JP5946612B2 - ミラー、ミラー装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、ミラー、ミラー装置、レーザ装置および極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２００６−３１７９１３号公報

概要

本開示の一態様によるミラーは、バッファタンク部を含む流路が設けられたミラー基部と、前記ミラー基部に設けられた反射膜と、を備え、前記ミラー基部は、基部ヘッドおよび支持部を含み、前記反射膜は、前記基部ヘッド側に設けられ、前記流路は、第１流路、第２流路、第３流路、第４流路をさらに含み、前記第２流路は、複数設けられ、前記基部ヘッド内に放射状に配置され、前記第４流路は、複数設けられ、前記第２流路は、前記第４流路を介してそれぞれ前記バッファタンク部と連通し、前記第２流路それぞれの断面積を合わせた面積は、前記バッファタンク部の流路断面積より小さくてもよい。
また、本開示の他の態様によるミラーは、バッファタンク部を含む流路が設けられたミラー基部と、前記ミラー基部に設けられた反射膜と、を備え、前記ミラー基部は、基部ヘッドおよび支持部を含み、前記反射膜は、前記基部ヘッド側に設けられ、前記流路は、第１流路、第２流路、第３流路、第４流路をさらに含み、前記第２流路は、扇型に形成され、前記第２流路の断面積は、一端から他端にかけて略均一であってもよい。

本開示の他の態様によるミラー装置は、上記態様のミラーと、当該ミラーの第１流路に一端が接続される供給管路と、前記ミラーの第３流路に一端が接続される排出管路と、前記供給管路に設けられて熱媒体を前記第１流路に向けて圧送する圧送装置と、を備えてもよい。

本開示の更に他の態様によるレーザ装置は、種光としてのレーザ光を出力するマスタオシレータと、光増幅光学系と、を備え、前記光増幅光学系は、上記他の態様のミラー装置を少なくとも１台含み、前記レーザ光を前記ミラー装置によって所定方向に反射させて当該レーザ光の増幅を行ってもよい。

本開示の更に他の態様によるＥＵＶ光生成装置は、レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ光が透過するウィンドウを有し、内部に極端紫外光の生成空間を形成するチャンバと、伝送光学系と、を備え、前記伝送光学系は、上記他の態様のミラー装置を含み、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を前記チャンバのウィンドウに導いてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、実施の形態１によるミラーのミラー基部内に設けられる流路の一例を模式的に示す。 図３は、実施の形態１による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。 図４は、図３に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。 図５は、図４に示した平面ミラーのＶ−Ｖ面における構成を概略的に示す断面図である。 図６は、図４に示した平面ミラーのＶＩ−ＶＩ面における構成を概略的に示す断面図である。 図７は、本開示のミラー装置の一例と、このミラー装置における各位置で熱媒体に加わる圧力の一例とを概略的に示す。 図８は、本開示の実施の形態２による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。 図９は、図８に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。 図１０は、図８に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す部分透視斜視図である。 図１１は、図９に示した平面ミラーのＸＩ−ＸＩ面における構成を概略的に示す断面図である。 図１２は、図９に示した平面ミラーのＸＩＩ−ＸＩＩ面における構成を概略的に示す断面図である。 図１３は、図９に示した平面ミラーのＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ面における構成を概略的に示す断面図である。 図１４は、図９に示した平面ミラーのＸＩＶ−ＸＩＶ面における構成を概略的に示す断面図である。 図１５は、本開示の実施の形態３による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。 図１６は、図１５に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。 図１７は、図１５に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す分解斜視図である。 図１８は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路を概略的に示す平面図である。 図１９は、図１６に示した平面ミラーのＸＩＸ−ＸＩＸ面における構成を概略的に示す断面図である。 図２０は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路の１つを概略的に示す断面図である。 図２１は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路の１つのを概略的に示す他の断面図である。 図２２は、図１５に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す部分透視断面斜視図である。 図２３は、本開示の実施の形態４による凹面ミラーの一例を概略的に示す平面図である。 図２４は、図２３に示した凹面ミラーの縦断面における構成を概略的に示す図である。 図２５は、本開示の実施の形態５によるミラー装置の一例と、このミラー装置において各位置で熱媒体に加わる圧力の一例とを概略的に示す。 図２６は、本開示の実施の形態６によるレーザ装置のレーザ光増幅器の一例を概略的に示す。 図２７は、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置の一例を概略的に示す。 図２８は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の一例での一動作状態を模式的に示す。 図２９は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の一例での他の動作状態を模式的に示す。 図３０は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の一例での更に他の動作状態を模式的に示す。 図３１は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の他の例での一動作状態を模式的に示す。 図３２は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の他の例での他の動作状態を模式的に示す。 図３３は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の他の例での更に他の動作状態を模式的に示す。 図３４は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の更に他の例を模式的に示す。 図３５は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の更に他の例を模式的に示す。 図３６は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の構成例を模式的に示す。 図３７は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の他の構成例を模式的に示す。 図３８は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の更に他の構成例を模式的に示す。 図３９は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の更に他の構成例を模式的に示す。

実施の形態

以下、本開示を実施するためのいくつかの形態を、図面を参照に詳細に説明する。以下の説明において、各図は、ここに開示される内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるにすぎず、したがって、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係に限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。

実施の形態１
実施の形態１によるミラー、ミラー装置、およびミラー装置が適用されるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照に詳細に説明する。以下の説明では、ＬＰＰ方式によるＥＵＶ光生成装置を例に挙げて説明するが、これに限定されるものではなく、本開示は、ＤＰＰ方式やＳＲ方式のＥＵＶ光生成装置などに適用されてもよい。また、実施の形態１では、１段階のレーザ光照射によってターゲット物質をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するよう構成される装置を例に挙げる。ただし、これに限定されるものではなく、本開示は、たとえば２段階以上のレーザ光照射によってターゲット物質をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するよう構成される装置に適用されてもよい。

図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図１に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、ドライバレーザ装置１０１と、チャンバ１０２と、伝送光学系ＯＳとを備えてもよい。ドライバレーザ装置１０１は、ターゲット物質をプラズマ化するためのレーザ光ＬＢ２を出力してもよい。チャンバ１０２は、その内部にＥＵＶ光の生成空間を画定してもよい。伝送光学系ＯＳは、ドライバレーザ装置１０１から出力されたレーザ光ＬＢ２をチャンバ１０２に導いてもよい。

ドライバレーザ装置１０１は、マスタオシレータＭＯと、光増幅光学系ＡＳとを備えてもよい。マスタオシレータＭＯは、レーザ光ＬＢ１を出力するよう構成されてもよい。光増幅光学系ＡＳは、マスタオシレータＭＯから出力されたレーザ光ＬＢ１を増幅するよう構成されてもよい。光増幅光学系ＡＳは、リレー光学系Ｒ１と、プリアンプＰＡと、リレー光学系Ｒ２と、メインアンプＭＡと、リレー光学系Ｒ３とを備えてもよい。リレー光学系Ｒ１は、マスタオシレータＭＯから出力されたレーザ光ＬＢ１のビーム径を拡大するよう構成されてもよい。プリアンプＰＡは、ビーム径が拡大されたレーザ光ＬＢ１を増幅するよう構成されてもよい。リレー光学系Ｒ２は、増幅されたレーザ光ＬＢ１を平行光に変換するよう構成されてもよい。メインアンプＭＡは、平行光に変換されたレーザ光ＬＢ１をさらに増幅するよう構成されてもよい。リレー光学系Ｒ３は、増幅されたレーザ光ＬＢ１を平行光化してレーザ光ＬＢ２として出力するよう構成されてもよい。

伝送光学系ＯＳは、少なくとも１つの平面ミラー１０３を含んでもよい。平面ミラー１０３は、ドライバレーザ装置１０１から出力されたレーザ光ＬＢ２をチャンバ１０２に設けられるウィンドウ１２１に導いてもよい。図１中の一点鎖線ＯＡ１は、ドライバレーザ装置１０１から出力され、平面ミラー１０３で反射されるレーザ光のビーム軸を示している。

チャンバ１０２は、ウィンドウ１２１と、軸外放物面ミラー１２３と、ターゲット供給部１２４と、ターゲット回収部１２５と、ＥＵＶ集光ミラー１２２とを備えてもよい。ウィンドウ１２１は、レーザ光ＬＢ２をチャンバ１０２の内部に取り込むための入射口であってもよい。軸外放物面ミラー１２３は、チャンバ１０２内に導かれたレーザ光ＬＢ２をプラズマ生成領域ＰＳに集光するよう構成されてもよい。ターゲット供給部１２４は、プラズマ生成領域ＰＳにターゲット物質をドロップレットＤの形態で供給するよう構成されてもよい。プラズマ生成領域ＰＳを通過したターゲット物質は、ターゲット回収部１２５に回収されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１２２は、レーザ光ＬＢ２のターゲット物質への照射によってプラズマ生成領域ＰＳで生成されたプラズマから放射された光のうち、所望する波長のＥＵＶ光Ｌを選択的に反射するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光Ｌの中心波長は、たとえば１３．５ｎｍ程度であってもよい。ＥＵＶ集光ミラー１２２によって選択的に反射されたＥＵＶ光Ｌは、露光装置接続部１０４内の中間集光点ＩＦで集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１２２には、その背面側からレーザ光ＬＢ２がプラズマ生成領域ＰＳに向けて進行するために通過する貫通孔１２２ａが設けられてもよい。図１中の一点鎖線ＯＡ２は、軸外放物面ミラー１２３で反射されるレーザ光のビーム軸およびＥＵＶ集光ミラー１２２で反射されるＥＵＶ光Ｌの軸を示している。

ターゲット物質は、ドロップレットＤの形態に限らず、リボンやディスクなどの固体ターゲットの形態でプラズマ生成領域ＰＳに供給されてもよい。また、軸外放物面ミラー１２３は、チャンバ１０２の外に配置されてもよい。この場合、たとえば平面ミラー１０３で反射されたレーザ光ＬＢ２は、軸外放物面ミラー１２３で反射された後、ウィンドウ１２１およびＥＵＶ集光ミラー１２２に設けられた貫通孔１２２ａを介してプラズマ生成領域ＰＳに集光されてもよい。

チャンバ１０２と露光装置接続部１０４とは、ゲートバルブＧ１によって気密性が保たれつつ連結されてもよい。中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光Ｌは、この中間集光点ＩＦまたはその近傍に画定されるアパーチャ１４１を介して露光装置１０５へ導かれてもよい。露光装置１０５へ導かれたＥＵＶ光Ｌは、たとえば半導体露光に使用されてもよい。あるいは、ＥＵＶ光Ｌは、露光装置１０５に代えて、ＥＵＶ光が利用される加工装置などへ導かれてもよい。

レーザ光ＬＢ２のような高出力のレーザ光が入射するミラーは、入射したレーザ光によって加熱され得る。これにより、このミラーの光学特性が変化してしまう場合がある。このような熱負荷による光学特性の変化は、レーザ光の集光性を悪化させる可能性がある。また、ＥＵＶ光Ｌのような比較的高出力の光が入射するミラーでも、入射した光によって加熱されて集光性が悪化する可能性がある。

