JP2006222167A - 電源リング、および半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】斜め配線を使用した半導体集積回路において、半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分となる電源リングを斜め配線で構成した場合に、電源リングに起因する配線混雑と電圧降下を低減できる電源リングを提供する。
【解決手段】電力供給領域に沿った形状に形成するとともに、電源リングの各角の部分を、該電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で構成する。例えば、電源リング（電力供給領域）の左上角および右下角を通過する斜め方向の配線は１３５度方向の配線となるので、配線パターン１０１、１０４、１０５、１０８を４５度方向の配線層で構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分である電源リング、および半導体集積回路に関する。

従来の半導体集積回路は、水平方向の配線層と垂直方向の配線層を備えており、この２方向の配線層（マンハッタン配線）によって信号配線や、電力供給配線、電源リングが構成されている（例えば、非特許文献１参照）。電源リングは半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分であり、通常、電力供給対象の半導体素子が存在する領域（電力供給領域）を取り囲むリング形状をしている。また、通常、半導体集積回路の外形は矩形であるため、電源リングの外形も矩形となっている。

このように従来の電源リングは矩形のリング形状をしているので、電力供給配線と信号配線が同一配線層に混在する半導体集積回路においても電源リングが信号配線の通過を妨げないようにする必要がある。そこで従来は、電源リングの左右の辺を通過する配線を水平方向の配線層で構成し、上下の辺を通過する配線を垂直方向の配線層で構成するとともに、電源リングの左右の辺を垂直方向の配線層で構成し、上下の辺を水平方向の配線層で構成していた。

一方、近年、半導体集積技術の進歩による電子計算機の演算能力向上にともない、従来は処理が不可能とされていた斜め配線（４５度方向の配線層と１３５度方向の配線層）を用いた半導体集積回路の設計が現実のものとなってきた。図９に４５度方向の配線と１３５度方向の配線の概略を示す。

この斜め配線を用いた半導体集積回路は、従来のマンハッタン配線を用いた半導体集積回路に比べて半導体素子の密度を高くすることが可能であり、半導体集積回路のサイズを小さくすることが期待されている。

しかしながら、斜め配線を用いた半導体集積回路の設計を行う場合に、従来のマンハッタン配線による電源リング構造をそのまま適用して、例えば図１０に示すように、電源リングの左右の辺を４５度方向の配線層Ｍ１で構成し、上下の辺を１３５度方向の配線層Ｍ２で構成した場合、電源リング内の角周辺で配線混雑が起こるという問題があった。例えば図１１に示すように、電源リングの左辺を通過できる信号配線が１３５度方向の信号配線のみとなるので電源リング内の左下角へ信号配線が偏って配線混雑が起こることになる。

また、通常、電源リングに接続し半導体素子へ電力を供給する電力供給配線は電力供給領域内でメッシュ状に形成されている。メッシュ状にすることで各電力供給配線に対して電源リングの左右の辺、上下の辺の２辺の組み合わせで電力を供給し、電力供給領域中心部において電圧低下が起こらないようにするためである。そこで、斜め配線を用いた半導体集積回路においても、電力供給配線をメッシュ状に形成することが考えられる。

しかしながら、電源には通常ＶＳＳとＶＤＤの２系統がありこの２系統の電力を電力供給領域へ供給しなければならず、上述したように従来のマンハッタン配線による電源リング構造をそのまま適用して斜め配線による電源リングを構成すると、外側のリングからは各電力供給配線に対して２辺の組み合わせで電力を供給できないという問題が起こる。つまり、従来の電源リングでは、図１２に示すように、各電力供給配線に対して外側のリングからも左右の辺、上下の辺の２辺の組み合わせで電力を供給できるのに対し、上記の斜め配線による電源リングでは、例えば図１３に示すように、内側のリングの左辺は１３５度方向の電力供給配線しか通さず、下辺は４５度方向の電力供給配線しか通さないので、外側のリングの左辺に接続する１３５度方向の電力供給配線は外側のリングの下辺には接続できず、この電力供給配線には左辺からしか電力供給できない。そのため、電力供給領域の中心付近では、半導体集積回路の動作時に電力供給不足が発生して電圧降下が起こり、回路が誤動作するおそれがあった。
伊藤荘一、"設計コンテンツ整備"、［ｏｎｌｉｎｅ］、株式会社半導体理工学研究センター、［平成１６年９月２４日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｔａｒｃ．ｊｐ／ｓｔａｒｃ／ｆｏｒｕｍ／ＳｏＣｆｏｒｕｍ２００４／４ｉｔｏ．ｐｄｆ＞

