれている。したがって、上記公知
例の開示からは、規則化に要する基板温度またはアニー
ル温度を低下できるという効果は示唆されない。
【００２１】本発明では添加元素の規則合金結晶中の固
溶量を規定している。この場合、添加元素の固溶量と
は、規則合金結晶粒内に存在する添加元素の量であり、
結晶粒界などに存在する添加元素を含まない。規則合金
結晶粒内の添加元素の同定および存在量の測定は分析Ｔ
ＥＭ（透過型電子顕微鏡）などによって行うことができ
る。
溶量を規定している。この場合、添加元素の固溶量と
は、規則合金結晶粒内に存在する添加元素の量であり、
結晶粒界などに存在する添加元素を含まない。規則合金
結晶粒内の添加元素の同定および存在量の測定は分析Ｔ
ＥＭ（透過型電子顕微鏡）などによって行うことができ
る。
【００２２】本発明における磁性層の厚さはシステムの
要求値によって決定されるが、一般的に２００ｎｍより
も薄いことが好ましく、５０ｎｍより薄いことがより好
ましい。ただし、０．５ｎｍより薄いと連続膜とならず
磁気記録媒体には適さない。
要求値によって決定されるが、一般的に２００ｎｍより
も薄いことが好ましく、５０ｎｍより薄いことがより好
ましい。ただし、０．５ｎｍより薄いと連続膜とならず
磁気記録媒体には適さない。
【００２３】本発明の磁気記録媒体を構成する各種薄膜
の成膜方法としては真空蒸着、各種スパッタリング、化
学気相成長、レーザーアブレーションを用いることがで
きる。特に、磁性層は圧力５ｍＴｏｒｒ以上の雰囲気下
でスパッタリングにより成膜することが好ましい。下地
層や磁性層の成膜の際には、基板にＲＦやＤＣ電力を投
入するバイアススパッタ、基板へのイオンや中性子の照
射などを行ってもよい。これらの処理は成膜中のみなら
ず成膜後または成膜前に行っても構わない。
の成膜方法としては真空蒸着、各種スパッタリング、化
学気相成長、レーザーアブレーションを用いることがで
きる。特に、磁性層は圧力５ｍＴｏｒｒ以上の雰囲気下
でスパッタリングにより成膜することが好ましい。下地
層や磁性層の成膜の際には、基板にＲＦやＤＣ電力を投
入するバイアススパッタ、基板へのイオンや中性子の照
射などを行ってもよい。これらの処理は成膜中のみなら
ず成膜後または成膜前に行っても構わない。
【００２４】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００２５】実施例１ ガラス基板上に、ＭｇＯからなる厚さ１０ｎｍの下地
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｆｅ
1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐ
ｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）ま
たはＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）である。ＭｇＯ下地層はＲＦ
スパッタリングにより、磁性層および保護層はＤＣスパ
ッタリングにより成膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上
の圧力で二元または三元同時スパッタリングにより成膜
し、その組成は各ターゲットへの投入電力を変化させて
制御した。成膜中、基板の加熱は行わなかった。成膜
後、水素雰囲気中で３００〜７００℃の範囲で１時間の
アニールを行った。
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｆｅ
1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐ
ｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）ま
たはＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）である。ＭｇＯ下地層はＲＦ
スパッタリングにより、磁性層および保護層はＤＣスパ
ッタリングにより成膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上
の圧力で二元または三元同時スパッタリングにより成膜
し、その組成は各ターゲットへの投入電力を変化させて
制御した。成膜中、基板の加熱は行わなかった。成膜
後、水素雰囲気中で３００〜７００℃の範囲で１時間の
アニールを行った。
【００２６】アニール後に磁性層を構成する規則合金結
晶の規則度ＳをＸ線回折法により評価した。規則度Ｓ
は、Ｘ線回折によって得られた（００１）および（００
２）面による回折ピークの積分強度に基づいて次式によ
り評価した。
晶の規則度ＳをＸ線回折法により評価した。規則度Ｓ
は、Ｘ線回折によって得られた（００１）および（００
２）面による回折ピークの積分強度に基づいて次式によ
り評価した。
【００２７】Ｓ＝０．７２（Ｉ001／Ｉ002）1/2 ここで、Ｉ001およびＩ002はそれぞれ（００１）および
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
【００２８】磁性層のアニール後に、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いたＥＤＸによる規則合金結晶粒内の局
所分析によって結晶粒内に存在する添加元素の量を測定
し、結晶粒中への添加元素の固溶量ｙ［ａｔ％］とし
た。媒体の磁気異方性エネルギーＫｕはトルク磁力計を
用いて室温で測定した。媒体の膜面に垂直な方向におけ
る保磁力はＳＱＵＩＤを用いて室温で測定した。
（ＴＥＭ）を用いたＥＤＸによる規則合金結晶粒内の局
所分析によって結晶粒内に存在する添加元素の量を測定
し、結晶粒中への添加元素の固溶量ｙ［ａｔ％］とし
た。媒体の磁気異方性エネルギーＫｕはトルク磁力計を
用いて室温で測定した。媒体の膜面に垂直な方向におけ
る保磁力はＳＱＵＩＤを用いて室温で測定した。
【００２９】図４は、Ｆｅ1-xＰｔx磁性層について、組
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-x
Ｐｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰ
ｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層も、添加元素の固溶量
にかかわらず上記と同様の傾向を示した。
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-x
Ｐｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰ
ｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層も、添加元素の固溶量