そこで、たとえば、平面ミラー１０３、ＥＵＶ集光ミラー１２２、および軸外放物面ミラー１２３では、それらのミラー基部に冷却機構が備えられてもよい。リレー光学系Ｒ１〜Ｒ３内やメインアンプＭＡ内などにミラーが配置される場合には、これらのミラーのミラー基部に冷却機構が備えられてもよい。ここで、実施の形態１によるミラーの一例について、図面を参照に詳細に説明する。ただし、本開示はこれに限定されるものではなく、ミラー基部の冷却機構が種々変形可能であることは言うまでもない。

図２は、実施の形態１によるミラーのミラー基部内部に設けられる流路の一例を模式的に示す。図２に示すように、実施の形態１によるミラー基部１２内には、熱媒体Ｃ１が流れる流路ＦＰが設けられてもよい。熱媒体Ｃ１によって、ミラー基部１２およびその上面側に形成される反射膜が冷却されてもよい。熱媒体Ｃ１は、水や油や液体金属などであってもよい。流路ＦＰは、第１流路、第２流路、バッファタンク部、第３流路、および第４流路を含んでもよい。第１流路は、熱媒体供給源から供給される熱媒体Ｃ１がミラー基部１２内へ流入するための流入経路である流入路Ｐ１であってよい。第２流路は、流入路Ｐ１から放射状に分岐する複数の流路Ｐ２であってよい。第４流路は、バッファタンク部ＰＢと各流路Ｐ２とを連通する戻り流路Ｐ４であってよい。バッファタンク部ＰＢは、流路Ｐ２に直接的または間接的に連通してもよい。第３流路は、バッファタンク部ＰＢに流れ込んだ使用後の熱媒体（以下、これを熱媒体Ｃ２とする）がミラー基部１２外へ流出するための流出経路である流出路Ｐ３であってよい。

ミラー基部１２を備えたミラーの一例について、図面を参照に詳細に説明する。以下の説明では、平面ミラーを例に挙げる。ただし、本開示はこれに限定されず、たとえば軸外放物面ミラーを含む放物面ミラーや凹面ミラーや凸面ミラーなど、種々のミラーに対して適用可能であることは言うまでもない。図３は、実施の形態１による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。図４は、図３に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。図５は、図４に示した平面ミラーのＶ−Ｖ面における構成を概略的に示す断面図である。図６は、図４に示した平面ミラーのＶＩ−ＶＩ面における構成を概略的に示す断面図である。

図３に示すように、平面ミラー１は、ミラー基部１２と、反射膜１１とを含んでもよい。反射膜１１は、ミラー基部１２の上面側に形成されてもよい。反射膜１１は、たとえば誘電体多層反射膜でよい。ミラー基部１２は、基部ヘッド１２ａと、支持部１２ｃとを含んでもよい。支持部１２ｃは、基部ヘッド１２ａよりも細径であってもよい。支持部１２ｃは、基部ヘッド１２ａの背面側に設けられてもよい。基部ヘッド１２ａおよび支持部１２ｃには、熱伝導率が高く、かつ耐熱性も高い材料が用いられるのが好ましい。特に、基部ヘッド１２ａには、熱伝導率が高い材料が用いられるのが好ましい。

図３および図４に示すように、基部ヘッド１２ａは、たとえば円柱状の部材でよい。基部ヘッド１２ａは、たとえば炭化ケイ素焼結体で構成されてもよい。基部ヘッド１２ａは、たとえば炭化ケイ素で構成されるヘッドカバー１２ｂによって覆われてもよい。ヘッドカバー１２ｂは、上面部１２ｂ１と、側面部１２ｂ２と、下面部１２ｂ３とを含んでもよい。上面部１２ｂ１は、基部ヘッド１２ａの上面をカバーしてもよい。側面部１２ｂ２は、基部ヘッド１２ａの側面をカバーしてもよい。下面部１２ｂ３は、基部ヘッド１２ａの背面における支持部１２ｃとの接合部以外の部分をカバーしてもよい。このようなヘッドカバー１２ｂは、たとえばＣＶＣ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ：化学的気相合成）法によって基部ヘッド１２ａ表面に形成されてもよい。支持部１２ｃは、たとえば炭化ケイ素焼結体で構成されてもよく、基部ヘッド１２ａの背面側に接合材によって接合されてもよい。

図４、図５、および図６に示すように、ミラー基部１２内に設けられる流路ＦＰは、流入路Ｐ１と、複数の流路Ｐ２と、複数の戻り流路Ｐ４と、バッファタンク部ＰＢと、流出路Ｐ３とを含んでもよい。流入路Ｐ１は、熱媒体供給源から供給される熱媒体Ｃ１のミラー基部１２内への流入経路であってもよい。複数の流路Ｐ２は、流入路Ｐ１から放射状に分岐してもよい。これにより、ミラー基部１２の上面側に熱媒体Ｃ１が略均等に流れ得る。複数の戻り流路Ｐ４は、複数の流路Ｐ２それぞれと連通してもよい。バッファタンク部ＰＢは、複数の戻り流路Ｐ４と合流してもよい。流出路Ｐ３は、バッファタンク部ＰＢに流れ込んだ使用後の熱媒体Ｃ２のミラー基部１２外への流出経路であってもよい。

流入路Ｐ１の一端は、ミラー基部１２の外表面の１箇所に開口してもよい。流入路Ｐ１の他端は、ミラー基部１２の上面側の１箇所で複数の流路Ｐ２に連結されてもよい。図４に示すように、流入路Ｐ１は、たとえば支持部１２ｃの下面から基部ヘッド１２ａの上面の略中央にかけて、これら支持部１２ｃおよび基部ヘッド１２ａを貫通してもよい。この場合、熱媒体Ｃ１の流入口は、支持部１２ｃの下面に設けられる流入路Ｐ１の開口であってもよい。

流路Ｐ２は、図４および図５に示すように、平面が矩形状であってもよい。流路Ｐ２は、基部ヘッド１２ａの上面の略中央において流入路Ｐ１から基部ヘッド１２ａの側端側へ向けて放射状に分岐してもよい。流路Ｐ２は、たとえば隣り合う２つの流路Ｐ２間の内角が略均一となるように構成されてもよい。たとえば平面ミラー１の反射表面の形状が円形である場合、平面ミラー１は、流入路Ｐ１の中心線の延長線上にその反射表面の中心が位置するように構成されるのが好ましい。このように構成することで、反射表面の中心に対して点対称に熱媒体Ｃ１を流すことが可能となる。

このような流路Ｐ２は、たとえば、基部ヘッド１２ａに形成された溝１２ａ１をヘッドカバー１２ｂの上面部１２ｂ１でカバーすることによって画定される空間であってもよい。このような流路Ｐ２は、たとえば犠牲層を用いた製造技術によって形成されてもよい。具体的には、溝１２ａ１内にアッシングなどによって除去することが可能な材料を犠牲層として詰めておいてもよい。この犠牲層は、ＣＶＣ法でヘッドカバー１２ｂが形成された後に、アッシングなどで除去されてもよい。この結果、犠牲層が除去された空間が流路Ｐ２となり得る。

流路Ｐ２は、図４および図５に示すように、基部ヘッド１２ａの側端側の端部で戻り流路Ｐ４に連通してもよい。戻り流路Ｐ４は、たとえば、基部ヘッド１２ａ内で、基部ヘッド１２ａの上面に対して略直交する方向に延在してもよい。複数の戻り流路Ｐ４は、基部ヘッド１２ａの下面側に設けられたバッファタンク部ＰＢで合流してもよい。

複数の戻り流路Ｐ４が合流するバッファタンク部ＰＢは、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれにおける熱媒体Ｃ１の流量を略均一にするために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢを設けることで、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれに熱媒体Ｃ１が流れる際に生じる圧力損失を略均等にし得る。これにより、各流路に流れる熱媒体Ｃ１の流量が略均一となり得る。また、バッファタンク部ＰＢは、流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４を流れる熱媒体Ｃ１の圧力変動を吸収するために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢの流路の高さｈ１は、流路Ｐ２の流路の高さｈ２より高くてもよい。バッファタンク部ＰＢの流路の断面積は、流路Ｐ２の流路の断面積より大きくてもよい。

図４および図６に示すように、バッファタンク部ＰＢは、基部ヘッド１２ａの下面に形成された環状の溝１２ａ２を、ヘッドカバー１２ｂの下面部１２ｂ３でカバーすることによって画定される空間であってもよい。この場合、バッファタンク部ＰＢの形成方法は、流路Ｐ２の形成方法と同様でよい。すなわち、溝１２ａ２内にアッシングなどによって除去することが可能な材料を犠牲層として詰めておいてもよい。この犠牲層は、ＣＶＣ法でヘッドカバー１２ｂが形成された後に、アッシングなどで除去されてもよい。この結果、犠牲層が除去された空間がバッファタンク部ＰＢとなり得る。バッファタンク部ＰＢ内には、ヘッドカバー１２ｂの下面部１２ｂ３を支持するための少なくとも１つのピラー１２ｄが設けられてもよい。

流出路Ｐ３は、その一端がバッファタンク部ＰＢに連通し、その他端がミラー基部１２の外表面に開口してもよい。図４および図６に示すように、流出路Ｐ３は、たとえば支持部１２ｃをその厚さ方向に貫通してもよい。この場合、熱媒体Ｃ２の流出口は、支持部１２ｃの下面に設けられる流出路Ｐ３の開口であってもよい。

上述した流路ＦＰを備える平面ミラー１では、流路ＦＰに熱媒体Ｃ１を流すことによってミラー基部１２および反射膜１１が冷却され得る。これにより、ミラーの反射表面およびその近傍における昇温を抑えて、反射表面の熱変形による歪みを低減することが可能となり得る。たとえば図１に示した平面ミラー１０３に平面ミラー１を適用して熱変形による反射表面の歪みが低減された場合、所望のビームプロファイルのレーザ光ＬＢ２をプラズマ生成領域ＰＳに高精度で集光させ易くなると推測される。その結果として、ＥＵＶ光生成装置１００のエネルギー変換効率を向上できる可能性がある。

また、平面ミラー１では、流路ＦＰにバッファタンク部ＰＢが設けられてもよい。これにより、流路ＦＰへの熱媒体Ｃ１の供給開始時や供給停止時における流路ＦＰ内の圧力の急激な変動を低減することができると推測される。さらに、流入路Ｐ１に供給される熱媒体Ｃ１の圧力が脈動する場合でも、流路ＦＰ内での熱媒体Ｃ１の圧力変動を低減することが可能となると推測される。その結果として、ヘッドカバー１２ｂの厚さをたとえば１ｍｍ程度と比較的薄くした場合でも、ヘッドカバー１２ｂの破損を抑制することが可能であると推測される。

平面ミラー１は、放射状に配列される複数の流路Ｐ２の配列中心が反射対象光のビーム軸と略一致するように配置されるのが好ましい。通常、レーザ光のビームプロファイルでは、強度のピークがビーム軸上に位置し得る。そこで、反射表面の中心とレーザ光のビーム軸との交点またはその付近に最も冷却能力の高い流路Ｐ２の収束部分を位置させてもよい。これにより、反射表面における不均一な昇温を抑えることが容易になる可能性がある。

平面ミラー１は、所定の管路、圧送装置、熱媒体冷却用の冷却装置などと組み合わされて、ミラー装置としてユニット化されてもよい。以下、図７を参照して、このミラー装置の一例を説明する。

