JP4490015B2 - 短パルスレーザ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ポンプされるレーザ結晶を含むポンプユニットを有する短パルスレーザ装置に関し、より詳しくは受動モード同期手段を有する短パルスレーザ装置に関する。
【0002】
そのようなレーザ装置は、特にパルスの短いレーザ装置として提供され、そこでは高エネルギーを有する短いレーザのパルスはモード同期の状態で生成される。これらのパルスの短いレーザ装置は、高精度の材料加工や科学的な業務に都合良く用いられている。短いレーザパルスの生成に関しては、例えばA・スティングル他「プリズムを用いないチタン:サファイアレーザからの11−fsパルスの生成」オプティックスレターズ19巻3号1994年2月1日、p204−206と同様に、WO98/10494Aのような参考文献がある。
【0003】
高エネルギーを有する短いレーザパルスの発生の標準的な技術は、レーザ発振器とレーザアンプの技術に基づいている。レーザ発振器は、例えば数十MHzの範囲の繰返し周波数を有する、低いエネルギーの短いレーザパルス列を生成する。これらの発振パルスから、より低い繰返し周波数のパルスが選択され、高エネルギーのパルスを得るために、再生アンプまたはいわゆるマルチパスアンプで増幅する。
【0004】
オールインワンのコンセプトが好適に使用されている。そこでは、一方ではパルスの(低エネルギーでの)発生と、他方では別の時点に(高エネルギーへの)増幅を単に実行することにより、一つのレーザが同時に発振器および再生増幅器として用いられる。この種の既に知られたレーザ装置(例えばL・チューリ、T・ユハス「ダイオードポンプNd:YLF一体型レーザ」、オプティックスレターズ、20巻第14号1995年7月15日、p1541−1543参照)は、発振機能と増幅機能の双方のためのレーザからなり、音響光学的変調器で能動モード同期を用いている。能動モード同期はそれほど効率的ではないので、得られる最少のパルス持続時間は比較的長く、さらに信頼性よく長時間の動作を行わせるためには、時間制御と安定化のためにそれぞれ複雑な電子回路を必要とする。
【0005】
他方、レーザ装置では、先に言及した文献WO98/10494Aにより、受動モード同期を特に可飽和アブソーバーと共に設計することが一般的に知られている。可能な受動モード同期の他の方法には、例えばカー効果(いわゆるカーレンズモードロッキング、KLM)の利用、非線形ミラー(非線形ミラーモード同期、NLM)の使用、光学結晶内の非直線偏光回転アプリケーションまたは二次のオーダーのカスケード化された非線形処理がある。
【0006】
本発明の目的は、受動モード同期を用いた場合に、レーザのオールインワン構成を可能にする最初に規定した形式のレーザ装置を提供することであり、それによって受動モード同期が能動モード同期より強い強度の変調をもたらし、ピコまたはフェムト秒の範囲の安定な短いパルスを生成することができる利点、即ち使用されるレーザ材料の有限な増幅能力により与えられる可能な下限値に近いパルスの持続時間を有するという利点がえられる。ここで、可飽和アブソーバーのような受動モード同期デバイスが、それらの低い破壊閾値によって、エネルギーの上昇に上限値を与え、さらにアブソーバーの過大な飽和により不安定性がもたらされるという問題点は、解決されていなければならない。本発明は、異なる時点に動作する二つの異なる副共振器に共振器を分割するというアイデアに基づいている。そして、副共振器は、異なる作業、即ち一方は低いパワーレベルに対応する高い共振損失を有する受動モード同期を用いたパルスの生成、他方は高いパルスエネルギーへの増幅を行う。
【0007】
最初に規定された型式の本発明のレーザ装置は、それにより二つに分割され交互に切り替えられる共振器のアームが提供され、1パルス形成段階で作動する一方のものは受動モード同期手段からなり、他方の共振器のアームは増幅段階で作動し、損失を生じる部品は含んでいないことで特徴づけられる。本発明のレーザ装置では、こうして共振器の異なる部分が異なる時点に用いられ、低いエネルギーを有する短いレーザパルスが生成される段階では、一方の共振器のアームが受動モード同期装置と強度が低い状態に対応する高い共振損失を伴って作動し、パルスの生成が終了した後、その共振器は切り替えられて他の共振器が作動し、そこでの共振器には受動モード同期手段はなくなり、次に作動する共振器の高い共振品質によって高エネルギーのパルスへの増幅が可能になる。
【0008】
スイッチングのために、レーザビームの偏光が採用されることが望ましく、従ってこのレーザ装置を簡単に具体化するために、これら二つの共振器のアームの間に、スイッチング用の少なくとも一つの偏光検出ビームディバイダーが、偏光回転手段と共に備えられる。ここで、ポッケルスセルが偏光回転手段として用いられることが望ましく、それを通過するレーザビームの偏光方向を90°回転するために、そのようなポッケルスセルは電気的に制御される。他の適宜の偏光検出ビームディバイダーと組み合わせることにより、レーザビームはこのスイッチングの後に他の共振器アームに導かれる。
【0009】
偏光検出ディバイダーの各々が、偏光回転手段のどちらかの側のレーザビームの光路に配置されていることが、特に望ましい。この場合受動モード同期手段から遠い側の偏光回転手段の側に備えられた偏光検出ビームディバイダーは、増幅されたレーザパルスを出力結合するように、レーザビーム出力結合素子を形成してもよい。
【0010】
