TWI611731B - 雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置 - Google Patents

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TWI611731B
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Toru Suzuki
Osamu Wakabayashi
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Abstract

使雷射束之集光位置安定化。
此雷射束控制裝置，係可具備有：導引 雷射裝置；和被配置在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和以使從雷射系統所輸出之雷射束以及從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及導引雷射束的雙方之光路上之束監測器；和以根據關於雷射束以及導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。

Description

雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置
本發明，係有關於雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置。
近年來，伴隨著半導體製程之細微化，在半導體製程之光微影工程中的轉印圖案之細微化係急速地進展。在下一世代中，係成為要求有70nm~45nm之細微加工乃至於32nm以下之細微加工。因此，例如，為了對於32nm以下之細微加工的要求作對應，係期待能夠開發出將用以產生波長13nm程度之極端紫外(EUV：Extreme Ultra Violet)光的極端紫外光產生裝置和縮小投影反射光學系(reduced projection reflective optics)作了組合的曝光裝置。
作為極端紫外光產生裝置，係提案有以下之3種類的裝置：使用有經由對於靶材物質照射雷射束而產生的電漿之LPP(laser Produced Plasma：雷射激勵電漿)方式之裝置、使用有經由放電所產生之電漿的DPP(Discharge Produced Plasma)方式之裝置、以及使用有 軌道輻射光之SR(Synchrotron Radiation)方式之裝置。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕美國專利第8283643號說明書
〔專利文獻2〕美國專利第8000212號說明書
〔專利文獻3〕美國專利申請公開第2010/0078577號說明書
〔專利文獻4〕美國專利申請公開第2010/0117009號說明書
〔專利文獻5〕美國專利申請公開第2012/0019826號說明書
〔專利文獻6〕美國專利申請公開第2012/0327192號說明書
本發明之其中一個觀點的雷射束控制裝置，係可具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和以使從雷射系統所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和 被配置在從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
本發明之另外一個觀點的雷射束控制裝置，係可具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束的光路上之雷射束波面調節器；和以使從雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於雷射束波面調節器以及兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
本發明之另外一個觀點的雷射束控制裝置，係可具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束 的光路上之雷射束波面調節器；和以使從雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於導引雷射束波面調節器以及雷射束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
本發明之其中一個觀點的極端紫外光產生裝置，係可具備有：雷射束控制裝置；和被設置有使從雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和對於腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將雷射束集光於腔內之雷射集光光學系，該雷射束控制裝置，係具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和以使從雷射系統所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所 輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
本發明之另外一個觀點的極端紫外光產生裝置，係可具備有：雷射束控制裝置；和被設置有使從雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和對於腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將雷射束集光於腔內之雷射集光光學系，該雷射束控制裝置，係具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束的光路上之雷射束波面調節器；和以使從雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於雷射束波面調節器以及兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
本發明之另外一個觀點的極端紫外光產生裝置，係可具備有：雷射束控制裝置；和被設置有使從雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和對 於腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將雷射束集光於腔內之雷射集光光學系，該雷射束控制裝置，係具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束的光路上之雷射束波面調節器；和以使從雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從束結合器所輸出之雷射束以及從束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之由束監測器所得到的檢測結果來對於導引雷射束波面調節器以及雷射束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
1‧‧‧EUV光產生裝置
2‧‧‧腔
3‧‧‧雷射系統
4‧‧‧靶材感測器
5‧‧‧EUV光產生控制部
6‧‧‧曝光裝置
9‧‧‧設置機構
10‧‧‧腔基準構件
11‧‧‧EUV光產生系統
21、21a‧‧‧窗
22‧‧‧雷射光集光反射鏡
23‧‧‧EUV光集光反射鏡
24‧‧‧貫通孔
25‧‧‧電漿產生區域
26‧‧‧靶材產生部
27‧‧‧靶材
28‧‧‧靶材回收部
29‧‧‧連接部
31、32、33‧‧‧脈衝雷射光
34‧‧‧雷射光前進方向控制部
40‧‧‧導引雷射裝置
44‧‧‧束結合器
50‧‧‧束傳輸器
51‧‧‧高反射反射鏡
55‧‧‧光檢測部
56‧‧‧分光鏡
57‧‧‧束監測器
58‧‧‧控制器
59、69‧‧‧高反射反射鏡
70‧‧‧反射鏡收容容器
71‧‧‧第1帶通濾波器
72‧‧‧第2帶通濾波器
73‧‧‧分光鏡
74‧‧‧集光光學系
75‧‧‧轉印光學系
76‧‧‧平面反射鏡
77‧‧‧高反射反射鏡
78‧‧‧驅動部
79‧‧‧轉印光學系
81‧‧‧兩束波面調節器
82‧‧‧第2之兩束波面調節器
83‧‧‧雷射束波面調節器
84‧‧‧導引雷射束波面調節器
87‧‧‧可形變面鏡
88‧‧‧平面反射鏡
90‧‧‧夏克哈特曼波面感測器
92‧‧‧螢幕
93‧‧‧CCD攝像機
220‧‧‧雷射光集光反射鏡
251‧‧‧輻射光
252‧‧‧反射光
291‧‧‧壁
292‧‧‧中間集光點
300‧‧‧主振盪器
301~303‧‧‧放大器
310‧‧‧框體
320‧‧‧空氣懸吊裝置
340‧‧‧導引雷射裝置
344‧‧‧束結合器
356‧‧‧分光鏡
357‧‧‧束監測器
358‧‧‧控制器
381‧‧‧兩束波面調節器
382‧‧‧第2之兩束波面調節器
384‧‧‧導引雷射束波面調節器
500‧‧‧光路管
511‧‧‧反射鏡支持器
540、570、590‧‧‧束輪廓分析儀
821‧‧‧軸外拋物面凸面反射鏡
822‧‧‧軸外拋物面凹面反射鏡
823、824‧‧‧平面反射鏡
825‧‧‧反射鏡固定板
851‧‧‧壓力容器
852‧‧‧反射板
853‧‧‧供給配管
854‧‧‧排出配管
855‧‧‧壓力調節器
871‧‧‧基板
872‧‧‧絕緣層
873‧‧‧下電極
874‧‧‧壓電性構件
875‧‧‧上電極
876‧‧‧反射層
891‧‧‧凹透鏡
892‧‧‧凸透鏡
893、894‧‧‧反射鏡支持器
895‧‧‧線性平台
896‧‧‧固定板
1021~102x、1031~103x、1041~104x‧‧‧機器
1000‧‧‧處理部
1002‧‧‧記憶體
1003‧‧‧計時器
1005‧‧‧儲存記憶體
1010‧‧‧使用者介面
1020‧‧‧平行I/O控制器
1030‧‧‧序列I/O控制器
1040‧‧‧A/D、D/A轉換器
以下，針對本發明之數個實施形態，作為單純之例子，而一面參考所添附之圖面一面於以下作說明。
〔圖1〕圖1，係對於例示性之LPP式的EUV光產生系統之構成作概略性展示。
〔圖2〕圖2，係為對於本發明之第1實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。
〔圖3A〕圖3A，係為用以對於波面調節器之功能作說明之圖。
〔圖3B〕圖3B，係為用以對於波面調節器之功能作說明之圖。
〔圖4A〕圖4A，係為用以對於由導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器所進行的波面調節之原理作說明之圖。
〔圖4B〕圖4B，係為用以對於由導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器所進行的波面調節之原理作說明之圖。
〔圖4C〕圖4C，係為用以對於由導引雷射束波面調節器以及兩束波面調節器所進行的波面調節之原理作說明之圖。
〔圖5〕圖5，係為對於第1實施形態中之控制器的例示性之動作作展示的流程圖。
〔圖6A〕圖6A，係為對於圖5中所示之初期設定的處理作展示之流程圖。
〔圖6B〕圖6B，係為對於圖5中所示之相關於雷射束之波面的參數之算出處理作展示的流程圖。
〔圖6C〕圖6C，係為對於圖5中所示之相關於導引雷射束之波面的參數之算出處理作展示的流程圖。
〔圖6D〕圖6D，係為對於圖5中所示之對導引雷射束波面調節器進行控制的處理作展示之流程圖。
〔圖6E〕圖6E，係為對於圖5中所示之對兩束波面調節器進行控制的處理作展示之流程圖。
〔圖7A〕圖7A，係對於第1實施形態的EUV光產 生系統中之束監測器的第1例作概略性展示。
〔圖7B〕圖7B，係為用以對於將束監測器之第1例作適用的情況時之波面的檢測原理作說明之圖。