にかかわらず上記と同様の傾向を示した。
【００３０】図５は、ｘ＝０．５、添加元素の固溶量ｙ
＝６ａｔ％である、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1- xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそ
れぞれの磁性層について、アニール温度と規則合金結晶
の規則度Ｓとの関係を示す。ＦｅＰｔ磁性層ではアニー
ル温度３００℃では規則化が起こらずアニール温度４０
０℃以上で規則化が起こる。ＦｅＰｔに添加元素を添加
した磁性層ではいずれもアニール温度３００℃以上で規
則化が起こる。このように、添加元素の添加により低い
アニール温度で結晶粒の規則化が起こることがわかっ
た。
＝６ａｔ％である、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1- xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそ
れぞれの磁性層について、アニール温度と規則合金結晶
の規則度Ｓとの関係を示す。ＦｅＰｔ磁性層ではアニー
ル温度３００℃では規則化が起こらずアニール温度４０
０℃以上で規則化が起こる。ＦｅＰｔに添加元素を添加
した磁性層ではいずれもアニール温度３００℃以上で規
則化が起こる。このように、添加元素の添加により低い
アニール温度で結晶粒の規則化が起こることがわかっ
た。
【００３１】図６は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
【００３２】図７は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得られた。
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-
xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のいずれの
磁性層でも同様の結果が得られた。
０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得られた。
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-
xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のいずれの
磁性層でも同様の結果が得られた。
【００３３】図８は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx
（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓ
ｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層に
ついて、アニール温度と保磁力との関係を示す。Ｆｅ
1-xＰｔx以外の全ての磁性層において、３００℃以上の
アニール温度で７ｋＯｅ以上の保磁力が得られることが
わかった。図８と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦
０．６でかつ０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1- x
Ｐｔx以外の全ての磁性層で得られた。
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx
（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓ
ｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層に
ついて、アニール温度と保磁力との関係を示す。Ｆｅ
1-xＰｔx以外の全ての磁性層において、３００℃以上の
アニール温度で７ｋＯｅ以上の保磁力が得られることが
わかった。図８と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦
０．６でかつ０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1- x
Ｐｔx以外の全ての磁性層で得られた。
【００３４】次に、成膜中にガラス基板を３００〜７０
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）またはＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）であ
る。成膜後のアニールは行わなかった。成膜後、上記と
同様の方法で同様の評価を行った。
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）またはＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）であ
る。成膜後のアニールは行わなかった。成膜後、上記と
同様の方法で同様の評価を行った。
【００３５】図９は、基板温度５００℃で成膜したＦｅ
1-xＰｔx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-x
Ｐｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰ
ｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層も、添加元素の固溶量
にかかわらず上記と同様の傾向を示した。
1-xＰｔx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-x
Ｐｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰ
ｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層も、添加元素の固溶量
にかかわらず上記と同様の傾向を示した。
【００３６】図１０は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx
（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓ
ｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層に
ついて、成膜時の基板温度と規則合金結晶の規則度Ｓと
の関係を示す。ＦｅＰｔ磁性層では基板温度３００℃で
は規則化が起こらず基板温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＦｅＰｔに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
