JP4501965B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66545—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
Description
A 5nm 15μΩ
B 10nm 15μΩ
C 20nm 15μΩ
D 5nm 30μΩ
E 10nm 30μΩ
F 20nm 30μΩ
G 5nm 100μΩ
H 10nm 100μΩ
I 20nm 100μΩ
(a)第1の絶縁層、及び、第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層、並びに、
(b)第2の絶縁層を貫通し、Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極に接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、並びに、第1の絶縁層と第2の絶縁層とを貫通し、各ソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、
を更に備えており、
(1)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極は、第1の絶縁層に設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、
(2)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極における底面部、側面部、及び、底面部と側面部とによって囲まれた中央部の内、少なくとも底面部及び側面部は、第1の導電材料から構成されており、
(3)Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極における底面部、側面部、及び、底面部と側面部とによって囲まれた中央部の内、少なくとも底面部及び側面部は、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成されており、
(4)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面上には、導電性を有する保護層が形成されており、
(5)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極用コンタクトプラグは、保護層を介して、Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に接続されており、Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極用コンタクトプラグは、保護層を介して、Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に接続されていることを特徴とする。
(A)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル形成領域及びソース/ドレイン領域、第1の絶縁層、該第1の絶縁層に設けられたNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部の底部に設けられたゲート絶縁膜を備えた基体を準備し、
(B)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、底面領域、側面領域、及び、底面領域と側面領域とによって囲まれた中央領域の内、少なくとも底面領域及び側面領域に第1の導電材料から構成された第1の導電材料層を形成し、以て、少なくとも底面部及び側面部が第1の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、底面領域、側面領域、及び、底面領域と側面領域とによって囲まれた中央領域の内、少なくとも底面領域及び側面領域に第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成された第2の導電材料層を形成し、以て、少なくとも底面部及び側面部が第2の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
(C)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面上に、導電性を有する保護層を形成した後、
(D)全面を覆う第2の絶縁層を形成し、次いで、
(E)第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に保護層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に保護層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、並びに、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグを形成する、
ことを特徴とする。
(1)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極は、絶縁層に設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、
(2)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極は、第1の導電材料から構成されており、
(3)Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極は、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成されており、
(4)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面を覆うように、配線層が形成されていることを特徴とする。
(A)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル形成領域及びソース/ドレイン領域、絶縁層、該絶縁層に設けられたNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部の底部に設けられたゲート絶縁膜を備えた基体を準備し、
(B)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第1の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第2の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、次いで、
