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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5314914B2 (ja) * 2008-04-04 2013-10-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法
JP2010161236A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Canon Inc 光電変換装置の製造方法
JP2010206181A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP5538922B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2010206178A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP5558916B2 (ja) * 2009-06-26 2014-07-23 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP5563257B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-30 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法
JP5481296B2 (ja) 2009-10-16 2014-04-23 アルプス電気株式会社 操作感触可変入力装置
US8804021B2 (en) 2011-11-03 2014-08-12 Omnivision Technologies, Inc. Method, apparatus and system for providing improved full well capacity in an image sensor pixel
JP6124502B2 (ja) 2012-02-29 2017-05-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP6231741B2 (ja) 2012-12-10 2017-11-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP6274729B2 (ja) 2013-02-04 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2014150230A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
JP2014199898A (ja) * 2013-03-11 2014-10-23 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器
JP2014225536A (ja) 2013-05-15 2014-12-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6274567B2 (ja) 2014-03-14 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP2016001709A (ja) 2014-06-12 2016-01-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP6362093B2 (ja) * 2014-06-13 2018-07-25 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
JP6341796B2 (ja) 2014-08-06 2018-06-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6700655B2 (ja) * 2014-10-30 2020-05-27 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
JP2016154166A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JP6668600B2 (ja) * 2015-03-19 2020-03-18 セイコーエプソン株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2017139431A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2017130693A (ja) * 2017-04-13 2017-07-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP6598830B2 (ja) * 2017-08-31 2019-10-30 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP6978893B2 (ja) * 2017-10-27 2021-12-08 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及び機器
CN108063146A (zh) * 2017-12-15 2018-05-22 上海华力微电子有限公司 Cmos图像传感器的制造方法
JP7568620B2 (ja) * 2019-06-26 2024-10-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
US11469307B2 (en) 2020-09-29 2022-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an MV device
KR20230098578A (ko) * 2020-11-12 2023-07-04 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자 및 촬상 장치
US12396273B2 (en) * 2022-08-12 2025-08-19 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor structure for reduced pixel pitch and methods thereof

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274450A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 固体撮像装置
KR100390822B1 (ko) * 1999-12-28 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서에서의 암전류 감소 방법
JP2001345437A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
KR20040036087A (ko) * 2002-10-23 2004-04-30 주식회사 하이닉스반도체 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법
US6900484B2 (en) * 2003-07-30 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Angled pinned photodiode for high quantum efficiency
JP2005072236A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6908839B2 (en) * 2003-09-17 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method of producing an imaging device
JP2005123517A (ja) 2003-10-20 2005-05-12 Canon Inc 固体撮像装置およびその製造方法、ラインセンサ、および固体撮像ユニット
US6900507B1 (en) * 2004-01-07 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Apparatus with silicide on conductive structures
KR101069103B1 (ko) 2004-07-29 2011-09-30 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 전하운송효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 제조 방법
JP4646577B2 (ja) 2004-09-01 2011-03-09 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム
JP2006261597A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ
KR100660348B1 (ko) * 2005-12-28 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법
JP2007242697A (ja) 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 撮像装置および撮像システム
JP2007294540A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP5110820B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム
JP4315457B2 (ja) 2006-08-31 2009-08-19 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5110831B2 (ja) 2006-08-31 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5305622B2 (ja) 2006-08-31 2013-10-02 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP5159120B2 (ja) 2007-02-23 2013-03-06 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP4110192B1 (ja) 2007-02-23 2008-07-02 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム
JP5314914B2 (ja) 2008-04-04 2013-10-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法
JP2010147193A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子情報機器
JP2010161236A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Canon Inc 光電変換装置の製造方法

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