も基板温度３００℃以上で規則化が起こる。このよう
に、添加元素の添加により低い基板温度で結晶粒の規則
化が起こることがわかった。
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）Ｆｅ1-xＰｔx
（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓ
ｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層に
ついて、成膜時の基板温度と規則合金結晶の規則度Ｓと
の関係を示す。ＦｅＰｔ磁性層では基板温度３００℃で
は規則化が起こらず基板温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＦｅＰｔに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
も基板温度３００℃以上で規則化が起こる。このよう
に、添加元素の添加により低い基板温度で結晶粒の規則
化が起こることがわかった。
【００３７】図１１は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
【００３８】図１２は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のい
ずれの磁性層でも同様の結果が得られた。
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｆｅ1-xＰｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、
Ｆｅ1-xＰｔx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のい
ずれの磁性層でも同様の結果が得られた。
【００３９】図１３は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔ
x（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁
性層について、成膜時の基板温度と保磁力との関係を示
す。Ｆｅ1-xＰｔx以外の全ての磁性層において、３００
℃以上の基板温度で７ｋＯｅ以上の保磁力が得られるこ
とがわかった。図１３と同様の傾向は、組成比が０．４
≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｆ
ｅ1-xＰｔx以外の全ての磁性層で得られた。
る、Ｆｅ1-xＰｔx、Ｆｅ1-xＰｔx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｔx（Ｐｄ）、Ｆｅ1-xＰｔx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｔ
x（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｔx（Ｚｎ）のそれぞれの磁
性層について、成膜時の基板温度と保磁力との関係を示
す。Ｆｅ1-xＰｔx以外の全ての磁性層において、３００
℃以上の基板温度で７ｋＯｅ以上の保磁力が得られるこ
とがわかった。図１３と同様の傾向は、組成比が０．４
≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｆ
ｅ1-xＰｔx以外の全ての磁性層で得られた。
【００４０】実施例２ ガラス基板上に、ＭｇＯからなる厚さ１０ｎｍの下地
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｆｅ
1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）またはＦｅ1-xＰｄx（Ｚ
ｎ）である。ＭｇＯ下地層はＲＦスパッタリングによ
り、磁性層および保護層はＤＣスパッタリングにより成
膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上の圧力で二元または
三元同時スパッタリングにより成膜し、その組成は各タ
ーゲットへの投入電力を変化させて制御した。成膜中、
基板加熱は行わなかった。成膜後、水素雰囲気中で３０
０〜７００℃の範囲で１時間のアニールを行った。
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｆｅ
1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）またはＦｅ1-xＰｄx（Ｚ
ｎ）である。ＭｇＯ下地層はＲＦスパッタリングによ
り、磁性層および保護層はＤＣスパッタリングにより成
膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上の圧力で二元または
三元同時スパッタリングにより成膜し、その組成は各タ
ーゲットへの投入電力を変化させて制御した。成膜中、
基板加熱は行わなかった。成膜後、水素雰囲気中で３０
０〜７００℃の範囲で１時間のアニールを行った。
【００４１】アニール後の磁性層の組成および磁気特性
について実施例１と同様の方法で同様の測定を行った。
規則合金結晶の規則度Ｓは、Ｘ線回折によって得られた
（００１）および（００２）面による回折ピークの積分
強度に基づいて次式により評価した。
について実施例１と同様の方法で同様の測定を行った。
規則合金結晶の規則度Ｓは、Ｘ線回折によって得られた
（００１）および（００２）面による回折ピークの積分
強度に基づいて次式により評価した。
【００４２】Ｓ＝１．２３（Ｉ001／Ｉ002）1/2 ここで、Ｉ001およびＩ002はそれぞれ（００１）および
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
【００４３】図１４は、Ｆｅ1-xＰｄx媒体について、組
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-x
Ｐｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞれ
の磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と同様
の傾向を示した。
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｆ
ｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1- xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-x
Ｐｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞれ
の磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と同様
の傾向を示した。
【００４４】図１５は、ｘ＝０．５、添加元素の固溶量
ｙ＝６ａｔ％である、ＦｅＰｄ、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）お
よびＦｅ 1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層につい
て、アニール温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を
示す。ＦｅＰｄ磁性層ではアニール温度３００℃では規
則化が起こらずアニール温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＦｅＰｄに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
もアニール温度３００℃以上で規則化が起こる。このよ
うに、添加元素の添加により低いアニール温度で結晶粒
の規則化が起こることがわかった。
ｙ＝６ａｔ％である、ＦｅＰｄ、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）お
よびＦｅ 1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層につい
て、アニール温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を
示す。ＦｅＰｄ磁性層ではアニール温度３００℃では規
則化が起こらずアニール温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＦｅＰｄに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
もアニール温度３００℃以上で規則化が起こる。このよ
うに、添加元素の添加により低いアニール温度で結晶粒
の規則化が起こることがわかった。
【００４５】図１６は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
【００４６】図１７は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得られた。
Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦ
ｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のいずれの磁性層でも同様の結果が
得られた。
０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層について、結
晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得られた。
Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦ
ｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のいずれの磁性層でも同様の結果が
得られた。
【００４７】図１８は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄ
x（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、アニール温度
と保磁力との関係を示す。Ｆｅ 1-xＰｄx以外の全ての磁
性層において、３００℃以上のアニール温度で７ｋＯｅ
以上の保磁力が得られることがわかった。図１８と同様
の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦
ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1-xＰｄx以外の全ての磁性
層で得られた。
る、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄ
x（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、アニール温度
と保磁力との関係を示す。Ｆｅ 1-xＰｄx以外の全ての磁
性層において、３００℃以上のアニール温度で７ｋＯｅ
以上の保磁力が得られることがわかった。図１８と同様
の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦
ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1-xＰｄx以外の全ての磁性
層で得られた。
【００４８】次に、成膜中にガラス基板を３００〜７０
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）ま
たはＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）である。成膜後のアニールは
行わなかった。成膜後、上記と同様の方法で同様の評価
を行った。
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃ
ｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）ま
たはＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）である。成膜後のアニールは
行わなかった。成膜後、上記と同様の方法で同様の評価
を行った。
【００４９】図１９は、基板温度５００℃で成膜したＦ
ｅ1-xＰｄx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規
則度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規
則合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、
Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ 1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ
1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞ
れの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と同
様の傾向を示した。
ｅ1-xＰｄx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規
則度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規
