JPWO2016098543A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.概要
2.EUV光生成システムの全体説明
構成
動作
3.EUV光生成システムの比較例
構成
動作
ビーム調節装置の構成
ビーム調節装置の動作
課題
4.実施形態1
構成
動作
効果
変形例
5.実施形態2
構成
動作
6.実施形態3
構成
動作
7.実施形態4
構成
動作
効果
8.実施形態5
構成
動作
9.実施形態6
構成
動作及び効果
変形例
10.実施形態7
構成
動作及び効果
変形例
LPP方式のEUV光生成装置は、ターゲット供給部から出力したターゲットにレーザ装置から出力したパルスレーザ光を照射し、プラズマ化することによってEUV光を生成し得る。
<構成>
図1は、例示的なLPP方式のEUV光生成装置の構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いてもよい(EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2及びターゲット供給部26(例えばドロップレット発生器)を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えばチャンバ2の壁に取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経てパルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
<構成>
図2は、比較例におけるEUV光生成システムの一部断面図を示す。チャンバ2は、クリーンルームフロアに配置され、レーザ装置3は、サブファブフロアに配置されてもよい。サブファブフロアはクリーンルームフロアの階下に位置してもよい。レーザ装置3は、パルスレーザ光を出力するCO2レーザ装置であってもよい。
<動作>
図3は、比較例のビーム調節装置61の構成を示す。図3における(a)に示すように、ビーム調節装置61は、軸外放物面凸面ミラー611、軸外放物面凹面ミラー612、平面ミラー613、及び1軸移動ステージ615を含んでもよい。1軸移動ステージ615は、1軸移動ステージ615上を1軸方向に移動可能な移動プレート616を含んで構成されてもよい。移動プレート616は、軸外放物面凹面ミラー612の入射光軸方向において移動してもよい。
コントローラ58は、移動プレート616を移動することで、軸外放物面凹面ミラー612の入射光軸方向における位置を調節し得る。図3における(b)は、(a)に示すビーム調節装置の状態から、移動プレート616を軸外放物面凸面ミラー611に近づけた状態を示す。(b)に示すように、コントローラ58が軸外放物面凹面ミラー612を軸外放物面凸面ミラー611に近付けると、ビーム調節装置61から出射されるパルスレーザ光の発散角は大きくなり得る。しかし、同時にビーム調節装置61から出射されるパルスレーザ光の光軸方向及びビーム径も変化し得る。
上述のように、比較例のビーム調節装置61において、パルスレーザ光の発散角の制御に伴って、ビーム調節装置61から出射されるパルスレーザ光の光軸方向及びビーム径が大きく変化し得る。このため、照射条件の調整が複雑となり得る。
<構成>
図4は、実施形態1に係るEUV光生成システム11の構成例を示す。以下において、図2に示す比較例との相違点を主に説明する。クリーンルームフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部34は、図2の比較例におけるビーム調節装置61に代えて、ビーム調節装置630を含んでもよい。
ここで、上流側とは、パルスレーザ光の光路上であって、パルスレーザ光の光源に近い側であってもよい。実施形態1〜3、5〜7においては、上流側とは、パルスレーザ光の光路上であって、レーザ装置3に近い側であってもよい。実施形態4においては、上流側とは、パルスレーザ光の光路上であって、発振器(MO)301に近い側であってもよい。また、下流側とは、パルスレーザ光の光路上であって、プラズマ生成領域25に近い側であってよい。
図5A〜図5Cを参照して、ビーム調節装置630の動作を説明する。図5Bは、図5Aに示すビーム調節装置630の状態から、移動プレート637を軸外放物面凹面ミラー631、634から離した状態を示す。図5Cは、図5Aに示すビーム調節装置630の状態から、移動プレート637を軸外放物面凹面ミラー631、634に近づけた状態を示す。
本実施形態のビーム調節装置630は、入射するパルスレーザ光のビーム径と出射するパルスレーザ光のビーム径変動を抑制しつつ、出射光の発散角を変化させ得る。さらに、本実施形態のビーム調節装置630は、入射するパルスレーザ光の光軸と出射するパルスレーザ光の光軸を一致させつつ、出射光の発散角を変化させ得る。
図7は、本実施形態のビーム調節装置630の変形例を示す。ビーム調節装置630における軸外放物面凹面ミラー及び軸外放物面凸面ミラーの配置順序は、図5Aに示す構成と逆であってもよい。
<構成>
図8は、実施形態2のビーム調節装置630の構成例を示す。以下において、実施形態1との相違点を主に説明する。ビーム調節装置630において、ミラーの反射角は45°でなくてもよく、45°未満であってもよい。ミラーの反射面は軸外放物面と異なる曲面であってもよく、例えば、球面であってもよい。
