JP2010186877A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Claims (1)

  1. Ｎｉ合金のシリサイドにより形成されたシリサイド領域を各々が有する少なくとも１つの半導体素子を半導体基板上に形成する工程と、
    前記シリサイド領域上に層間絶縁膜を形成する工程と、
    前記層間絶縁膜からなる側面と、前記シリサイド領域からなる底面とを有する内面が設けられたスルーホールを前記層間絶縁膜に形成する工程と、
    前記内面を被覆するＴｉ膜を化学気相成長法によって形成する工程と、
    前記内面を被覆するバリアメタル膜を形成するために前記Ｔｉ膜の少なくとも表面部を窒化する工程と、
    前記バリアメタル膜を介して前記スルーホールを埋めるプラグを形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
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