本発明は、上記問題点に鑑み、電源リングの各角の部分を、電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で構成する、もしくは、電源リングの各辺を、当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層であって当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成することにより、斜め配線使用時に発生する配線混雑と電圧降下を低減できる電源リング、および半導体集積回路を提供することを目的とする。例えば図１に示すように、電力供給領域（電源リング）の左上角および右下角を通過する斜め方向の配線は１３５度方向の配線となるので、配線パターン（電源基幹配線）１０１、１０４、１０５、１０８を４５度方向の配線層で構成する。また、例えば図４に示すように、配線パターン（電源基幹配線）４０２、４０４、４０７、４０９は、これらの辺を通過する斜め方向の配線が１３５度方向の配線であり、その１３５度方向の配線の延長線上に存在する辺であるので、４５度方向の配線層で構成する。

本発明の請求項１記載の電源リングは、半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分であって、電力供給領域に沿った形状に形成されるとともに、互いに異なる斜め方向の配線層を使って構成されており、当該電源リングの各角の部分が、該電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で構成されることを特徴とする。

また、本発明の請求項２記載の電源リングは、請求項１記載の電源リングにおいて、当該電源リングの各角の部分を、電力供給領域の各角に対して斜めとなる形状にしたことを特徴とする。

また、本発明の請求項３記載の電源リングは、請求項２記載の電源リングにおいて、当該電源リングに、電力供給領域の各角へ向って伸びる電源基幹配線を接続したことを特徴とする。

また、本発明の請求項４記載の電源リングは、半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分であって、互いに異なる斜め方向の配線層を使って構成されており、当該電源リングの各辺が、当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で且つ当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成されることを特徴とする。

また、本発明の請求項５記載の電源リングは、請求項４記載の電源リングであって、１個もしくは複数個の矩形のリングを角が重ならないように配置して形成したことを特徴とする。

また、本発明の請求項６記載の電源リングは、請求項５記載の電源リングにおいて、当該電源リングに、電力供給領域の各角へ向って伸びる電源基幹配線を接続したことを特徴とする。

また、本発明の請求項７記載の電源リングは、請求項４記載の電源リングであって、電力供給領域の各辺に対向する形状を波型にしたことを特徴とする。
また、本発明の請求項８記載の電源リングは、請求項４記載の電源リングであって、電源基幹配線を交差させたＸ型のパターンを連結した形状を有することを特徴とする。

また、本発明の請求項９記載の半導体集積回路は、請求項１ないし８のいずれかに記載の電源リングを有することを特徴とする。

本発明によれば、半導体集積回路の単価に影響のある敷き詰め率向上に有効な斜め配線を使用した半導体集積回路において、電源リングに起因する配線混雑を低減することが可能となる。また、電力供給配線に対して各リングの２辺から電力を供給することが可能となり電力供給領域中心部での電圧降下を低減することができる。これにより、斜め配線による敷き詰め率向上に有効な電源リングを提供できるようになる。

以下、本発明の実施の形態に係る電源リング、および半導体集積回路について、図面を交えて説明する。本実施の形態に係る電源リングは、半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分であって、４５度方向の配線層Ｍ１と１３５度方向の配線層Ｍ２で構成されている。なお、配線方向は４５度と１３５度に限るものではなく、互いに異なる斜め方向であればよい。

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１に係る電源リングを示す図である。当該電源リングの形状は矩形の電力供給領域に沿った形状（相似形）であり、従来のマンハッタン配線による電源リングと同様に電力供給領域を取り囲んでいる。