コントローラ58は、移動プレート666、668を移動して、ビーム調節装置630から出射されるパルスレーザ光の発散角を調整してもよい。コントローラ58は、球面凹面ミラー661及び球面凸面ミラー662の間の距離と、球面凸面ミラー663及び球面凹面ミラー664の間の距離とを、同時に増加または同時に減少させる方向に変化させてもよい。
<構成>
図9は、実施形態3のビーム調節装置630の構成例を示す。以下において、実施形態1との相違点を主に説明する。ビーム調節装置630は、軸外放物面凸面ミラー681、684、球面凹面ミラー682、683、及び平面ミラー685を含んでもよい。パルスレーザ光の光路上において、軸外放物面凸面ミラー681、球面凹面ミラー682、平面ミラー685、球面凹面ミラー683、及び軸外放物面凸面ミラー684の順で配置されてもよい。
球面凹面ミラー682は、入射したパルスレーザ光を、45°未満の反射角で反射してもよい。反射角は、20°未満であってもよい。球面凹面ミラー682で反射されたパルスレーザ光は、平面ミラー685に入射してもよい。平面ミラー685で反射された光は球面凹面ミラー683に入射してもよい。球面凹面ミラー683は、入射したパルスレーザ光を、45°未満の反射角で反射してもよい。反射角は、20°未満であってもよい。移動プレート637の移動による発散角の変化は、実施形態1と同様であり得る。
<構成>
図10は、実施形態4のEUV光生成システム11の構成例を示す。EUV光生成システム11は、レーザ装置3内にビーム調節装置を含んでもよい。さらに、EUV光生成システム11は、レーザ装置3より下流のビーム調節装置を含み、これらビーム調節装置の構成が異なっていてもよい。
発振器301から出力されたパルスレーザ光は、増幅器302〜304で順次増幅されレーザ装置3から出力され得る。ビームサンプラ361は、増幅器303から出力されたパルスレーザ光の一部をサンプル光としてビームモニタ362で反射してもよい。
本実施形態は、レーザ装置3内でビーム調節装置350によりパルスレーザ光の発散角を調節することで、次に入射する増幅器303おけるパルスレーザ光のビーム径やビーム中心位置を調節し得る。これにより、次に入射する増幅器303において、パルスレーザ光が内部構造物に遮蔽されることを抑制し、また、パルスレーザ光が内部光学素子で集光して、当該内部光学素子が損傷することを抑制し得る。
<構成>
図11は、実施形態5のビーム調節装置630の構成例を示す。以下において、実施形態1との相違点を主に説明する。ビーム調節装置630は、実施形態1の軸外放物面凹面ミラー631、軸外放物面凸面ミラー632、軸外放物面凸面ミラー633、及び軸外放物面凹面ミラー634に代えて、軸外放物面凹面ミラー691、軸外放物面凸面ミラー692、軸外放物面凸面ミラー693、及び軸外放物面凹面ミラー694を含んでもよい。
本実施形態のビーム調節装置は、実施形態1のビーム調節装置と同様に動作し得る。本実施形態のビーム調節装置は、実施形態1のビーム調節装置と同様に、入射するパルスレーザ光のビーム径と出射するパルスレーザ光のビーム径を略同一に維持しつつ、出射光の発散角を変化させ得る。本実施形態のビーム調節装置は、2枚の平面ミラーを使用することで、入射するパルスレーザ光の光軸と出射するパルスレーザ光の光軸を一致させつつ、出射光の発散角を変化させ得る。
上述のように、1軸移動ステージ635は、ベースプレート638に対して移動プレート637を移動できるよう構成されてもよい。すなわち、移動プレート637が移動する際、ビーム調節装置630では、移動プレート637に固定された軸外放物面凸面ミラー632、633がベースプレート638に対して移動し得る。一方、軸外放物面凹面ミラー631、634及び軸外放物面凸面ミラー632、633のそれぞれは、パルスレーザ光の照射に伴って発熱し得る。このため、ビーム調節装置630では、これらの軸外放物面ミラーのそれぞれの内部に冷却水等の冷媒が流れる流路等を形成した上で、これらの軸外放物面ミラーのそれぞれに対して、冷媒が流れる冷却管を取り付けることが考えられる。しかしながら、これらの軸外放物面ミラーに対して冷却管が単純に取り付けられると、移動プレート637が移動する際、軸外放物面凸面ミラー632、633に取り付けられた冷却管には、冷却管を引張り又は圧縮する力が加えられ得る。この際、これらの軸外放物面ミラーには冷却管からの反力が加えられて、これらの軸外放物面ミラーの位置及び姿勢がずれることがあり得る。それにより、ビーム調節装置630では、出射されるパルスレーザ光の発散角、光軸方向及びビーム径が所望の値にならず、パルスレーザ光を適切に伝搬できないことがあり得る。
図12は、実施形態6のビーム調節装置630の構成例における斜視図を示す。図13は、実施形態6のビーム調節装置630の構成例における平面図を示す。以下において、実施形態1との相違点を主に説明する。ビーム調節装置630は、さらに、冷却管640を含んでもよい。冷却管640は、軸外放物面ミラー631〜634のそれぞれの背面に設けられた流入口及び流出口に連結されてもよい。軸外放物面ミラー631〜634のそれぞれに設けられた流入口は、冷却管640内を流れる冷媒を軸外放物面ミラー631〜634内に流入させるための入口であってもよい。軸外放物面ミラー631〜634のそれぞれに設けられた流出口は、軸外放物面ミラー631〜634内を流れる冷媒を冷却管640内に流出させるための出口であってもよい。
本実施形態のビーム調節装置630は、移動プレート637が移動する際、冷却管640が移動プレート637の移動方向に沿って伸縮し得る。このため、本実施形態のビーム調節装置630は、移動プレート637が移動する際に軸外放物面ミラー631〜634の位置及び姿勢がずれることを抑制しつつ、軸外放物面ミラー631〜634を冷却し得る。