受動モード同期手段として、それ自体は既に知られている可飽和アブソーバーが用いられることが望ましい。
【0011】
この可飽和アブソーバーは望ましくは、それ自体は既に知られている可飽和半導体アブソーバーであってもよい。
【0012】
さらに、小型で効率の良い共振器の具体化のために、この可飽和アブソーバーが一方の共振器のアームを終端するアブソーバーミラー、特に半導体をベースにしたアブソーバーミラーであることが、同様に望ましい。
【0013】
パルス形成段階に際してレーザビームに所望の損失を導入するために、線形の損失素子、例えばλ/4板(platelett)を、パルス形成段階に作動する一方の共振器のアームに備えることが望ましく、このλ/4板はレーザ結晶での高いエネルギーの蓄積をもたらす。
【0014】
このレーザ装置をオールインワンのレーザシステムとして設計するために、ポンプユニットが偏光回転手段を共なう連続波ダイオードポンプユニットである場合には、それが双方の共振器に共通な共振器の一部分を構成することが望ましい。さらに、ポンプユニットがランプポンプまたはレーザポンプである場合には、それが双方の共振器に共通な共振器の一部分を構成することが望ましい。
【0015】
以下に本発明が、例として図示された望ましい実施例により詳細に説明されるが、それは本発明を限定するためのものではない。
【0016】
単に図式的に描かれたダイオードポンプのレーザ結晶3を含むポンプユニット2を有し、番号1で表されているオールインワン短パルスレーザ装置が図1に示されている。このポンプユニット2の一方側には、共振器終端ミラー4が備えられている。
【0017】
このポンプユニット2の他方側には、偏光検出ビームディバイダー5が備えられ、矢印7で図式的に表されているように、増幅されたレーザビーム6のための出力結合素子を同時に構成している。図示された共振器内を一周する間に、レーザビーム6はポッケルスセル8の形式の偏光回転手段に到来し、その偏光回転手段は矢印9で表されているように電気的に制御され、レーザビーム6の偏光を90°回転するが、それ自体は知られた方法であり以下では手短に説明される。
【0018】
レーザビーム6の光路にはさらに、他の偏光検出ビームディバイダー10が配置され、レーザビーム6の偏光状態に従って、レーザビーム6を(即ち一方のレーザ共振器のアーム11に)透過するか、またはそれを(即ち他方のレーザ共振器のアーム12に)反射する。図1では、一方の共振器のアーム11内のレーザビーム6の偏光は頭部が二つある矢印で、また他方の共振器のアーム12内のものは円内の点で表されており、頭部が二つの矢印は偏光の方向が図の面内であることを表し、他方の共振器のアーム12の円内の点はレーザビーム6の偏光の方向が図の面に垂直であることを表している。
【0019】
一方の共振器のアーム11には、レーザビーム6の光路にλ/4板13がさらに配置され、レーザビーム6に必要な損失を導入し、次にレーザビーム6は受動モード同期手段として備えられた、可飽和半導体アブソーバーミラー15により反射される。そのような可飽和半導体アブソーバーミラーは、それ自体は既知であるので、さらなる説明は不用である。
【0020】
他方の共振器のアーム12では、レーザビーム6は必要な光路長を得るために、4つのミラー16−19を経由して導かれるが、ここでミラー17、18は球面焦点ミラーであり、ミラー16、19は高反射性の平面ミラーである。
【0021】
図示のように、素子4、2、3、5、8は共に共振器の一部分20を構成し、全体の共振器を形成するために、ビームディバイダー10でのレーザビーム6の偏光方向に依存して、一方の共振器のアーム11または他方の共振器のアーム12により補完される。光路長L1を有する一方のレーザ共振器は素子4、2、3、5、8、10、13、14および15によって構成され、それらはパルス増強段階(パルス形成段階)21(図2参照)に働く。光路長L2を有する他方の共振器は素子4、2、3、5、8、10、16、17、18および19によって構成され、それらは増幅(図2の増幅段階22)に働く。
【0022】
ポッケルスセル8に電圧が印加されないパルス形成段階21では、先に言及したように一方の共振器のアーム11が機能する。二つのビームディバイダー5および10は、レーザビーム6を透過させる。その理由は、ビームディバイダー5および10における頭部が二つの矢印を参照すると、後者はこの時点では図の面に平行に直線偏光されているからである。λ/4板13はシステムに高い損失を導入するように、また共振器20−11でのパワーレベルを低く保ってレーザ結晶3における高い反転を引き起こすように調整されている。可飽和アブソーバーミラー15は一方の共振器のアーム11側に配置されているので、所望の短いレーザパルスが発生する。これは図2の最上部の図に示され、レーザ結晶3を伴うポンプユニット2と終端のミラー4との間の位置で測定された、パルスの強度I(3/4)が描かれている。図から明らかなように、距離t1=2L1/C0(C0はレーザビームの速度)を有するパルスが、次第により短くなっている。
【0023】