図１において、配線パターン１０１、１０４、１０５、１０８は、４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線である。配線パターン１０２、１０３、１０６、１０７は、１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線である。図１に示すように、当該電源リングは、角の部分を同一の配線層で構成する。

また、配線パターン１０１、１０２、１０３、１０４からなる電源リングはＶＳＳの電源リングであり、配線パターン１０５、１０６、１０７、１０８からなる電源リングはＶＤＤの電源リングである。電力供給領域には、これら２系統の電源リングにより電力が供給される。

当該電源リングの各角の部分を構成する配線層には、電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層を用いる。例えば、左上角の部分（配線パターン１０１、１０５）の配線層には、当該左上角を領域内から領域外へ通過する配線が１３５度方向の配線であるので、４５度方向の配線層Ｍ１を用いる。

本実施の形態１によれば、電源リングの角の部分において信号配線を直進させることができるので、電源リングを通過する信号配線が角へ偏らず、電源リング内（電力供給領域内）の各角周辺における配線混雑を低減することができる。

また、内側のリングが、外側のリングの配線パターン１０１と配線パターン１０４に接続する電力供給配線および配線パターン１０２と配線パターン１０３に接続する電力供給配線の通過を妨げないので、外側の電源リングからも、電力供給領域の中心部を通過する電力供給配線へ２辺の組み合わせで電力供給できるようになり、電圧降下が大きくなる電力供給領域中心部の電圧降下を低減することができる。

なお、図１に示す電源リングでは、電源リング各辺の配線層が切り替わる部分へ信号配線が偏ることになるが、電源リング内の角周辺に比べて余剰領域が大きいので、従来の電源リング内（電力供給領域内）の角周辺のような配線混雑を起こすことはない。

（実施の形態２）
図２は、本実施の形態２に係る電源リングを示す図である。当該電源リングは、前述した実施の形態１に係る電源リングの各角の部分を、電力供給領域の各角に対して斜めとなる形状にしたものである。

図２において、領域２０１は当該電源リングによって電力が供給される電力供給領域である。配線パターン２０２、２０４、２０６、２０８は、４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線である。配線パターン２０３、２０５、２０７、２０９は、１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線である。図２に示すように、当該電源リングは、電力供給領域２０１の各角に対向する配線パターンを同一の配線層で構成する。

また、配線パターン２０２、２０３、２０４、２０５からなる電源リングはＶＳＳの電源リングであり、配線パターン２０６、２０７、２０８、２０９からなる電源リングはＶＤＤの電源リングである。電力供給領域２０１には、これら２系統の電源リングにより電力が供給される。

図２に示すように、当該電源リングの形状は、矩形の電力供給領域２０１の各角に対して斜めとなる方向に配線パターンを引き、その他の部分は電力供給領域２０１に沿って垂直方向、水平方向に配線パターンを引いた形状となっている。

また、実施の形態１と同様に、電力供給領域２０１の各角に対向する配線パターンの配線層には、電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層を用いる。

本実施の形態２によれば、電力供給領域２０１内の角周辺は電源リングに囲まれておらず、実施の形態１と比べて、配線混雑が起こりやすい電力供給領域２０１内の角周辺において配線の通過性が向上する。つまり、実施の形態１では、電力供給領域の角の部分は一方向の配線のみが通過できたが、本実施の形態２では、４５度方向の配線、１３５度方向の配線のいずれも通過可能となり、電力供給領域２０１内の角周辺における配線混雑を低減することができる。

また、実施の形態１と同様に、外側の電源リングからも、電力供給領域の中心部を通過する電力供給配線へ２辺の組み合わせで電力を供給することが可能となり、電圧降下が大きくなる電力供給領域中心部の電圧降下を低減することができる。

（実施の形態３）
図３は、本実施の形態３に係る電源リングを示す図である。但し、前述した実施の形態２と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。なお、図３では簡略化のために外側のＶＳＳの電源リングのみを示している。