(C)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面を覆うように、配線層を形成する、
ことを特徴とする。
先ず、NMOS100A及びPMOS100Bのチャネル形成領域27A,27B及びソース/ドレイン領域24、第1の絶縁層28A、この第1の絶縁層28Aに設けられたNMOS100A及びPMOS100Bのゲート電極形成用開口部29A,29B、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部29A,29Bの底部に設けられたゲート絶縁膜31A,31Bを備えた、シリコン(Si)から成る半導体基板10(基体)を準備する。以下、具体的な手順について説明する。
次いで、例えばCVD法に基づき、全面にSiO2から成る第1の絶縁層28Aを形成し、その後、ダミーゲート電極22A,22Bの頂面が露出するように、例えば周知のCMP法により第1の絶縁層28Aを平滑化する(図2の(C)参照)。尚、第1の絶縁層28Aを、SiNから成るストレスライナー層と、その上に形成されたSiO2から成る絶縁膜の2層構成とすることもできる。
次いで、ゲート電極形成用開口部29A内において、底面領域、側面領域(底面領域及び側面領域を纏めて『シェル領域』と呼ぶ場合がある)、及び、シェル領域によって囲まれた中央領域(ゲート電極形成用開口部の残部であり、係る中央領域を、『コア領域』と呼ぶ場合がある)の内、少なくともシェル領域に第1の導電材料から構成された第1の導電材料層を形成し、以て、少なくともシェル部が第1の導電材料から構成されたゲート電極32Aを形成する。また、ゲート電極形成用開口部29B内において、シェル領域、及び、シェル領域によって囲まれたコア領域の内、少なくともシェル領域に第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成された第2の導電材料層を形成し、以て、少なくともシェル部が第2の導電材料から構成されたゲート電極32Bを形成する。以下、具体的な工程について説明する。
次いで、全面に、例えばCVD法によりタングステン(W)から成る第3の導電材料層34を形成する。具体的には、第3の導電材料層34によって、ゲート電極形成用開口部29A,29Bにおけるコア領域を埋め込む(図4の(A)参照)。尚、ゲート電極形成用開口部29A、29Bにおけるコア領域に形成された第3の導電材料層34の部分を、参照番号34A,34Bで示した。その後、例えば周知のCMP法により、第1の絶縁層28Aが露出するように、全面の平滑化を行う(図4の(B)参照)。
次いで、NMOS100A及びPMOS100Bの各ゲート電極32A,32Bの頂面上に、導電性を有する保護層を形成する。実施例1においては、例えばタングステン(W)を用いた周知の選択CVD法により、ゲート電極32A,32Bの頂面上に、タングステン(W)から成る保護層35A,35Bを形成する(図4の(C)参照)。尚、無電解めっき法により保護層35A,35Bを形成する形態であってもよい。
その後、例えばCVD法に基づき、全面をSiO2から成る第2の絶縁層28Bを形成することにより、第2の絶縁層28Bと第1の絶縁層28Aとから構成された層間絶縁層28を得ることができる(図5の(A)参照)。
次いで、第2の絶縁層28Bを貫通してNMOS100Aのゲート電極32Aの頂面に保護層35Aを介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ44A、第2の絶縁層28Bを貫通してPMOS100Bのゲート電極32Bの頂面に保護層35Bを介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ44B、第1の絶縁層28A及び第2の絶縁層28Bを貫通してNMOS100Aのソース/ドレイン領域24に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ45A、並びに、第1の絶縁層28A及び第2の絶縁層28Bを貫通してPMOS100Bのソース/ドレイン領域24に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ45Bを形成する。以下、具体的な工程について説明する。
その後、例えばTiN層から成る所謂バリアメタル層(図示せず)を形成した後、タングステン(W)をブランケットCVD法に基づき堆積させ、コンタクトプラグ形成用開口部41,42を第4の導電材料層43で埋め込む(図6の(A)参照)。後述するように、コンタクトプラグ形成用開口部41内の第4の導電材料層43によってゲート電極用コンタクトプラグ44A,44Bが、コンタクトプラグ形成用開口部42内の第4の導電材料層43によってソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ45A,45Bが形成される。
その後、必要に応じて層間絶縁層28の上に配線等(図示せず)を形成して、実施例1の半導体装置を得ることができる。
先ず、実施例1の[工程−100]〜[工程−110]と同様の工程に基づき、NMOS200A及びPMOS200Bのチャネル形成領域27A,27B及びソース/ドレイン領域24、第1の絶縁層28A、第1の絶縁層28Aに設けられたNMOS200A及びPMOS200Bのゲート電極形成用開口部29A,29B、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部29A,29Bの底部に設けられたゲート絶縁膜31A,31Bを備えた、シリコン(Si)から成る半導体基板10(基体)を得る。
次いで、基本的には実施例1の[工程−120]〜[工程−130]と同様の工程に基づき、ゲート電極形成用開口部29A内に、ゲート電極32Aを形成する。また、ゲート電極形成用開口部29B内に、ゲート電極32Bを形成する。以下、具体的な工程について説明する。
その後、実施例1の[工程−130]で説明したと同様に、全面に第3の導電材料層34を形成し(図8の(B)参照)、その後、例えば周知のCMP法により、第1の絶縁層28Aが露出するように、全面の平滑化を行う(図8の(C)参照)。
次いで、実施例1の[工程−140]〜[工程−180]と同様の工程を実行することにより、図7に示す実施例2の半導体装置を得ることができる。