図７は、本開示のミラー装置の一例と、このミラー装置において各位置で熱媒体に加わる圧力の一例とを概略的に示す。図７に示すように、ミラー装置２００は、たとえば、熱媒体供給源２０１と、供給管路２０２と、排出管路２０３とを備えてもよい。熱媒体供給源２０１には、上述した平面ミラー１を冷却するための熱媒体Ｃが収容されてもよい。供給管路２０２は、熱媒体供給源２０１と平面ミラー１の流入路Ｐ１とを繋いでもよい。排出管路２０３は、平面ミラー１の流出路Ｐ３と熱媒体供給源２０１とを繋いでもよい。供給管路２０２には、圧送装置２０４と、冷却装置２０５とが設けられてもよい。圧送装置２０４は、熱媒体供給源２０１内の熱媒体Ｃを流入路Ｐ１に向けて圧送するよう構成されてもよい。冷却装置２０５は、供給管路２０２を流れる熱媒体Ｃを冷却するよう構成されてもよい。冷却装置２０５は、圧送装置２０４の下流側に設けられてもよい。図７では、ミラー装置２００内の相対的な圧力変動を示すために、熱媒体供給源２０１が重複記載されている。

熱媒体供給源２０１には、たとえば熱媒体Ｃを貯留するための所望容積のタンクが用いられてもよい。供給管路２０２および排出管路２０３には、たとえば金属などの無機材料製の管や合成樹脂などの有機材料製の管が用いられてもよい。圧送装置２０４には、たとえば電動ポンプが用いられてもよい。冷却装置２０５には、たとえばヒートポンプなどの熱交換器が用いられてもよい。

圧送装置２０４を動作させると、熱媒体供給源２０１内の熱媒体Ｃが供給管路２０２を通って平面ミラー１の流路ＦＰに流入し、流路ＦＰを通過して排出管路２０３に流入し得る。その後、熱媒体Ｃは、排出管路２０３を通って熱媒体供給源２０１に戻されてもよい。熱媒体Ｃは、繰り返し使用されてもよい。

図７に示すように、熱媒体供給源２０１内の大気圧に対する相対圧力を０（ゼロ）とすると、ミラー装置２００内の相対圧力は、熱媒体供給源２０１から圧送装置２０４に近づくに従って負の小さな値となり得る。また、この相対圧力は、圧送装置２０４で最小となってもよい。その一方で、圧送装置２０４に達した熱媒体Ｃは、圧送装置２０４で昇圧されてもよい。ミラー装置２００内の相対圧力は、圧送装置２０４での昇圧後、最大となってもよい。また、この相対圧力は、圧送装置２０４から冷却装置２０５、平面ミラー１の流路ＦＰ、および熱媒体供給源２０１へと向かうに従って徐々に低下してもよい。熱媒体Ｃが再び熱媒体供給源２０１に達するとき、相対圧力は０（ゼロ）になってもよい。

圧送装置２０４と冷却装置２０５とを動作させると、冷却装置２０５によって冷却された熱媒体Ｃが供給管路２０２から平面ミラー１の流路ＦＰに供給され得る。それにより、冷却装置２０５を動作させずに圧送装置２０４のみを動作させた場合に比べ、平面ミラー１が効率よく冷却され易くなる可能性がある。

実施の形態２
基部ヘッドとヘッドカバーと支持部とを備えたミラー基部内に、バッファタンク部が備えられた流路を設ける場合、バッファタンク部は、基部ヘッドの内部、支持部の内部、および基部ヘッドと支持部との境界部のいずれの箇所に配置されてもよい。

図８は、本開示の実施の形態２による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。図９は、図８に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。図１０は、図８に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す部分透視斜視図である。図１１は、図９に示した平面ミラーのＸＩ−ＸＩ面における構成を概略的に示す断面図である。図１２は、図９に示した平面ミラーのＸＩＩ−ＸＩＩ面における構成を概略的に示す断面図である。図１３は、図９に示した平面ミラーのＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ面における構成を概略的に示す断面図である。図１４は、図９に示した平面ミラーのＸＩＶ−ＸＩＶ面における構成を概略的に示す断面図である。

図８に示すように、平面ミラー２０は、ミラー基部２２と、反射膜２１とを含んでもよい。反射膜２１は、ミラー基部２２の上面側に形成され、光学反射面を構成してもよい。反射膜２１は、たとえば誘電体多層反射膜であってもよい。ミラー基部２２は、基部ヘッド２２ａと、支持部２２ｃとを含んでもよい。基部ヘッド２２ａは、上面側に反射膜２１を備えてもよい。基部ヘッド２２ａは、下面中央部に円板状の突出部ＰＰを有してもよい。支持部２２ｃは、突出部ＰＰの下面側に設けられてもよい。基部ヘッド２２ａおよび支持部２２ｃには、熱伝導率が高く、かつ耐熱性が高い材料が用いられてもよい。特に、基部ヘッド２２ａには、熱伝導率が高い材料が用いられるのが好ましい。

基部ヘッド２２ａは、たとえば炭化ケイ素焼結体で構成されてもよい。図８および図９に示すように、基部ヘッド部２２ａは、たとえば炭化ケイ素で構成されるヘッドカバー２２ｂによって覆われてもよい。ヘッドカバー２２ｂは、上面部２２ｂ１と、側面部２２ｂ２とを含んでもよい。上面部２２ｂ１は、基部ヘッド２２ａの上面をカバーしてもよい。側面部２２ｂ２は、基部ヘッド２２ａの側面をカバーしてもよい。このようなヘッドカバー２２ｂは、たとえばＣＶＣ法によって基部ヘッド２２ａ上に形成されてもよい。支持部２２ｃは、たとえば炭化ケイ素焼結体で構成されてもよい。図８および図９に示すように、支持部２２ｃは、突出部ＰＰの下面側に接合材によって接合されてもよい。

図９〜図１４に示すように、ミラー基部２２内の流路ＦＰは、たとえば、流入路Ｐ１と、複数の流路Ｐ２と、戻り流路Ｐ４と、バッファタンク部ＰＢと、流出路Ｐ３とを含んでもよい。流入路Ｐ１は、熱媒体供給源から供給される熱媒体のミラー基部２２内への流入経路であってもよい。複数の流路Ｐ２は、流入路Ｐ１から放射状に分岐してもよい。これにより、ミラー基部２２の上面側に熱媒体が略均等に流れ得る。戻り流路Ｐ４は、流路Ｐ２と連通してもよい。バッファタンク部ＰＢは、複数の戻り流路Ｐ４と合流してもよい。流出路Ｐ３は、バッファタンク部ＰＢから熱媒体のミラー基部２２外への流出経路であってもよい。戻り流路Ｐ４は、環状流路部Ｐ４ａと、連絡流路部Ｐ４ｂとを含んでもよい。環状流路部Ｐ４ａは、流路Ｐ２に連通してもよい。連絡流路部Ｐ４ｂは、環状流路部Ｐ４ａとバッファタンク部ＰＢとを連通させてもよい。

流入路Ｐ１の一端は、ミラー基部２２の外表面の１箇所に開口してもよい。流入路Ｐ１の他端は、ミラー基部２２の上面側で複数の流路Ｐ２に連結されてもよい。図９に示すように、流入路Ｐ１は、たとえば、支持部２２ｃの下面から基部ヘッド２２ａの上面の略中央にかけて、これら支持部２２ｃおよび基部ヘッド２２ａを貫通してもよい。この場合、熱媒体の流入口は、支持部２２ｃの下面に設けられた流入路Ｐ１の開口であってもよい。流入路Ｐ１の反射膜２１側の端部は、端部に向かうほど流路の径が拡大された形状であってもよい。

流路Ｐ２は、図９、図１０、および図１１に示すように、基部ヘッド２２ａの上面の略中央において、流入路Ｐ１から基部ヘッド２２ａの側端側へ向けて放射状に分岐してもよい。流路Ｐ２は、たとえば隣り合う２つの流路Ｐ２間の内角が略均一となるように構成されてもよい。たとえば平面ミラー２０の反射表面の形状が円形である場合、平面ミラー２０は、流入路Ｐ１の中心線の延長線上に反射表面の中心が位置するように構成されるのが好ましい。このように構成されることで、ミラー基部２２の上面側において、反射表面の中心に対して点対称に熱媒体を流すことが可能となり得る。このような流路Ｐ２は、たとえば、基部ヘッド２２ａの上面側に形成される溝２２ａ１をヘッドカバー２２ｂの上面部２２ｂ１でカバーすることによって画定される空間であってもよい。

流路Ｐ２は、図９、図１０、および図１１に示すように、基部ヘッド２２ａの側端側の端部で環状流路部Ｐ４ａに連通してもよい。環状流路部Ｐ４ａは、たとえば、基部ヘッド２２ａの側面側に形成される細径部２２ａ２をヘッドカバー２２ｂの側面部２２ｂ２でカバーすることによって画定される空間であってもよい。流路Ｐ２および環状流路部Ｐ４ａは、たとえば犠牲層を用いた製造技術によって形成されてもよい。具体的には、前述した溝２２ａ１内および細径部２２ａ２内それぞれに、アッシングなどによって除去することが可能な材料を犠牲層として詰めておいてもよい。この犠牲層は、ＣＶＣ法でヘッドカバー２２ｂが形成された後に、アッシングなどで除去されてもよい。この結果、犠牲層が除去された空間が流路Ｐ２および環状流路部Ｐ４ａとなり得る。

環状流路部Ｐ４ａは、図９、図１０、図１２、および図１３に示すように、それぞれ連絡流路部Ｐ４ｂを介してバッファタンク部ＰＢに連通してもよい。連絡流路部Ｐ４ｂは、たとえば、環状流路部Ｐ４ａに連通する箇所から環状流路部Ｐ４ａと略直交する方向に基部ヘッド２２ａの内部に向けて延在する部分と、この部分の端から反射表面と反対方向に向けて下方に延在する部分とを含んでもよい。下方に延在する部分は、基部ヘッド２２ａの下面２２ａ３でバッファタンク部ＰＢに合流してもよい。連絡流路部Ｐ４ｂは、流路Ｐ２各々に連通してもよい。

連絡流路部Ｐ４ｂが合流するバッファタンク部ＰＢは、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれにおける熱媒体Ｃ１の流量を略均一にするために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢを設けることで、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれに熱媒体が流れる際に生じる圧力損失を略均等にし得る。また、バッファタンク部ＰＢは、流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４を流れる熱媒体の圧力変動を吸収してもよい。バッファタンク部ＰＢの流路断面積は、流路Ｐ２各々の流路断面積を合計した値より大きくてもよい。このバッファタンク部ＰＢは、図９および図１３に示すように、支持部２２ｃの上面側に形成される環状の溝２２ｃ１を、基部ヘッド２２ａの下面部２２ａ３でカバーすることによって画定される空間であってもよい。

一端がバッファタンク部ＰＢに連通した流出路Ｐ３の他端は、ミラー基部２２の外表面に開口してもよい。図９および図１４に示すように、流出路Ｐ３は、たとえば支持部２２ｃをその厚さ方向に貫通してもよい。この場合、熱媒体の流出口は、支持部２２ｃの下面に設けられる流出路Ｐ３の開口であってもよい。

上述した流路ＦＰが備えられる平面ミラー２０は、流路ＦＰに熱媒体を流すことによって冷却され得る。これにより、平面ミラー２０の昇温を抑えて、反射表面の熱変形による歪みを低減することができる可能性がある。たとえば図１に示した平面ミラー１０３に平面ミラー２０を適用して反射表面の熱変形による歪みが低減された場合、所望のビームプロファイルのレーザ光ＬＢ２がプラズマ生成領域ＰＳに高精度で集光され易くなると推測される。その結果として、ＥＵＶ光生成装置１００のエネルギー変換効率が向上され得る可能性がある。

