JP2010186735A - 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 - Google Patents
極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010186735A JP2010186735A JP2009212003A JP2009212003A JP2010186735A JP 2010186735 A JP2010186735 A JP 2010186735A JP 2009212003 A JP2009212003 A JP 2009212003A JP 2009212003 A JP2009212003 A JP 2009212003A JP 2010186735 A JP2010186735 A JP 2010186735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser light
- wavefront
- light source
- laser
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1061—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a variable absorption device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1307—Stabilisation of the phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2316—Cascaded amplifiers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lasers (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】レーザ発振器20から出力されるレーザ光を増幅させるための増幅システム30内に、少なくとも一つ以上の波面補正器34と、センサ36とを設ける。センサ36は、レーザ光の角度(方向)や波面の曲率の変化を検出して出力する。波面補正コントローラ(WFC-C)50は、センサ36の計測結果に基づいて、波面補正器34に信号を出力する。波面補正器34は、波面補正コントローラ(WFC-C)50からの指示に従って、レーザ光の波面を所定の波面に修正する。チャンバ10内にレーザ光を供給する集光システム40内にも、別の波面補正器及びセンサを設けることができる。
【選択図】図1
Description
第1補正部は、レーザ光の出射角度を所定方向に調節する角度補正機能と、レーザ光の波面の曲率を所定の波面の形状に調節する曲率補正機能とを備えてもよい。
さらに、チャンバのウインドウまたは増幅器のウインドウまたは可飽和吸収体セルのウインドウを、ダイヤモンドウインドウとして構成してもよい。
センサ、36F:予測部、37:空間フィルタ、38:反射ミラー、40:集光システム、41:反射ミラー、44:波面補正器、45,45A:センサ、46,46A:アイソレータ、50,50A,50B:波面補正コントローラ、60:レーザコントローラ、70:EUV光源コントローラ、90:プリパルスレーザ発振器、95,95(1)〜95(3):プリパルスレーザ光用波面補正部、96,96(1)〜96(3):プリパルスレーザ光用センサ、97,97(1)〜97(3):プリパルスレーザ光用波面補正コントローラ、98(1),98(2):プリパルスレーザ光用アンプ、99:プリパルスレーザコントローラ、100,100A:角度補正器、200,200A〜200J:波面曲率補正器、360,360A〜360E:光学的センサ部、600,600A,600B,600C:冷却機能付きミラー。
Claims (35)
- ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記チャンバ内の前記ターゲット物質に照射させるための集光システムと、
を備え、
少なくとも前記増幅システムには、
前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状に相当するビームパラメータを検出するための、少なくとも一つ以上の第1検出部と、
前記第1検出部により検出される前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を、所定の方向及び所定の波面の形状に補正するための、少なくとも一つ以上の第1補正部と、
前記第1検出部による検出結果に応じて、前記第1補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上の補正制御部とが、設けられている、極端紫外光源装置。 - 前記集光システムには、前記第1補正部とは別の第2補正部と、前記第1検出部とは別の第2検出部とが、少なくとも一つずつ設けられている、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1補正部が前記増幅システム内に複数設けられている場合、
前記補正制御部は、予め設定されている所定の順序に従って、前記各第1補正部による補正動作をそれぞれ制御することにより、前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を前記所定の方向及び前記所定の波面の形状に補正させる、
請求項1に記載の極端紫外光源装置。 - 前記補正制御部は、前記各第1補正部を、前記レーザ光の進行方向の上流側に位置するものから順番に補正動作をそれぞれ制御する、請求項3に記載の極端紫外光源装置。
- 前記補正制御部は、予め設定されている所定の順序に従って、前記第1補正部による補正動作と前記第2補正部による補正動作とをそれぞれ制御することにより、前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を前記所定の方向及び前記所定の波面の形状に補正させる、
請求項2に記載の極端紫外光源装置。 - 前記補正制御部は、前記第1補正部の補正動作を制御した後で、前記第2補正部の補正動作を制御する、請求項5に記載の極端紫外光源装置。
- 前記増幅器は、前記レーザ光の進行方向の上流側に設けられる前増幅器と、前記レーザ光の進行方向の下流側に設けられる主増幅器とに大別され、前記第1補正部は、少なくとも前記前増幅器の上流側または下流側のいずれかに設けられる、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1補正部によって前記レーザ光の方向及び波面の形状が所定の方向及び所定の波面の形状に補正された後で、前記ターゲット物質供給部は、前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給する、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1補正部及び前記第2補正部によって、前記レーザ光の方向及び波面の形状が所定の方向及び所定の波面の形状にそれぞれ補正された後で、前記ターゲット物質供給部は、前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給する、請求項2に記載の極端紫外光源装置。
- 前記増幅システムには、所定値以下のレーザ光を吸収するための可飽和吸収体が設けられている、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1補正部は、前記レーザ光の出射角度を前記所定方向に調節するための角度補正機能と、前記レーザ光の波面の曲率を前記所定の波面の形状に調節するための曲率補正機能とを備えている、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1補正部は、曲率を可変に制御できるミラーを含む反射光学系として構成されている請求項11に記載の極端紫外光源装置。
- 前記第1検出部は、前記レーザ光を反射させる反射ミラーと、この反射ミラーを透過する漏れ光の状態を電気信号として検出する光学センサとを含んで構成される、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- 極端紫外光源装置に使用されるレーザ光源装置であって、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記極端紫外光源装置のチャンバ内に入射させるための集光システムと、
を備え、
少なくとも前記増幅システムには、
前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状を所定の方向及び所定の波面の形状に補正するための、少なくとも一つ以上の第1補正部と、
前記第1補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上の補正制御部とが、設けられている、極端紫外光源装置用レーザ光源装置。 - 極端紫外光源装置に使用されるレーザ光源装置を調整する方法であって、
前記レーザ光源装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光を少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光をチャンバ内に入射させるための集光システムとを備えており、
前記レーザ発振器から前記レーザ光を出力させ、
前記増幅器により増幅される前記レーザ光の方向及び波面の形状を検出し、
前記検出された前記方向及び前記波面の形状が所定の方向及び所定の波面の形状となるように補正する、