則合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、
Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ 1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ
1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のそれぞ
れの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と同
様の傾向を示した。
【００５０】図２０は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、ＦｅＰｄ、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰｄ
x（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx
（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基板温
度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を示す。ＦｅＰｄ
磁性層では基板温度３００℃では規則化が起こらず基板
温度４００℃以上で規則化が起こる。ＦｅＰｄに添加元
素を添加した磁性層ではいずれも基板温度３００℃以上
で規則化が起こる。このように、添加元素の添加により
低い基板温度で結晶粒の規則化が起こることがわかっ
た。
る、ＦｅＰｄ、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰｄ
x（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄx
（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基板温
度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を示す。ＦｅＰｄ
磁性層では基板温度３００℃では規則化が起こらず基板
温度４００℃以上で規則化が起こる。ＦｅＰｄに添加元
素を添加した磁性層ではいずれも基板温度３００℃以上
で規則化が起こる。このように、添加元素の添加により
低い基板温度で結晶粒の規則化が起こることがわかっ
た。
【００５１】図２１は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
【００５２】図２２は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）お
よびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のいずれの磁性層でも同様の
結果が得られた。
ｘ＝０．５であるＦｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＣｕの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｆｅ1-xＰｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）お
よびＦｅ1-xＰｄx（Ｚｎ）のいずれの磁性層でも同様の
結果が得られた。
【００５３】図２３は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄ
x（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基板
温度と保磁力との関係を示す。Ｆｅ1-xＰｄx以外の全て
の磁性層において、３００℃以上の基板温度で７ｋＯｅ
以上の保磁力が得られることがわかった。図２３と同様
の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦
ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1-xＰｄx以外の全ての磁性
層で得られた。
る、Ｆｅ1-xＰｄx、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｃｕ）、Ｆｅ1-xＰ
ｄx（Ａｕ）、Ｆｅ1-xＰｄx（Ｓｎ）およびＦｅ1-xＰｄ
x（Ｚｎ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基板
温度と保磁力との関係を示す。Ｆｅ1-xＰｄx以外の全て
の磁性層において、３００℃以上の基板温度で７ｋＯｅ
以上の保磁力が得られることがわかった。図２３と同様
の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ０．１≦
ｙ≦５０の範囲にある、Ｆｅ1-xＰｄx以外の全ての磁性
層で得られた。
【００５４】実施例３ ガラス基板上に、ＭｇＯからなる厚さ１０ｎｍの下地
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｃｏ
1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔ
x（Ａｕ）である。ＭｇＯはＲＦスパッタリングによ
り、磁性層および保護層はＤＣスパッタリングにより成
膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上の圧力で二元または
三元同時スパッタリングにより成膜し、その組成は各タ
ーゲットへの投入電力を変化させて制御した。成膜中、
基板の加熱は行わなかった。成膜後、水素雰囲気中で３
００〜７００℃の範囲で１時間のアニールを行った。
層、厚さ５０ｎｍの磁性層、およびカーボンからなる厚
さ５ｎｍの保護層を成膜した。形成した磁性層は、Ｃｏ
1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔ
x（Ａｕ）である。ＭｇＯはＲＦスパッタリングによ
り、磁性層および保護層はＤＣスパッタリングにより成
膜した。磁性層は５ｍＴｏｒｒ以上の圧力で二元または
三元同時スパッタリングにより成膜し、その組成は各タ
ーゲットへの投入電力を変化させて制御した。成膜中、
基板の加熱は行わなかった。成膜後、水素雰囲気中で３
００〜７００℃の範囲で１時間のアニールを行った。
【００５５】アニール後の磁性層の組成および磁気特性
について実施例１と同様の方法で同様の測定を行った。
規則合金結晶の規則度Ｓは、Ｘ線回折によって得られた
（００１）および（００２）面による回折ピークの積分
強度に基づいて次式により評価した。
について実施例１と同様の方法で同様の測定を行った。