先ず、実施例1の[工程−100]−[工程−110]と同様の工程に基づき、NMOS300A及びPMOS300Bのチャネル形成領域27A,27B及びソース/ドレイン領域24、第1の絶縁層28A、第1の絶縁層28Aに設けられたNMOS300A及びPMOS300Bのゲート電極形成用開口部29A,29B、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部29A,29Bの底部に設けられたゲート絶縁膜31A,31Bを備えた、シリコン(Si)から成る半導体基板10(基体)を得る。
次いで、基本的には実施例1の[工程−120]〜[工程−130]と同様の工程に基づき、ゲート電極形成用開口部29A内に、ゲート電極32Aを形成する。また、ゲート電極形成用開口部29B内に、ゲート電極32Bを形成する。以下、具体的な工程について説明する。
その後、実施例1の[工程−130]で説明したと同様に、例えば周知のCMP法により、第1の絶縁層28Aが露出するように、全面の平滑化を行う(図10の(B)参照)。上述したように、実施例3においては、実施例1の[工程−130]で行っていた第3の導電材料層34の形成を省略して全面の平滑化を行う点が、実施例1と相違する。
次いで、実施例1の[工程−140]〜[工程−180]と同様の工程を実行することにより、図9に示す実施例3の半導体装置を得ることができる。
先ず、NMOS400A及びPMOS400Bのチャネル形成領域27A,27B及びソース/ドレイン領域24、絶縁層428A、この絶縁層428Aに設けられたNMOS400A及びPMOS400Bのゲート電極形成用開口部29A,29B、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部29A,29Bの底部に設けられたゲート絶縁膜31A,31Bを備えた、シリコン(Si)から成る半導体基板10(基体)を準備する。具体的には、実施例1の[工程−100]−[工程−110]と同様の工程を実行する。例えば、32nmノード・テクノロジー(Hp45nm)では、ゲート電極形成用開口部29A,29Bの幅を20〜30nm程度とすればよいが、このような値に限定するものではない。
次に、NMOS400Aのゲート電極形成用開口部29A内において、第1の導電材料(具体的には、HfSiX)から構成されたゲート電極432Aを形成し、PMOS400Bのゲート電極形成用開口部29B内において、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料(具体的には、TiN)から構成されたゲート電極432Bを形成する。
その後、実施例1の[工程−130]と同様の工程に基づき、例えば周知のCMP法により、絶縁層428Aが露出するように、全面の平滑化を行う(図12の(B)参照)。
次に、NMOS400A及びPMOS400Bのゲート電極432A,432Bの頂面を覆うように、配線層450A,450Bを形成する(図12の(C)参照)。具体的には、例えば、厚さ5〜20nmのTiN層から成る所謂バリアメタル層(図示せず)を全面に形成した後、厚さ30〜100nmのタングステン(W)層をCVD法に基づき全面に堆積させ、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきタングステン層及びバリアメタル層をパターニングすることで、配線層450A,450Bを得ることができる。尚、配線層450A,450Bの幅を、ゲート電極432A,432Bの幅よりも広くすることで、ゲート電極432A,432Bの頂面を覆うように配線層450A,450Bを形成することができる。尚、例えば32nmノード・テクノロジー(Hp45nm)では、ゲート電極形成用開口部29A,29Bの幅を20〜30nm程度としたとき、配線層450A,450Bの幅を30〜40nm程度とすることが望ましい。
その後、実施例1の[工程−150]と同様の工程に基づき、例えばCVD法に基づき、全面をSiO2から成る第2の絶縁層428Bを形成することにより、第2の絶縁層428Bと絶縁層(第1の絶縁層)428Aとから構成された層間絶縁層428を得ることができる。次いで、実施例1の[工程−160]と同様の工程に基づき、第2の絶縁層428Bを貫通して配線層450Aに接続されたゲート電極用コンタクトプラグ444A、第2の絶縁層428Bを貫通して配線層450Bに接続されたゲート電極用コンタクトプラグ444B、第1の絶縁層428A及び第2の絶縁層428Bを貫通してNMOS400Aのソース/ドレイン領域24に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ445A、並びに、第1の絶縁層428A及び第2の絶縁層428Bを貫通してPMOS400Bのソース/ドレイン領域24に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ445Bを形成する。具体的には、実施例1の[工程−160]〜[工程−170]と同様の工程を実行すればよい。その後、必要に応じて層間絶縁層428の上に配線等(図示せず)を形成して、図11に示した実施例4の半導体装置を得ることができる。
Claims (10)
- Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
(A)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル形成領域及びソース/ドレイン領域、第1の絶縁層、該第1の絶縁層に設けられたNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部の底部に設けられたゲート絶縁膜を備えた基体を準備し、
(B)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、底面領域、側面領域、及び、底面領域と側面領域とによって囲まれた中央領域の内、少なくとも底面領域及び側面領域に第1の導電材料から構成された第1の導電材料層を形成し、以て、少なくとも底面部及び側面部が第1の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、底面領域、側面領域、及び、底面領域と側面領域とによって囲まれた中央領域の内、少なくとも底面領域及び側面領域に第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成された第2の導電材料層を形成し、以て、少なくとも底面部及び側面部が第2の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