極端紫外光源装置用レーザ光源装置の調整方法。 - 前記レーザ光の方向及び波面の形状を検出するための検出器として、シャックハルトマン波面計を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の極端紫外光源装置。
- 前記レーザ光の方向及び波面の形状に相当する前記ビームパラメータを検出するための検出器として、ビームポインティング計測器とビームプロファイル計測器を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の極端紫外光源装置。
- 前記レーザ光の方向及び波面の形状に相当する前記ビームパラメータを検出するための検出器として、ビームプロファイル計測器を少なくとも2台備えたことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の極端紫外光源装置。
- 前記レーザ光の方向及び波面の形状に相当するビームパラメータを検出するための検出器として、熱負荷を受ける光学素子の温度分布を計測するための計測器またはレーザのエネルギを検出するためのエネルギ検出器のいずれかを備えており、前記計測器からの信号または前記エネルギ検出器からの信号に基づいて、前記レーザの方向と波面形状を予測することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の極端紫外光源装置。
- 前記ターゲット物質に照射されるプリパルスレーザ光を出力するためのプリパルス用レーザ発振器と、
前記プリパルスレーザ光を前記ターゲット物質に照射させるためのプリパルス光学系と、
前記プリパルスレーザ光の方向及び波面の形状を検出するか、または、前記プリパルスレーザ光の方向及び波面の形状に相当するビームパラメータを検出するための、少なくとも一つ以上の第3検出部と、
前記第3検出部により検出される前記プリパルスレーザ光の前記方向及び前記波面の形状を、所定の方向及び所定の波面の形状に補正するための、少なくとも一つ以上の第3補正部と、
前記第3検出部による検出結果に応じて、前記第3補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上のプリパルスレーザ光用補正制御部とが、設けられている、請求項1または請求項2のいずれかに記載の極端紫外光源装置。 - 前記チャンバに入射するウインドウまたは増幅器のウインドウとしてダイヤモンドウインドウが用いられる、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
- レーザ光源装置であって、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記極端紫外光源装置のチャンバ内に入射させるための集光システムと、
を備え、
少なくとも前記増幅システムには、
前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状を所定の方向及び所定の波面の形状に補正するための、少なくとも一つ以上の第1補正部と、
前記第1補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上の補正制御部とが、設けられている、レーザ光源装置。 - 前記チャンバに入射するウインドウまたは増幅器のウインドウとしてダイヤモンドウインドウが用いられる、請求項22に記載のレーザ光源装置。
- ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光源装置を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記チャンバ内の前記ターゲット物質に照射させるための集光システムと、
を備え、
前記チャンバのウインドウまたは増幅器のウインドウの少なくともいずれか一方に少なくとも1個のダイヤモンドウインドウが用いられている、極端紫外光源装置。 - ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光源装置を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記チャンバ内の前記ターゲット物質に照射させるための集光システムと、
戻り光を防止するための可飽和吸収体セルと、
を備え、
前記チャンバのウインドウまたは増幅器のウインドウまたは前記可飽和吸収体セルのウインドウの少なくともいずれかにおいて、少なくとも1個のダイヤモンドウインドが用いられている、極端紫外光源装置。 - ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記チャンバ内の前記ターゲット物質に照射させるための集光システムと、
を備え、
少なくとも前記増幅システムには、
前記増幅システム内のレーザ光の方向を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向に相当するビームパラメータを検出するための、少なくとも一つ以上の第1検出部と、
前記第1検出部により検出される前記レーザ光の方向を、所定の方向に補正するための、少なくとも一つ以上の第1補正部と、
前記第1検出部による検出結果に応じて、前記第1補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上の補正制御部とが、設けられている、極端紫外光源装置。 - ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置を制御するための方法であって、
前記極端紫外光源装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムを備え、
前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状に相当するビームパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出される前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を、所定の方向及び所定の波面の形状に補正する補正ステップと、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記補正ステップによる補正動作を制御する補正制御ステップとをそれぞれ実行する、極端紫外光源装置の制御方法。 - ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置を制御するための方法であって、
前記極端紫外光源装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムを備え、
前記増幅システム内のレーザ光の方向を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向に相当するビームパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出される前記レーザ光の方向を、所定の方向に補正する補正ステップと、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記補正ステップによる補正動作を制御する補正制御ステップとをそれぞれ実行する、極端紫外光源装置の制御方法。 - 前記第1補正部は前記増幅システム内に複数設けられており、
前記補正制御部は、前記各第1補正部を、前記レーザ光の進行方向の上流側に位置するものから順番に補正動作をそれぞれ制御することにより、前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を前記所定の方向及び前記所定の波面の形状に補正させる、
請求項22に記載のレーザ光源装置。 - レーザ光源装置であって、
レーザ光を出力するためのレーザ発振器と、
前記レーザ発振器から出力される前記レーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムと、
前記増幅システムにより増幅される前記レーザ光を、前記極端紫外光源装置のチャンバ内に入射させるための集光システムと、
を備え、
少なくとも前記増幅システムには、
前記増幅システム内のレーザ光の方向を所定の方向に補正するための、少なくとも一つ以上の第1補正部と、
前記第1補正部による補正動作を制御するための、少なくとも一つ以上の補正制御部とが、設けられている、レーザ光源装置。 - 前記第1補正部は前記増幅システム内に複数設けられており、
前記補正制御部は、前記各第1補正部を、前記レーザ光の進行方向の上流側に位置するものから順番に補正動作をそれぞれ制御することにより、前記レーザ光の方向を前記所定の方向に補正させる、
請求項30に記載のレーザ光源装置。 - レーザ光源装置を制御するための方法であって、
前記レーザ光源装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムを備え、
前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向及び波面の形状に相当するビームパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出される前記レーザ光の前記方向及び前記波面の形状を、所定の方向及び所定の波面の形状に補正する補正ステップと、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記補正ステップによる補正動作を制御する補正制御ステップとをそれぞれ実行する、レーザ光源装置の制御方法。 - レーザ光源装置を制御するための方法であって、