規則合金結晶の規則度Ｓは、Ｘ線回折によって得られた
（００１）および（００２）面による回折ピークの積分
強度に基づいて次式により評価した。
【００５６】Ｓ＝０．７４（Ｉ001／Ｉ002）1/2 ここで、Ｉ001およびＩ002はそれぞれ（００１）および
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
（００２）面による回折ピークの積分強度である。
【００５７】図２４は、Ｃｏ1-xＰｔx媒体について、組
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｃ
ｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそれ
ぞれの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と
同様の傾向を示した。
成ｘと５００℃でアニールした後の規則合金結晶の規則
度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規則
合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、Ｃ
ｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそれ
ぞれの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記と
同様の傾向を示した。
【００５８】図２５は、ｘ＝０．５、添加元素の固溶量
ｙ＝６ａｔ％である、ＣｏＰｔ、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）
およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層につい
て、アニール温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を
示す。ＣｏＰｔ磁性層ではアニール温度３００℃では規
則化が起こらずアニール温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＣｏＰｔに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
もアニール温度３００℃以上で規則化が起こる。このよ
うに、添加元素の添加により低いアニール温度で結晶粒
の規則化が起こることがわかった。
ｙ＝６ａｔ％である、ＣｏＰｔ、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）
およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層につい
て、アニール温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を
示す。ＣｏＰｔ磁性層ではアニール温度３００℃では規
則化が起こらずアニール温度４００℃以上で規則化が起
こる。ＣｏＰｔに添加元素を添加した磁性層ではいずれ
もアニール温度３００℃以上で規則化が起こる。このよ
うに、添加元素の添加により低いアニール温度で結晶粒
の規則化が起こることがわかった。
【００５９】図２６は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層について、結
晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層について、結
晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金結晶の
規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範囲で規
則度の向上が確認された。他の添加元素についても同様
の結果が得られた。
【００６０】図２７は、３００℃でアニールされたｘ＝
０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層について、結
晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得らた。Ｃ
ｏ1-xＰｔx（Ａｕ）磁性層でも同様の結果が得られた。
０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層について、結
晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に対して
垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得らた。Ｃ
ｏ1-xＰｔx（Ａｕ）磁性層でも同様の結果が得られた。
【００６１】図２８は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ
1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、アニー
ル温度と保磁力との関係を示す。Ｃｏ1-xＰｔx以外の全
ての磁性層において、３００℃以上のアニール温度で７
ｋＯｅ以上の保磁力が得られることがわかった。図２８
と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ
０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｃｏ1-xＰｔx以外の全
ての磁性層で得られた。
る、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ
1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、アニー
ル温度と保磁力との関係を示す。Ｃｏ1-xＰｔx以外の全
ての磁性層において、３００℃以上のアニール温度で７
ｋＯｅ以上の保磁力が得られることがわかった。図２８
と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．６でかつ
０．１≦ｙ≦５０の範囲にある、Ｃｏ1-xＰｔx以外の全
ての磁性層で得られた。
【００６２】次に、成膜中にガラス基板を３００〜７０
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎ
ｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）である。成膜後のアニ
ールは行わなかった。成膜後、上記と同様の方法で同様
の評価を行った。
０℃の各温度に加熱した状態で、ガラス基板上に、Ｍｇ
Ｏからなる厚さ１０ｎｍの下地層、厚さ５０ｎｍの磁性
層、カーボンからなる厚さ５ｎｍの保護層を成膜した。
形成した磁性層は、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎ
ｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）である。成膜後のアニ
ールは行わなかった。成膜後、上記と同様の方法で同様
の評価を行った。
【００６３】図２９は、基板温度５００℃で成膜したＣ
ｏ1-xＰｔx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規
則度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規
則合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、
Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそ
れぞれの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記
と同様の傾向を示した。
ｏ1-xＰｔx磁性層について、組成ｘと規則合金結晶の規
則度Ｓとの関係を示す。０．４≦ｘ≦０．６の範囲で規
則合金結晶の規則度が向上することがわかった。また、
Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰｔx（Ａｕ）のそ
れぞれの磁性層も、添加元素の固溶量にかかわらず上記
と同様の傾向を示した。
【００６４】図３０は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、ＣｏＰｔ、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰ
ｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基
板温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を示す。Ｃｏ
Ｐｔ磁性層では基板温度３００℃では規則化が起こらず
基板温度４００℃以上で規則化が起こる。ＣｏＰｔに添
加元素を添加した磁性層ではいずれも基板温度３００℃
以上で規則化が起こる。このように、添加元素の添加に
より低い基板温度で結晶粒の規則化が起こることがわか
った。
る、ＣｏＰｔ、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ1-xＰ
ｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、成膜時の基
板温度と規則合金結晶の規則度Ｓとの関係を示す。Ｃｏ
Ｐｔ磁性層では基板温度３００℃では規則化が起こらず
基板温度４００℃以上で規則化が起こる。ＣｏＰｔに添
加元素を添加した磁性層ではいずれも基板温度３００℃
以上で規則化が起こる。このように、添加元素の添加に
より低い基板温度で結晶粒の規則化が起こることがわか
った。
【００６５】図３１は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
ｘ＝０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と規則合金
結晶の規則度Ｓとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５０の範
囲で規則度の向上が確認された。他の添加元素について
も同様の結果が得られた。
【００６６】図３２は、基板温度３００℃で成膜された
ｘ＝０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｃｏ1-xＰｔx（Ａｕ）磁性層でも同様の結果が得
られた。
ｘ＝０．５であるＣｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）磁性層につい
て、結晶粒内へのＮｉの固溶量ｙ［ａｔ％］と基板面に
対して垂直方向のＫｕとの関係を示す。０．１≦ｙ≦５
０の範囲で１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ以上の高Ｋｕが得ら
れた。Ｃｏ1-xＰｔx（Ａｕ）磁性層でも同様の結果が得
られた。
【００６７】図３３は、ｘ＝０．５、ｙ＝６ａｔ％であ
る、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ
1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、成膜時
の基板温度と保磁力との関係を示す。Ｃｏ1-xＰｔx以外
の全ての磁性層において、３００℃以上の基板温度で７
ｋＯｅ以上の保磁力が得られることがわかった。図３３
と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．6でかつ
０．１≦ｙ≦５０の範囲にあるＣｏ1-xＰｔx以外の全て
の磁性層で得られた。
る、Ｃｏ1-xＰｔx、Ｃｏ1-xＰｔx（Ｎｉ）およびＣｏ
1-xＰｔx（Ａｕ）のそれぞれの磁性層について、成膜時
の基板温度と保磁力との関係を示す。Ｃｏ1-xＰｔx以外
の全ての磁性層において、３００℃以上の基板温度で７
ｋＯｅ以上の保磁力が得られることがわかった。図３３
と同様の傾向は、組成比が０．４≦ｘ≦０．6でかつ
０．１≦ｙ≦５０の範囲にあるＣｏ1-xＰｔx以外の全て
の磁性層で得られた。
【００６８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、低
い基板温度またはアニール温度で規則相を形成でき、高
密度化に好適な高Ｋｕを示す磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
い基板温度またはアニール温度で規則相を形成でき、高
密度化に好適な高Ｋｕを示す磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の断面図。
【図２】ＦｅＰｔＸ規則相の結晶構造を示す模式図。
【図３】ＦｅＰｔ不規則相の結晶構造を示す模式図。
【図４】実施例１の磁気記録媒体について、組成と規則
度との関係を示す図。
度との関係を示す図。
【図５】実施例１の磁気記録媒体について、アニール温
度と規則度との関係を示す図。
度と規則度との関係を示す図。
【図６】実施例１の磁気記録媒体について、添加元素の
固溶量と規則度との関係を示す図。
固溶量と規則度との関係を示す図。
【図７】実施例１の磁気記録媒体について、添加元素の
固溶量とＫｕとの関係を示す図。
固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図８】実施例１の磁気記録媒体について、アニール温
度と保磁力との関係を示す図。
度と保磁力との関係を示す図。
【図９】実施例１の磁気記録媒体について、組成と規則
度との関係を示す図。