(C)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面上に、導電性を有する保護層を形成した後、
(D)全面を覆う第2の絶縁層を形成し、次いで、
(E)第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に保護層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に保護層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、並びに、第1の絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 保護層を選択CVD法により形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極において、底面部と側面部とによって囲まれた中央部は、第1の導電材料から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極において、底面部と側面部とによって囲まれた中央部は、第1の導電材料とは異なる導電材料から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極において、底面部と側面部とによって囲まれた中央部は、第2の導電材料から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極において、底面部と側面部とによって囲まれた中央部は、第2の導電材料とは異なる導電材料から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
(A)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル形成領域及びソース/ドレイン領域、絶縁層、該絶縁層に設けられたNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部の底部に設けられたゲート絶縁膜を備えた基体を準備し、
(B)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第1の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、次いで、
(C)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面を覆うように、導電材料層を形成する、
各工程を含み、
前記工程(C)は、全面に上層絶縁層を形成した後、Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面の上方の上層絶縁層の部分を選択的に除去することで、導電材料層用溝部を上層絶縁層に設けた後、導電材料層用溝部を導電材料層で埋め込み、次いで、上層絶縁層上の導電材料層を除去する工程から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(C)に引き続き、
(D)全面を覆う第2の絶縁層を形成し、次いで、
(E)第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に導電材料層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に導電材料層を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、絶縁層、上層絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、並びに、絶縁層、上層絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグを形成する、
工程を更に具備することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
(A)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル形成領域及びソース/ドレイン領域、絶縁層、該絶縁層に設けられたNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部、並びに、少なくともゲート電極形成用開口部の底部に設けられたゲート絶縁膜を備えた基体を準備し、
(B)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第1の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極形成用開口部内において、第1の導電材料とは異なる第2の導電材料から構成されたゲート電極を形成し、次いで、
(C)Nチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタの各ゲート電極の頂面を覆うように、下層導電材料層及び上層導電材料層の積層構造を形成する、
各工程を含み、
前記工程(C)は、シリコン層を形成した後、該シリコン層をパターニングし、次いで、全面に金属層を形成した後、熱処理を施すことで金属層を構成する金属とシリコン層を構成するシリコンとを反応させて、シリコン層から成る下層導電材料層、及び、シリサイド層から成る上層導電材料層を形成し、その後、絶縁層上の金属層を除去する工程から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(C)に引き続き、
(D)全面を覆う第2の絶縁層を形成し、次いで、
(E)第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に下層導電材料層及び上層導電材料層の積層構造を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の頂面に下層導電材料層及び上層導電材料層の積層構造を介して接続されたゲート電極用コンタクトプラグ、絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグ、並びに、絶縁層及び第2の絶縁層を貫通してPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域に接続されたソース/ドレイン領域用コンタクトプラグを形成する、
工程を更に具備することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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