前記レーザ光源装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光を、少なくとも一つ以上の増幅器によって増幅させるための増幅システムを備え、
前記増幅システム内のレーザ光の方向を検出するか、または、前記増幅システム内のレーザ光の方向に相当するビームパラメータを検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出される前記レーザ光の方向を、所定の方向に補正する補正ステップと、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記補正ステップによる補正動作を制御する補正制御ステップとをそれぞれ実行する、レーザ光源装置の制御方法。 - 前記第1補正部に前記レーザ光を入射させるためのミラーに、ミラー表面を軸対称に冷却する
ための冷却機構を設ける、請求項1または請求項26のいずれかに記載の極端紫外光源装置。 - 前記第1補正部に前記レーザ光を入射させるためのミラーに、ミラー表面を軸対称に冷却するための冷却機構を設ける、請求項22または請求項30のいずれかに記載のレーザ光源装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009212003A JP5833806B2 (ja) | 2008-09-19 | 2009-09-14 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
US12/560,864 US8395133B2 (en) | 2008-09-19 | 2009-09-16 | Apparatus and method of adjusting a laser light source for an EUV source device |
DE102009029605.0A DE102009029605B4 (de) | 2008-09-19 | 2009-09-18 | Extremultraviolett-Lichtquellenvorrichtung, Laserlichtquelleneinrichtung für eine Extremultraviolett-Lichtquellenvorrichtung und Verfahren zur Einstellung einer Laserlichtquelleneinrichtung für eine Extremultraviolett-Lichtquellenvorrichtung |
US13/759,970 US8698114B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-02-05 | Extreme ultraviolet light source device, laser light source device for extreme ultraviolet light source, and method of adjusting laser light source device for extreme ultraviolet light source device |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008240915 | 2008-09-19 | ||
JP2008240915 | 2008-09-19 | ||
JP2009008001 | 2009-01-16 | ||
JP2009008001 | 2009-01-16 | ||
JP2009212003A JP5833806B2 (ja) | 2008-09-19 | 2009-09-14 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015214678A Division JP5914742B2 (ja) | 2008-09-19 | 2015-10-30 | 極端紫外光源装置用レーザ光源装置、及びレーザ光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010186735A true JP2010186735A (ja) | 2010-08-26 |
JP5833806B2 JP5833806B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=42055227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009212003A Active JP5833806B2 (ja) | 2008-09-19 | 2009-09-14 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8395133B2 (ja) |
JP (1) | JP5833806B2 (ja) |
DE (1) | DE102009029605B4 (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
JP2012069907A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-04-05 | Komatsu Ltd | ウィンドウユニット、ウィンドウ装置、レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2012510156A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 |
JP2012160565A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Komatsu Ltd | チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置 |
JP2013004258A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP2013020926A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-31 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2013165256A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-08-22 | Gigaphoton Inc | レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置 |
KR20130095922A (ko) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광기 및 노광기 제어 방법 |
JP2013201388A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Gigaphoton Inc | レーザシステム及び極端紫外光生成システム |
JP2013207003A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
JP2013214746A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | レーザビームを増幅させるための装置 |
JP2015521386A (ja) * | 2012-05-24 | 2015-07-27 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションNorthrop Grumman Systems Corporation | コヒーレントレーザアレイ制御システムおよび方法 |
JP2015521781A (ja) * | 2012-06-12 | 2015-07-30 | トルンプフ レーザー− ウント ジュステームテヒニク ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Laser− und Systemtechnik GmbH | レーザービーム光源とレーザービームを操作するためのビーム案内装置とを備えたeuv励起光源 |
WO2015111510A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
JP2015146329A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-08-13 | ギガフォトン株式会社 | ウィンドウユニット、ウィンドウ装置、レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
US9113540B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-08-18 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
JP2015524619A (ja) * | 2012-07-27 | 2015-08-24 | ソルラブス、インコーポレイテッド | 増幅広域チューナブル短共振器レーザ |
JP2015530617A (ja) * | 2012-09-24 | 2015-10-15 | トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | Euv放射線発生装置および該euv放射線発生装置のための運転法 |
US9265136B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-02-16 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