増幅段階22に切り替えるために、それぞれのポッケルスセル8により与えられたλ/2電圧Uλ/2が、それ自体は既知の共通な電子回路により9でポッケルスセル8に印加される。(ポッケルスセル8での電圧Upcの時間Tに依存した推移を示す図2の第2番目の図を参照)。この制御は時刻T1になされなければならず、共振器内を循環したレーザパルスはそのとき、図1によるとポッケルスセル8のちょうど右側、即ちそれぞれのビームディバイダー5またはポンプユニット2の領域、またはそれぞれ終端ミラーの領域にある。一般的にポッケルスセルは、そのように時間を調整することができる、駆動回路を既に含んでいる。こうして図1には、それに対して高電圧Uλ/2が24で印加される高速高電圧スイッチ23が図式的に示され、そして、それは、それぞれの高電圧スイッチ23またはポッケルスセル8をそれぞれ時刻T1とT2で切り替えるための電気的パルスを発生させる関連する回路25を有する。図1はさらに、時刻T1、T2の調整を指示する外部から調整可能な時間制御素子26を図式的に示している。素子23−26は、図1では27で示されている、電子制御ユニットを構成しており、その制御ユニットはポッケルスセル8を経由するレーザビームを切り替えるために備えられている。
【0024】
レーザパルスがポッケルスセル8に到達した場合、時刻T1におけるその駆動によって(図2参照)、図の面に垂直に広がるように偏光が90°回転される。そうするとレーザパルスは、パルス形成段階21用に備えられた一方の共振器のアーム11に向かうためにビームディバイダー10を透過することができず、他方の共振器のアーム12に反射され、ミラー16−19からなるシステムを通過して、最終的にビームディバイダー10に反射されて、ポッケルスセル8に戻り、再度偏光を90°回転される。この他方側の共振器のアーム12には損失を招く部品は含まれていないので、レーザパルスのエネルギーは一周する毎に急速に増大する。図2の第1番目の図のパルスの強度I(3/4)を参照されたい。
【0025】
パルスのエネルギーがその飽和値に達したとき、ポッケルスセル8はスイッチをオフにされる。このスイッチオフは時刻T2に行われ、その時にはレーザパルスはポッケルスセル8の左側、即ち増幅段階用に備えられた他方の共振器のアーム12内にある。レーザビーム6が左側から到着してポッケルスセル8を通過すると、電圧Uλ/2はポッケルスセル8により既にスイッチオフされている(即ちポッケルスセル8の電圧Upcは再度0Vである)ので、その偏光はもはや90°回転されてはいない(即ち図の面内)。今やその偏光が図の面に垂直のままであるので、レーザパルスはビームディバイダー5で反射されることにより、結合が解除される(ポンプユニット2へ透過されるもの以外の矢印7を参照)。この増幅された出力パルスは、図2の3番目の図表に出力結合されたパルスの強度I(7)として示されている。(図1の矢印7を参照)
説明されたシステムでは、偏光に依存する増幅を考慮する必要なく任意のレーザ媒体が使用できるように、レーザ結晶3内の偏光は常に同じにされている(即ち図1によれば図の面内である)。
【図面の簡単な説明】
【図1】 オールインワン設計に従う短パルスレーザ装置を図式的に示す図である。
【図2】 関係する図表を示す図である。
Claims (12)
- ポンプされるレーザ結晶(3)を含むポンプユニット(2)と、受動モード同期手段とからなる短パルスレーザ装置(1)において、
二つの別個の交互に切り替え可能な共振器のアーム(11、12)が備えられ、
パルス形成段階(21)に作動する一方の共振器のアーム(11)が受動モード同期手段(15)を含み、
増幅段階(22)に作動する他方の共振器のアーム(12)が損失を導入するコンポーネントを含まないことを特徴とする、短パルスレーザ装置。 - 該二つの共振器のアーム(11、12)を切り替えるために、少なくとも一つの偏光検出ビームディバイダー(10)が偏光回転手段(8)と共に備えられていることを特徴とする、請求項1に記載の短パルスレーザ装置。
- 該偏光回転手段(8)がポッケルスセルにより形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の短パルスレーザ装置。
- 該偏光回転手段(8)の両側のレーザビーム(6)の光路に、それぞれの偏光検出ビームディバイダー(10、5)が備えられていることを特徴とする、請求項2または3に記載の短パルスレーザ装置。
- 該偏光回転手段(8)の受動モード同期手段(15)とは反対の側に、該偏光検出ビームディバイダー(5)がレーザビーム出力結合素子を同時に形成していることを特徴とする、請求項4に記載の短パルスレーザ装置。
- 該受動モード同期手段が可飽和アブソーバー(15)であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の短パルスレーザ装置。
- 該可飽和アブソーバー(15)が可飽和半導体アブソーバーであることを特徴とする、請求項6に記載の短パルスレーザ装置。
- 該可飽和アブソーバー(15)が一方の共振器のアーム(11)を終端するアブソーバーミラーであることを特徴とする、請求項6または7に記載の短パルスレーザ装置。
- 該パルス形成段階(21)で作動される一方の共振器のアーム(11)に、レーザ結晶(3)に高いエネルギーの蓄積をもたらす線形損失素子が配置されていることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一つに記載の短パルスレーザ装置。
- 該ポンプユニット(2)が、連続波ダイオードポンプユニットであり、該ポンプされるレーザ結晶(3)が、該偏光回転手段(8)と共に双方の共振器のアーム(11、12)に共通な共振器の一部分(20)を形成することを特徴とする、請求項2乃至9のいずれか一つに記載の短パルスレーザ装置。
- 該ポンプユニット(2)が、ランプポンプまたはレーザポンプであり、該ポンプされるレーザ結晶(3)が、該偏光回転手段(8)と共に双方の共振器のアーム(11、12)に共通な共振器の一部分(20)を形成することを特徴とする、請求項2乃至10のいずれか一つに記載の短パルスレーザ装置。