〔圖8〕圖8，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器的第2例作概略性展示。
〔圖9〕圖9，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器的第3例作概略性展示。
〔圖10〕圖10，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器的第4例作概略性展示。
〔圖11A〕圖11A，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第1例作概略性展示。
〔圖11B〕圖11B，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第1例作概略性展示。
〔圖11C〕圖11C，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第1例作概略性展示。
〔圖12A〕圖12A，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第2例作概略性展示。
〔圖12B〕圖12B，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第2例作概略性展示。
〔圖12C〕圖12C，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第2例作概略性展示。
〔圖12D〕圖12D，係為對於在波面調節器的第2例中之VRM的構成作展示之部分剖面圖。
〔圖13A〕圖13A，係對於第1實施形態的EUV光 產生系統中之波面調節器的第3例作概略性展示。
〔圖13B〕圖13B，係為對於在波面調節器的第3例中之可形變面鏡(deformable mirror)的構成作展示之平面圖。
〔圖13C〕圖13C，係為在圖13B中所示之可形變面鏡的部分剖面圖。
〔圖14〕圖14，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第4例作概略性展示。
〔圖15〕圖15，係為對於本發明之第2實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。
〔圖16〕圖16，係為對於本發明之第3實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。
〔圖17〕圖17，係為對於本發明之第4實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。
〔圖18A〕圖18A，係為用以對於由導引雷射束波面調節器、兩束波面調節器以及第2之兩束波面調節器所進行的波面以及束寬幅之調節原理作說明之圖。
〔圖18B〕圖18B，係為用以對於由導引雷射束波面調節器、兩束波面調節器以及第2之兩束波面調節器所進行的波面以及束寬幅之調節原理作說明之圖。
〔圖19〕圖19，係為對於第4實施形態中之控制器的例示性之動作作展示的流程圖。
〔圖20A〕圖20A，係為對於圖19中所示之初期設定的處理作展示之流程圖。
〔圖20B〕圖20B，係為對於圖19中所示之導引雷射束的束寬幅之算出處理作展示之流程圖。
〔圖20C〕圖20C，係為對於圖19中所示之對兩束波面調節器進行控制的處理作展示之流程圖。
〔圖20D〕圖20D，係為對於圖19中所示之對第2之兩束波面調節器進行控制的處理作展示之流程圖。
〔圖21〕圖21，係對於在本發明之第5實施形態的EUV光產生系統中所包含之雷射系統的例示性之構成作概略性展示。
〔圖22〕圖22，係為對於控制器之概略構成作展示之區塊圖。
以下，針對本發明之數個實施形態，一面參考圖面一面作詳細說明。以下所說明之實施形態，係僅為對於本發明之數個例子作展示者，而並非為對於本發明之內容作限定者。又，在各實施形態中所說明的構成以及動作之全部內容，係並非絕對是作為本發明之構成以及動作所必要者。另外，對於相同之構成要素，係附加相同之參考符號，並省略重複之說明。
〈內容〉
1. 概要
2. 極端紫外光產生系統之全體說明
2.1 構成
2.2 動作
3. 包含有波面調節器之EUV光產生系統(第1實施形態)
3.1 構成
3.2 原理
3.3 動作
3.3.1 主要流程
3.3.2 初期設定(S2100之詳細內容)
3.3.3 Wd之算出(S2200之詳細內容)
3.3.4 Wg之算出(S2300之詳細內容)
3.3.5 導引雷射束波面調節器之控制(S2600之詳細內容)
3.3.6 兩束波面調節器之控制(S3400之詳細內容)
3.4 束監測器之例
3.4.1 在2個相異的位置處之束寬幅的檢測
3.4.2 束寬幅和點寬幅之檢測
3.4.3 夏克哈特曼(Shack-Hartmann)波面感測器
3.4.4 夏克哈特曼波面感測器和束輪廓分析儀(beam profiler)之組合
3.5 波面調節器之例
3.5.1 凹透鏡和凸透鏡之組合
3.5.2 VRM之利用
3.5.3 可形變面鏡之利用
3.5.4 軸外拋物面凸面反射鏡和軸外拋物面凹面反射鏡之組合
4. 使雷射束之波面與導引雷射束之波面相互一致的EUV光產生系統(第2實施形態)
5. 對於雷射束之波面與導引雷射束之波面進行調節之EUV光產生系統(第3實施形態)
6. 對於波面與束寬幅進行調節之EUV光產生系統(第4實施形態)
6.1 構成
6.2 動作
6.2.1 主要流程
6.2.2 初期設定(S2150之詳細內容)
6.2.3 Dg之算出(S2700之詳細內容)
6.2.4 兩束波面調節器之控制(S3000之詳細內容)
6.2.5 第2兩束波面調節器之控制(S3450之詳細內容)
7. 雷射系統(第5實施形態)
8. 控制器之構成
1. 概要
在LPP式之EUV光產生裝置中，係亦可構成為藉由將從雷射系統所輸出之雷射束集光照射於被輸出至腔內的靶材物質處，來使靶材物質電漿化。亦可從電漿而輻射包含有EUV光之光。所輻射之EUV光，係亦可藉由被配置 在腔內之EUV集光反射鏡來集光並輸出至曝光裝置等的外部裝置處。
被配置在從雷射系統起直到腔處的雷射束之光路上的光學元件，係會有起因於吸收雷射束之能量一事而導致被加熱的情況。其結果，係會有光學元件產生變形並使雷射束之波面變形的情況。若是雷射束之波面產生變形，則雷射束之集光位置亦會有所變動，而會有使對於曝光裝置之EUV光的輸出變得不安定的情況。
因此，係考慮有：在雷射束之光路上配置波面調節器，並藉由對於波面調節器進行控制，來調節雷射束之波面。進而，係考慮有：使導引雷射束射入至此波面調節器中，並在光學元件之下游側處檢測出從波面調節器所輸出之導引雷射束的波面，再基於此檢測結果來對於波面調節器進行控制。藉由此，就算是在雷射束之輸出休止的期間中，也能夠對於波面調節器進行控制。
然而，為了將雷射束和導引雷射束分光，或者是為了在放大器處而對於雷射束和導引雷射束賦予相異之增益，雷射束和導引雷射束係會有包含相異之波長成分的情況。於此情況，假設就算是在光學元件之上游側處而使雷射束和導引雷射束之波面相互一致，亦可能會有起因於光之繞射的影響而導致在光學元件之下游側處而雷射束和導引雷射束之波面成為不會相互一致的情況。故而，就算是在雷射束之輸出的休止期間中而基於導引雷射束之波面來對於波面調節器進行控制，亦可能會發生當雷射束開 始輸出時的雷射束之波面並不會成為所期望之值的情況。
若依據本發明之其中一個觀點，則亦可在從導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上，配置導引雷射束波面調節器。又，亦可將從雷射系統所輸出之雷射束和從導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束，藉由束結合器來作結合。又，亦可在從束結合器所輸出之雷射束和從束結合器所輸出之導引雷射束的光路上，配置兩束波面調節器。又，亦可使從兩束波面調節器所輸出之雷射束以及導引雷射束射入至光學元件中，並檢測出從光學元件所輸出之此些之束的波面。
在此構成中，係亦能夠以使雷射束和導引雷射束之波面在光學元件之下游側處而相互一致的方式，而對於導引雷射束波面調節器作控制。之後，就算是在雷射束之輸出的休止期間中，亦能夠基於導引雷射束之波面來對於兩束波面調節器作控制。藉由此，係成為能夠進行會使雷射束之波面成為所期望之值一般的調節。
2. 極端紫外光產生系統之全體說明
2.1 構成
於圖1中，對於例示性之LPP式的EUV光產生系統之構成作概略性展示。EUV光產生裝置1，係亦可被與至少1個的雷射系統3一同作使用。在本發明中，係將包含有EUV光產生裝置1以及雷射系統3之系統，稱作EUV光產生系統11。如同在圖1中所示並於下而詳細作說明 一般，EUV光產生裝置1，係亦可包含有腔2和靶材產生部26。腔2係亦可為可密閉。靶材產生部26，例如係亦能夠以貫通腔2之壁的方式來作安裝。從靶材產生部26所輸出之靶材物質的材料，係亦可包含有錫、鋱、釓、鋰、氙或者是該些之中的任2個以上之組合，但是，係並不被限定於此。
在腔2之壁上，係亦可被設置有至少1個的貫通孔。在該貫通孔處，係亦可設置有窗21，並亦可使從雷射系統3所輸出之脈衝雷射光32透過窗21。在腔2之內部，例如係亦可配置有具備旋轉橢圓面形狀之反射面的EUV集光反射鏡23。EUV集光反射鏡23，係可具備有第1以及第2焦點。在EUV集光反射鏡23之表面上，例如係亦可被形成有將鉬和矽交互作了層積的多層反射膜。EUV集光反射鏡23，例如，係以使其之第1焦點位置在電漿產生區域25處並使其第2焦點位置在中間集光點(IF)292處的方式來作配置為理想。在必要的情況時，係亦可在EUV集光反射鏡23之中央部處設置貫通孔24，並亦可使脈衝雷射光33通過貫通孔24。
EUV光產生裝置1，係亦可包含有EUV光產生控制部5、靶材感測器4等。靶材感測器4，係亦可具備有攝像功能，並亦可構成為檢測出靶材27之存在、軌跡、位置、速度等。
又，EUV光產生裝置1，係亦可包含有使腔2之內部和曝光裝置6之內部相通連的連接部29。在連接 部29之內部，係亦可設置被形成有光圈之壁291。壁291，係亦能夠以使其之光圈位置在EUV集光反射鏡23之第2焦點位置處的方式來作配置。
進而，EUV光產生裝置1，係亦可包含有雷射光前進方向控制部34、雷射光集光反射鏡22、用以回收靶材27之靶材回收部28等。雷射光前進方向控制部34，係亦可具備有用以規定雷射光之前進方向的光學元件、和用以對於此光學元件之位置、姿勢等作調整之致動器。
2.2 動作
參考圖1，從雷射系統3所輸出之脈衝雷射光31，係亦可經由雷射光前進方向控制部34，來作為脈衝雷射光32而透過窗21並射入至腔2內。脈衝雷射光32，係亦可沿著至少1個的雷射光路徑而在腔2內前進，並被雷射光集光反射鏡22所反射，再作為脈衝雷射光33而照射至至少1個的靶材27處。
靶材產生部26，係亦可構成為將靶材27朝向腔2內部之電漿產生區域25而作輸出。在靶材27處，係亦可被照射有被包含於脈衝雷射光33中之至少1個的脈衝。被照射有脈衝雷射光之靶材27係電漿化，並可從該電漿而輻射出輻射光251。EUV集光反射鏡23，係亦可將在輻射光251中所包含之EUV光，以相較於其他波長域之光而更高之反射率來反射。包含有藉由EUV集光反射 鏡23而被反射之EUV光的反射光252，係亦可在中間集光點292處而被集光並輸出至曝光裝置6處。另外，係亦可在1個的靶材27處，而被照射有被包含於脈衝雷射光33中之複數的脈衝。
EUV光產生控制部5，係亦可構成為對於EUV光產生系統11之全體的控制作統籌控制。EUV光產生控制部5，係亦可構成為對於藉由靶材感測器4所攝像了的靶材27之影像資料等作處理。又，EUV光產生控制部5，例如，係亦可構成為對於靶材27之被輸出的時序、靶材27之輸出方向等作控制。進而，EUV光產生控制部5，例如，係亦可構成為對於雷射系統3之震盪時序、脈衝雷射光32之前進方向、脈衝雷射光33之集光位置等作控制。上述之各種控制，係僅為單純之例示，亦可因應於需要而追加其他的控制。
3. 包含有波面調節器之EUV光產生系統(第1實施形態)