WO2016098240A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016125295A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | ギガフォトン株式会社 | ビームデリバリシステム及びその制御方法 |
WO2016151827A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
JPWO2015128943A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US9743503B2 (en) | 2014-02-10 | 2017-08-22 | Gigaphoton Inc. | Laser device and extreme ultraviolet light generation system |
WO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
JP2020052428A (ja) * | 2011-06-29 | 2020-04-02 | ケーエルエー コーポレイション | 光源持続プラズマセルにおける収差を補正するための装置及び方法 |
US10842008B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-11-17 | Gigaphoton Inc. | Laser device, and extreme ultraviolet light generation system |
JPWO2021112248A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5833806B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2015-12-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
JP5587578B2 (ja) | 2008-09-26 | 2014-09-10 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置およびパルスレーザ装置 |
JP5666285B2 (ja) | 2010-03-15 | 2015-02-12 | ギガフォトン株式会社 | 再生増幅器、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
JP5670174B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
JP5765759B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および方法 |
JP5946612B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2016-07-06 | ギガフォトン株式会社 | ミラー、ミラー装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
JP2012109417A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Komatsu Ltd | スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置 |
WO2012066402A1 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Gigaphoton Inc. | Slab amplification device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
JP2012178534A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-09-13 | Gigaphoton Inc | 光学システムおよびそれを用いた極端紫外光生成システム |
JP5964053B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-08-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US8330129B1 (en) * | 2011-08-24 | 2012-12-11 | Axcelis Technologies Inc. | Uniformity of a scanned ion beam |
US9335637B2 (en) * | 2011-09-08 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Laser-produced plasma EUV source with reduced debris generation utilizing predetermined non-thermal laser ablation |
DE102012201557A1 (de) * | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlführungssystem zur fokussierenden Führung von Strahlung einer Hochleistungs-Laserlichtquelle hin zu einem Target sowie LPP-Röntgenstrahlquelle mit einem derartigen Strahlführungssystem |
JP6164558B2 (ja) | 2012-01-18 | 2017-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高電力レーザ光源からターゲット上への放射線のフォーカス誘導のためのビーム誘導系及びレーザ光源とそのようなビーム誘導系とを有するlpp x線ビーム源 |
JP2013175402A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及びターゲット物質供給方法 |
JP2013207004A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
US8681427B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-03-25 | Cymer, Inc. | System and method for separating a main pulse and a pre-pulse beam from a laser source |
JP6305426B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2018-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィ装置用ビーム搬送装置 |
TWI611731B (zh) | 2012-12-21 | 2018-01-11 | Gigaphoton Inc | 雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置 |
US9148941B2 (en) * | 2013-01-22 | 2015-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Thermal monitor for an extreme ultraviolet light source |
US8791440B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Target for extreme ultraviolet light source |
US8872144B1 (en) * | 2013-09-24 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | System and method for laser beam focus control for extreme ultraviolet laser produced plasma source |
US9000405B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Beam position control for an extreme ultraviolet light source |
EP3045022B1 (de) * | 2013-09-12 | 2017-11-08 | TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | Strahlführungseinrichtung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung mit einer überlagerungseinrichtung |
US9374882B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Final focus assembly for extreme ultraviolet light source |