図３において、配線パターン２１１、２１２は４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線であり、配線パターン２１０、２１３は１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線であり、これらの配線パターン２１０ないし２１３は電力供給領域２０１の角へ向って引かれている。また、これらの配線パターン２１０ないし２１３は当該電源リングに接続される。本実施の形態３によれば、実施の形態２に比べて、電力供給領域２０１内の角周辺における電圧降下を低減することができる。

（実施の形態４）
図４は、本実施の形態４に係る電源リングを示す図である。
図４において、領域４０１は当該電源リングによって電力が供給される電力供給領域である。配線パターン４０２、４０４、４０７、４０９は４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線である。配線パターン４０３、４０５、４０６、４０８は１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線である。

当該電源リングは、図４に示すように、配線パターン４０２、４０３、４０６、４０７からなる矩形のリングと配線パターン４０４、４０５、４０８、４０９からなる矩形のリングを角が重ならないように且つ部分的に重なるように配置して形成した。

なお、電源リングには少なくともＶＤＤとＶＳＳの２系統の電源リングが必要であるが、図４では簡略化のために一つの矩形リングで表現している。例えば、配線パターン４０２、４０３、４０６、４０７からなる矩形リングは、ＶＳＳとＶＤＤの両方の電源リングを表している。

このように、当該電源リングは、矩形リング（電源リング）の各辺を、矩形リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる配線層で、かつ矩形リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成する。例えば、配線パターン４０２、４０４、４０７、４０９は、これらの辺を通過する斜め方向の配線が１３５度方向の配線であり、その１３５度方向の配線の延長線上に存在する辺であるので、４５度方向の配線層Ｍ１で構成する。

本実施の形態４によれば、４５度方向、１３５度方向のいずれの配線も電源リングに妨げられることなく電力供給領域４０１の領域外から領域内へと直進させることができるので、配線混雑を低減することができる。また、電力供給領域４０１内のメッシュ状の各電力供給配線に対して各矩形リング（電源リング）から２辺の組み合わせで電力を供給することが可能となり、電圧降下を低減することができる。

なお、本実施の形態４では重ね合わせる矩形リングの数を２個としているが、１個以上であればよく、矩形リングの形状・大きさも図４に示すように電力供給領域の短辺の長さを対角線の長さとした正方形にする必要はない。

（実施の形態５）
図５は、本実施の形態５に係る電源リングを示す図である。但し、前述した実施の形態４と同一の部材には同一符号を付して、説明を省略する。

図５において、配線パターン４１１、４１２は４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線であり、配線パターン４１０、４１３は１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線であり、これらの配線パターン４１０ないし４１３は電力供給領域４０１の角へ向って引かれている。また、これらの配線パターン４１０ないし４１３は当該電源リングに接続される。本実施の形態５によれば、実施の形態４に比べて、電力供給領域４０１内の角周辺における電圧降下を低減することができる。

（実施の形態６）
図６は、本実施の形態６に係る電源リングを示す図である。
図６において、領域６０１は当該電源リングによって電力が供給される電力供給領域である。配線パターン６０２、６０４、６０６、６０８、６１０、６１２、６１４、６１６、６１８、６２０、６２２、６２４、６２６、６２８、６３０、６３２、６３４、６３６、６３８、６４０は４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線である。配線パターン６０３、６０５、６０７、６０９、６１１、６１３、６１５、６１７、６１９、６２１、６２３、６２５、６２７、６２９、６３１、６３３、６３５、６３７、６３９、６４１は１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線である。

また、配線パターン６０２ないし６２１からなる電源リングはＶＳＳの電源リングであり、配線パターン６２２ないし６４１からなる電源リングはＶＤＤの電源リングである。電力供給領域６０１には、これらの２系統の電源リングにより電力が供給される。

当該電源リングの形状は、前述した実施の形態４に係る電源リングの形状が複数の矩形リングを角が重ならないように重ね合わせた形状となっていたのに対し、その複数の矩形リングを重ね合わせた形状の外周部分のみからなる形状となっている（図７参照。）。そのため、例えば配線パターン６０３ないし６０６のように、電力供給領域６０１の各辺に対向する形状が波型形状となる。