3.1 構成
圖2，係為對於本發明之第1實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。在第1實施形態中，係亦可構成為將腔2配置在清淨室地面上區域並將雷射系統3配置在地面下區域。地面下區域係亦可位置在清淨室地面上區域的樓下。用以對於從雷射系統3所輸出至腔2內的雷射束之前進方向作控制的雷射光前進方向控 制部34，係亦可橫跨清淨室地面上區域和地面下區域地來作配置。雷射光前進方向控制部34，係可相當於本發明中之雷射束控制裝置。雷射系統3，係亦可藉由未圖示之固定裝置來固定在框體310之內部。框體310，係亦可藉由複數之懸架裝置320來設置在地面下區域之地面上。
在位置於地面下區域處之框體310的內部，雷射光前進方向控制部34，係亦可包含有導引雷射裝置40和導引雷射束波面調節器84以及束結合器44。導引雷射裝置40，係亦能夠以使從該導引雷射裝置40所輸出之導引雷射束會射入至導引雷射束波面調節器84中的方式來作配置。
導引雷射裝置40，係可為進行連續振盪(CW振盪)之雷射裝置，亦可為以既定之反覆頻率來進行脈衝振盪之雷射裝置。導引雷射束之平均輸出光能量，係亦可為較從雷射系統3所輸出之雷射束的平均輸出光能量更低。進而，導引雷射束，係亦可包含有與從雷射系統3所輸出之雷射束相異的波長成分。
導引雷射束波面調節器84，係亦可被配置在從導引雷射裝置40所輸出的導引雷射束之光路上。導引雷射束波面調節器84，係亦可包含有複數之反射鏡或複數之透鏡。或者是，係亦可包含有至少1個的反射鏡和至少1個的透鏡之組合。針對導引雷射束波面調節器84之具體性構成的例子，係於後再述。另外，在本發明中，當導引雷射束波面調節器84包含有至少1個的反射鏡的情 況時，所謂從導引雷射束波面調節器84所輸出之導引雷射束，係亦可為指藉由導引雷射束波面調節器84所反射了的導引雷射束。當導引雷射束波面調節器84包含有複數之透鏡的情況時，所謂從導引雷射束波面調節器84所輸出之導引雷射束，係亦可為指透過了導引雷射束波面調節器84之導引雷射束。
束結合器44，係亦可包含有二向色鏡。在束結合器44之第1面(圖中左側之面)處，係亦可射入有從雷射系統3所輸出之雷射束。在束結合器44之第2面(圖中右側之面)處，係亦可射入有從導引雷射束波面調節器84所輸出之導引雷射束。束結合器44，係亦可使射入至第1面中之雷射束以高透過率而透過，並使射入至第2面中之導引雷射束以高反射率而反射。束結合器44，係亦能夠以使雷射束之前進方向和導引雷射束之前進方向實質性相互一致的方式，來相對於上述各束之光路而以既定之設定角度來作設置。另外，在本發明中，所謂從束結合器44所輸出之雷射束以及導引雷射束，係亦可指透過了束結合器44之雷射束以及藉由束結合器所反射了的導引雷射束。
又，束結合器44，係亦可具備有以高反射率來反射雷射束並以高透過率來使導引雷射束透過之構成。於此情況，所謂從束結合器44所輸出之雷射束以及導引雷射束，係亦可指藉由束結合器44而作了反射的雷射束以及透過了束結合器之導引雷射束。
在地面下區域中，雷射光前進方向控制部34，係亦可包含有兩束波面調節器81。兩束波面調節器81，係亦可被配置在從束結合器44所輸出之雷射束以及導引雷射束之光路上。兩束波面調節器81，係亦可包含有複數之反射鏡或複數之透鏡。或者是，係亦可包含有至少1個的反射鏡和至少1個的透鏡之組合。針對兩束波面調節器81之具體性構成的例子，係於後再述。另外，在本發明中，所謂從兩束波面調節器81所輸出之雷射束或導引雷射束，係亦可指藉由兩束波面調節器81所反射之雷射束或者是導引雷射束。所謂從兩束波面調節器81所輸出之雷射束或導引雷射束，係亦可指透過了兩束波面調節器81之雷射束或者是導引雷射束。
在橫跨地面下區域和清淨室地面上區域的區域中，雷射光前進方向控制部34，係亦可包含有束傳輸器50。束傳輸器50，係亦可包含有中空之光路管500。光路管500內，係亦可為真空，在光路管500內，係亦可被導入有乾燥空氣或惰性氣體等。束傳輸器50，係亦可包含有複數之高反射反射鏡51。複數之高反射反射鏡51，係亦能夠以將從兩束波面調節器81所輸出之雷射束以及導引雷射束導引至清淨室地面上區域處的方式來作配置。複數之高反射反射鏡51，係亦可分別被支持在複數之反射鏡支持器511上。
在清淨室地面上區域中，腔2，係亦可被固定在腔基準構件10上。腔基準構件10，係亦可藉由設置機 構9而被固定在清淨室地面上區域之地面上。腔基準構件10，係亦可收容構成雷射光前進方向控制部34之一部分的光學元件群。
在清淨室地面上區域中，雷射光前進方向控制部34，係亦可包含有光檢測部55、和控制器58、和高反射反射鏡59以及69。光檢測部55和高反射反射鏡59以及69，係亦可被配置在腔基準構件10內。
高反射反射鏡59，係亦能夠以將藉由束傳輸器50而傳播至清淨室地面上區域處的雷射束以及導引雷射束朝向光檢測部55而反射的方式來作配置。
光檢測部55，係亦可包含有分光鏡56和束監測器57。分光鏡56，係亦可使被高反射反射鏡59所反射的雷射束以高透過率而朝向高反射反射鏡69並透過。進而，分光鏡56，係亦可構成為使被高反射反射鏡59所反射的雷射束之一部分以及導引雷射束作為取樣光而朝向束監測器57反射。束監測器57，係亦可構成為檢測出用以算出相關於射入至束監測器57之取樣光的波面之參數的束輪廓，並將檢測結果輸出至控制器58處。
控制器58，係亦可具備有對於導引雷射裝置40送訊控制訊號並以所期望之時序而將導引雷射束輸出或停止的功能。又，控制器58，係亦可基於從束監測器57所輸出之檢測結果來算出相關於取樣光之波面的參數。之後，控制器58，係亦可利用算出結果來對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行反饋控 制。關於控制之具體例，係使用圖3A~圖6E而於後再作敘述。
高反射反射鏡69，係亦能夠以使透過了分光鏡56之雷射束朝向反射鏡收容容器70內而反射的方式來作配置。反射鏡收容容器70，係亦可被設置有窗21a，並亦可使被高反射反射鏡69所反射之雷射束以高透過率而透過窗21a。透過了窗21a之雷射束，係亦可在平面反射鏡76處而以高反射率來被反射，並在雷射光集光反射鏡220處而以高反射率來被反射，再集光於被供給至電漿產生區域25中之靶材處。
3.2 原理
圖3A以及圖3B，係為用以對於波面調節器之功能作說明之圖。於此，雖係針對調節導引雷射束之波面的導引雷射束波面調節器84而作說明，但是，關於對雷射束之波面以及導引雷射束之波面進行調節之兩束波面調節器81，係亦可為相同之構成。在圖3A中，導引雷射束波面調節器84，係使具備有平面狀之波面的導引雷射束(平面波)改變為具備有凹面狀之波面的導引雷射束。在圖3B中，導引雷射束波面調節器84，係使具備有平面狀之波面的導引雷射束(平面波)改變為具備有凸面狀之波面的導引雷射束。
亦即是，導引雷射束波面調節器84，係亦可為能夠使導引雷射束之波面如同圖3A中所示一般地而改 變且亦可使其如同圖3B中所示一般地而改變之光學元件。又，導引雷射束波面調節器84，係亦可構成為能夠將具備有在既定範圍中之任意之曲率的波面改變為在既定範圍中之其他之任意之曲率的波面。
當導引雷射束波面調節器84為具備有焦距F的情況時，導引雷射束波面調節器84之光學功率P，係可藉由下述之式來作展示。
P=1/F
當F為具備有正的值的情況時，平面波，係可被轉換為會集光於從導引雷射束波面調節器84之主點(principal point)而朝向前方之距離為焦距F的位置處一般之具有凹面狀之波面的導引雷射束(參考圖3A)。
當F為具備有負的值的情況時，平面波，係可被轉換為與從位在從導引雷射束波面調節器84之主點而朝向後方之距離為焦距F的位置處之假想的點光源所產生的光之波面同等之具有凸面狀之波面的導引雷射束(參考圖3B)。
圖4A~圖4C，係為用以對於由導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81所進行的波面調節之原理作說明之圖。從雷射系統3所輸出之雷射束，係亦可通過束傳輸器50而被射入至腔2內。束傳輸器50之從輸入端起直到輸出端為止的光路之長度，係亦可為長達數十公尺，束傳輸器50，係亦可包含有複數之高反射反射鏡51。從導引雷射裝置40所輸出之導引雷射束，係亦可通 過束傳輸器50。雷射束以及導引雷射束，係亦可射入至被配置在束傳輸器50和腔2之間的光檢測部55中。雷射束之一部分以及導引雷射束，係亦可射入至被包含在光檢測部55中之束監測器57處。
若是束傳輸器50之高反射反射鏡51被雷射束之能量所加熱並變形，則係會有在從束傳輸器50之輸入端起直到輸出端為止的光路中而積蓄有波面之形變的情況。例如，若是高反射反射鏡51被加熱並變形，則雷射束以及導引雷射束，係會有成為具備如同圖4A中所示一般之波面的情況。如此這般，若是波面有所變化，則伴隨著雷射束以及導引雷射束之前進，各別之束的寬幅亦有可能會改變。此時，在雷射束和導引雷射束處，由於波長係為相異，因此，係會有光之繞射的影響亦有所相異的情況。例如，導引雷射束，係如同在圖4A中以虛線所示一般，波面僅有些許的變形，相對於此，具有較在導引雷射束中所包含之波長成分而更長之波長成分的雷射束，係可能會如同在圖4A中以一點鍊線所示一般而波面產生大幅度之變形的情況。另外，在圖4A中，於束傳輸器50之上游側處，假設雷射束之波面以及導引雷射束之波面係為略相同。
因此，如圖4B中所示一般，亦可基於雷射束之波面和導引雷射束之波面的檢測結果，來對於導引雷射束波面調節器84作控制。藉由此，係亦能夠以在束監測器57處而使雷射束之波面以及導引雷射束之波面略一致 的方式，來對於導引雷射束之波面作調節。此時，於束傳輸器50之上游側處，雷射束之波面以及導引雷射束之波面係亦可互為相異。
進而，如圖4C中所示一般，亦可基於導引雷射束之波面的檢測結果，來對於兩束波面調節器81作控制。藉由此，係亦能夠以使在束監測器57處之導引雷射束之波面成為所期望之值的方式來進行調節。此時，如同參考圖4B所作了說明一般，導引雷射束波面調節器84，係以對於在雷射束以及導引雷射束之波面處的光之繞射的影響之差異作補償的方式，而被作控制。故而，在束監測器57處，雷射束之波面係能夠成為與導引雷射束之波面略一致。
如此這般，係亦可將在束監測器57處之雷射束之波面調節為所期望之值。若依據此，則不僅是能夠對於在束傳輸器50處所產生的波面之形變作調節，而亦能夠對於在較束傳輸器50而更上游側的光路處所產生之波面的形變作調節。
3.3 動作
3.3.1 主要流程
圖5，係為對於第1實施形態中之控制器58的例示性之動作作展示的流程圖。控制器58，係亦可使用導引雷射束，而以使雷射束之波面成為所期望之值的方式來如同下述一般地對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波 面調節器81作控制。
首先，控制器58，係亦可進行用以對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行控制之初期設定(S2100)。
接著，控制器58，係對於束監測器57作控制，並從束監測器57而受訊檢測結果，再算出相關於雷射束之波面的參數Wd(S2200)。
接著，控制器58，係對於束監測器57作控制，並從束監測器57而受訊檢測結果，再算出相關於導引雷射束之波面的參數Wg(S2300)。
接著，控制器58，係亦可將相關於雷射束之波面的參數Wd和相關於導引雷射束之波面的參數Wg的兩者間之差ΔWdg，藉由以下之數式而算出(S2400)。
ΔWdg=Wd-Wg
接著，控制器58，係亦可判定在S2400中所算出之差ΔWdg的絕對值是否為既定之臨限值ΔWdgr以下(S2500)。既定之臨限值ΔWdgr，係亦可為正的值。
當差ΔWdg之絕對值並非為既定之臨限值ΔWdgr以下的情況時(S2500：NO)，控制器58，係亦能夠以使差ΔWdg接近0的方式，來對於導引雷射束波面調節器84作控制(S2600)。之後，控制器58，係亦能夠使處理回到上述之S2300處並反覆進行其以後之處理。
