JPH01248584A - Ｑスイッチ固体レーザ装置 - Google Patents
Ｑスイッチ固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01248584A JPH01248584A JP7710188A JP7710188A JPH01248584A JP H01248584 A JPH01248584 A JP H01248584A JP 7710188 A JP7710188 A JP 7710188A JP 7710188 A JP7710188 A JP 7710188A JP H01248584 A JPH01248584 A JP H01248584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saturable absorber
- plastic film
- switch element
- laser
- thermal conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 abstract 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体レーザ装置に関し、特に計測、薄膜除去加
工等に利用されるパルス幅の極度に狭い高ピーク出力を
生ずるＱスイッチ固体レーザ装置に関する。
工等に利用されるパルス幅の極度に狭い高ピーク出力を
生ずるＱスイッチ固体レーザ装置に関する。
従来この技術としては、電気光学効果を用いた能動的Ｑ
スイッチ素子、可飽和色素の溶液や、張力によって平面
状に支えられたプラスティックフィルム状可飽和吸収体
による受動的Ｑスイッチ素子によるものがある。
スイッチ素子、可飽和色素の溶液や、張力によって平面
状に支えられたプラスティックフィルム状可飽和吸収体
による受動的Ｑスイッチ素子によるものがある。
上述した従来のＱスイッチ技術において、能動的Ｑスイ
ッチ素子は、素子自体も寸法的に大きくなるのみでなく
、動作させるためのドライバーも数ｋＶ単位の高電圧を
必要とするため、Ｑスイッチレーザ装置が大形化する欠
点がある。また、装置の小形化および軽量化のため、可
飽和色素溶液をセルに収納した素子や、可飽和色素を均
一に分散させたプラスティックフィルムも利用されるが
、レーザ媒質からの蛍光を吸収し発熱するため、溶液で
は対流の発生、プラスティックフィルムでは変形を生じ
、レーザ共振器の構成を崩す要因となり、特にレーザ発
振の繰り返しを毎秒数パルス以上に上げることは不可能
であった。
ッチ素子は、素子自体も寸法的に大きくなるのみでなく
、動作させるためのドライバーも数ｋＶ単位の高電圧を
必要とするため、Ｑスイッチレーザ装置が大形化する欠
点がある。また、装置の小形化および軽量化のため、可
飽和色素溶液をセルに収納した素子や、可飽和色素を均
一に分散させたプラスティックフィルムも利用されるが
、レーザ媒質からの蛍光を吸収し発熱するため、溶液で
は対流の発生、プラスティックフィルムでは変形を生じ
、レーザ共振器の構成を崩す要因となり、特にレーザ発
振の繰り返しを毎秒数パルス以上に上げることは不可能
であった。
上述した従来のＱスイッチ技術に対し、本発明は可飽和
吸収体によるＱスイッチ素子の小形化実現の特徴の上に
、可飽和吸収体の受ける熱影響の大幅な軽減を付加する
という相違点を有する。
吸収体によるＱスイッチ素子の小形化実現の特徴の上に
、可飽和吸収体の受ける熱影響の大幅な軽減を付加する
という相違点を有する。
本発明のＱスイッチ固体レーザ装置は、プラスティック
フィルム状の可飽和吸収体と、２枚の熱良導透明体によ
って構成されるＱスイッチ素子を有している。
フィルム状の可飽和吸収体と、２枚の熱良導透明体によ
って構成されるＱスイッチ素子を有している。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。図において
レーザ媒質１は、Ｎｄ ：ＹＡＧ、Ｎｄ ニガラス等の
活性イオンを含む固体レーザ媒質である。全反射ミラー
２、出力ミラー３はレーザ共振器用ミラー、可飽和吸収
体４は例えばＫＯＤＡＫ社製Ｐｌａｓｔｉｃ ”Ｑ″５
ｗ１ｔｃｈ Ｆｉｌｔｅｒ のようなプラスティックフ
ィルム状可飽和吸収体である。
レーザ媒質１は、Ｎｄ ：ＹＡＧ、Ｎｄ ニガラス等の
活性イオンを含む固体レーザ媒質である。全反射ミラー
２、出力ミラー３はレーザ共振器用ミラー、可飽和吸収
体４は例えばＫＯＤＡＫ社製Ｐｌａｓｔｉｃ ”Ｑ″５
ｗ１ｔｃｈ Ｆｉｌｔｅｒ のようなプラスティックフ
ィルム状可飽和吸収体である。
熱良導透明体５はサファイア板、ダイヤモンド板のよう
な熱伝導率が大きく、かつレーザ発振波長に対して透過
率の高い材料からなる板材で、可飽和吸収体４をサンド
イッチ状に挟みつけ、プラスティックフィルム面と、熱
良導透明体の表面を十分密着させ、プラスティックフィ
ルムを平面状に保持すると同時に、レーザ発振時に可飽
和吸収体４内に発生する熱を速やかに奪い去り、可飽和
吸収体４の熱変形を防止する。
な熱伝導率が大きく、かつレーザ発振波長に対して透過
率の高い材料からなる板材で、可飽和吸収体４をサンド
イッチ状に挟みつけ、プラスティックフィルム面と、熱
良導透明体の表面を十分密着させ、プラスティックフィ
ルムを平面状に保持すると同時に、レーザ発振時に可飽
和吸収体４内に発生する熱を速やかに奪い去り、可飽和
吸収体４の熱変形を防止する。
以上説明したように本発明は、プラスティックフィルム
状可飽和吸収体を熱伝導率が高く、レーザ発振波長に対
して損失の少ない材料の間にサンドイッチ状に挟み込む
ことにより、レーザ発振の度にレーザ媒質からの蛍光を
吸収して発生する熱が速やかに可飽和吸収体から外部に
伝達されるため、可飽和吸収体内部への熱の蓄積が軽減
され、温度上昇が防がれる。その結果、従来の可飽和吸
収体保持方法では自然放令によって温度の低下を待つた
めレーザ発振の繰り返しは毎秒１〜２回程度に制限され
るが、本発明によれば、可飽和吸収体の熱を積極的に除
去するので、大幅な改善ができ、毎秒５回以上とできる
。
状可飽和吸収体を熱伝導率が高く、レーザ発振波長に対
して損失の少ない材料の間にサンドイッチ状に挟み込む
ことにより、レーザ発振の度にレーザ媒質からの蛍光を
吸収して発生する熱が速やかに可飽和吸収体から外部に
伝達されるため、可飽和吸収体内部への熱の蓄積が軽減
され、温度上昇が防がれる。その結果、従来の可飽和吸
収体保持方法では自然放令によって温度の低下を待つた
めレーザ発振の繰り返しは毎秒１〜２回程度に制限され
るが、本発明によれば、可飽和吸収体の熱を積極的に除
去するので、大幅な改善ができ、毎秒５回以上とできる
。
第１図は本発明の実施例の構成を示す図である。
１・・・・・・レーザ媒質、２・・・・・・全反射ミラ
ー、３・・・・・・出力ミラー、４・・・・・・可飽和
吸収体、５・・・・・・熱良導透明体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ？全反射ミラー も１ 図
ー、３・・・・・・出力ミラー、４・・・・・・可飽和
吸収体、５・・・・・・熱良導透明体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ？全反射ミラー も１ 図
Claims (1)
- 固体レーザ材料、励起手段、Ｑスイッチ素子、レーザ共
振器から構成される、Ｑスイッチ固体レーザ装置につい
て、Ｑスイッチ素子が２枚の熱良導透明板に挟み込まれ
た、可飽和吸収性プラスティックフィルムであることを