US9380691B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive laser system for an extreme ultraviolet light source |
WO2016001973A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器 |
US10056731B2 (en) | 2015-11-25 | 2018-08-21 | Raytheon Company | Planar waveguide (PWG) amplifier-based laser system with adaptive optic wavefront correction in low-power beam path |
US10411435B2 (en) * | 2016-06-06 | 2019-09-10 | Raytheon Company | Dual-axis adaptive optic (AO) system for high-power lasers |
US10663866B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Wavelength-based optical filtering |
GB201700068D0 (en) * | 2017-01-04 | 2017-02-15 | Element Six Tech Ltd | Synthetic diamond optical elements |
WO2018154771A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
JPWO2019012642A1 (ja) * | 2017-07-13 | 2020-05-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
JP6976334B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2021-12-08 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法 |
EP3695261B1 (en) * | 2017-10-09 | 2023-06-07 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Refocusing device |
EP3543760A1 (en) * | 2018-03-22 | 2019-09-25 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Refocusing device |
US11133639B2 (en) | 2018-07-24 | 2021-09-28 | Raytheon Company | Fast axis thermal lens compensation for a planar amplifier structure |
US10925142B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation source for lithography exposure process |
WO2020187405A1 (de) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Verfahren zum justieren eines laserstrahls, vorrichtung zum bereitstellen eines justierten laserstrahls und optische anordnung |
KR20210089949A (ko) | 2020-01-09 | 2021-07-19 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원의 레이저 빔 딜리버리 장치 |
US11506986B2 (en) * | 2020-04-09 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thermal controlling method in lithography system |
CN112382919A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种激光光源及激光光束方向的调整方法 |
CN114279496A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种气体光隔离装置及其方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
JPH01248584A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-04 | Nec Corp | Qスイッチ固体レーザ装置 |
JPH06222300A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | レーザービーム整形装置 |
JP2003270551A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | レーザパルス制御方法と装置およびx線発生方法と装置 |
JP2003272892A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | X線発生方法およびx線発生装置 |
JP2004198373A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 高速粒子発生方法及び高速粒子発生装置 |
JP2006024855A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2006135298A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びlpp型極端紫外光源装置 |
JP2006242647A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高エネルギー粒子発生方法及び高エネルギー粒子発生装置 |
JP2007012805A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2007529903A (ja) * | 2004-03-17 | 2007-10-25 | サイマー インコーポレイテッド | Lppのeuv光源 |
JP2007317598A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP2008085292A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-04-10 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
JP2008112855A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ光照射装置およびレーザ光照射方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2753544B1 (fr) * | 1996-09-17 | 1998-11-27 | Thomson Csf | Systeme de controle de faisceau lumineux |
US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
JP2006128157A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム |
JP5833806B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2015-12-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
-
2009
- 2009-09-14 JP JP2009212003A patent/JP5833806B2/ja active Active
- 2009-09-16 US US12/560,864 patent/US8395133B2/en active Active
- 2009-09-18 DE DE102009029605.0A patent/DE102009029605B4/de active Active
-
2013
- 2013-02-05 US US13/759,970 patent/US8698114B2/en active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
JPH01248584A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-04 | Nec Corp | Qスイッチ固体レーザ装置 |
JPH06222300A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | レーザービーム整形装置 |
JP2003270551A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | レーザパルス制御方法と装置およびx線発生方法と装置 |
JP2003272892A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | X線発生方法およびx線発生装置 |