度との関係を示す図。
【図１０】実施例１の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と規則度との関係を示す図。
基板温度と規則度との関係を示す図。
【図１１】実施例１の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量と規則度との関係を示す図。
の固溶量と規則度との関係を示す図。
【図１２】実施例１の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図１３】実施例１の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と保磁力との関係を示す図。
基板温度と保磁力との関係を示す図。
【図１４】実施例２の磁気記録媒体について、組成と規
則度との関係を示す図。
則度との関係を示す図。
【図１５】実施例２の磁気記録媒体について、アニール
温度と規則度との関係を示す図。
温度と規則度との関係を示す図。
【図１６】実施例２の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量と規則度との関係を示す図。
の固溶量と規則度との関係を示す図。
【図１７】実施例２の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図１８】実施例２の磁気記録媒体について、アニール
温度と保磁力との関係を示す図。
温度と保磁力との関係を示す図。
【図１９】実施例２の磁気記録媒体について、組成と規
則度との関係を示す図。
則度との関係を示す図。
【図２０】実施例２の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と規則度との関係を示す図。
基板温度と規則度との関係を示す図。
【図２１】実施例２の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量と規則度との関係を示す図。
の固溶量と規則度との関係を示す図。
【図２２】実施例２の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図２３】実施例２の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と保磁力との関係を示す図。
基板温度と保磁力との関係を示す図。
【図２４】実施例３の磁気記録媒体について、組成と規
則度との関係を示す図。
則度との関係を示す図。
【図２５】実施例３の磁気記録媒体について、アニール
温度と規則度との関係を示す図。
温度と規則度との関係を示す図。
【図２６】実施例３の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量と規則度との関係を示す図。
の固溶量と規則度との関係を示す図。
【図２７】実施例３の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図２８】実施例３の磁気記録媒体について、アニール
温度と保磁力との関係を示す図。
温度と保磁力との関係を示す図。
【図２９】実施例３の磁気記録媒体について、組成と規
則度との関係を示す図。
則度との関係を示す図。
【図３０】実施例３の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と規則度との関係を示す図。
基板温度と規則度との関係を示す図。
【図３１】実施例３の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量と規則度との関係を示す図。
の固溶量と規則度との関係を示す図。
【図３２】実施例３の磁気記録媒体について、添加元素
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
の固溶量とＫｕとの関係を示す図。
【図３３】実施例３の磁気記録媒体について、成膜時の
基板温度と保磁力との関係を示す図。
基板温度と保磁力との関係を示す図。
１…基板 ２…下地層 ３…磁性層 ４…保護層
フロントページの続き (72)発明者 永瀬 俊彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 秋山 純一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 5D006 BB05 EA03 FA09 5E049 AA01 AC05 BA06 BA12 CB01 DB06 GC01
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された下地層
と、該下地層上に形成された磁性層と、該磁性層上に形
成された保護層とを具備し、前記磁性層はＦｅおよびＰ
ｔを主成分とするＬ１0構造を有する結晶粒からなり、
該結晶粒内にＣｕ、Ａｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｄからな
る群より選択される少なくとも一種の元素が０．１から
５０原子パーセントの範囲で存在していることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板と、該基板上に形成された下地層
と、該下地層上に形成された磁性層と、該磁性層上に形
成された保護層とを具備し、前記磁性層はＦｅおよびＰ
ｄを主成分とするＬ１0構造を有する結晶粒からなり、
該結晶粒内にＣｕ、Ａｕ、ＺｎおよびＳｎからなる群よ
り選択される少なくとも一種の元素が０．１から５０原
子パーセントの範囲で存在していることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項３】 基板と、該基板上に形成された下地層
と、該下地層上に形成された磁性層と、該磁性層上に形
成された保護層とを具備し、前記磁性層はＣｏおよびＰ
ｔを主成分とするＬ１0構造を有する結晶粒からなり、
該結晶粒内にＮｉおよびＡｕからなる群より選択される
少なくとも一種の元素が０．１から５０原子パーセント
の範囲で存在していることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 ７ｋＯｅ以上の保磁力を有することを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録
媒体。
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2002
- 2002-01-18 US US10/050,118 patent/US6777078B2/en not_active Expired - Lifetime
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