図17は、実施形態6のビーム調節装置630の変形例を示す。図18は、図17に示された矢印Cからビーム調節装置630を視た図を示す。ビーム調節装置630は、隔壁641aを含んでもよい。隔壁641aは、パルスレーザ光の光路付近に位置するビーム調節装置630の構成要素を、パルスレーザ光から遮蔽してもよい。隔壁641aは、冷却管640のスパイラル管部640cと1軸移動ステージ635の台座636の一部及び移動プレート637の一部とを、パルスレーザ光から遮蔽してもよい。それにより、ビーム調節装置630は、スパイラル管部640cなどの樹脂材料を用いて形成された構成要素がパルスレーザ光の散乱光に曝露されることを抑制し得る。他の構成要素は、図12〜図16に示す構成と同様でよい。
ビーム調節装置630では、パルスレーザ光の発散角及び光路を調整する際、軸外放物面凸面ミラー633等の凸面ミラーによって反射されたパルスレーザ光が、拡散して外部へ漏洩することがあり得る。例えば、軸外放物面凸面ミラー633によって反射されたパルスレーザ光は、拡散して、軸外放物面凸面ミラー633より下流に配置された軸外放物面凹面ミラー634の反射面634aより大きなビーム径となることがあり得る。反射面634aより大きなビーム径となったパルスレーザ光は、反射面634aで有効に反射されず、ビーム調節装置630の構成要素に入射して散乱し、散乱光として外部へ漏洩することがあり得る。このため、ビーム調節装置630は、図19に示されるように、散乱光の外部への漏洩を抑制することを目的として、ベースプレート638に対してフレーム642を設けてもよい。フレーム642が設けられる目的には、ベースプレート638の剛性を向上させることもあり得る。しかしながら、例えば反射面634aで反射されなかったパルスレーザ光がフレーム642をはじめとするビーム調節装置630の構成要素に入射すると、ビーム調節装置630の構成要素は、加熱されて熱変形することがあり得る。それにより、ビーム調節装置630では、軸外放物面ミラー631〜634の位置及び姿勢がずれることがあり得る。その結果、ビーム調節装置630では、出射されるパルスレーザ光の発散角、光軸方向及びビーム径が所望の値にならず、パルスレーザ光を適切に伝搬できないことがあり得る。
図19は、実施形態7のビーム調節装置630を示す。図19以降の図面では、ブラケット639及び冷却管640の図示が省略されている。以下において、実施形態6との相違点を主に説明する。ビーム調節装置630は、上述のような目的からフレーム642を含むと共に、さらに、液冷アパーチャ643〜645を含んでもよい。液冷アパーチャ643〜645のそれぞれは、パルスレーザ光を所望のビーム径で通過させつつ、所望のビーム径を超えて大きく拡散したパルスレーザ光の余剰部分を遮断するようなアパーチャであってもよい。液冷アパーチャ643〜645のそれぞれは、液体によって冷却されてもよい。
本実施形態のビーム調節装置630は、液冷アパーチャ643〜645のそれぞれが、パルスレーザ光を所望のビーム径で通過させつつ、所望のビーム径を超えて大きく拡散したパルスレーザ光の余剰部分を吸収し得る。このため、本実施形態のビーム調節装置630は、フレーム642をはじめとするビーム調節装置630の構成要素が加熱されて熱変形することを抑制し得る。
図22は、実施形態7のビーム調節装置630の変形例1を示す。ビーム調節装置630における軸外放物面凹面ミラー及び軸外放物面凸面ミラーの配置順序は、図19に示す構成と逆であってもよい。
Claims (9)
- レーザ装置から出力されたパルスレーザ光をターゲットに照射することによって、プラズマを生成し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内にターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記ターゲットに照射されるパルスレーザ光の光路上に配置され、ビームパラメータを調整するビーム調節装置と、を含み、
前記ビーム調節装置は、
前記パルスレーザ光の光路上に配置された、第1凹面ミラーと第1凸面ミラーとからなる第1組と、
前記パルスレーザ光の光路上で前記第1組より下流において、前記第1凹面ミラーと前記第1凸面ミラーの配置順序とは逆に配置された、第2凹面ミラーと第2凸面ミラーとからなる第2組と、
前記第1凹面ミラーと前記第1凸面ミラーとの間の距離、及び、前記第2凹面ミラーと前記第2凸面ミラーとの間の距離を、同時に増加または同時に減少させる方向に変化させる移動装置と、を含む、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記移動装置は、前記第1組における下流側ミラーを前記パルスレーザ光の光軸に沿って移動し、前記第2組における上流側ミラーを前記パルスレーザ光の光軸に沿って移動する、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1凹面ミラー及び前記第2凹面ミラーは、軸外放物面凹面ミラーであり、
前記第1凸面ミラー及び前記第2凸面ミラーは、軸外放物面凸面ミラーであり、
前記第1凹面ミラーと前記第1凸面ミラーの焦点が一致するとき、前記第2凹面ミラーと前記第2凸面ミラーの焦点は一致する、極端紫外光生成装置。 - 請求項3に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1凹面ミラー、前記第2凹面ミラー、前記第1凸面ミラー、及び前記第2凸面ミラーそれぞれにおける、前記パルスレーザ光の入射角と出射角は45°である、極端紫外光生成装置。 - 請求項4に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記移動装置は、前記第1組の下流側ミラーと前記第2組の上流側ミラーとが固定された移動プレートを含み、前記移動プレートを前記第1組及び前記第2組における前記パルスレーザ光の光軸に沿って移動する、極端紫外光生成装置。 - 請求項5に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1凹面ミラー及び前記第2凹面ミラーは、同一の関数で表される形状の反射面を備え、
前記第1凸面ミラー及び前記第2凸面ミラーは、同一の関数で表される形状の反射面を備える、極端紫外光生成装置。 - 請求項2に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1凹面ミラー及び前記第2凹面ミラーは、同一の関数で表される形状の反射面を備え、
前記第1凸面ミラー及び前記第2凸面ミラーは、同一の関数で表される形状の反射面を備える、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第1凹面ミラー及び前記第2凹面ミラーの組、及び、前記第1凸面ミラー及び前記第2凸面ミラーの組の少なくとも一方の組は、球面ミラーであり、
前記球面ミラーにおける前記パルスレーザ光の入射光軸と出射光軸との間の角度は45°未満である、極端紫外光生成装置。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ装置内において増幅器より上流に配置された第2ビーム調節装置をさらに含み、
前記第2ビーム調節装置は、
前記パルスレーザ光の光路上に配置された、第3凹面ミラーと第3凸面ミラーとからなる第3組と、
前記パルスレーザ光の光路上で前記第3組の下流において、前記第3凹面ミラーと前記第3凸面ミラーの配置順序とは逆に配置された、第4凹面ミラーと第4凸面ミラーとからなる第4組と
前記第3凹面ミラーと前記第3凸面ミラーとの間の距離、及び、前記第4凹面ミラーと前記第4凸面ミラーとの間の距離を、同時に増加または同時に減少させる方向に変化させる第2移動装置と、を含み、
前記第1組において、前記第1凸面ミラーは上流側ミラーであり、前記第1凹面ミラーは下流側ミラーであり、
前記第3組において、前記第3凹面ミラーは上流側ミラーであり、前記第3凸面ミラーは下流側ミラーである、極端紫外光生成装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249813A (ja) * | 1987-03-21 | 1988-10-17 | ヘレウス・インスツルメンツ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | レーザー光線用光線案内光学装置 |
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
JP2010186735A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
JP2012160565A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Komatsu Ltd | チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置 |
JP2012199512A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
JP2013038204A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | レーザ装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249813A (ja) * | 1987-03-21 | 1988-10-17 | ヘレウス・インスツルメンツ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | レーザー光線用光線案内光学装置 |
JP2010186735A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
JP2012160565A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Komatsu Ltd | チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置 |
JP2012199512A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
JP2013038204A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | レーザ装置 |
JP2013165256A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-08-22 | Gigaphoton Inc | レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置 |
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