JP2004198373A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 高速粒子発生方法及び高速粒子発生装置 |
JP2007529903A (ja) * | 2004-03-17 | 2007-10-25 | サイマー インコーポレイテッド | Lppのeuv光源 |
JP2006024855A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2006135298A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びlpp型極端紫外光源装置 |
JP2006242647A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高エネルギー粒子発生方法及び高エネルギー粒子発生装置 |
JP2007012805A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2007317598A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP2008085292A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-04-10 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
JP2008112855A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ光照射装置およびレーザ光照射方法 |
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
JP2012510156A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 |
US9497842B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-11-15 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US9113540B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-08-18 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US9877378B2 (en) | 2010-02-19 | 2018-01-23 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US10117317B2 (en) | 2010-02-19 | 2018-10-30 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US9167678B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-10-20 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US9265136B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-02-16 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US10251255B2 (en) | 2010-02-19 | 2019-04-02 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US10306743B1 (en) | 2010-02-19 | 2019-05-28 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
JP2015146329A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-08-13 | ギガフォトン株式会社 | ウィンドウユニット、ウィンドウ装置、レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2012069907A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-04-05 | Komatsu Ltd | ウィンドウユニット、ウィンドウ装置、レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2012160565A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Komatsu Ltd | チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置 |
JP2013004258A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
KR20140027301A (ko) * | 2011-06-15 | 2014-03-06 | 기가포톤 가부시키가이샤 | 극자외선 광 생성 시스템 |
KR101919631B1 (ko) * | 2011-06-15 | 2018-11-16 | 기가포톤 가부시키가이샤 | 극자외선 광 생성 시스템 |
JP2013020926A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-31 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2020052428A (ja) * | 2011-06-29 | 2020-04-02 | ケーエルエー コーポレイション | 光源持続プラズマセルにおける収差を補正するための装置及び方法 |
JP2013165256A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-08-22 | Gigaphoton Inc | レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置 |
KR20130095922A (ko) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광기 및 노광기 제어 방법 |
KR101961893B1 (ko) | 2012-02-21 | 2019-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광기 및 노광기 제어 방법 |
JP2013201388A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Gigaphoton Inc | レーザシステム及び極端紫外光生成システム |
JP2013207003A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
JP2013214746A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | レーザビームを増幅させるための装置 |
US9306367B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-04-05 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Device for amplifying a laser beam |
JP2015521386A (ja) * | 2012-05-24 | 2015-07-27 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションNorthrop Grumman Systems Corporation | コヒーレントレーザアレイ制御システムおよび方法 |
JP2015521781A (ja) * | 2012-06-12 | 2015-07-30 | トルンプフ レーザー− ウント ジュステームテヒニク ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Laser− und Systemtechnik GmbH | レーザービーム光源とレーザービームを操作するためのビーム案内装置とを備えたeuv励起光源 |
US9843159B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-12-12 | Thorlabs, Inc. | Widely tunable short cavity laser |
US10615571B2 (en) | 2012-07-27 | 2020-04-07 | Thorlabs, Inc. | Spectrally shaped tunable short-cavity laser |
JP2015524619A (ja) * | 2012-07-27 | 2015-08-24 | ソルラブス、インコーポレイテッド | 増幅広域チューナブル短共振器レーザ |
US11183812B2 (en) | 2012-07-27 | 2021-11-23 | Thorlabs, Inc. | Widely tunable short-cavity laser |
US9997891B2 (en) | 2012-07-27 | 2018-06-12 | Thorlabs, Inc. | Widely tunable short cavity laser |