當差ΔWdg之絕對值為既定之臨限值ΔWdgr以下的情況時(S2500：YES)，控制器58，係亦能夠使處理前進 至S3200。
在S3200中，控制器58，係亦可將相關於導引雷射束之波面的參數Wg和既定值Wt的兩者間之差ΔWgt，藉由以下之數式而算出。
ΔWgt=Wg-Wt
既定值Wt，例如，係亦可為相當於為了將雷射束集光於電漿產生區域25處的理想之雷射束之波面之值。
接著，控制器58，係亦可判定在S3200中所算出之差ΔWgt的絕對值是否為既定之臨限值ΔWgtr以下(S3300)。既定之臨限值ΔWgtr，係亦可為正的值。
當差ΔWgt之絕對值並非為既定之臨限值ΔWgtr以下的情況時(S3300：NO)，控制器58，係亦能夠以使差ΔWgt接近0的方式，來對於兩束波面調節器81作控制(S3400)。接著，控制器58，係亦可與S2300相同的，算出相關於導引雷射束之波面的參數Wg(S3500)。之後，控制器58，係亦能夠使處理回到上述之S3200處並反覆進行其以後之處理。
當差ΔWgt之絕對值為既定之臨限值ΔWgtr以下的情況時(S3300：YES)，控制器58，係亦能夠使處理前進至S3600。
在S3600中，控制器58，係亦可將代表結束了波面的控制一事(波面OK)之訊號，輸出至EUV光產生控制部5處。在從S2100之處理結束起直到S3600之處理結束為止的期間中，係亦可並不從靶材產生部26而輸 出靶材27。又，在從S2100之處理結束起直到S3600之處理結束為止的期間中，除了在S2200中而算出相關於雷射束之波面的參數Wd之情況以外，亦可並不從雷射系統3而輸出雷射束。在進行了S3600的處理之後，亦可藉由由EUV光產生控制部5所進行之控制，來從靶材產生部26而輸出靶材27，並從雷射系統3而輸出雷射束。
之後，控制器58，係亦可藉由從EUV光產生控制部5而受訊訊號，來判定是否要中止使用有導引雷射束之波面控制(S3700)。當從EUV光產生控制部5而受訊了代表控制中止之訊號的情況時(S3700：YES)，控制器58，係亦可中止控制，並結束由本流程所致之處理。當並未受訊代表控制中止之訊號的情況時(S3700：NO)，係亦能夠使處理回到上述之S3500處並反覆進行其以後之處理。當從S3700而回到S3500的情況時，在之後之進行從S3500起直到S3700為止的處理之期間中，係亦可進行靶材27以及雷射束之輸出。
3.3.2 初期設定(S2100之詳細內容)
圖6A，係為對於圖5中所示之初期設定的處理作展示之流程圖。圖6A中所示之處理，係亦能夠作為圖5中所示之S2100的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。
首先，控制器58，係亦可將代表尚未結束波面的控制一事(波面NG)之訊號，輸出至EUV光產生控制部5處(S2101)。藉由此，EUV光產生控制部5，係 亦可停止從靶材產生部26而來之靶材27的輸出，並停止從雷射系統3而來之雷射束的輸出。
接著，控制器58，係亦可進行初期值之設定(S2102)。具體而言，係亦可將導引雷射束波面調節器84之光學功率的現在值P#1和兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2設定為0。
在S2102之後，控制器58，係亦可結束由本流程所致之處理。
3.3.3 Wd之算出(S2200之詳細內容)
圖6B，係為對於圖5中所示之相關於雷射束之波面的參數Wd之算出處理作展示的流程圖。圖6B中所示之處理，係亦能夠作為圖5中所示之S2200的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。
首先，控制器58，係亦可對於束監測器57作控制，並設定被包含在束監測器57中之第1帶通濾波器(S2201)。第1帶通濾波器，係亦可為使在雷射束中所包含之波長成分以高透過率而透過並使在導引雷射束中所包含之波長成分衰減或者是遮斷之光學濾波器。針對束監測器57以及被包含於其中之第1帶通濾波器的具體例，係於後再作敘述。
接著，控制器58，係亦可受訊從EUV光產生控制部5所輸出之訊號，並判定是否從雷射系統3而輸出了雷射束(S2202)。當雷射束並未被輸出的情況時 (S2202：NO)，控制器58係亦可進行待機，直到從雷射系統3而輸出雷射束為止。當雷射束已被輸出的情況時(S2202：YES)，控制器58係亦可使處理前進至S2203。
在S2203中，控制器58，係亦可基於從束監測器57所輸出之檢測結果來算出相關於波面之參數Xd。
接著，控制器58，係亦可將所算出之相關於波面之參數Xd，作為相關於雷射束之波面的參數Wd，並記憶在記憶體1002(於後再述)中(S2204)，而結束由本流程所致之處理。
3.3.4 Wg之算出(S2300之詳細內容)
圖6C，係為對於圖5中所示之相關於導引雷射束之波面的參數Wg之算出處理作展示的流程圖。圖6C中所示之處理，係亦能夠作為圖5中所示之S2300或S3500的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。
首先，控制器58，係亦可對於束監測器57作控制，並設定被包含在束監測器57中之第2帶通濾波器(S2301)。第2帶通濾波器，係亦可為使在導引雷射束中所包含之波長成分以高透過率而透過並使在雷射束中所包含之波長成分衰減或者是遮斷之光學濾波器。針對束監測器57以及被包含於其中之第2帶通濾波器的具體例，係於後再作敘述。
接著，控制器58，係亦可判定是否從導引雷 射裝置40而輸出了導引雷射束(S2302)。當導引雷射束並未被輸出的情況時(S2302：NO)，控制器58係亦可進行待機，直到從導引雷射裝置40而輸出導引雷射束為止。當導引雷射束已被輸出的情況時(S2302：YES)，控制器58係亦可使處理前進至S2303。
在S2303中，控制器58，係亦可基於從束監測器57所輸出之檢測結果來算出相關於波面之參數Xg。
接著，控制器58，係亦可將所算出之相關於波面之參數Xg，作為相關於導引雷射束之波面的參數Wg，並記憶在記憶體1002(於後再述)中(S2304)，而結束由本流程所致之處理。
3.3.5 導引雷射束波面調節器之控制(S2600之詳細內容)
圖6D，係為對於圖5中所示之對導引雷射束波面調節器84進行控制的處理作展示之流程圖。圖6D中所示之處理，係亦能夠作為圖5中所示之S2600的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。首先，控制器58，係亦可對於上述之差ΔWdg和0作比較(S2602)。
在S2602中，當差ΔWdg為較0更小的情況時(ΔWdg<0)，控制器58係亦可使處理前進至S2604。在S2604中，係亦可將從導引雷射束波面調節器84之光學功率的現在值P#1而減去了既定之常數ΔP#1後之值，設定為目標光學功率P1。
在S2602中，當差ΔWdg為較0更大的情況時(ΔWdg>0)，控制器58係亦可使處理前進至S2605。在S2605中，係亦可將在導引雷射束波面調節器84之光學功率的現在值P#1上而加算了既定之常數ΔP#1後之值，設定為目標光學功率P1。既定之常數ΔP#1，係亦可為正的值。
接著，控制器58，係亦能夠以使導引雷射束波面調節器84之光學功率接近目標光學功率P1的方式，來對於導引雷射束波面調節器84輸出控制訊號(S2606)。
接著，控制器58，係亦可將上述之P1，作為導引雷射束波面調節器84之光學功率的現在值P#1而記憶在記憶體1002(於後再述)中(S2607)，而結束由本流程所致之處理。
3.3.6 兩束波面調節器之控制(S3400之詳細內容)
圖6E，係為對於圖5中所示之對兩束波面調節器81進行控制的處理作展示之流程圖。圖6E中所示之處理，係亦能夠作為圖5中所示之S3400的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。首先，控制器58，係亦可對於上述之差ΔWgt和0作比較(S3402)。
在S3402中，當差ΔWgt為較0更小的情況時(ΔWgt<0)，控制器58係亦可使處理前進至S3404。在S3404中，係亦可將從兩束波面調節器81之光學功率的 現在值P#2而減去了既定之常數ΔP#2後之值，設定為目標光學功率P2。
在S3402中，當差ΔWgt為較0更大的情況時(ΔWgt>0)，控制器58係亦可使處理前進至S3405。在S3405中，係亦可將在兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2上而加算了既定之常數ΔP#2後之值，設定為目標光學功率P2。既定之常數ΔP#2，係亦可為正的值。
接著，控制器58，係亦能夠以使兩束波面調節器81之光學功率接近目標光學功率P2的方式，來對於兩束波面調節器81輸出控制訊號(S3406)。
接著，控制器58，係亦可將上述之P2，作為兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2而記憶在記憶體1002(於後再述)中(S3407)，而結束由本流程所致之處理。
若依據第1實施形態，則就算是當並未從雷射系統3而輸出雷射束時，控制器58亦能夠基於相關於導引雷射束之波面的參數，來對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行控制。藉由此，就算是在從雷射系統3所輸出之雷射束的輸出初期時，亦能夠將雷射束之波面控制於預先所制定的範圍內，而能夠將在腔內而照射至靶材物質上之雷射束的集光位置安定化。
3.4 束監測器之例
3.4.1 在2個相異的位置處之束寬幅的檢測
圖7A，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器57的第1例作概略性展示。圖7B，係為用以對於將束監測器之第1例作適用的情況時之波面的檢測原理作說明之圖。在第1例中，束監測器57，係亦可將在取樣光的前進方向上之2個的相異位置處之束輪廓檢測出來。另外，所謂取樣光，係亦可為藉由分光鏡56而被反射並射入至束監測器57中之雷射束的一部分以及導引雷射束。束輪廓，例如係亦可為在雷射束或導引雷射束之束剖面上的光強度分布。
如圖7A中所示一般，束監測器57，係亦可包含有第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72、和分光鏡73、和高反射反射鏡77、和轉印光學系75以及79、和束輪廓分析儀570以及590。束輪廓分析儀570以及590之各個，例如係亦可為線狀感測器或CCD攝像機。
第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72，係亦可構成為能夠藉由驅動部78而移動。驅動部78，係亦可藉由控制器58而被控制。第1帶通濾波器71，係亦可為使雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。第2帶通濾波器72，係亦可為使導引雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。
分光鏡73，係亦可設為使取樣光之一部分朝向轉印光學系75而透過並使該取樣光之另外一部分朝向 高反射反射鏡77而反射的構成以及配置。高反射反射鏡77，係亦能夠以使藉由分光鏡73而被反射的光以高反射率來朝向轉印光學系79而反射的方式來作配置。
轉印光學系75，係亦可將取樣光之光路上的任意之位置A1處之束輪廓轉印至束輪廓分析儀570之受光面上。轉印光學系79，係亦可將取樣光之光路上的另外之任意之位置A2處的束輪廓轉印至束輪廓分析儀590之受光面上。取樣光之沿著光路上的在位置A1和束輪廓分析儀570之受光面之間的距離，係亦可與取樣光之沿著光路上的在位置A2和束輪廓分析儀590之受光面之間的距離相等。束輪廓分析儀570以及590，係亦可將被轉印至受光面上之束輪廓的資料輸出至控制器58處。
控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀570而來之輸出資料，而算出在位置A1處之取樣光的束寬幅Da1。所謂「束寬幅」，係亦可為相對於光強度分布內之峰值情況而具備有1/e2以上之強度的部份之寬幅。
進而，控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀570以及590而來之輸出資料，來作為相關於取樣光之波面的參數而算出波面之曲率。例如，控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀590而來之輸出，而算出在位置A2處之取樣光的束寬幅Da2。之後，控制器58，係亦可根據取樣光之束寬幅Da1以及Da2之差，來算出取樣光之波面的曲率。為了算出取樣光之波面的曲率，係亦可藉由下式而算出束散度θ。
θ=tan-1{(Da2-Da1)/2L}
於此，L，係亦可為沿著取樣光之光路的位置A1和位置A2之間的距離。
如圖7A中所示一般，當驅動部78使第1帶通濾波器71在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之雷射束的波長成分係能夠到達分光鏡73處。故而，藉由控制器58，係能夠算出相關於雷射束之束寬幅以及波面的參數。
當驅動部78使第2帶通濾波器72在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之導引雷射束的波長成分係能夠到達分光鏡73處。故而，藉由控制器58，係能夠算出相關於導引雷射束之束寬幅以及波面的參數。
另外，轉印光學系75以及79，係以具備有對於雷射束以及導引雷射束之波長而對於色像差進行修正的功能為理想。例如，轉印光學系75以及79之各個，係以身為消色透鏡或其之組合為理想。進而，轉印光學系75以及79，係以身為原理性而言色像差為少的構成為理想。
若依據第1例，則為了檢測出雷射束和導引雷射束，束輪廓分析儀570係被共通地作使用，或者是，為了檢測出雷射束和導引雷射束，束輪廓分析儀590係被共通地作使用，因此，係能夠以高精確度而得到雷射束之波面和導引雷射束之波面間的偏差。
基於以上之算出結果，控制器58，係亦可對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行控制。控制器58，係亦能夠與圖5~圖6E之流程圖中所示的動作相同地來進行動作。
3.4.2 束寬幅和點寬幅之檢測
圖8，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器57的第2例作概略性展示。在第2例中，束監測器57，係亦可為了檢測出取樣光之束輪廓和被集光了的取樣光之點寬幅，而藉由分光鏡73來使取樣光分歧。
如圖8中所示一般，束監測器57，係亦可包含有第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72、和分光鏡73、和集光光學系74、和轉印光學系75、和束輪廓分析儀540以及570。
第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72，係亦可構成為能夠藉由驅動部78而移動。驅動部78，係亦可藉由控制器58而被控制。第1帶通濾波器71，係亦可為使在雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。第2帶通濾波器72，係亦可為使導引雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。
分光鏡73，係亦可設為使取樣光之一部分朝向轉印光學系75而透過並使另外一部分朝向集光光學系74而反射的構成以及配置。
轉印光學系75，係亦可配置為將取樣光之光路上的任意之位置A1處之束輪廓轉印至束輪廓分析儀570之受光面上。集光光學系74，係亦可配置為將從分光鏡73所分歧的取樣光之一部分集光於束輪廓分析儀540之受光面上。束輪廓分析儀540，係亦可配置為使上述受光面位於從集光光學系74之主點起而離開既定之距離X的位置處。
既定距離X，係亦可為使具備有所要求之波面的雷射束藉由集光光學系74而連結焦點之距離。所謂「所要求之波面」，係亦可為以當藉由雷射光集光反射鏡220而將雷射束作了集光的情況時能夠於電漿產生區域25處實現既定之集光性能的方式所設定的波面。當所要求之波面係為平面波的情況時，既定距離X係可為集光光學系74之焦距。當所要求之波面係為凸面狀之波面的情況時，既定距離X係可為較集光光學系74之焦距而更長之距離。當所要求之波面係為凹面狀之波面的情況時，既定距離X係可為較集光光學系74之焦距而更短之距離。束輪廓分析儀570，係亦可將被轉印至其之受光面上之束剖面處的光強度分布之資料輸出至控制器58處。束輪廓分析儀540，係亦可將被集光於其之受光面上之集光點處的光強度分布之資料輸出至控制器58處。
控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀570而來之資料，而算出在位置A1處之取樣光的束寬幅Da1。進而，控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀540 而來之資料，而算出被作了集光的取樣光之點寬幅Sd。並且，控制器58，係亦可算出取樣光之波面的曲率。為了算出取樣光之波面的曲率，係亦可藉由下式而算出束散度θ。
θ=Sd/X
當驅動部78使第1帶通濾波器71在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之雷射束的波長成分係能夠到達分光鏡73處。故而，藉由控制器58，係能夠算出相關於雷射束之束寬幅以及波面的參數。
當驅動部78使第2帶通濾波器72在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之導引雷射束的波長成分係能夠到達分光鏡73處。故而，藉由控制器58，係能夠算出相關於導引雷射束之束寬幅以及波面的參數。
另外，集光光學系74以及轉印光學系75，係以具備有對於雷射束以及導引雷射束之波長而對於色像差進行修正的功能為理想。例如，集光光學系74以及轉印光學系75之各個，係以身為消色透鏡或其之組合為理想。進而，集光光學系74以及轉印光學系75，係以身為原理性而言色像差為少的構成為理想。
若依據第2例，則為了檢測出雷射束和導引雷射束，束輪廓分析儀540係被共通地作使用，或者是，為了檢測出雷射束和導引雷射束，束輪廓分析儀570係被共通地作使用，因此，係能夠以高精確度而得到雷射束之 波面和導引雷射束之波面間的偏差。
基於以上之算出結果，控制器58，係亦可對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行控制。控制器58，係亦能夠與圖5~圖6E之流程圖中所示的動作相同地來進行動作。
3.4.3 夏克哈特曼(Shack-Hartmann)波面感測器
圖9，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器57的第3例作概略性展示。在第3例中，為了作為相關於取樣光之波面的參數而對於波面之曲率作計測，係亦可使用夏克哈特曼波面感測器90。
如圖9中所示一般，束監測器57，係亦可包含有第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72、和夏克哈特曼波面感測器90。夏克哈特曼波面感測器90，係亦可包含有螢幕92和CCD攝像機93。代替螢幕92，係亦可使用微透鏡陣列(未圖示)。
第1帶通濾波器71以及第2帶通濾波器72，係亦可構成為能夠藉由驅動部78而移動。驅動部78，係亦可藉由控制器58而被控制。第1帶通濾波器71，係亦可為使在雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。第2帶通濾波器72，係亦可為使導引雷射束以高透過率而透過並使其他波長之光衰減或者是遮斷之光學濾波器。
螢幕92，係亦可為將多數之針孔作了2維配 置的光學元件。CCD攝像機93，係亦可為用以對於藉由螢幕92所形成之干涉紋作攝像的元件。
控制器58，係亦可基於從CCD攝像機93而來之輸出，來作為相關於取樣光之波面的參數而算出波面之曲率。藉由螢幕92所形成之干涉紋的情況(例如，在干涉紋中之光強度的峰值間之間隔)，係能夠依存於取樣光之波長和波面之曲率。故而，若是取樣光之波長為已知，則係能夠根據干涉紋之形狀來算出取樣光之波面的曲率。
當驅動部78使第1帶通濾波器71在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之雷射束的波長成分係能夠到達夏克哈特曼波面感測器90處。故而，藉由控制器58，係能夠算出雷射束之波面的曲率。
當驅動部78使第2帶通濾波器72在取樣光之光路上而作了移動的情況時，取樣光中之導引雷射束的波長成分係能夠到達夏克哈特曼波面感測器90處。故而，藉由控制器58，係能夠算出導引雷射束之波面的曲率。
若依據第3例，則為了檢測出雷射束和導引雷射束，夏克哈特曼波面感測器90係被共通地作使用，因此，係能夠以高精確度而得到雷射束之波面和導引雷射束之波面間的偏差。
基於以上之算出結果，控制器58，係亦可對於導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81進行 控制。控制器58，係亦能夠與圖5~圖6E之流程圖中所示的動作相同地來進行動作。
3.4.4 夏克哈特曼波面感測器和束輪廓分析儀(beam profiler)之組合
圖10，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之束監測器57的第4例作概略性展示。在第4例中，係除了使用有夏克哈特曼波面感測器90以外，亦可為了對於取樣光之束寬幅作計測，而包含有分光鏡73、和高反射反射鏡77、和轉印光學系79、和束輪廓分析儀590。
控制器58，係亦可基於從束輪廓分析儀590而來之輸出資料，而算出在位置A2處之取樣光的束寬幅。
關於其他各點，係可與第3例相同。
3.5 波面調節器之例
3.5.1 凹透鏡和凸透鏡之組合
圖11A~圖11C，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第1例作概略性展示。波面調節器之第1例，例如係亦可作為導引雷射束波面調節器84來使用。在第1例中，波面調節器，係亦可包含有凹透鏡891和凸透鏡892。
凹透鏡891，係亦可在從導引雷射裝置40(參考圖2)所輸出的導引雷射束會作射入之位置處，藉由反射鏡支持器893而被作固定。反射鏡支持器893，係 亦可被固定在固定板896上。凹透鏡891，係亦可使導引雷射束透過。
凸透鏡892，係亦可在透過了凹透鏡891的導引雷射束會作射入之位置處，藉由反射鏡支持器894而被作支持。反射鏡支持器894，係亦可經由線性平台895而被固定在固定板896上。線性平台895，係亦能夠以使藉由反射器支持器894所被作支持之凸透鏡892可沿著導引雷射束之光路軸來相對於固定板896而作往返移動的方式，來將反射鏡支持器894作支持。凸透鏡892，係亦能夠使導引雷射束朝向束結合器44(參考圖2)而透過。
凹透鏡891，係亦可在從凹透鏡891之主點起朝向導引雷射束之上游側處而分離了焦距F1之位置處，具備有前方焦點X1。凸透鏡892，係亦可在從凸透鏡892之主點起朝向導引雷射束之上游側處而分離了焦距F2之位置處，具備有前方焦點X2。如圖11A中所示一般，當凹透鏡891之前方焦點X1和凸透鏡892之前方焦點X2相互一致時，此波面調節器之光學功率係亦可略為0。
如圖11B中所示一般，亦可藉由使線性平台895將凸透鏡892朝向導引雷射束之下游側作移動，來使凸透鏡892之前方焦點X2較凹透鏡891之前方焦點X1而更朝向導引雷射束之下游側移動。此時，波面調節器之光學功率係亦可具備有正的值。
如圖11C中所示一般，亦可藉由使線性平台895將凸透鏡892朝向導引雷射束之上游側作移動，來使 凸透鏡892之前方焦點X2較凹透鏡891之前方焦點X1而更朝向導引雷射束之上游側移動。此時，波面調節器之光學功率係亦可具備有負的值。
藉由此，波面調節器係能夠對於導引雷射束之波面進行調節。
在第1例中，波面調節器雖係設為包含有凹透鏡891和凸透鏡892之組合者，但是，亦可如同在圖2中所例示之導引雷射束波面調節器84以及兩束波面調節器81一般，構成為包含有凹面反射鏡和凸面反射鏡之組合者。
3.5.2 VRM之利用
圖12A~圖12C，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第2例作概略性展示。波面調節器之第2例，例如係亦可作為導引雷射束波面調節器84或兩束波面調節器81來使用。在第2例中，波面調節器，係亦可包含有VRM(Variable Radius Mirror：曲率可變反射鏡)85。
VRM85，當作為兩束波面調節器81來使用的情況時，係亦可在從束結合器44(參考圖2)所輸出之雷射束以及導引雷射束之光路上，藉由反射鏡支持器(未圖示)來作支持。
VRM85，係亦可為能夠變更反射面之曲率的反射鏡。VRM85，係亦可構成為能夠變形成圖12A中所示 一般之平面反射鏡。此時，VRM85之光學功率係亦可略為0。VRM85，係亦可構成為能夠變形成圖12B中所示一般之焦距為+F的凹面反射鏡。此時，VRM85之光學功率係亦可具備有正的值。VRM85，係亦可構成為能夠變形成圖12C中所示一般之焦距為一F的凸面反射鏡。此時，VRM85之光學功率係亦可具備有負的值。藉由此，VRM85係能夠對於導引雷射束之波面進行調節。
圖12D，係為對於在波面調節器的第2例中之VRM的構成作展示之部分剖面圖。VRM85，係亦可包含有壓力容器851、和反射板852、和供給配管853、和排出配管854、以及壓力調節器855。
壓力容器851，係亦可為收容有水等之液體的剛性之容器。反射板852，係亦可為被嵌入至壓力容器851之開口部處的具有彈性之板。反射板852之其中一面，係亦可具備有將雷射束以及導引雷射束以高反射率來反射的反射層，並使此反射層之表面露出於壓力容器851之外部。
供給配管853以及排出配管854之各別的其中一端，係亦可被與壓力容器851作連接。供給配管853以及排出配管854之各別的另外一端，係亦可被與壓力調節器855作連接。
壓力調節器855，係亦可基於從控制器58所輸出之控制訊號，來從供給配管853而對於壓力容器851內供給液體並使壓力容器851內之壓力增加。壓力調節器 855，係亦可基於從控制器58所輸出之控制訊號，來從排出配管854而將壓力容器851內之液體排出並使壓力容器851內之壓力減少。
係亦可藉由使壓力容器851內之壓力作增減，來對於反射板852之反射層的曲率作調節。藉由此，係亦可對於藉由反射板852之反射層所反射的雷射束以及導引雷射束之波面進行調節。
3.5.3 可形變面鏡之利用
圖13A，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第3例作概略性展示。波面調節器之第3例，例如係亦可作為導引雷射束波面調節器84或兩束波面調節器81來使用。在第3例中，波面調節器，係亦可包含有可形變面鏡87。
可形變面鏡87，當作為兩束波面調節器81來使用的情況時，係亦可在從束結合器44(參考圖2)所輸出之雷射束以及導引雷射束之光路上，藉由反射鏡支持器(未圖示)來將其之位置作固定。可形變面鏡87，就算是對於具備有與球面相異之形狀的波面之雷射束以及導引雷射束，亦能夠藉由控制反射面之形狀來以高精確度而對於波面進行修正。
波面調節器，係亦可更進而包含有平面反射鏡88。可形變面鏡87，係亦可將雷射束以及導引雷射束朝向平面反射鏡88而反射。平面反射鏡88，係亦可在藉 由可形變面鏡87所反射了的雷射束以及導引雷射束之光路上，藉由反射鏡支持器(未圖示)來作固定。平面反射鏡88，係亦能夠使雷射束以及導引雷射束朝向束傳輸器50(參考圖2)而反射。
圖13B，係為對於在波面調節器的第3例中之可形變面鏡(deformable mirror)的構成作展示之平面圖。圖13C，係為在圖13B中所示之可形變面鏡的部分剖面圖。可形變面鏡87，係亦可包含有基板871、和絕緣層872、和複數之下電極873、和複數之壓電性構件874、和上電極875、以及反射層876。
基板871，係亦可為成為可形變面鏡87之基底的基板。絕緣層872，係亦可被形成在基板871之上面側處。複數之下電極873，係亦可在絕緣層872之上面側處，被形成在相互分離之位置處。複數之壓電性構件874，係亦可分別被形成在複數之下電極873的上面側處。上電極875，係亦可橫跨複數之壓電性構件874的上面側而作為共通之電極來形成之。反射層876。係亦可被形成在上電極875之上面側處並成為能夠將雷射束以及導引雷射束以高反射率來作反射。
在以上之構成中，係亦可藉由未圖示之電壓控制電路，來對於上電極875施加共通之電位V0，並對於複數之下電極873分別施加電位V1~V7。藉由此，係亦能夠使複數之壓電性構件874分別產生變形並變更反射層876之表面形狀。
3.5.4 軸外拋物面凸面反射鏡和軸外拋物面凹面反射鏡之組合
圖14，係對於第1實施形態的EUV光產生系統中之波面調節器的第4例作概略性展示。波面調節器之第4例，例如係亦可作為導引雷射束波面調節器84或兩束波面調節器81來使用。在第4例中，波面調節器，係亦可包含有軸外拋物面凸面反射鏡821、和軸外拋物面凹面反射鏡822、和平面反射鏡823以及824、和反射鏡固定板825、和驅動機構(未圖示)。
當將波面調節器之第4例作為兩束波面調節器81來使用的情況時，軸外拋物面凸面反射鏡821，係亦可在從束結合器44(參考圖2)所輸出之雷射束以及導引雷射束之光路上，藉由反射鏡支持器(未圖示)來作固定。軸外拋物面凸面反射鏡821，係亦可將雷射束以及導引雷射束朝向軸外拋物面凹面反射鏡822而反射。
軸外拋物面凹面反射鏡822，係亦可藉由反射鏡支持器(未圖示)來固定在反射鏡固定板825上。軸外拋物面凹面反射鏡822，係亦可將藉由軸外拋物面凸面反射鏡821所反射了的雷射束以及導引雷射束朝向平面反射鏡823而反射。
平面反射鏡823，係亦可藉由其他的反射鏡支持器(未圖示)來固定在反射鏡固定板825上。平面反射鏡823，係亦可將藉由軸外拋物面凹面反射鏡822所反射 了的雷射束以及導引雷射束朝向平面反射鏡824而反射。
平面反射鏡824，係亦可在藉由平面反射鏡823所反射了的雷射束以及導引雷射束之光路上，藉由反射鏡支持器(未圖示)來作固定。平面反射鏡824，係亦能夠使雷射束以及導引雷射束朝向束傳輸器50(參考圖2)而反射。
反射鏡固定板825，係亦能夠藉由驅動機構來朝向箭頭Y方向移動。藉由使反射鏡固定板825和軸外拋物面凸面反射鏡821以及平面反射鏡824之間的間隔作伸縮，係能夠對於雷射束以及導引雷射束之波面進行調節。當想要從軸外拋物面凹面反射鏡822而輸出平面波的情況時，係亦能夠以將從軸外拋物面凸面反射鏡821而來之反射光視為具備有與從軸外拋物面凹面反射鏡822之焦點的位置所輻射出之假想光同等的波面之光的方式，來進行調節。當從束結合器44所輸出之雷射束以及導引雷射束為平面波的情況時，軸外拋物面凸面反射鏡821之焦點的位置和軸外拋物面凹面反射鏡822之焦點的位置，係亦可為相同。
4. 使雷射束之波面與導引雷射束之波面相互一致的EUV光產生系統(第2實施形態)
圖15，係為對於本發明之第2實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。第2實施形態之EUV光產生系統，係亦可在地面下區域中，於雷射 系統3和束結合器44之間的光路上，包含有雷射束波面調節器83。雷射束波面調節器83之構成，係可與兩束波面調節器81之構成相同。第2實施形態之EUV光產生系統，係亦可並不包含導引雷射束波面調節器84(參考圖2)。
在第2實施形態中，若是存在有雷射束之波面和導引雷射束之波面間的差異，則控制器58，係亦能夠以使此差異變小的方式，來對於雷射束波面調節器83進行控制。控制器58，係亦能夠在使雷射束之波面和導引雷射束之波面略一致之後，與第1實施形態相同地，藉由基於導引雷射束之波面的檢測結果來對於兩束波面調節器81進行控制，而對於雷射束之波面作調節。另外，在本發明中，所謂從雷射束波面調節器83所輸出之雷射束或導引雷射束，係亦可指藉由雷射束波面調節器83所反射之雷射束或者是導引雷射束。所謂從雷射束波面調節器83所輸出之雷射束或導引雷射束，係亦可指透過了雷射束波面調節器83之雷射束或者是導引雷射束。
關於其他各點，係可與第1實施形態相同。
5. 對於雷射束之波面與導引雷射束之波面進行調節之EUV光產生系統(第3實施形態)
圖16，係為對於本發明之第3實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。第3實施形態之EUV光產生系統，係亦可在地面下區域中，於導引 雷射裝置40和束結合器44之間的光路上，包含有導引雷射束波面調節器84。第3實施形態之EUV光產生系統，係亦可並不包含兩束波面調節器81(參考圖15)。
在第3實施形態中，若是存在有雷射束之波面和導引雷射束之波面間的差異，則控制器58，係亦能夠以使此差異變小的方式，來對於導引雷射束波面調節器84或雷射束波面調節器83進行控制。控制器58，係亦能夠在使雷射束之波面和導引雷射束之波面略一致之後，基於導引雷射束之波面的檢測結果，來對於導引雷射束波面調節器84以及雷射束波面調節器83之雙方，而以相同之控制量來進行控制。所謂以相同之控制量來進行控制，係可代表以使導引雷射束波面調節器84之光學功率的變化量和雷射束波面調節器83之光學功率的變化量成為略相同的方式來對於雙方進行控制。
關於其他各點，係可與第2實施形態相同。
6. 對於波面與束寬幅進行調節之EUV光產生系統(第4實施形態)
6.1 構成
圖17，係為對於本發明之第4實施形態的EUV光產生系統之例示性的構成作展示之部分剖面圖。第4實施形態之EUV光產生系統，係亦可除了第1實施形態之構成以外，更進而在清淨室地面上區域中，於束傳輸器50和光檢測部55之間的光路上，包含有第2之兩束波面調節 器82。第2之兩束波面調節器82之構成，係可與兩束波面調節器81之構成相同。關於其他各點，係亦可具備有與第1實施形態相同之構成。
又，亦可在第2實施形態或第3實施形態之構成中，加入第2之兩束波面調節器82(未圖示)。
圖18A以及圖18B，係為用以對於由導引雷射束波面調節器84、兩束波面調節器81以及第2之兩束波面調節器82所進行的波面以及束寬幅之調節原理作說明之圖。如同上述之圖4C中所示一般，可能會發生就算是藉由導引雷射束波面調節器84來使雷射束和導引雷射束之波面相互一致，並藉由兩束波面調節器81來對於波面進行調節，也仍不會成為所期望之束寬幅的情況。
因此，如同圖18A中所示一般，兩束波面調節器81，係亦能夠以使在束監測器57處之導引雷射束的束寬幅會成為既定之值的方式，而被作控制。亦即是，兩束波面調節器81，係亦可並非為基於在束監測器57處之波面的檢測結果而被作控制，而是基於在束監測器57處之束寬幅的檢測結果而被作控制。
進而，如同圖18B中所示一般，第2之兩束波面調節器82，係亦能夠以使相關於在束監測器57處之導引雷射束的波面之參數會成為既定之值的方式，來進行控制。亦即是，第2之兩束波面調節器82，係亦能夠基於在束監測器57處之波面的檢測結果而被作控制。
如此這般，係亦可將在束監測器57處之束寬 幅和波面調節為所期望之值。另外，亦可在束傳輸器50和第2之兩束波面調節器82之間的光路上，配置用以檢測出從束傳輸器50而來之雷射束以及導引雷射束的束寬幅之第2束監測器(未圖示)。亦即是，係亦可基於束監測器57之檢測結果來算出相關於波面之參數，並基於第2束監測器之檢測結果來算出束寬幅。
6.2 動作
6.2.1 主要流程
圖19，係為對於第4實施形態中之控制器58的例示性之動作作展示的流程圖。控制器58，係亦可使用導引雷射束，而以使雷射束之波面以及束寬幅成為所期望之值的方式，來如同下述一般地對於導引雷射束波面調節器84和兩束波面調節器81以及第2之兩束波面調節器82作控制。
首先，控制器58，係亦可進行用以對於導引雷射束波面調節器84和兩束波面調節器81以及第2之兩束波面調節器82進行控制之初期設定(S2150)。之後，控制器58，係亦可使處理前進至S2200。從S2200起直到S2600為止的處理，係可與第1實施形態相同。
在S2500中，當上述之差ΔWdg之絕對值為既定之臨限值ΔWdgr以下的情況時(S2500：YES)，控制器58，係亦能夠使處理前進至S2700。
在S2700中，控制器58，係亦可對於束監測 器57作控制，並從束監測器57而受訊檢測結果，再算出導引雷射束之束寬幅Dg。
接著，控制器58，係亦可將導引雷射束之束寬幅Dg和既定值Dt的兩者間之差ΔDgt，藉由以下之數式而算出(S2800)。
ΔDgt=Dg-Dt
既定值Dt，例如，係亦可為用以使雷射束之集光點寬幅成為所期望之值的導引雷射束之束寬幅。導引雷射束之束寬幅，係亦能夠藉由以導引雷射束波面調節器84所進行的波面之控制，而與雷射束之束寬幅相互獨立地變動。但是，基於決定導引雷射束波面調節器84之光學功率的條件，導引雷射束之束寬幅和雷射束之束寬幅係能夠略1對1地相對應。若是雷射束之束寬幅被決定，則係能夠決定雷射束之集光點寬幅。因此，係亦可將用以使雷射束之集光點寬幅成為所期望之值的導引雷射束之束寬幅，與導引雷射束波面調節器84之光學功率附加有對應地來記憶在儲存記憶體1005(於後再述)中。亦可基於此資料和導引雷射束波面調節器84之光學功率，來決定既定值Dt。
接著，控制器58，係亦可判定在S2800中所算出之差ΔDgt的絕對值是否為既定之臨限值ΔDgtr以下(S2900)。既定之臨限值ΔDgtr，係亦可為正的值。
當差ΔDgt之絕對值並非為既定之臨限值ΔDgtr以下的情況時(S2900：NO)，控制器58，係亦能夠以使 差ΔDgt接近0的方式，來對於兩束波面調節器81作控制(S3000)。之後，控制器58，係亦能夠使處理回到上述之S2700處並反覆進行其以後之處理。
當差ΔDgt之絕對值為既定之臨限值ΔDgtr以下的情況時(S2900：YES)，控制器58，係亦能夠使處理前進至S3100。在S3100中，控制器58，係亦可與S2300相同的，算出相關於導引雷射束之波面的參數Wg。之後，控制器58，係亦可使處理前進至S3200。S3200以及接下來的S3300之處理，係可與第1實施形態相同。
在S3300中，當上述之差ΔWgt之絕對值並非為既定之臨限值ΔWgtr以下的情況時(S3300：NO)，控制器58，係亦能夠以使差ΔWgt接近0的方式，來對於第2之兩束波面調節器82作控制(S3450)。之後，控制器58，係亦能夠使處理回到上述之S3100處並反覆進行其以後之處理。
當差ΔWgt之絕對值為既定之臨限值ΔWgtr以下的情況時(S3300：YES)，控制器58，係亦能夠使處理前進至S3600。S3600以及接下來的S3700之處理，係可與第1實施形態相同。
在從S2150之處理結束起直到S3600之處理結束為止的期間中，係亦可並不從靶材產生部26而輸出靶材27。又，在從S2150之處理結束起直到S3600之處理結束為止的期間中，除了在S2200中而算出相關於雷射 束之波面的參數Wd之情況以外，亦可並不從雷射系統3而輸出雷射束。在進行了S3600的處理之後，亦可藉由由EUV光產生控制部5所進行之控制，來從靶材產生部26而輸出靶材27，並從雷射系統3而輸出雷射束。
在S3700中，當從EUV光產生控制部5而受訊了代表控制中止之訊號的情況時(S3700：YES)，控制器58，係亦可中止控制，並結束由本流程所致之處理。當並未受訊代表控制中止之訊號的情況時(S3700：NO)，係亦能夠使處理回到上述之S2700處並反覆進行其以後之處理。當從S3700而回到S2700的情況時，在之後之進行從S2700起直到S3700為止的處理之期間中，係亦可進行靶材27以及雷射束之輸出。
6.2.2 初期設定(S2150之詳細內容)
圖20A，係為對於圖19中所示之初期設定的處理作展示之流程圖。圖20A中所示之處理，係亦能夠作為圖19中所示之S2150的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。
首先，控制器58，係亦可將代表尚未結束波面的控制一事(波面NG)之訊號，輸出至EUV光產生控制部5處(S2151)。藉由此，EUV光產生控制部5，係亦可停止從靶材產生部26而來之靶材27的輸出，並停止從雷射系統3而來之雷射束的輸出。
接著，控制器58，係亦可進行初期值之設定 (S2152)。具體而言，係亦可將上述之光學功率的現在值P#1、P#2以及第2之兩束波面調節器82之光學功率的現在值P#3設定為0。
在S2152之後，控制器58，係亦可結束由本流程所致之處理。
6.2.3 Dg之算出(S2700之詳細內容)
圖20B，係為對於圖19中所示之導引雷射束的束寬幅Dg之算出處理作展示之流程圖。圖20B中所示之處理，係亦能夠作為圖19中所示之S2700的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。
首先，控制器58，係亦可對於束監測器57作控制，並設定被包含在束監測器57中之上述之第2帶通濾波器(S2701)。
接著，控制器58，係亦可判定是否從導引雷射裝置40而輸出了導引雷射束(S2702)。當導引雷射束並未被輸出的情況時(S2702：NO)，控制器58係亦可進行待機，直到從導引雷射裝置40而輸出導引雷射束為止。當導引雷射束已被輸出的情況時(S2702：YES)，控制器58係亦可使處理前進至S2703。
在S2703中，控制器58，係亦可藉由束監測器57，而取得導引雷射束之束輪廓。
接著，控制器58，係亦可根據在S2703中所取得了的束輪廓，來算出導引雷射束之束寬幅Dg(S2704)，並 結束由本流程所致之處理。
6.2.4 兩束波面調節器之控制(S3000之詳細內容)
圖20C，係為對於圖19中所示之對兩束波面調節器81進行控制的處理作展示之流程圖。圖20C中所示之處理，係亦能夠作為圖19中所示之S3000的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。首先，控制器58，係亦可對於上述之差ΔDgt和0作比較(S3002)。
在S3002中，當差ΔDgt為較0更小的情況時(ΔDgt<0)，控制器58係亦可使處理前進至S3004。在S3004中，係亦可將從兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2而減去了既定之常數ΔP#2後之值，設定為目標光學功率P2。
在S3002中，當差ΔDgt為較0更大的情況時(ΔDgt>0)，控制器58係亦可使處理前進至S3005。在S3005中，係亦可將在兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2上而加算了既定之常數ΔP#2後之值，設定為目標光學功率P2。既定之常數ΔP#2，係亦可為正的值。
接著，控制器58，係亦能夠以使兩束波面調節器81之光學功率接近目標光學功率P2的方式，來對於兩束波面調節器81輸出控制訊號(S3006)。
接著，控制器58，係亦可將上述之P2，作為兩束波面調節器81之光學功率的現在值P#2而記憶在記憶體1002(於後再述)中(S3007)，而結束由本流程所致之 處理。
6.2.5 第2兩束波面調節器之控制(S3450之詳細內容)
圖20D，係為對於圖19中所示之對第2之兩束波面調節器82進行控制的處理作展示之流程圖。圖20D中所示之處理，係亦能夠作為圖19中所示之S3450的副迴圈，而藉由控制器58來進行之。首先，控制器58，係亦可對於上述之差ΔWgt和0作比較(S3452)。
在S3452中，當差ΔWgt為較0更小的情況時(ΔWgt<0)，控制器58係亦可使處理前進至S3454。在S3454中，係亦可將從第2之兩束波面調節器82之光學功率的現在值P#3而減去了既定之常數ΔP#3後之值，設定為目標光學功率P3。
在S3452中，當差ΔWgt為較0更大的情況時(ΔWgt>0)，控制器58係亦可使處理前進至S3455。在S3455中，係亦可將在第2之兩束波面調節器82之光學功率的現在值P#3上而加算了既定之常數ΔP#3後之值，設定為目標光學功率P3。既定之常數ΔP#3，係亦可為正的值。
接著，控制器58，係亦能夠以使第2之兩束波面調節器82之光學功率接近目標光學功率P3的方式，來對於第2之兩束波面調節器82輸出控制訊號(S3456)。
接著，控制器58，係亦可將上述之P3，作為第2之兩束波面調節器82之光學功率的現在值P#3而記憶在記憶體1002(於後再述)中(S3457)，而結束由本流程所致之處理。
7. 雷射系統(第5實施形態)
圖21，係對於在本發明之第5實施形態的EUV光產生系統中所包含之雷射系統的例示性之構成作概略性展示。在圖21中，係省略EUV光產生裝置之圖示。在第5實施形態中，雷射系統3，係亦可包含有主振盪器300和複數之放大器301~303。
進而，雷射系統3，係亦可包含有導引雷射裝置340、和導引雷射束波面調節器384、和束結合器344、和兩束波面調節器381。進而，雷射系統3，係亦可包含有第2之兩束波面調節器382、和分光鏡356、和束監測器357、和控制器358。
導引雷射裝置340，係亦能夠以使從該導引雷射裝置340所輸出之導引雷射束會射入至導引雷射束波面調節器384中的方式來作配置。導引雷射束波面調節器384，係亦可被配置在從導引雷射裝置340所輸出的導引雷射束之光路上。
主振盪器300，係亦可構成為輸出雷射束之種光(seed light)。放大器301，係亦可將從主振盪器300所輸出之種光放大，放大器302，係亦可將在放大器301 處而被放大並從放大器301所輸出之雷射束更進而放大。
束結合器344，係亦可包含有二向色鏡。在束結合器344之第1面(圖中右側之面)處，係亦可射入有從放大器302所輸出之雷射束。在束結合器344之第2面(圖中左側之面)處，係亦可射入有從導引雷射束波面調節器384所輸出之導引雷射束。束結合器344，係亦可使射入至第1面中之雷射束以高透過率而透過，並使射入至第2面中之導引雷射束以高反射率而反射。束結合器344，係亦能夠以使雷射束之前進方向和導引雷射束之前進方向實質性相互一致的方式，來相對於上述各束之光路而以既定之設定角度來作設置。
兩束波面調節器381，係亦可被配置在從束結合器344所輸出之雷射束以及導引雷射束之光路上。
放大器303，係亦可使從兩束波面調節器381所輸出之雷射束以及導引雷射束通過。此時，放大器303，係亦可至少將雷射束放大並使其通過。
第2之兩束波面調節器382，係亦可被配置在通過了放大器303之雷射束以及導引雷射束的光路上。
分光鏡356，係亦可被配置在從第2之兩束波面調節器382所輸出之雷射束以及導引雷射束的光路上。分光鏡356，係亦可至少使雷射束以高透過率而朝向束傳輸器50(圖2)透過，並且將雷射束之一部分以及導引雷射束作為取樣光而反射。
束監測器357，係亦可被配置在包含有藉由分光鏡 356所反射了的雷射束以及導引雷射束之取樣光的光路上。
導引雷射裝置340、導引雷射束波面調節器384、束結合器344以及兩束波面調節器381之構成，係可分別與上述之導引雷射裝置40、導引雷射束波面調節器84、束結合器44以及兩束波面調節器81之構成相同。第2之兩束波面調節器382、分光鏡356以及束監測器357之構成，係可分別與上述之第2之兩束波面調節器82、分光鏡56以及束監測器57之構成相同。
控制器358，係亦可基於從束監測器357所輸出之檢測結果，來對於導引雷射束波面調節器384、兩束波面調節器381以及第2之兩束波面調節器382作控制。控制器358之功能，係可與在第4實施形態中所說明了的控制器58之功能相同。
在第5實施形態中，係亦可並不設置第2之兩束波面調節器382。於此情況，控制器358之功能，係可與在第1實施形態中所說明了的控制器58之功能相同。
若依據第5實施形態，則就算是當並未從主振盪器300而輸出雷射束時，控制器358亦能夠基於相關於導引雷射束之波面的參數，來對於導引雷射束波面調節器384、兩束波面調節器381以及第2之兩束波面調節器382進行控制。藉由此，就算是在雷射束之輸出的初期時，亦能夠將雷射束之波面控制在預先所制定的範圍內。
8. 控制器之構成
圖22，係為對於控制器58之概略構成作展示之區塊圖。
在上述之實施形態中的控制器58，係亦可藉由電腦或可編程控制器等之汎用的控制機器來構成之。例如，係亦可如同下述一般地而構成。
(構成)
控制器，係亦可藉由處理部1000、和被與處理部1000作連接之儲存記憶體1005、和使用者介面1010、和平行I/O控制器1020、和序列I/O控制器1030、和A/D、D/A轉換器1040，而構成之。又，處理部1000，係亦可藉由CPU1001、和被與CPU1001作連接之記憶體1002、和計時器1003、以及GPU1004，而構成之。
(動作)
處理部1000，係亦可將被記憶在儲存記憶體1005中之程式讀出。又，處理部1000，係亦可實行讀出的程式，或依據程式之實行而從儲存記憶體1005來讀出資料，或將資料記憶在儲存記憶體1005中。
平行I/O控制器1020，係亦可經由平行I/O埠而被與可進行通訊之機器1021~102x作連接。平行I/O控制器1020，係亦可對於在處理部1000實行程式之 過程中所進行的經由平行I/O埠而進行之由數位訊號所致的通訊作控制。
序列I/O控制器1030，係亦可經由序列I/O埠而被與可進行通訊之機器1031~103x作連接。序列I/O控制器1030，係亦可對於在處理部1000實行程式之過程中所進行的經由序列I/O埠而進行之由數位訊號所致的通訊作控制。
A/D、D/A轉換器1040，係亦可經由類比埠而被與可進行通訊之機器1041~104x作連接。A/D、D/A轉換器1040，係亦可對於在處理部1000實行程式之過程中所進行的經由類比埠而進行之由類比訊號所致的通訊作控制。
使用者介面1010，係亦可構成為對於操作員藉由處理部1000所進行的程式之實行過程作顯示，或使處理部1000進行由操作員所進行之程式實行之中止或插入處理。
處理部1000之CPU1001，係亦可進行程式之演算處理。記憶體1002，係亦可在CPU1001實行程式的過程中，進行程式之暫時記憶或者是演算過程中的資料之暫時記憶。計時器1003，係亦可對於時刻或經過時間作計測，並依據程式之實行而對於CPU1001輸出時刻或經過時間。GPU1004，係亦可在對於處理部1000而輸入了畫像資料時，依據程式之實行而對於畫像資料進行處理，並將其結果輸出至CPU1001處。
被連接於平行I/O控制器1020處之經由平行I/O埠而可進行通訊之機器1021~102x，係亦可為EUV光產生控制部5或其他之控制器等。
被連接於序列I/O控制器1030處之經由序列I/O埠而可進行通訊之機器1031~103x，係亦可為導引雷射裝置40、束監測器57、兩束波面調節器81、第2之兩束波面調節器82、雷射束波面調節器83、導引雷射束波面調節器84等。
被連接於A/D、D/A轉換器1040處之經由類比埠而可進行通訊之機器1041~104x，係亦可為溫度感測器、壓力感測器、真空計等之各種感測器。
藉由設為上述一般之構成，控制器58係亦能夠為可實現在流程圖中所展示之動作。
上述之實施形態及該些之變形例，係僅為用以實施本發明之例示，本發明係並不被此些之例示所限定。依據本說明書所進行之各種的變形，亦係隸屬於本發明之範圍內，在本發明之範圍內，係可進行其他之各種變形。在1者的實施形態中所說明之變形例，係亦可在其他之實施形態(包含於此所說明之其他的實施形態)中實現。
在本說明書以及所添附之申請專利範圍全體 中所使用的用語，係並不應將其解釋為限定性之用語。例如，所謂的「包含」或者是「被包含」之用語，係應解釋為「並不被限定於作為所包含之物而作了記載的內容」。 所謂的「具有」之用語，係應解釋為「並不被限定於作為所具有之物而作了記載的內容」。又，在修飾句「1個的」，應解釋為「至少1個」或者是「1或是其以上」。
2‧‧‧腔
3‧‧‧雷射系統
5‧‧‧EUV光產生控制部
9‧‧‧設置機構
10‧‧‧腔基準構件
21a‧‧‧窗
23‧‧‧EUV光集光反射鏡
25‧‧‧電漿產生區域
29‧‧‧連接部
34‧‧‧雷射光前進方向控制部
40‧‧‧導引雷射裝置
44‧‧‧束結合器
50‧‧‧束傳輸器
51‧‧‧高反射反射鏡
55‧‧‧光檢測部
56‧‧‧分光鏡
57‧‧‧束監測器
58‧‧‧控制器
59、69‧‧‧高反射反射鏡
70‧‧‧反射鏡收容容器
76‧‧‧平面反射鏡
81‧‧‧兩束波面調節器
84‧‧‧導引雷射束波面調節器
220‧‧‧雷射光集光反射鏡
292‧‧‧中間集光點
310‧‧‧框體
320‧‧‧空氣懸吊裝置
500‧‧‧光路管
511‧‧‧反射鏡支持器

Claims (12)

  1. 一種雷射束控制裝置，其特徵為，係具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從前述導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和以使從雷射系統所輸出之雷射束的前進方向以及從前述導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果來對於前述導引雷射束波面調節器以及前述兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：根據關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述導引雷射束波面調節器作控制，並根據 關於從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述兩束波面調節器作控制。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：以使關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的波面之檢測結果會成為略一致的方式，來對於前述導引雷射束波面調節器作控制，之後，以使關於從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的波面之檢測結果會成為所期望之結果的方式，來對於前述兩束波面調節器作控制。
  4. 一種雷射束控制裝置，其特徵為，係具備有：輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束的光路上之雷射束波面調節器；和以使從前述雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從前述導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的兩束波面調節器；和被配置在從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之光路 上的束監測器；和以根據關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果來對於前述雷射束波面調節器以及前述兩束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：根據關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述雷射束波面調節器作控制，並根據關於從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述兩束波面調節器作控制。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：以使關於從前述兩束波面調節器所輸出之雷射束以及從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果會成為略一致的方式，來對於前述雷射束波面調節器作控制，之後，以使關於從前述兩束波面調節器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的波面之檢測結果會成為所期望之結果的方式，來對於前述兩束波面調節器作控制。
  7. 一種雷射束控制裝置，其特徵為，係具備有： 輸出導引雷射束之導引雷射裝置；和被配置在從前述導引雷射裝置所輸出之導引雷射束的光路上之導引雷射束波面調節器；和被配置在從雷射系統所輸出之雷射束的光路上之雷射束波面調節器；和以使從前述雷射束波面調節器所輸出之雷射束的前進方向以及從前述導引雷射束波面調節器所輸出之導引雷射束的前進方向會實質性相互一致的方式而構成之束結合器；和被配置在從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之光路上的束監測器；和以根據關於從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果來對於前述導引雷射束波面調節器以及前述雷射束波面調節器作控制的方式，所構成之控制器。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：根據關於從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述導引雷射束波面調節器以及前述雷射束波面調節器之至少一者作控制，並根據關於從前述束結合器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的檢測結果，來對於前述導引雷射束波面調節器以及前述雷射束波面調節器作控 制。
  9. 如申請專利範圍第7項所記載之雷射束控制裝置，其中，前述控制器，係構成為：以使關於從前述束結合器所輸出之雷射束以及從前述束結合器所輸出之導引雷射束的雙方之由前述束監測器所得到的波面之檢測結果會成為略一致的方式，來對於前述導引雷射束波面調節器以及前述雷射束波面調節器之至少一者作控制，之後，以使關於從前述束結合器所輸出之導引雷射束之由前述束監測器所得到的波面之檢測結果會成為所期望之結果的方式，來對於前述導引雷射束波面調節器之光功率進行既定量之控制並且對於前述雷射束波面調節器之光功率進行前述既定量之控制。
  10. 一種極端紫外光產生裝置，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第1項所記載之雷射束控制裝置；和被設置有使從前述雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和對於前述腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將前述雷射束集光於前述腔內之雷射集光光學系。
  11. 一種極端紫外光產生裝置，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第4項所記載之雷射束控制裝置；和被設置有使從前述雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和 對於前述腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將前述雷射束集光於前述腔內之雷射集光光學系。
  12. 一種極端紫外光產生裝置，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第7項所記載之雷射束控制裝置；和被設置有使從前述雷射束控制裝置所輸出之雷射束通過內部的射入口之腔；和對於前述腔內而輸出靶材之靶材產生部；和將前述雷射束集光於前述腔內之雷射集光光學系。
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