平面ミラー２０では、基部ヘッド２２ａと支持部２２ｃとの接合部分にバッファタンク部ＰＢが画定されてもよい。そのため、ヘッドカバー２２ｂの一部の領域をバッファタンク部ＰＢの流路壁の一部として利用する場合に比べ、バッファタンク部ＰＢの機械的強度を高くし易い。それにより、流路ＦＰに供給される熱媒体の流量を多くしても、熱媒体の供給開始時や供給停止時における流路ＦＰ内の圧力の急激な変動をバッファタンク部ＰＢによって吸収することが可能になると推測される。流路ＦＰに供給される熱媒体の流量を多くすることにより、実施の形態１の平面ミラー１に比べて、反射表面の熱変形による歪みを抑制することがより容易になる可能性がある。また、複数の流路Ｐ２の配列中心が反射対象光のビーム軸と略重なるように平面ミラー２０を位置させることにより、反射表面における温度分布を略点対称にすることが可能となり得る。この場合、平面ミラー２０によって反射されるレーザ光の波面が補償光学系によって容易に補正され得る可能性が高い。

平面ミラー２０は、実施の形態１で説明した平面ミラー１と同様に、所定の管路、圧送装置、熱媒体冷却用の冷却装置などと組み合わされて、ミラー装置としてユニット化されてもよい。平面ミラー２０を備えたミラー装置は、たとえば、図７に示したミラー装置２００での平面ミラー１に代えて平面ミラー２０を配置する以外は、ミラー装置２００と同様に構成されてよい。

実施の形態３
放射状に配置される流路を含む流路をミラー基部内に設ける場合、放射状に配置される流路の平面形状は、矩形状に限らず、扇状や台形状などであってもよい。

図１５は、本開示の実施の形態３による平面ミラーの一例を概略的に示す側面図である。図１６は、図１５に示した平面ミラーの反射面と直交する面における構成を概略的に示す断面図である。図１７は、図１５に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す分解斜視図である。図１８は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路を概略的に示す平面図である。図１９は、図１６に示した平面ミラーのＸＩＸ−ＸＩＸ面における構成を概略的に示す断面図である。図２０は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路の１つを概略的に示す断面図である。図２１は、図１５に示した平面ミラーにおいて放射状に配置される流路の１つを概略的に示す他の断面図である。図２２は、図１５に示した平面ミラーのミラー基部を概略的に示す部分透視断面斜視図である。

図１５に示すように、平面ミラー３０は、たとえば、ミラー基部３２と、反射膜３１とを含んでもよい。反射膜３１は、ミラー基部３２の上面側に形成され、光学反射面を構成してもよい。反射膜３１は、たとえば誘電体多層反射膜でよい。ミラー基部３２は、基部ヘッド３２ａと、支持部３２ｂとを含んでもよい。基部ヘッド３２ａは、略平板状であってもよく、その上面に反射膜３１が形成されてもよい。支持部３２ｂは、大径部３２ｂ１と、小径部３２ｂ２とを備えてもよい。支持部３２ｂは、側面視したときに大径部３２ｂ１の下面側に小径部３２ｂ２が連続したＴ字形状であってもよい。基部ヘッド３２ａは、大径部３２ｂ１の上面に配置されてもよい。

基部ヘッド３２ａおよび支持部３２ｂには、熱伝導率が高く、かつ耐熱性が高い材料が用いられてもよい。特に基部ヘッド３２ａには、熱伝導率が高い材料が用いられるのが好ましい。基部ヘッド３２ａおよび大径部３２ｂ１は、たとえば炭化ケイ素焼結体で構成されてもよい。基部ヘッド３２ａは、大径部３２ｂ１の上面に、ろう、はんだ、または無機系接着剤などの無機系接合材、有機系接合材などの接合材等によって接合されてもよい。

図１６〜図２２に示すように、ミラー基部３２内の流路ＦＰは、たとえば、流入路Ｐ１と、複数の流路Ｐ２と、複数の戻り流路Ｐ４と、バッファタンク部ＰＢと、流出路Ｐ３とを含んでもよい。流入路Ｐ１は、熱媒体供給源から供給される熱媒体のミラー基部３２内への流入経路であってもよい。複数の流路Ｐ２は、流入路Ｐ１から放射状に分岐してもよい。これにより、ミラー基部３２の上面側で熱媒体が略均等に流れ得る。複数の戻り流路Ｐ４は、複数の流路Ｐ２それぞれと連通してもよい。バッファタンク部ＰＢは、複数の戻り流路Ｐ４と合流してもよい。流出路Ｐ３は、バッファタンク部ＰＢに流れ込んだ熱媒体がミラー基部３２外へ流出するための経路であってもよい。

流入路Ｐ１の一端は、ミラー基部３２の外表面の１箇所に開口してもよい。流入路Ｐ１の他端は、ミラー基部３２の上面側において、放射状に配置される複数の流路Ｐ２に連結されてもよい。図１６に示すように、流入路Ｐ１は、たとえば支持部３２ｂをその厚さ方向に貫通してもよい。この場合、熱媒体の流入口は、支持部３２ｂの下面に設けられる流入路Ｐ１の開口であってもよい。流入路Ｐ１の基部ヘッド３２ａ側の端部は、端部に向かうほど流路の径が拡大された形状であってもよい。

複数の流路Ｐ２は、図１６〜図１９に示すように、支持部３２ｂの上面の略中央において、流入路Ｐ１から支持部３２ｂの側端側へ向けて放射状に分岐してもよい。複数の流路Ｐ２は、たとえば隣り合う２つの流路Ｐ２間の内角が略均一となるように配置されてもよい。流入路Ｐ１の中心線の延長線上に反射表面の中心が位置するように平面ミラー３０を構成することにより、反射表面の中心に対して点対称に熱媒体を流すことが可能となり得る。このような流路Ｐ２は、たとえば、大径部３２ｂ１の上面側に形成される溝３２ｂ３を基部ヘッド３２ａでカバーすることによって画定される空間であってもよい。

戻り流路Ｐ４は、図１６〜図１９、および図２１に示すように、たとえば支持部３２ｂの側端側の端部で流路Ｐ２に連通してもよい。戻り流路Ｐ４は、たとえば、流路Ｐ２に連通する箇所から流路Ｐ２と略直交する方向であって大径部３２ｂ１の厚さ方向に延在してもよい。

戻り流路Ｐ４が合流するバッファタンク部ＰＢは、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれにおける熱媒体の流量を略均一にするために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢを設けることで、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれに熱媒体が流れる際に生じる圧力損失を略均等にし得る。また、バッファタンク部ＰＢは、流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４を流れる熱媒体の圧力変動を吸収してもよい。バッファタンク部ＰＢの流路断面積は、流路Ｐ２各々の流路断面積を合計した値より大きくてもよい。このバッファタンク部ＰＢは、図１６に示すように、大径部３２ｂ１内に画定される環状の空間であってもよい。

流出路Ｐ３の一端は、バッファタンク部ＰＢに連通してもよい。流出路Ｐ３の他端は、ミラー基部３２の外表面に開口してもよい。図１６に示すように、流出路Ｐ３は、たとえば支持部３２ｂをその厚さ方向に貫通してもよい。この場合、熱媒体の流出口は、支持部３２ｂの下面に設けられる流出路Ｐ３の開口であってもよい。

実施の形態３では、図１７および図１８に示すように、流路Ｐ２の平面形状が扇状であってもよい。流路Ｐ２は、平面視したときに、支持部３２ｂの側端側の端部の幅の方が流入路Ｐ１側の端部の幅よりも広い扇状であってもよい。隣り合う流路Ｐ２を分離するための隔壁部ＢＨは、直方体状に形成されてもよい。隔壁部ＢＨは、たとえば基部ヘッド３２ａまたは大径部３２ｂ１に形成されてもよい。戻り流路Ｐ４は、対応する流路Ｐ２とバッファタンク部ＰＢとを連通してもよい。戻り流路Ｐ４の断面形状は、流入路Ｐ１を中心にして円弧状に湾曲した長孔状であってもよい。

流路Ｐ２の平面形状を扇状にする場合、図１６および図１７に示すように、基部ヘッド３２ａは、円板状のベース部３２ａ１と、平板状の突起部３２ａ２と、円錐状の整流部３２ａ３とを含んでもよい。突起部３２ａ２は、溝３２ｂ３にそれぞれ対応するようにベース部３２ａ１の下面側に設けられてもよい。この突起部３２ａ２は、溝３２ｂ３の上部に挿入されてもよい。整流部３２ａ３は、尖端側を下にしてベース部３２ａ１の下面中央部に設けられてもよい。突起部３２ａ２の平面形状は、たとえば扇状であってもよい。また、突起部３２ａ２は、実質的に均一な厚みを有してもよい。整流部３２ａ３は、その尖端側が流入路Ｐ１に突出してもよい。

図１９および図２０に示すように、突起部３２ａ２とこれに対応する流路Ｐ２の隔壁部ＢＨとの間には、間隙Ｇが画定されてもよい。間隙Ｇは、流路Ｐ２の一領域として機能してもよい。戻り流路Ｐ４の位置は、戻り流路Ｐ４が突起部３２ａ２よりも支持部３２ｂの側端側に位置するように選定されてもよい。図１９では、隔壁部ＢＨと間隙Ｇとを区別し易くするために、大径部３２ｂ１の最上面にスマッジングが付されている。

流路Ｐ２の間隙Ｇを除いた流路断面積は、流入路Ｐ１側から戻り流路Ｐ４側にかけて実質的に一定であってもよい。たとえば、図２１に示すように、流路Ｐ２における流入路Ｐ１側の流路の高さＨ１が戻り流路Ｐ４側の流路の高さＨ２よりも高く、且つ流入路Ｐ１側から戻り流路Ｐ４側に向かって当該流路の高さが漸次低下するように構成されてもよい。この構成によれば、流路Ｐ２での間隙Ｇを除いた流路断面積を実質的に一定にすることが可能となる。

基部ヘッド３２ａを接合材によって支持部３２ｂ上に接合する場合には、支持部３２ｂの上面を接合面にしてもよい。この場合、図２２に示すように、支持部３２ｂでの大径部３２ｂ１の最上面全体に接合材層３３を設けてもよい。なお、図２２では、接合材層３３にスマッジングが付されている。また、図２２では、ベース部３２ａ１の輪郭が二点鎖線で示されている。

上述した流路ＦＰが備えられる平面ミラー３０は、流路ＦＰに熱媒体を流すことによって冷却され得る。これにより、平面ミラー３０の昇温を抑えて、反射表面の熱変形による歪みを低減することができる可能性がある。たとえば図１に示した平面ミラー１０３に平面ミラー３０を適用して反射表面の熱変形による歪みが低減された場合、所望のビームプロファイルのレーザ光ＬＢ２がプラズマ生成領域ＰＳに高精度で集光され易くなると推測される。その結果として、ＥＵＶ光生成装置１００のエネルギー変換効率を向上できる可能性がある。