JP2015530617A (ja) * | 2012-09-24 | 2015-10-15 | トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | Euv放射線発生装置および該euv放射線発生装置のための運転法 |
WO2015111510A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
WO2015111219A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
US9647406B2 (en) | 2014-01-27 | 2017-05-09 | Gigaphoton Inc. | Laser unit and extreme ultraviolet light generating system |
JPWO2015111510A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2017-03-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
US9743503B2 (en) | 2014-02-10 | 2017-08-22 | Gigaphoton Inc. | Laser device and extreme ultraviolet light generation system |
JPWO2015128943A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US10374381B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-08-06 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
JPWO2016098543A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-09-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016098240A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016098543A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016125295A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | ギガフォトン株式会社 | ビームデリバリシステム及びその制御方法 |
JPWO2016125295A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-11-09 | ギガフォトン株式会社 | ビームデリバリシステム及びその制御方法 |
US10194515B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-01-29 | Gigaphoton Inc. | Beam delivery system and control method therefor |
WO2016151827A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
JPWO2016151827A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2018-01-11 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US10842008B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-11-17 | Gigaphoton Inc. | Laser device, and extreme ultraviolet light generation system |
JPWO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2020-04-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
WO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
US10925143B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-02-16 | Gigaphoton Inc. | Laser apparatus and EUV light generating system |
JP6990701B2 (ja) | 2017-06-05 | 2022-01-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
JPWO2021112248A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | ||
WO2021112248A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 古河電気工業株式会社 | 発光装置、光源ユニット、光源装置、および光ファイバレーザ |
JP7190065B2 (ja) | 2019-12-06 | 2022-12-14 | 古河電気工業株式会社 | 発光装置、光源ユニット、光源装置、および光ファイバレーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8698114B2 (en) | 2014-04-15 |
US20100078577A1 (en) | 2010-04-01 |
DE102009029605B4 (de) | 2019-04-25 |
US20130148677A1 (en) | 2013-06-13 |
US8395133B2 (en) | 2013-03-12 |
DE102009029605A1 (de) | 2010-04-29 |
JP5833806B2 (ja) | 2015-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5833806B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 | |
JP5368261B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 | |
JP5587578B2 (ja) | 極端紫外光源装置およびパルスレーザ装置 | |
CN101790764B (zh) | 用于激光致等离子体euv光源的气体管理系统 | |
US8000212B2 (en) | Metrology for extreme ultraviolet light source | |
JP6021454B2 (ja) | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 | |
US8173985B2 (en) | Beam transport system for extreme ultraviolet light source | |
US9128391B2 (en) | Optical device including wavefront correction parts and beam direction parts, laser apparatus including the optical device, and extreme ultraviolet light generation system including the laser apparatus | |
US20130037693A1 (en) | Optical system and extreme ultraviolet (euv) light generation system including the optical system | |
JP2012212641A (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
JP5711326B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP6704857B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP5914742B2 (ja) | 極端紫外光源装置用レーザ光源装置、及びレーザ光源装置 | |
US9414477B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
WO2015151152A1 (ja) | ミラー装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100813 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111006 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111019 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150525 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5833806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |