JPWO2018225117A1 - レーザ装置、及びeuv光生成システム - Google Patents
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Abstract
Description
<1.EUV光生成装置の全体説明>(図1)
1.1 構成
1.2 動作
<2.比較例>(光軸制御を行う機能を備えたレーザ装置、及びEUV光生成システム)(図2〜図9)
2.1 構成
2.2 動作
2.3 課題
<3.実施形態1>(アクチュエータの駆動量に基づいて光学素子の異常を判定する機能を備えたレーザ装置)(図11〜図20)
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用・効果
<4.実施形態2>(アクチュエータの駆動量と光軸モニタのモニタリング結果とに基づいて光学素子の異常を判定する機能を備えたレーザ装置)(図21、図22)
4.1 構成、及び動作
4.2 作用・効果
<5.その他>
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
[1.1 構成]
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられる場合がある。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含む。チャンバ2は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部26は、ターゲット物質をチャンバ2内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組み合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照して、例示的なLPP式のEUV光生成システムの動作を説明する。レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光伝送装置34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射する。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射される。
[2.1 構成]
図2は、比較例に係るレーザ装置及びEUV光生成システムの一構成例を概略的に示している。
図6は、比較例に係るレーザ装置3において、アクチュエータ71による光軸制御をオフにしている場合の平常時と熱負荷変動時のレーザ光軸の状態の一例を概略的に示している。
図9は、比較例に係るレーザ装置3において、アクチュエータ71による光軸制御をオフにしている場合における光学素子損傷時のレーザ光軸の状態の一例を概略的に示している。なお、ここでの光学素子とは例えば反射ミラー72である。
次に、本開示の実施形態1に係るレーザ装置、及びEUV光生成システムについて説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザ装置3、及びEUV光生成システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図13は、実施形態1に係るレーザ装置において、アクチュエータ71による光軸制御をオンにしている場合における光学素子損傷時のレーザ光軸の状態の第1の例を概略的に示している。なお、ここでの光学素子とは例えば反射ミラー72である。
図18は、実施形態1に係るレーザ装置における制御部50−nによる異常の判定動作のフローチャートの第1の例を概略的に示している。以下では、n番目の制御部50−nの動作を例に説明する。
図19は、実施形態1に係るレーザ装置における制御部による異常の判定動作のフローチャートの第2の例を概略的に示している。以下では、n番目の制御部50−nの動作を例に説明する。
図17は、実施形態1に係るレーザ装置における複数の光学ユニットの構成例を概略的に示している。
n−2番目の制御部50−n−2による判定結果:正常、
n−1番目の制御部50−n−1による判定結果:正常、
n番目の制御部50−nによる判定結果:異常
n−2番目の制御部50−n−2による判定結果:正常、
n−1番目の制御部50−n−1による判定結果:異常、
n番目の制御部50−nによる判定結果:異常
以下では、少なくともn番目の制御部50−nにおいて異常と判定されている場合を例に説明する。
実施形態1のレーザ装置、及びEUV光生成システムによれば、各制御部が、光軸モニタ81のモニタリング結果に基づいてアクチュエータ71を制御すると共に、駆動量モニタ52のモニタリング結果に基づいて光学素子の異常を判定するようにしたので、損傷した光学素子の特定が容易となる。
次に、本開示の実施形態2に係るレーザ装置、及びEUV光生成システムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態1に係るレーザ装置、及びEUV光生成システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図21は、実施形態2に係るレーザ装置における制御部による異常の判定動作のフローチャートの第1の例を概略的に示している。以下では、n番目の制御部50−nの動作を例に説明する。
図22は、実施形態2に係るレーザ装置における制御部による異常の判定動作のフローチャートの第2の例を概略的に示している。以下では、n番目の制御部50−nの動作を例に説明する。
実施形態2のレーザ装置、及びEUV光生成システムによれば、アクチュエータ71の駆動量に加えて、光軸モニタ81のモニタリング結果も参照して、光学素子の異常を判定するようにしたので、損傷した光学素子の特定がさらに容易となる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
Claims (9)
- レーザ光軸上に配置された光学素子と、
前記光学素子を変位させて前記レーザ光軸を変位させるアクチュエータと、
前記アクチュエータの駆動量をモニタする駆動量モニタと、
前記レーザ光軸に沿って配置され、前記レーザ光軸をモニタする光軸モニタと、
前記光軸モニタのモニタリング結果に基づいて前記アクチュエータを制御すると共に、前記駆動量モニタのモニタリング結果に基づいて前記光学素子の異常を判定する制御部と
を備える
レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記アクチュエータを逐次駆動した場合における前記駆動量の積算値が閾値を超えた場合に前記光学素子の異常と判定する。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記アクチュエータを逐次駆動した場合における前記駆動量の微分値が閾値を超えた場合に前記光学素子の異常と判定する。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光学素子、前記アクチュエータ、前記駆動量モニタ、及び前記光軸モニタをそれぞれ複数、備え、
前記各アクチュエータは、前記各光学素子ごとに設けられ、
前記各駆動量モニタは、前記各アクチュエータごとに設けられ、
前記各光軸モニタは、前記各光学素子の下流側における前記レーザ光軸に沿って配置され、
前記制御部は、前記各駆動量モニタのモニタリング結果に基づいて、前記複数の光学素子のうち異常が発生している光学素子を特定する。 - 請求項4に記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、複数のローカル制御部と、前記複数のローカル制御部に対して設けられた統括制御部とを含み、
前記各ローカル制御部は、前記各アクチュエータ、前記各駆動量モニタ、及び前記各光軸モニタの組ごとに設けられ、前記各光軸モニタのモニタリング結果に基づいて前記各アクチュエータを制御すると共に、前記各駆動量モニタのモニタリング結果に基づいて、前記各アクチュエータごとの駆動量の異常を判定し、
前記統括制御部は、前記各ローカル制御部の判定結果に基づいて、前記複数の光学素子のうち異常が発生している光学素子を特定する。 - 請求項5に記載のレーザ装置であって、
前記統括制御部は、2以上のアクチュエータの駆動量が異常であると判定された場合に、前記2以上のアクチュエータに対応する光学素子のうち、最も上流側に設けられた光学素子に異常が発生していると特定する。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記光軸モニタは、レーザ光のビーム位置とビームポインティングとをモニタする。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、さらに、前記光軸モニタのモニタリング結果を示す値と前記レーザ光軸に関する目標値との差分に基づいて、前記光学素子の異常を判定する。 - EUV光が生成されるEUVチャンバと、
前記EUVチャンバへと導かれるレーザ光を出射するレーザ装置と
を含み、
前記レーザ装置は、
レーザ光軸上に配置された光学素子と、
前記光学素子を変位させて前記レーザ光軸を変位させるアクチュエータと、
前記アクチュエータの駆動量をモニタする駆動量モニタと、
前記レーザ光軸に沿って配置され、前記レーザ光軸をモニタする光軸モニタと、
前記光軸モニタのモニタリング結果に基づいて前記アクチュエータを制御すると共に、前記駆動量モニタのモニタリング結果に基づいて前記光学素子の異常を判定する制御部と
を備える
EUV光生成システム。
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