平面ミラー３０では、支持部３２ｂの内部にバッファタンク部ＰＢ全体が配置されてもよい。これにより、ヘッドカバーの一部の領域をバッファタンク部ＰＢの流路壁の一部として利用する場合に比べ、バッファタンク部ＰＢの容積を大きくし易い。このため、流路ＦＰに供給される熱媒体の流量を多くしても、熱媒体の供給開始時や供給停止時における流路ＦＰ内の圧力の急激な変動をバッファタンク部ＰＢによって抑えることが可能になると推測される。流路ＦＰに供給される熱媒体の流量を多くすることにより、反射表面の熱変形による歪みをさらに抑制することが容易になる可能性がある。

流路Ｐ２の平面形状が扇状であり、隣り合う流路Ｐ２間の隔壁部ＢＨが直方体状である場合には、隔壁部ＢＨの平面形状がたとえば扇状である場合に比べ、流路Ｐ２を流れる熱媒体によって基部ヘッド３２ａがより均一に冷却され易くなる可能性がある。その結果として、平面ミラー３０がより均一に冷却され易くなる可能性がある。基部ヘッド３２ａに円錐状の整流部３２ａ３が設けられた場合には、基部ヘッド３２ａが、反射表面の中心部付近で熱媒体に接する表面積が広くなり得る。その結果として、整流部３２ａ３が設けられない場合に比べ、入射光によって集中的に加熱されるおそれのある反射表面の中心部付近をより効果的に冷却することが可能になる可能性がある。

流路Ｐ２の流路断面積が流入路Ｐ１側から戻り流路Ｐ４側にかけて実質的に均一である場合には、流路Ｐ２の流路断面積が不均一である場合に比べ、戻り流路Ｐ４側での熱媒体の流速の低下が抑えられ易くなる可能性がある。その結果として、反射表面における温度分布がより均一化され得る可能性がある。また、放射状に配列される複数の流路Ｐ２の配列中心が反射対象光のビーム軸と略重なるように平面ミラー３０が位置することで、反射表面における温度分布が点対称でかつ略均一になり得る可能性がある。この場合、平面ミラー３０によって反射されるレーザ光の波面が補償光学系によって容易に補正され得る可能性が高い。

戻り流路Ｐ４における流路Ｐ２側の断面形状を前述の長孔状にすることで、流路Ｐ２での熱媒体の滞留が抑制され易くなる可能性がある。また、基部ヘッド３２ａに突起部３２ａ２が設けられた場合には、間隙Ｇを除いた流路Ｐ２の流路の高さに比べて隔壁部ＢＨの高さを高くすることができる。その結果として、基部ヘッド３２ａと支持部３２ｂとが接合材によって互いに接合されるときに、未硬化の接合材が毛細管現象によって流路Ｐ２内に侵入して流路Ｐ２の詰まりを引き起こすことが抑制され易くなる可能性がある。

平面ミラー３０は、実施の形態１で説明した平面ミラー１と同様に、所定の管路、圧送装置、熱媒体冷却用の冷却装置などと組み合わされて、ミラー装置としてユニット化されてもよい。平面ミラー３０を含むミラー装置は、たとえば、図７に示したミラー装置２００での平面ミラー１に代えて平面ミラー３０が配置される以外は、ミラー装置２００と同様に構成されてよい。

実施の形態４
放射状に配置される複数の流路とバッファタンク部とを含む流路は、凹面ミラーや凸面ミラーなど、平面ミラー以外のミラーに設けられてもよい。

図２３は、本開示の実施の形態４による円形凹面ミラーの一例を概略的に示す平面図である。図２４は、図２３に示した凹面ミラーの縦断面における構成を概略的に示す図である。図２３および図２４に示すように、凹面ミラー４０は、ミラー基部４２と、反射膜４１とを備えてもよい。反射膜４１は、ミラー基部４２の上面側に形成されてもよい。反射膜４１は、たとえば多層反射膜であってもよい。ミラー基部４２は、基部ヘッド４２ａと、円柱状の支持部４２ｂとを含んでもよい。基部ヘッド４２ａは、反射膜４１が上面に形成される凹部４２ａ１を有してもよい。支持部４２ｂは、基部ヘッド４２ａに接合されてもよい。基部ヘッド４２ａおよび支持部４２ｂは、たとえばニッケルなどの金属系材料によって構成されてもよい。反射膜４１およびミラー基部４２には、これら反射膜４１およびミラー基部４２を貫通する貫通孔４３が設けられてもよい。図２４では、支持部４２ｂの断面にスマッジングが付されている。

ミラー基部４２の内部には、以下に説明するように、たとえば図２に示した流路ＦＰと同様の構成を有する流路が設けられてもよい。以下の説明では、ミラー基部４２における厚さ方向の２つの端面のうちで凹部４２ａ１が形成されている側の面を「上面」といい、他方の面を「下面」という。

図２３および図２４に示すように、ミラー基部４２内の流路ＦＰは、たとえば、流入路Ｐ１と、複数の流路Ｐ２と、複数の戻り流路Ｐ４と、バッファタンク部ＰＢと、流出路Ｐ３とを含んでもよい。流入路Ｐ１は、熱媒体供給源から供給される熱媒体のミラー基部４２内への流入経路であってもよい。複数の流路Ｐ２は、流入路Ｐ１から放射状に分岐してもよい。これにより、ミラー基部４２の上面側で熱媒体が略均等に流れ得る。複数の戻り流路Ｐ４は、複数の流路Ｐ２とそれぞれ連通してもよい。バッファタンク部ＰＢは、複数の戻り流路Ｐ４と合流してもよい。流出路Ｐ３は、バッファタンク部ＰＢに流れ込んだ使用後の熱媒体のミラー基部４２外への流出経路であってもよい。

ミラー基部４２に貫通孔４３が設けられている場合、流入路Ｐ１は、図２３および図２４に示すように、少なくとも１つの供給源側流入路Ｐ１ａと、分配流路Ｐ１ｂと、少なくとも１つの反射表面側流入路Ｐ１ｃとを含んでもよい。供給源側流入路Ｐ１ａは、熱媒体の供給源に一端が連通してもよい。分配流路Ｐ１ｂは、貫通孔４３を取り巻くように配置されて供給源側流入路Ｐ１ａの他端と連通してもよい。反射表面側流入路Ｐ１ｃの一端は分配流路Ｐ１ｂに連通し、他端は流路Ｐ２に連通してもよい。

流入路Ｐ１の一端は、ミラー基部４２の外表面に開口してもよい。流入路Ｐ１が複数の供給源側流入路Ｐ１ａを含む場合には、各供給源側流入路Ｐ１ａの一端がミラー基部４２の外表面に開口してもよい。同様に、流入路Ｐ１が複数の反射表面側流入路Ｐ１ｃを含む場合には、各反射表面側流入路Ｐ１ｃの他端がミラー基部４２の上面側で流路Ｐ２に連通してもよい。

複数の流路Ｐ２は、ミラー基部４２の中心から放射状に配置されてもよい。流路Ｐ２は、流入路Ｐ１側からミラー基部４２の上面の側端側に向かって斜めに延在してもよい。戻り流路Ｐ４の一端は、流路Ｐ２のミラー基部４２の側端側の端部に連通してもよい。戻り流路Ｐ４の他端は、ミラー基部４２の下面側に向かって延在し、バッファタンク部ＰＢに合流してもよい。

戻り流路Ｐ４が合流するバッファタンク部ＰＢは、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれにおける熱媒体の流量を略均一にするために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢを設けることで、たとえば流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４それぞれに熱媒体が流れる際に生じる圧力損失を略均等にし得る。また、バッファタンク部ＰＢは、流路Ｐ２および戻り流路Ｐ４を流れる熱媒体の圧力変動を吸収するために設けられてもよい。バッファタンク部ＰＢの流路断面積は、流路Ｐ２各々の流路断面積を合計した値より大きくてもよい。このバッファタンク部ＰＢは、図２４に示すように、ミラー基部４２内に画定される環状の空間であってもよい。

流出路Ｐ３の一端は、バッファタンク部ＰＢに連通してもよく、その他端は、ミラー基部４２の外表面に開口してもよい。図２４に示すように、流出路Ｐ３は、たとえば支持部４２ｂの下面に開口してもよい。この場合、熱媒体の流出口は、支持部４２ｂの下面に設けられる流出路Ｐ３の開口であってもよい。

上述した流路ＦＰを備える凹面ミラー４０は、流路ＦＰに水などの熱媒体を流すことによって冷却され得る。これにより、凹面ミラー４０の昇温を抑えて、反射表面の熱変形による歪みを抑制することができる可能性がある。たとえば図１に示したＥＵＶ集光ミラー１２２に凹面ミラー４０を適用して反射表面の熱変形による歪みが低減された場合、所望のＥＵＶ光Ｌが中間集光点ＩＦに高精度で集光され易くなると推測される。凹面ミラー４０は、実施の形態１で説明した平面ミラー１と同様に、所定の管路、圧送装置、熱媒体冷却用の冷却装置などと組み合わされて、ミラー装置としてユニット化されてもよい。

実施の形態５
内部に流路が設けられたミラーを含むミラー装置では、圧送装置がミラーの上流側に配置されてもよいし、ミラーの下流側に配置されてもよいし、ミラーの上流側と下流側との両方にそれぞれ配置されてもよい。

図２５は、本開示の実施の形態５によるミラー装置の一例と、このミラー装置において各位置で熱媒体に加わる圧力の一例とを概略的に示す。図２５に示すミラー装置２１０は、冷却対象のミラーＭの下流側にバッファタンク２０６と排出用圧送装置２０７とが設けられている以外は、図７に示したミラー装置２００と同様に構成されてもよい。ミラーＭの内部には、たとえば図２に示した流路ＦＰや図２４に示した流路ＦＰが設けられてもよい。図２５に示した構成要素のうちで図７に示した構成要素と共通するものについては、図７で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。

ミラー装置２１０では、圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７の少なくとも一方を動作させることにより、熱媒体供給源２０１内の熱媒体Ｃが供給管路２０２を通ってミラーＭ内の流路に流入し、当該流路を通過して排出管路２０３に流入し得る。その後、熱媒体Ｃは、バッファタンク２０６に一旦貯留されてから熱媒体供給源２０１に戻されてもよい。熱媒体Ｃは、繰り返し使用されてもよい。

図２５に示すように、圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７の両方を動作させた場合、ミラー装置２１０内の大気圧に対する相対圧力は、圧送装置２０４において、圧送装置２０４を動作させる前に最小となり得る。また、この相対圧力は、圧送装置２０４を動作させた後に最大となってもよい。熱媒体供給源２０１内の大気圧に対する相対圧力を０（ゼロ）とすると、ミラー装置２１０内の相対圧力は、熱媒体供給源２０１から圧送装置２０４に近づくに従って負の小さな値となり得る。その後、圧送装置２０４に達した熱媒体Ｃは、圧送装置２０４で昇圧されてもよい。

その後、ミラー装置２１０内の相対圧力は、圧送装置２０４から冷却装置２０５、ミラーＭ内の流路、バッファタンク２０６、および排出用圧送装置２０７へと向かうに従って徐々に低下してもよい。排出用圧送装置２０７は、熱媒体Ｃを吸引してもよい。その場合、バッファタンク２０６から排出用圧送装置２０７までの区間において相対圧力は負の値となり得る。また、排出用圧送装置２０７は熱媒体Ｃを昇圧してもよい。その場合、ミラー装置２１０内の相対圧力は、排出用圧送装置２０７で昇圧後再び正の値となり得る。その後、排出用圧送装置２０７から熱媒体供給源２０１に近づくに従って相対圧力は徐々に低下してもよい。相対圧力は、熱媒体供給源２０１で０（ゼロ）になってもよい。

圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７の少なくとも一方に加えて冷却装置２０５を動作させると、冷却装置２０５によって冷却された熱媒体Ｃが供給管路２０２を通ってミラーＭ内の流路に供給され得る。結果として、冷却装置２０５を動作させずに圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７の少なくとも一方を動作させた場合に比べ、ミラーＭが効率よく冷却され易くなる可能性がある。

ミラー装置２１０では、圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７の両方を動作させてミラーＭ内の流路に熱媒体Ｃを流してもよい。これにより、圧送装置２０４および排出用圧送装置２０７のいすれか一方のみを動作させることでミラーＭ内の流路に熱媒体Ｃを流す場合に比べ、ミラーＭ内の流路における相対圧力がより低減し得る。また、ミラーＭと排出用圧送装置２０７との間にバッファタンク２０６が設けられているので、ミラーＭ内の流路と反射膜とを接近させても、熱媒体Ｃが流路を流れることで反射膜に生じ得る圧力変動による振動が低減し得る。

実施の形態６
本開示のミラーおよびミラー装置は、種々のレーザ装置の構成要素として用いられてもよい。レーザ装置は、たとえば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置のドライバレーザ装置であってもよいし、レーザ加工機などに使用されるレーザ装置であってもよいし、これらの構成要素であってもよい。本開示のミラーおよびミラー装置は、たとえばレーザ光伝送光路に配置される構成要素であってもよい。

図２６は、本開示の実施の形態６によるレーザ装置のレーザ光増幅器の一例を概略的に示す。図２６に示すように、レーザ光増幅器３００は、第１放電部３０１と、第２放電部３０２とを備えてもよい。レーザ光増幅器３００をこのような構成にする場合、第１放電部３０１は、ウィンドウ３１１と、４つの放電管３１２ａ〜３１２ｄと、４つのミラー装置３１３ａ〜３１３ｄとを備えてもよい。第２放電部３０２は、４つの放電管３２１ａ〜３２１ｄと、４つのミラー装置３２２ａ〜３２２ｄと、ウィンドウ３２３とを備えてもよい。ミラー装置３１３ａ〜３１３ｄおよび３２２ａ〜３２２ｄは、本開示のミラー装置であってもよい。

放電管３１２ａ〜３１２ｄおよび３２１ａ〜３２１ｄ内には、ガスレーザ媒質が充填されてもよい。放電管３１２ａ〜３１２ｄおよび３２１ａ〜３２１ｄでは、これらの放電管３１２ａ〜３１２ｄおよび３２１ａ〜３２１ｄ毎に配置された電極対間に、所定のタイミングで、図示しない電源によって電圧が印加されてもよい。この電圧の印加によって放電が起こることで、ガスレーザ媒質が励起されてもよい。ガスレーザ媒質は、二酸化炭素（ＣＯ_２）、窒素（Ｎ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）などを含んでもよい。加えて、ガスレーザ媒質は、必要に応じて水素（Ｈ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、キセノン（Ｘｅ）などを含んでもよい。

上述のように構成されたレーザ光増幅器３００において、ウィンドウ３１１を透過したレーザ光ＬＢ２１は、第１放電部３０１と第２放電部３０２とで増幅されてもよい。この場合、ウィンドウ３１１を透過したレーザ光ＬＢ２１は、放電管３１２ａに入射して増幅されてもよい。つぎに、レーザ光ＬＢ２１は、ミラー３１３ａによってＹ軸方向に反射され、放電管３１２ｂに入射して増幅されてもよい。放電管３１２ｂ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３１３ｂによってＸ軸方向に反射され、放電管３１２ｃに入射して増幅されてもよい。放電管３１２ｃ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３１３ｃによってＹ軸方向に反射され、放電管３１２ｄに入射して増幅されてもよい。

放電管３１２ｄ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３１３ｄによってＺ軸方向に反射されて第２放電部３０２に伝播されてもよい。つぎに、レーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３２２ａによってＹ軸方向に反射され、放電管３２１ａに入射して増幅されてもよい。放電管３２１ａ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３２２ｂによってＸ軸方向に反射され、放電管３２１ｂに入射して増幅されてもよい。放電管３２１ｂ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３２２ｃによってＹ軸方向に反射され、放電管３２１ｃに入射して増幅されてもよい。放電管３２１ｃ内で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ミラー装置３２２ｄによってＸ軸方向に反射され、放電管３２１ｄに入射して増幅されてもよい。

第２放電部３０２で増幅されたレーザ光ＬＢ２１は、ウィンドウ３２３を透過してレーザ光増幅器３００から出力されてもよい。なお、図２６には、Ｘ座標軸、Ｙ座標軸、およびＺ座標軸が付されている。また、図２６では、放電管３１２ａ〜３１２ｄおよび３２１ａ〜３２１ｄ内でのレーザ光ＬＢ２１の伝播方向が、それぞれ実線の矢印で示されている。

上述したレーザ光増幅器３００では、ミラー装置３１３ａ〜３１３ｄおよび３２２ａ〜３２２ｄに本開示のミラー装置が用いられてもよい。これにより、レーザ光ＬＢ２１の増幅過程でレーザ光ＬＢ２１のビームプロファイルが所望のプロファイルから変化してしまうことが抑制され易くなる可能性がある。

実施の形態７
本開示のミラーおよびミラー装置は、光学系を備える種々の装置の構成要素にすることができる。図２７は、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置の一例を概略的に示す。図２７に示すＥＵＶ光生成装置１００Ａは、図１に示したドライバレーザ装置１０１に代えてドライバレーザ装置１０１Ａを備えてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１００Ａは、図１に示したチャンバ１０２に代えてチャンバ１０２Ａを備えてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成装置１００Ａは、波面センサＳ２を備えてもよい。

ドライバレーザ装置１０１Ａは、たとえば、図１に示したメインアンプＭＡに代えてメインアンプＭＡ２を備えてもよい。また、ドライバレーザ装置１０１Ａでは、メインアンプＭＡ２とリレー光学系Ｒ２との間に、可飽和吸収セルＳＡと波面補正器ＷＣ１とがリレー光学系Ｒ２側からこの順番で配置されてもよい。さらに、ドライバレーザ装置１０１Ａは、図１に示したリレー光学系Ｒ３に代えて、波面センサＳ１と波面補正器ＷＣ２とを備えてもよい。図２７に示す構成要素のうちで図１に示した構成要素と共通する構成要素については、図１で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。

可飽和吸収セルＳＡは、たとえば六フッ化イオウ（ＳＦ_６）ガスを可飽和吸収体として備えてもよい。可飽和吸収体は、所定強度以下のレーザ光ＬＢ１を吸収し、所定強度を超えるレーザ光ＬＢ１を透過させ得る。このような可飽和吸収セルＳＡが配置されることにより、メインアンプＭＡ２への所定強度以下のレーザ光ＬＢ１の入射が抑制され得る。これにより、メインアンプＭＡ２の自励発振が抑制され得る。可飽和吸収セルＳＡは、レーザ光ＬＢ１の光路上に配置される光学系やターゲット物質であるドロップレットＤで反射される戻り光を吸収するために配置されてもよい。また、可飽和吸収セルＳＡは、光入射ウィンドウＷｉ１と、光出射ウィンドウＷｏ１とを含んでもよい。光入射ウィンドウＷｉ１および光出射ウィンドウＷｏ１は、窓枠内に設けられる流路に熱媒体が流されることによって窓材を冷却することが可能なように構成されてもよい。

メインアンプＭＡ２は、光入射ウィンドウＷｉ２と、光出射ウィンドウＷｏ２とを含んでもよい。光入射ウィンドウＷｉ２および光出射ウィンドウＷｏ２は、窓枠内に設けられる流路に熱媒体が流されることによって窓材を冷却することが可能なように構成されてもよい。波面センサＳ１は、メインアンプＭＡ２から出力されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦを検出してもよい。波面センサＳ１は、検出結果を波面補正器ＷＣ１に入力してもよい。波面補正器ＷＣ１は、波面センサＳ１の検出結果に基づいて、メインアンプＭＡ２に入射するレーザ光ＬＢ１の波面を補正してもよい。波面補正器ＷＣ１は、メインアンプＭＡ２から出力されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが所定形状になるように、レーザ光ＬＢ１の波面を補正してもよい。

チャンバ１０２Ａは、ウィンドウ１２１Ａを備えてもよい。ウィンドウ１２１Ａは、窓枠内に設けられる流路に熱媒体が流されることによって窓材を冷却することが可能なように構成されてもよい。チャンバ１０２Ａにおけるウィンドウ１２１Ａ以外の構成は、図１に示したチャンバ１０２と同様であってもよい。

波面センサＳ２は、チャンバ１０２Ａのウィンドウ１２１Ａと平面ミラー１０３との間に配置されてもよい。波面センサＳ２は、平面ミラー１０３で反射されたレーザ光ＬＢ２の波面形状ＷＦを検出してもよい。波面センサＳ２は、検出結果を波面補正器ＷＣ２に入力してもよい。

上述したＥＵＶ光生成装置１００Ａでは、平面ミラー１０３、ＥＵＶ集光ミラー１２２、および軸外放物面ミラー１２３の少なくともいずれか１つに、上述した実施の形態による流路が設けられてもよい。プリアンプＰＡ、波面補正器ＷＣ１、メインアンプＭＡ２、および波面補正器ＷＣ２のいずれかの構成要素としてミラーが用いられる場合には、当該ミラーに上述した実施の形態による流路が設けられてもよい。ミラーに上述した実施の形態による流路を設け、この流路に熱媒体を流すことにより、ミラーの反射表面を点対称かつ略均一に冷却することが可能になる。レーザ光ＬＢ１、レーザ光ＬＢ２、またはＥＵＶ光Ｌが入射するミラーを冷却して反射表面の昇温を抑えることにより、反射表面の熱変形による歪みを低減し得る。これにより、レーザ光ＬＢ１、ＬＢ２およびＥＵＶ光Ｌが、その波面の歪みが抑制されつつ反射され得る。この場合、所望のビームプロファイルのレーザ光ＬＢ２がプラズマ生成領域ＰＳに高精度で集光され易くなり得る。あるいは、所望のプロファイルのＥＵＶ光Ｌが中間集光点ＩＦに高精度で集光され易くなり得る。結果として、ＥＵＶ光生成装置１００Ａのエネルギー変換効率が向上され得る。

