JP2011216530A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011216530A5
JP2011216530A5 JP2010080526A JP2010080526A JP2011216530A5 JP 2011216530 A5 JP2011216530 A5 JP 2011216530A5 JP 2010080526 A JP2010080526 A JP 2010080526A JP 2010080526 A JP2010080526 A JP 2010080526A JP 2011216530 A5 JP2011216530 A5 JP 2011216530A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
holding region
photoelectric conversion
conversion element
gate electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010080526A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5505709B2 (ja
JP2011216530A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010080526A priority Critical patent/JP5505709B2/ja
Priority claimed from JP2010080526A external-priority patent/JP5505709B2/ja
Priority to US13/070,624 priority patent/US20110241080A1/en
Priority to CN2011100759085A priority patent/CN102208422A/zh
Publication of JP2011216530A publication Critical patent/JP2011216530A/ja
Publication of JP2011216530A5 publication Critical patent/JP2011216530A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5505709B2 publication Critical patent/JP5505709B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010080526A 2010-03-31 2010-03-31 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 Expired - Fee Related JP5505709B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010080526A JP5505709B2 (ja) 2010-03-31 2010-03-31 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
US13/070,624 US20110241080A1 (en) 2010-03-31 2011-03-24 Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
CN2011100759085A CN102208422A (zh) 2010-03-31 2011-03-24 固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010080526A JP5505709B2 (ja) 2010-03-31 2010-03-31 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011216530A JP2011216530A (ja) 2011-10-27
JP2011216530A5 true JP2011216530A5 (enExample) 2013-05-02
JP5505709B2 JP5505709B2 (ja) 2014-05-28

Family

ID=44697172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010080526A Expired - Fee Related JP5505709B2 (ja) 2010-03-31 2010-03-31 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110241080A1 (enExample)
JP (1) JP5505709B2 (enExample)
CN (1) CN102208422A (enExample)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5505709B2 (ja) * 2010-03-31 2014-05-28 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP6231741B2 (ja) * 2012-12-10 2017-11-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
TWI623232B (zh) * 2013-07-05 2018-05-01 Sony Corp 固體攝像裝置及其驅動方法以及包含固體攝像裝置之電子機器
CN104218073A (zh) * 2014-09-22 2014-12-17 北京思比科微电子技术股份有限公司 高信号摆幅的图像传感器像素及其操作方法
CN107004689B (zh) * 2014-12-18 2020-09-18 索尼公司 固体摄像器件和电子装置
JP2018049855A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 セイコーエプソン株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US11082649B2 (en) * 2017-06-02 2021-08-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device with pixels having an in-pixel capacitance
JP6506814B2 (ja) * 2017-10-18 2019-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US10559614B2 (en) * 2018-03-09 2020-02-11 Semiconductor Components Industries, Llc Dual conversion gain circuitry with buried channels
JP7221286B2 (ja) * 2018-06-21 2023-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置及びその動作方法、並びに電子機器
JP7455525B2 (ja) * 2018-07-17 2024-03-26 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP7613864B2 (ja) * 2019-12-18 2025-01-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置
DE112020006361T5 (de) * 2019-12-26 2022-10-27 Hamamatsu Photonics K.K. Lichtdetektionsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben von Photosensor
WO2021161687A1 (ja) * 2020-02-10 2021-08-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ装置、測距装置
CN112259565A (zh) * 2020-08-26 2021-01-22 天津大学 一种基于大尺寸像素的电荷快速转移方法
CN116936583A (zh) * 2022-03-31 2023-10-24 思特威(上海)电子科技股份有限公司 像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备
WO2025169620A1 (ja) * 2024-02-09 2025-08-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および電子機器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5324680A (en) * 1991-05-22 1994-06-28 Samsung Electronics, Co. Ltd. Semiconductor memory device and the fabrication method thereof
JPH07273314A (ja) * 1993-01-14 1995-10-20 Samsung Electron Co Ltd 電荷伝送装置及びスイッチング素子
US7335958B2 (en) * 2003-06-25 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Tailoring gate work-function in image sensors
KR100725367B1 (ko) * 2005-10-04 2007-06-07 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2008166607A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法
JP5568880B2 (ja) * 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP2011159756A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5505709B2 (ja) * 2010-03-31 2014-05-28 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011216530A5 (enExample)
CN101371361B (zh) 具有改进的表面耗尽的图像传感器
KR101708059B1 (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
CN103579264B (zh) 用于制造3d图像传感器结构的系统和方法
US9812483B2 (en) Back-side illuminated (BSI) image sensor with global shutter scheme
EP2290692A1 (en) Solid-state image pickup element
JP2012129371A5 (enExample)
JP5899519B2 (ja) 固体撮像装置
JP2013145853A (ja) 光電変換装置の製造方法
CN101800232B (zh) 固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底
JP2012060076A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
TW201036152A (en) Shallow trench isolation regions in image sensors
CN106129074A (zh) 背照式cmos图像传感器
CN103975437B (zh) 固态成像元件以及电子装置
JP2015220255A (ja) 裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子、及び、裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子の製造方法
TWI556423B (zh) 影像感測裝置及半導體結構
US9741758B2 (en) Methods of forming image sensors including deposited negative fixed charge layers on photoelectric conversion regions
TW200539440A (en) Solid-state image pickup device and module type solid-state image pickup device
JP2008227448A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
US20100140667A1 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
TW201729406A (zh) 在影像感測器中作為接觸蝕刻停止層之硬遮罩
TW201143064A (en) Image sensor with doped transfer gate
CN102246303B (zh) 具有横向溢流排出通道的图像传感器
JPWO2017056345A1 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2008016542A (ja) 固体撮像装置