このように、当該電源リングは、電源リングの各辺を、電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる配線層で、かつ電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成する。例えば、配線パターン６０２、６２４、６３０、６１２は、これらの辺を通過する斜め方向の配線が１３５度方向の配線であり、その１３５度方向の配線の延長線上に存在する辺であるので、４５度方向の配線層Ｍ１で構成する。

本実施の形態６によれば、実施の形態４、５と同様に、４５度方向、１３５度方向のいずれの配線も電源リングに妨げられることなく電力供給領域６０１の領域外から領域内へと直進させることができるので、配線混雑を低減することができる。また、電力供給領域６０１内のメッシュ状の各電力供給配線に対して各電源リングから２辺の組み合わせで電力を供給することが可能となり、電圧降下を低減することができる。さらに、電源リングを形成する配線パターンが電力供給領域内の周縁にのみ配置されるので、実施の形態４、５に比べて、電力供給領域内部の配線混雑を低減することができる。

（実施の形態７）
図８は、本実施の形態７に係る電源リングを示す図である。
図８において、領域８０１は当該電源リングによって電力が供給される電力供給領域である。配線パターン８０２、８０４、８０６、８０８、８１０、８１２、８１４、８１６、８１８、８２０、８２２、８２４、８２６、８２８、８３０、８３２は４５度方向の配線層Ｍ１で構成された電源基幹配線である。配線パターン８０３、８０５、８０７、８０９、８１１、８１３、８１５、８１７、８１９、８２１、８２３、８２５、８２７、８２９、８３１、８３３は１３５度方向の配線層Ｍ２で構成された電源基幹配線である。

また、配線パターン８０２ないし８２１からなる電源リングはＶＳＳの電源リングであり、配線パターン８２２ないし８３３からなる電源リングはＶＤＤの電源リングである。電力供給領域８０１には、これらの２系統の電源リングにより電力が供給される。

図８に示すように、当該電源リングの形状は、ＶＳＳとＶＤＤの電源リングを２重螺旋状に交差させた形状となっている。そのため、例えばＶＳＳの電源リングを構成する配線パターン８０４とＶＤＤの電源リングを構成する配線パターン８２３のように、電源基幹配線を互いに異なる配線層で構成してＸ字型に交差させ、このＸ字型のパターンを連結した形状となっている。

このように、当該電源リングは、電源リングの各辺を、電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる配線層で、かつ電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成する。例えば、配線パターン８２２、８０４、８１０、８２８は、これらの辺を通過する斜め方向の配線が１３５度方向の配線であり、その１３５度方向の配線の延長線上に存在する辺であるので、４５度方向の配線層Ｍ１で構成する。

本実施の形態７によれば、４５度方向、１３５度方向のいずれの配線も電源リングに妨げられることなく電力供給領域８０１の領域外から領域内へと直進させることができるので、配線混雑を低減することができる。また、電力供給領域８０１内のメッシュ状の各電力供給配線に対して各電源リングから２辺の組み合わせで電力を供給することが可能となり、電圧降下を低減することができる。

さらに、各配線層で電源リングに割り当てる面積を減らすことができるので、電力供給領域内において信号配線に使用可能な面積が広がり、電力供給領域内の配線混雑を低減することができる。

以上のように、実施の形態１ないし７によれば、半導体集積回路の単価に影響のある敷き詰め率向上に有効な斜め配線を使用した半導体集積回路において、電源リングに起因する配線混雑を低減することが可能となり、かつ、誤動作の原因となる電圧低下を低減できるという効果を有し、斜め配線を使用した半導体集積回路の敷き詰め率向上に有効な電源リングを提供できるようになる。

したがって、例えばスタンダードセル方式などにより特定用途向けにＡＳＩＣ（アプリケーション・スペシフィック・インテグレーテッド・サーキット）展開されるような半導体集積回路に適用して有効となる。