また、可飽和吸収セルＳＡが光入射ウィンドウＷｉ１および光出射ウィンドウＷｏ１を備える場合であって、ウィンドウＷｉ１およびＷｏ１への入射光の軸がウィンドウＷｉ１およびＷｏ１の中心と略一致する場合には、ウィンドウＷｉ１およびＷｏ１の窓枠内の流路に熱媒体を流して窓材を冷却してもよい。これにより、ウィンドウＷｉ１およびＷｏ１での熱分布をウィンドウＷｉ１およびＷｏ１の中心に対して略点対称の分布とすることができる可能性がある。同様に、メインアンプＭＡ２が光入射ウィンドウＷｉ２および光出射ウィンドウＷｏ２を備える場合であって、ウィンドウＷｉ２およびＷｏ２への入射光の軸がウィンドウＷｉ２およびＷｏ２の中心と略一致する場合には、ウィンドウＷｉ２およびＷｏ２の窓枠内の流路に熱媒体を流して窓材を冷却してもよい。これにより、ウィンドウＷｉ２およびＷｏ２での熱分布をウィンドウＷｉ２およびＷｏ２の中心に対して略点対称の分布とすることができる可能性がある。さらに、チャンバ１０２Ａがウィンドウ１２１Ａを備える場合であって、ウィンドウ１２１Ａへの入射光の軸がウィンドウ１２１Ａの中心と略一致する場合には、ウィンドウ１２１Ａの窓枠内の流路に熱媒体を流して窓材を冷却してもよい。これにより、ウィンドウ１２１Ａでの熱分布をウィンドウ１２１Ａの中心に対して略点対称の分布とすることができる可能性がある。これらの場合、レーザ光ＬＢ１またはレーザ光ＬＢ２の波面形状ＷＦが、形状可変ミラーなどの簡易な構造の光学素子を含む波面補正器を備えた波面補正装置を用いて容易に補正され得る。以下、レーザ光ＬＢ１の波面を補正する場合を例にとり、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置について、図２８〜図３９を参照して詳細に説明する。

図２８〜図３０は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の一例での動作状態を模式的に示す。図２８〜図３０に示す波面補正装置４００は、形状可変ミラー４０１と、波面センサ４０２と、ミラーアクチュエータ４０３とを備えてもよい。形状可変ミラー４０１は、反射面の曲率を変更することができてもよい。波面センサ４０２は、形状可変ミラー４０１で反射されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦを検出してもよい。ミラーアクチュエータ４０３は、波面センサ４０２で検出されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦに基づいて形状可変ミラー４０１の反射面全体の曲率を変化させてもよい。形状可変ミラー４０１は、その反射面が平面である場合にレーザ光ＬＢ１の入射角が４５°となるように配置されてもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面である場合には、ミラーアクチュエータ４０３は、図２８に示すように、形状可変ミラー４０１の反射面が平面に維持されるように形状可変ミラー４０１の反射面形状を制御してもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが凸面である場合には、ミラーアクチュエータ４０３は、図２９に示すように、波面センサ４０２で検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面となるように形状可変ミラー４０１の反射面形状を凹面形状に制御してもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが凹面である場合には、ミラーアクチュエータ４０３は、図３０に示すように、波面センサ４０２で検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面となるように形状可変ミラー４０１の反射面形状を凸面形状に制御してもよい。

図３１〜図３３は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の他の例での動作状態を模式的に示す。図３１〜図３３に示す波面補正装置４１０は、形状可変ミラー４０１と、平面ミラー４１１と、波面センサ４０２と、ミラーアクチュエータ４０３とを備えてもよい。形状可変ミラー４０１は、反射面の曲率を変更することができてもよい。平面ミラー４１１は、形状可変ミラー４０１で反射されたレーザ光ＬＢ１を反射してもよい。波面センサ４０２は、平面ミラー４１１で反射されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦを検出してもよい。ミラーアクチュエータ４０３は、波面センサ４０２で検出されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦに基づいて形状可変ミラー４０１の反射面の曲率を変化させてもよい。

この波面補正装置４１０では、形状可変ミラー４０１と平面ミラー４１１とがＺ型アダプティブミラーとして機能してもよい。この場合、形状可変ミラー４０１は、レーザ光ＬＢ１の入射角が所定の角度、たとえば２．５°となるように配置されてもよい。平面ミラー４１１は、当該平面ミラー４１１で反射されるレーザ光ＬＢ１のビーム軸が形状可変ミラー４０１に入射するレーザ光ＬＢ１のビーム軸と略平行となるように、かつ、レーザ光ＬＢ１の入射角がたとえば２．５°となるように、配置されてもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面である場合、ミラーアクチュエータ４０３は、図３１に示すように、形状可変ミラー４０１の反射面が平面に維持されるように形状可変ミラー４０１の反射面形状を制御してもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが凸面である場合には、図３２に示すように、ミラーアクチュエータ４０３は、波面センサ４０２で検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面となるように形状可変ミラー４０１の反射面形状を凹面形状に制御してもよい。

波面センサ４０２によって検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが凹面である場合には、図３３に示すように、ミラーアクチュエータ４０３は、波面センサ４０２で検出されるレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが平面となるように、形状可変ミラー４０１の反射面形状を凸面形状に制御してもよい。

図３４は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の更に他の例を模式的に示す。図３４に示す波面補正装置４２０は、凸面ミラー４２１と、凹面ミラー４２２と、２つの平面ミラー４２３および４２４と、波面センサ４２５とを備えてもよい。凸面ミラー４２１は、レーザ光ＬＢ１のビーム径を拡大してもよい。凹面ミラー４２２は、ビーム径が拡大されたレーザ光ＬＢ１を平行光に変換してもよい。２つの平面ミラー４２３および４２４は、平行光に変換されたレーザ光ＬＢ１のビーム軸を、凸面ミラー４２１に入射する前のレーザ光ＬＢ１のビーム軸の延長上に戻してもよい。波面センサ４２５は、平面ミラー４２４で反射されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦを検出してもよい。この構成において、凹面ミラー４２２と平面ミラー４２３とは、たとえば１つの可動プレート４２６に搭載されてもよい。可動プレート４２６は、たとえば不図示の移動機構を備えてもよい。移動機構は、波面センサ４２５で検出されたレーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦに基づいて可動プレート４２６を白抜きの矢印で示す方向に移動させてもよい。これにより、凸面ミラー４２１と凹面ミラー４２２との距離が変化し得る。その結果、レーザ光ＬＢ１の波面形状ＷＦが補正され得る。

図３５は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置の更に他の例を模式的に示す。図３５に示す波面補正装置４３０は、波面補正器４３１と、２つの波面計測部４３２および４３３と、波面補正器コントローラ４３４とを備えてもよい。波面補正器コントローラ４３４は、波面計測部４３２および４３３の計測結果に基づいて波面補正器４３１の動作を制御してもよい。

波面補正器４３１は、たとえば図２８〜図３０に示した形状可変ミラー４０１を備えてもよい。または、波面補正器４３１は、図３１〜図３３に示した形状可変ミラー４０１と平面ミラー４１１とを備えてもよい。あるいは、波面補正器４３１は、図３４に示した凸面ミラー４２１と、凹面ミラー４２２と、２つの平面ミラー４２３および４２４と、可動プレート４２６とを備えてもよい。

波面計測部４３２は、ビームサンプラ４３２ａと、ビームプロファイラ４３２ｂと、レンズ４３２ｃとを備えてもよい。ビームサンプラ４３２ａは、波面補正器４３１から出力されるレーザ光ＬＢ１の一部を反射し、他の一部を透過させてもよい。ビームプロファイラ４３２ｂは、レーザ光ＬＢ１のビームプロファイルを計測してもよい。レンズ４３２ｃは、ビームサンプラ４３２ａを透過したレーザ光ＬＢ１の像をビームプロファイラ４３２ｂの受光面に転写してもよい。同様に、波面計測部４３３は、ビームサンプラ４３３ａと、ビームプロファイラ４３３ｂと、レンズ４３３ｃとを備えてもよい。ビームサンプラ４３３ａは、ビームサンプラ４３２ａで反射されたレーザ光ＬＢ１の一部を反射し、他の一部を透過させてもよい。ビームプロファイラ４３３ｂは、レーザ光ＬＢ１のビームプロファイルを計測してもよい。レンズ４３３ｃは、ビームサンプラ４３３ａを透過したレーザ光ＬＢ１の像をビームプロファイラ４３３ｂの受光面に転写してもよい。

ビームプロファイラ４３２ｂおよび４３３ｂの計測結果は、それぞれ波面補正器コントローラ４３４に入力されてもよい。波面補正器コントローラ４３４は、入力された計測結果の少なくとも一方に基づいて、たとえばレーザ光ＬＢ１の波面形状が平面となるように波面補正器４３１を制御してもよい。

この波面補正装置４３０には、ビームサンプラ４３２ａへのレーザ光ＬＢ１の入射角を制御するためのミラーアクチュエータ４３２ｄが設けられてもよい。ミラーアクチュエータ４３２ｄは、波面補正器コントローラ４３４の制御の下にビームサンプラ４３２ａの傾斜角を制御してもよい。波面補正器コントローラ４３４は、ビームプロファイラ４３２ｂおよび４３３ｂそれぞれから入力された計測結果の少なくとも一方に基づいて、ミラーアクチュエータ４３２ｄを駆動してもよい。波面補正器コントローラ４３４は、上流の波面計測部４３２から出力されるレーザ光ＬＢ１がより適切な角度で下流の波面計測部４３３に入射するように、ミラーアクチュエータ４３２ｄを駆動してもよい。

ここで、図３５に示した波面計測部４３２および４３３は、それぞれ、図３６〜図３９に示すような構成であってもよい。図３６は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の他の構成例を模式的に示す。図３７は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の更に他の構成例を模式的に示す。図３８は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の更に他の構成例を模式的に示す。図３９は、本開示のレーザ装置やＥＵＶ光生成装置の構成要素とすることができる波面補正装置における波面計測部の更に他の構成例を模式的に示す。

波面計測部４３２は、ミラーアクチュエータ４３２ｄが設けられる以外、波面計測部４３３と同様に構成されてもよい。以下では、波面計測部４３２の他の構成例について説明する。以下の説明では、簡略化のため、ミラーアクチュエータ４３２ｄを省略する。

図３６に示す波面計測部５００Ａは、ビームサンプラ５０１と、赤外線カメラ５０２と、マイクロレンズアレイ５０３Ａとを備えてもよい。ビームサンプラ５０１は、レーザ光ＬＢ１の一部を透過させ、他の一部を反射してもよい。赤外線カメラ５０２は、ビームプロファイラとして機能してもよい。マイクロレンズアレイ５０３Ａは、ビームサンプラ５０１を透過したレーザ光ＬＢ１を複数の像に収束させてもよい。ビームサンプラ５０１は、透明基材５０１ａと、ビームサンプラコート５０１ｂとを含んでもよい。透明基板５０１ａは、レーザ光ＬＢ１を透過させてもよい。ビームサンプラコート５０１ｂは、ビームサンプラ５０１においてレーザ光ＬＢ１が入射する面側に設けられてもよい。このビームサンプラコート５０１ｂは、レーザ光ＬＢ１の一部を反射し、他の一部を透過させてもよい。マイクロレンズアレイ５０３Ａは、複数のマイクロレンズ５０３ａが２次元配列された構成を備えてもよい。赤外線カメラ５０２は、固体撮像部５０２ａと、画像データ作成部５０２ｂとを含んでもよい。固体撮像部５０２ａは、マイクロレンズアレイ５０３Ａによって集光されたレーザ光ＬＢ１の２次元像を撮像してもよい。画像データ作成部５０２ｂは、固体撮像部５０２ａで撮像された撮像データに所定の処理を施して画像データを作成してもよい。このように、波面計測部４３２は、いわゆるシャックハルトマン波面センサでもよい。

図３７に示す波面計測部５００Ｂでは、図３６に示した波面補正器５００Ａでのマイクロレンズアレイ５０３Ａが凸面レンズ５０３Ｂに置き換えられてもよい。赤外線カメラ５０２は、凸面レンズ５０３Ｂの焦点Ｆ１よりも凸面レンズ５０３Ｂから遠方に配置されてもよい。レーザ光ＬＢ１は、凸面レンズ５０３Ｂで収束された後に発散して赤外線カメラ５０２の受光面に入射してもよい。波面計測部５００Ｂは、レーザ光ＬＢ１のビームプロファイルを計測してもよい。