- 該線形損失素子が、λ/4板(13)であることを特徴とする、請求項9に記載の短パルスレーザ装置。
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GB0010950D0 (en) * | 2000-05-05 | 2000-06-28 | Univ Bath | A nonlinear optical device |
AT411719B (de) * | 2000-10-02 | 2004-04-26 | Femtolasers Produktions Gmbh | Dentallaseranordnung |
DE10140533B4 (de) * | 2001-08-17 | 2005-04-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Mikrobearbeitung eines Werkstücks mit Laserstrahlung |
JP4800967B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-10-26 | ハイ キュー レーザー プロダクション ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | パルスデカップリング原理に従う超短パルス生成のための高繰り返しレーザーシステム |
US7692854B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-04-06 | Coherent, Inc. | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
US7982947B2 (en) * | 2008-01-08 | 2011-07-19 | Applied Energetics, Inc | Regenerative laser amplifier |
JP2010258198A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | モード同期固体レーザ装置 |
DE102009042003B4 (de) * | 2009-09-21 | 2011-12-08 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Gütegeschalteter Laser |
EP2328243A1 (de) * | 2009-11-26 | 2011-06-01 | High Q Technologies GmbH | Spiegelanordnung zur Führung eines Laserstrahls in einem Lasersystem und Strahlführungsverfahren für einen Laserstrahl |
US8279901B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-10-02 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate and simplified structure |
US9054479B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-06-09 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate |
US20110206071A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Michael Karavitis | Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate |
US8953651B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-02-10 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with repetition rate adjustable according to scanning speed |
US8908739B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-12-09 | Alcon Lensx, Inc. | Transverse adjustable laser beam restrictor |
WO2014108143A1 (de) * | 2013-01-09 | 2014-07-17 | Universität Stuttgart | Regenerative laserverstärkeranwendungen |
WO2014108142A1 (de) * | 2013-01-09 | 2014-07-17 | Universität Stuttgart | Cavity-gedumpter laser und verfahren |
CN110768092B (zh) * | 2019-10-28 | 2020-10-30 | 华中科技大学 | 一种基于声光效应的激光再生放大器 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6136985A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-21 | Fujitsu Ltd | レ−ザ装置 |