本発明にかかる電源リング、および半導体集積回路は、半導体集積回路の単価に影響のある敷き詰め率向上に有効な斜め配線を使用した半導体集積回路において、電源リングに起因する配線混雑を低減することが可能であり、かつ、誤動作の原因となる電圧低下を低減できるという効果を有し、斜め配線を使用した半導体集積回路の敷き詰め率向上に有用である。

本発明の実施の形態１に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態２に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態３に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態４に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態５に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態６に係る電源リングを示す図 本発明の実施の形態６に係る電源リングの形状を説明するための図 本発明の実施の形態７に係る電源リングを示す図 斜め配線を説明するための図 斜め配線を用いて構成した従来の電源リングを説明するための図 斜め配線を用いて構成した従来の電源リングに起因する配線混雑を説明するための図 マンハッタン配線を用いて構成した従来の電源リングとメッシュ状の電力供給配線を説明するための図 斜め配線を用いて構成した従来の電源リングとメッシュ状の電力供給配線を説明するための図

符号の説明

１０１、１０４、１０５、１０８、２０２、２０４、２０６、２０８、４０２、４０４、４０７、４０９、６０２、６０４、６０６、６０８、６１０、６１２、６１４、６１６、６１８、６２０、６２２、６２４、６２６、６２８、６３０、６３２、６３４、６３６、６３８、６４０、８０２、８０４、８０６、８０８、８１０、８１２、８１４、８１６、８１８、８２０、８２２、８２４、８２６、８２８、８３０、８３２ ４５度方向の配線層で構成した配線パターン
１０２、１０３、１０６、１０７、２０３、２０５、２０７、２０９、４０３、４０５、４０６、４０８、６０３、６０５、６０７、６０９、６１１、６１３、６１５、６１７、６１９、６２１、６２３、６２５、６２７、６２９、６３１、６３３、６３５、６３７、６３９、６４１、８０３、８０５、８０７、８０９、８１１、８１３、８１５、８１７、８１９、８２１、８２３、８２５、８２７、８２９、８３１、８３３ １３５度方向の配線層で構成した配線パターン
２０１、４０１、６０１、８０１ 電力供給領域
２１０、２１３、４１０、４１３ 電力供給領域の角へ向かって引かれる１３５度方向の配線層で構成された配線パターン
２１１、２１２、４１１、４１２ 電力供給領域の角へ向かって引かれる４５度方向の配線層で構成された配線パターン

Claims (9)

1. 半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分となる電源リングであって、電力供給領域に沿った形状に形成されるとともに、互いに異なる斜め方向の配線層を使って構成され、かつ当該電源リングの各角の部分が、該電力供給領域の各角を領域内から領域外へ通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で構成されることを特徴とする電源リング。
2. 請求項１記載の電源リングにおいて、当該電源リングの各角の部分を、電力供給領域の各角に対して斜めとなる形状にしたことを特徴とする電源リング。
3. 請求項２記載の電源リングにおいて、当該電源リングに、電力供給領域の各角へ向って伸びる電源基幹配線を接続したことを特徴とする電源リング。
4. 半導体集積回路において半導体素子へ電力を供給する電力供給配線の基幹部分となる電源リングであって、互いに異なる斜め方向の配線層を使って構成されるとともに、当該電源リングの各辺が、当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線を含む配線層とは異なる方向の配線層で且つ当該電源リングの各辺を通過する斜め方向の配線の延長線上に存在する他の辺を構成する配線層と同一方向の配線層で構成されることを特徴とする電源リング。
5. 請求項４記載の電源リングであって、１個もしくは複数個の矩形のリングを角が重ならないように配置して形成したことを特徴とする電源リング。
6. 請求項５記載の電源リングにおいて、当該電源リングに、電力供給領域の各角へ向って伸びる電源基幹配線を接続したことを特徴とする電源リング。
7. 請求項４記載の電源リングであって、電力供給領域の各辺に対向する形状を波型にしたことを特徴とする電源リング。
8. 請求項４記載の電源リングであって、電源基幹配線を交差させたＸ型のパターンを連結した形状を有することを特徴とする電源リング。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の電源リングを有することを特徴とする半導体集積回路。
   

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