図３８に示す波面計測部５００Ｃでは、図３７に示した波面補正器５００Ｂでの凸面レンズ５０３Ｂの焦点Ｆ１が赤外線カメラ５０２の受光面に位置するように、赤外線カメラ５０２が配置されてもよい。波面計測部５００Ｃは、レーザ光ＬＢ１のビームウエストを計測してもよい。この計測結果に基づいて、たとえば図３５に示した波面補正器４３１の動作を制御することにより、レーザ光ＬＢ１のビームウエストの形状が調整されてもよい。

図３９に示す波面計測部５００Ｄは、図３７に示す波面計測部５００Ｂの機能と、図３８に示す波面計測部５００Ｃの機能とを備えてもよい。波面計測部５００Ｄでは、波面計測部５００Ｂでのビームサンプラ５０１と凸面レンズ５０３Ｂとの間にビームスプリッタ５０４が配置されてもよい。波面計測部５００Ｄは、凸面レンズ５０５と、赤外線カメラ５０６とをさらに備えてもよい。凸面レンズ５０５は、ビームスプリッタ５０４で反射されたレーザ光ＬＢ１を集光してもよい。赤外線カメラ５０６は、凸面レンズ５０５の焦点Ｆ２上に受光面が位置するよう配置されてもよい。

ビームサンプラ５０１およびビームスプリッタ５０４を透過したレーザ光ＬＢ１は、凸面レンズ５０３Ｂで収束された後に発散して赤外線カメラ５０２の受光面に入射してもよい。ビームサンプラ５０１を透過し、ビームスプリッタ５０４で反射されたレーザ光ＬＢ１は、凸面レンズ５０５で収束されて赤外線カメラ５０６の受光面に入射してもよい。赤外線カメラ５０２の計測結果に基づいて、たとえば図３５に示した波面補正器４３１の動作を制御してもよい。これにより、レーザ光ＬＢ１のビームプロファイルが調整され得る。また、赤外線カメラ５０６の計測結果に基づいて、たとえば図３５に示した波面補正器４３１の動作を制御することにより、レーザ光ＬＢ１のビームウエストを調整することが可能になる。

以上、実施の形態を挙げて、ミラー、ミラー装置、レーザ装置、およびＥＵＶ光生成装置について説明した。ただし、上述した実施の形態は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではない。上述した実施の形態に、種々変形を加えることは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。

たとえば、内部に流路が設けられるミラーでの反射表面の平面形状は、四角形などの多角形や円形、楕円形など、任意の形状であってもよい。また、ミラーの内部に設けられる流路における流入路の一端は、ミラー基部の下面に開口してもよいし、ミラー基部の側面に開口してもよい。同様に、流出路の一端は、ミラー基部の下面に開口してもよいし、ミラー基部の側面に開口してもよい。ミラーの内部に設けられる流路におけるバッファタンク部の平面形状は、Ｃ字状であってもよい。

図１６に示した平面ミラー３０におけるミラー基部３２のように、平板状の基部ヘッドと支持部とを備えたミラー基部では、放射状に配置される流路に対応した平板状の突起部が基部ヘッドの下面側に設けられてもよい。当該突起部を基部ヘッドの下面側に設ける場合、突起部の平面形状は、放射状に配置される流路の平面形状に相似する形状であってもよい。たとえば、放射状に配置される流路の平面形状が長方形である場合には、上記の突起部の平面形状も長方形であってもよい。あるいは、上記の突起部の平面形状は、放射状に配置される流路の平面形状に相似しない形状であってもよい。

また、流入路から放射状に配置される流路への熱媒体の流入箇所に整流部を設けるか否かは、適宜選定可能である。整流部を設ける場合の当該整流部の形状は、図１６に示した円錐状に限定されるものではなく、適宜選定可能である。

内部に流路が設けられるミラーを構成要素として含むミラー装置は、ミラーの冷却に使用した熱媒体が繰り返し使用される循環型であってもよいし、ミラーの冷却に使用した熱媒体が再利用されずに廃棄される非循環型であってもよい。非循環型のミラー装置では、熱媒体供給源とミラーとを繋ぐ供給管路に冷却装置が設けられてもよい。冷却装置は、単に熱媒体を冷却するのみならず、熱媒体の温度を一定に保つように、必要に応じて熱媒体を加熱することができるように構成されてもよい。つまり、冷却装置は、温度調節装置であってもよい。循環型および非循環型のいずれのミラー装置も、流通段階で熱媒体供給源と他の構成要素とを一緒に流通させてもよいし、熱媒体供給源と他の構成要素とを別個に流通させてもよい。さらには、ミラー装置の流通段階ではミラー装置に熱媒体供給源や熱媒体が含まれなくてもよい。たとえば、熱媒体供給源や熱媒体は、ミラー装置とは別体であってもよい。

本開示のミラーは、実施の形態での流出路を流入路として、また実施の形態での流入路を流出路として使用することも可能である。また、図２５に示したミラー装置２１０のように、排出管路にバッファタンクが設けられるミラー装置では、ミラー内のバッファタンク部が省略されてもよい。この場合、放射状に配置される流路が１つまたは複数の排出流路に直接的または間接的に連通してもよい。さらには、ミラー装置を構成する供給管路にバッファタンクが設けられてもよい。

内部に流路が設けられるミラーおよび当該ミラーを備えたミラー装置は、実施の形態６で説明したように、種々のレーザ装置の構成要素として用いることができる。このレーザ装置は、たとえば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置のドライバレーザ装置であってもよいし、レーザ加工機などに使用されるレーザ装置であってもよいし、これらの構成要素であってもよい。また、本開示のミラーおよびミラー装置は、たとえばレーザ光伝送光路上に配置される構成要素であってもよい。

当該レーザ装置を備えたＥＵＶ光生成装置は、実施の形態１で説明したように、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置であってもよいし、ＤＰＰ方式やＳＲ方式のＥＵＶ光生成装置などであってもよい。また、このＥＵＶ光生成装置は、１段階のレーザ光照射によってターゲット物質をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するように構成される装置であってもよい。または、ＥＵＶ光生成装置は、２段階以上のレーザ光照射によってターゲット物質をプラズマ化してＥＵＶ光を生成するよう構成される装置であってもよい。

ＥＵＶ光生成装置に波面センサを設ける場合、当該波面センサは、たとえば図２７に示したチャンバ１０２Ａ内に配置されてもよいし、チャンバ１０２Ａ外に配置されてもよい。たとえば、波面センサは、ウィンドウ１２１Ａの上流側に配置されてもよいし、下流側に配置されてもよい。また、波面補正器および波面センサは、ドライバレーザ装置を構成するメインアンプの入出力側や伝送光学系の入出力側に限らず、プリアンプや可飽和吸収セルやリレー光学系の入出力側に設けられてもよい。さらに、波面補正器および波面センサは、プリアンプやメインアンプなどの光学要素毎に１組設けられてもよいし、複数の光学要素毎に１組設けられてもよい。

波面補正器は、反射面全体の曲率を変化させる形状可変ミラーを含んでもよいし、反射面の一部の曲率を変化させる形状可変ミラーを含んでもよい。本開示のミラー、ミラー装置、レーザ装置、およびＥＵＶ光生成装置については、上述した実施の形態以外にも種々の変形、修飾、組合せなどが可能である。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１，２０，３０ 平面ミラー
１１，２１，３１ 反射膜
１２，２２，３２ ミラー基部
１２ａ，２２ａ，３２ａ 基部ヘッド
１２ａ１，１２ａ２，２２ａ１，２２ｃ１，３２ｂ３ 溝
１２ｂ，２２ｂ ヘッドカバー
１２ｃ，２２ｃ，３２ｂ 支持部
３２ａ２ 突起部
３２ａ３ 整流部
４０ 凹面ミラー
４１ 反射膜
４２ ミラー基部
４２ａ 基部ヘッド
４２ｂ 支持部
１００，１００Ａ ＥＵＶ光生成装置
１０１，１０１Ａ ドライバレーザ装置
１０２，１０２Ａ チャンバ
１０３ 平面ミラー
１２１，１２１Ａ ウィンドウ
１２２ ＥＵＶ集光ミラー
１２３ 軸外放物面ミラー
２００，２１０ ミラー装置
２０１ 熱媒体供給源
２０２ 供給管路
２０３ 排出管路
２０４ 圧送装置
２０５ 冷却装置
２０６ バッファタンク
２０７ 排出用圧送装置
３００ レーザ光増幅器
３１３ａ〜３１３ｄ，３２２ａ〜３２２ｄ ミラー装置
４００，４１０，４２０，４３０ 波面補正装置
ＦＰ 流路
Ｐ１ 流入路
Ｐ２ 流路
Ｐ３ 流出路
Ｐ４ 戻り流路
ＰＢ バッファタンク部
ＡＳ 光増幅光学系
ＯＳ 伝送光学系
ＷＦ 波面形状

Claims (10)

1. バッファタンク部を含む流路が設けられたミラー基部と、
   前記ミラー基部に設けられた反射膜と、
   を備え、
   前記ミラー基部は、基部ヘッドおよび支持部を含み、
   前記反射膜は、前記基部ヘッド側に設けられ、
   前記流路は、第１流路、第２流路、第３流路、第４流路をさらに含み、
   前記第２流路は、複数設けられ、前記基部ヘッド内に放射状に配置され、
   前記第４流路は、複数設けられ、
   前記第２流路は、前記第４流路を介してそれぞれ前記バッファタンク部と連通し、
   前記第２流路それぞれの断面積を合わせた面積は、前記バッファタンク部の流路断面積より小さい、ミラー。
2. 前記第２流路は、前記第１流路を介して前記ミラーの外部と連通し、
   前記バッファタンク部は、前記第３流路を介して前記ミラーの外部と連通する、
   請求項１記載のミラー。
3. 前記バッファタンク部は、前記基部ヘッド内に設けられる、請求項１記載のミラー。
4. 前記バッファタンク部は、前記基部ヘッドと前記支持部との接合部分に設けられる、請求項１記載のミラー。
5. 前記バッファタンクは、前記支持部内に設けられる、請求項１記載のミラー。
6. バッファタンク部を含む流路が設けられたミラー基部と、
   前記ミラー基部に設けられた反射膜と、
   を備え
   前記ミラー基部は、基部ヘッドおよび支持部を含み、
   前記反射膜は、前記基部ヘッド側に設けられ、
   前記流路は、第１流路、第２流路、第３流路、第４流路をさらに含み、
   前記第２流路は、扇型に形成され、
   前記第２流路の断面積は、一端から他端にかけて略均一である、ミラー。
7. 請求項１または６記載のミラーと、
   前記ミラーに設けられる流路に接続される管路と、
   前記管路に設けられる圧送装置と、
   前記管路に設けられる冷却装置と、
   を備えるミラー装置。
8. マスターオシレータと、
   請求項１または６記載のミラーを含む増幅器と、
   を備えるレーザ装置。
9. 波面補正装置をさらに備える、請求項８記載のレーザ装置。
10. 内部に極端紫外光の生成空間を画定するためのチャンバと、
    前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
    請求項１または６記載のミラーと、
    を備える極端紫外光生成装置。

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