特徴とするＱスイッチ固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7710188A JPH01248584A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｑスイッチ固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7710188A JPH01248584A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｑスイッチ固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248584A true JPH01248584A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13624397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7710188A Pending JPH01248584A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Ｑスイッチ固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248584A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758396A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | レーザー発振器 |
| JP2010103104A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置で使用される可飽和吸収体の制御方法 |
| JP2010186735A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
| WO2015097869A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
| CN107196181A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-22 | 山东大学 | 一种无耦合系统的C‑mount封装半导体激光泵浦低阈值微片激光器及其控制方法 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7710188A patent/JPH01248584A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758396A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | レーザー発振器 |
| JP2010186735A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
| JP2010103104A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置で使用される可飽和吸収体の制御方法 |
| WO2015097869A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
| JPWO2015097869A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
| US9780519B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-10-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Flat waveguide-type laser device |
| CN107196181A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-22 | 山东大学 | 一种无耦合系统的C‑mount封装半导体激光泵浦低阈值微片激光器及其控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4208268B2 (ja) | マイクロレーザーによりポンピングされる一体型光学的パラメトリック発振器 | |
| US5488619A (en) | Ultracompact Q-switched microlasers and related method | |
| EP1764886B1 (en) | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density | |
| US5991315A (en) | Optically controllable cooled saturable absorber Q-switch slab | |
| US11271356B2 (en) | Handpiece with a microchip laser | |
| Chen et al. | Passively Q-switched diode-pumped Nd: YVO4/Cr4+: YAG single-frequency microchip laser | |
| JP2820367B2 (ja) | 疑似モノリシックな飽和可能な光素子 | |
| JP4490015B2 (ja) | 短パルスレーザ装置 | |
| US3464026A (en) | Laser using porro prism end reflectors | |
| CN102545018B (zh) | 半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器 | |
| JPH01248584A (ja) | Ｑスイッチ固体レーザ装置 | |
| US3828276A (en) | High efficiency acousto-optical q-switch | |
| KR940003127A (ko) | 고체상태 공진기 | |
| US3500241A (en) | Arrangement for passive transmission pulsing of a q-switched laser | |
| US4326175A (en) | Multi-color, multi-pulse laser system | |
| JP2000101175A (ja) | 固体受動ｑスイッチブロック、固体ｑスイッチレーザ発振器及び固体レーザ装置 | |
| US4713818A (en) | Optical bistable device | |
| US20090232166A1 (en) | Electro-optic deflector | |
| CN1116723C (zh) | 双波长振荡被动双调q激光器 | |
| El-Azab et al. | Thermal Focal Length Control in Passively Q-switched End Pulsed-Pumped Ceramics and Single Crystal Yb 3+: YAG/Cr 4+: YAG Microchip Laser. | |
| US3418599A (en) | Q-switching dye solution for light control of giant pulse lasers | |
| US3997854A (en) | Passive Q-switch cell | |
| Baldwin et al. | Q-switched evaluation of CaLa SOAP: Nd | |
| Demchuk et al. | Passive film switch for mode-locked infrared lasers | |
| Snitzer et al. | Saturable absorption of color centers in Nd 3+ and Nd 3+-Yb 3+ laser glass |