JP2010186823A - 半導体集積回路の配線構造及びそれを有する半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線に対する長さ及び配線が占める面積に制限を持つ配線層を有する半導体集積回路チップ700において、優先配線方向に平行に存在する同電位の電源配線に対して、電源配線の長さ及び面積制限を満たす範囲内で電源配線線分701間に存在する空き領域702の位置を相対的にずらした構造を実現することで、局所的な抵抗増加を分散し、電圧降下の影響を抑制する。
【選択図】図7
Description
R1=1/(1/20+1/20+1/20+1/20)=5(Ω) ・・・式1
となる。
R3=1/(1/100+1/100+1/100+1/100)=25(Ω)
・・・式2
となる。
R_SUM=1/(1/R1+1/R3)+1/(1/R1+1/R3)+1/(1/R1+1/R3)+1/(1/R1+1/R3)=16.7(Ω) ・・・式3
のように算出できる。
R1’=1/(1/20+1/20+1/20+1/20)=5(Ω) ・・・式4
が成り立つ。ただし、計算範囲417内の第1の配線層は0本のため、第1の配線層の抵抗値は存在しない。
R3’=1/(1/100+1/100+1/100+1/100)=25(Ω)
・・・式5
が成り立つ。
R_SUM’=1/(1/R1+1/R3)+1/(1/R1+1/R3)+R3+1/(1/R1+1/R3)=37.5(Ω) ・・・式6
のように算出できる。
電圧降下=VDD−Σ(Ia×Ra) ・・・式7
で表される。ここで、図3中の観測点301や図4中の観測点401のみにセルが存在するものと仮定し、両観測点301,401における電流を定電流源とみなす。そして、任意の観測点での電流値をI、電圧供給源から任意の点までの抵抗値をR_SUMとすると、式7は、
電圧降下=VDD−I×R_SUM ・・・式8
のように表すことができる。
本発明の第1の実施形態における電源配線構造及び半導体装置について、図5〜図9を参照しながら説明する。
R_SUM”=1/(1/R1”+1/R3)+1/(1/R1”+1/R3)+1/(1/R1”+1/R3)+1/(1/R1”+1/R3)=28.6(Ω)
・・・式9
のようになる。
次に、本発明の第2の実施形態における電源配線構造及び半導体装置について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態においては、ビア間の電源配線線分間の空き領域に隣接する2つの電源配線線分がそれぞれ有するビアのうち、電源配線線分間の空き領域に最も近い2つのビア間の間隔と、相対するビア間の電源配線線分間の空き領域に隣接する2つの電源配線線分がそれぞれ有するビアのうち、電源配線線分間の空き領域に最も近い2つのビア間の間隔とが等しい構造を持つことを説明する。
次に、本発明の第3の実施形態における電源配線構造及び半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
101,201,301,401 観測点
102〜105 配線に対する長さ及び面積制限がない場合の第1の配線層のビア間の電源配線
106〜110,206〜210,306〜307,406〜407 第2の配線層の電源配線
111〜114,211〜214,411〜414 第3の配線層の電源配線
115〜134,215〜234 第1の配線層と第2の配線層とを結線するビア
135〜154,235〜254 第2の配線層と第3の配線層とを結線するビア
202〜205,255〜258,302〜305,402〜405 配線に対する長さ及び面積制限がある場合の第1の配線層の電源配線
259〜260 電源配線線分間の空き領域
315,415〜418 計算範囲
500,600,700,800,900 半導体装置のチップ外周
501,601,701,801,901 配線に対する長さ及び面積制限がある場合の第1の配線層の電源配線
502,602,702,802,902〜903 電源配線線分間の空き領域
1100,1101 ビア間の空き領域
1110〜1113 配線に対する長さ及び面積制限がない配線層の電源配線
1120〜1123 配線に対する長さ及び面積制限がある配線層の電源配線
2001 半導体装置のチップ外周
2002,2005 電圧供給源となるIO素子
2003〜2004,2006〜2007 配線に対する長さ及び面積制限がある場合の第1の配線層の電源配線
2008 第2の配線層の電源配線
2009 第3の配線層の電源配線
2010 第1の配線層と第2の配線層とを結線するビア
2011 第2の配線層と第3の配線層とを結線するビア
Claims (9)
- 優先配線方向に平行に存在する同電位の電源配線線分の間に設けられた電源配線線分間の第1の空き領域が、並走する同じく優先配線方向に平行に存在する同電位の電源配線線分の間に設けられた電源配線線分間の第2の空き領域に比べて相対的にずれた電源配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、
前記電源配線線分間の空き領域が相対的にずれた電源配線構造を有する電源配線層は、当該半導体集積回路が有する全配線層のうちの一部の配線層にのみ存在することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記電源配線線分間の空き領域が相対的にずれた電源配線構造を有する電源配線層は、当該半導体集積回路が有する全配線層中の最上層にのみ存在することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の空き領域と前記第2の空き領域との位置が相対的に交互にずれることにより、同一配線層内の同電位の電源配線が千鳥構造になっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の空き領域と前記第2の空き領域との位置が相対的にずれることにより、同一配線層内の同電位の電源配線に存在する電源配線線分間の空き領域が斜めに配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記優先配線方向に平行に存在する同電位かつ同じ配線長の複数の電源配線線分で構成された第1の電源配線線分グループと、前記優先配線方向に平行に存在する同電位かつ同じ配線長の他の複数の電源配線線分で構成された第2の電源配線線分グループとの間に設けられた電源配線線分グループ間の第1の空き領域と、併走する同電位の電源配線線分グループ間に設けられた電源配線線分グループ間の第2の空き領域との位置が相対的にずれていることを特徴とする半導体装置。 - ビア間の第1の空き領域に隣接する2つの電源配線線分がそれぞれ有するビアのうち、前記ビア間の第1の空き領域に最も近い位置に存在する2つの電源配線線分のビアとビアとの第1の間隔が、相対するビア間の第2の空き領域に隣接する2つの電源配線線分がそれぞれ有するビアのうち、前記ビア間の第2の空き領域に最も近い位置に存在する2つの電源配線線分のビアとビアとの第2の間隔と等しいことを特徴とする半導体装置。
- 電圧供給源となるIO素子に接続された電源配線線分の長さが、同じ配線層に存在する同電位の全ての電源配線線分の中で最短になることがない電源配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
- 電圧供給源となるIO素子に接続された電源配線線分の長さが、同じ配線層に存在する同電位の全ての電源配線線分の中で最長になる電源配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
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