US5029179A (en) * | 1990-04-10 | 1991-07-02 | Schwartz Electro-Optic, Inc. | Laser apparatus and method for simple conversion between standing-wave and ring resonator configurations |
US5040182A (en) * | 1990-04-24 | 1991-08-13 | Coherent, Inc. | Mode-locked laser |
US5361268A (en) * | 1993-05-18 | 1994-11-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Switchable two-wavelength frequency-converting laser system and power control therefor |
JPH07142799A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sangyo Souzou Kenkyusho | レーザビーム再生増幅器 |
US5790574A (en) * | 1994-08-24 | 1998-08-04 | Imar Technology Company | Low cost, high average power, high brightness solid state laser |
US5742634A (en) | 1994-08-24 | 1998-04-21 | Imar Technology Co. | Picosecond laser |
US5491707A (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-13 | Jamar Technologies Co. | Low cost, high average power, high brightness solid state laser |
AT405992B (de) * | 1996-09-06 | 2000-01-25 | Stingl Andreas Dipl Ing | Kurzpuls-laservorrichtung mit passiver modenverkopplung |
SE9702175D0 (sv) * | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Geotronics Ab | A laser |
US5953354A (en) * | 1998-02-03 | 1999-09-14 | General Electric Co. | Laser resonator optical alignment |
US6141362A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-31 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reduction of B-integral accumulation in lasers |
US6031854A (en) * | 1998-08-31 | 2000-02-29 | Ming; Lai | Diode-pumped cascade laser for deep UV generation |
US6393035B1 (en) * | 1999-02-01 | 2002-05-21 | Gigatera Ag | High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser |
US6185231B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-02-06 | University Of Central Florida | Yb-doped:YCOB laser |
US7046711B2 (en) * | 1999-06-11 | 2006-05-16 | High Q Laser Production Gmbh | High power and high gain saturation diode pumped laser means and diode array pumping device |
AT408589B (de) | 1999-07-07 | 2002-01-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Laservorrichtung |
US6546027B1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-04-08 | Hoya Photonics, Inc. | Laser saturable absorber and passive negative feedback elements, and method of producing energy output therefrom |
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