JP2010153814A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100999798B1 (ko) 2010-02-11 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101138977B1 (ko) * 2010-04-06 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101138978B1 (ko) * 2010-09-27 2012-04-26 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101182920B1 (ko) 2010-07-05 2012-09-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US9246061B2 (en) * 2011-03-14 2016-01-26 Koninklijke Philips N.V. LED having vertical contacts redistruted for flip chip mounting
JP4989773B1 (ja) 2011-05-16 2012-08-01 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101799451B1 (ko) * 2011-06-02 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102035685B1 (ko) * 2011-08-11 2019-10-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TW201310703A (zh) * 2011-08-17 2013-03-01 Ritedia Corp 垂直式發光二極體結構及其製備方法
EP2562814B1 (en) * 2011-08-22 2020-08-19 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
KR101830719B1 (ko) * 2011-09-01 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101901835B1 (ko) * 2011-11-10 2018-09-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR101876313B1 (ko) * 2011-12-15 2018-07-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN104364916B (zh) 2012-06-01 2018-01-19 皇家飞利浦有限公司 发光器件和用于创建发光器件的方法
KR101954202B1 (ko) * 2012-06-11 2019-03-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8766303B2 (en) * 2012-08-31 2014-07-01 High Power Opto. Inc. Light-emitting diode with a mirror protection layer
JP2014096455A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
JP5986904B2 (ja) * 2012-11-21 2016-09-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
KR101976466B1 (ko) * 2013-01-10 2019-05-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
US20160254315A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Oki Data Corporation Semiconductor device, led head, and image forming apparatus
JP6738603B2 (ja) * 2015-03-31 2020-08-12 株式会社沖データ 半導体素子アレイ、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
CN104795474B (zh) * 2015-04-20 2018-10-16 映瑞光电科技(上海)有限公司 大功率led芯片及其制造方法
KR101564343B1 (ko) 2015-05-11 2015-10-29 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
TWI584491B (zh) * 2016-11-03 2017-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置與其製作方法
KR20180073866A (ko) 2016-12-23 2018-07-03 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
JP6824501B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
TWI762642B (zh) * 2017-05-18 2022-05-01 大陸商蘇州樂琻半導體有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102441566B1 (ko) * 2017-08-07 2022-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102370621B1 (ko) * 2017-08-24 2022-03-04 삼성전자주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈
CN109037408A (zh) * 2018-08-15 2018-12-18 厦门乾照光电股份有限公司 倒装发光芯片及其制造方法
KR102122847B1 (ko) * 2019-02-11 2020-06-15 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
US20200365769A1 (en) * 2019-05-16 2020-11-19 Epistar Corporation Semiconductor device
KR102866521B1 (ko) * 2020-05-20 2025-09-30 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
CN114628432B (zh) * 2022-02-28 2023-03-10 诺视科技(苏州)有限公司 一种半导体装置的制作方法及半导体装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
CN100421266C (zh) 2002-08-29 2008-09-24 首尔半导体股份有限公司 具有多个发光元件的发光装置
JP4699681B2 (ja) * 2003-06-27 2011-06-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュール、および照明装置
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
JP2005183757A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
WO2006098545A2 (en) 2004-12-14 2006-09-21 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
US8076680B2 (en) 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
DE102005025416A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
KR100646636B1 (ko) 2005-06-28 2006-11-23 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR100599012B1 (ko) 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
JP4749809B2 (ja) * 2005-09-14 2011-08-17 昭和電工株式会社 窒化物系半導体発光素子
WO2007081092A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-19 Seoul Opto Device Co., Ltd. Del à couche d'ito et son procédé de fabrication
KR101203138B1 (ko) * 2006-01-12 2012-11-20 서울옵토디바이스주식회사 발광소자와 그 제조방법
JP2007258323A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
JP5347219B2 (ja) * 2006-10-25 2013-11-20 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4915218B2 (ja) 2006-11-17 2012-04-11 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2008140841A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP2008141015A (ja) 2006-12-01 2008-06-19 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード素子
JP2010521807A (ja) * 2007-03-13 2010-06-24 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 交流駆動型の発光ダイオード
DE102007019776A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
KR100838197B1 (ko) 2007-08-10 2008-06-16 서울옵토디바이스주식회사 개선된 전류분산 성능을 갖는 발광 다이오드
KR100889956B1 (ko) 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
JP5334158B2 (ja) * 2008-07-15 2013-11-06 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
KR101017394B1 (ko) * 2008-09-30 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101093117B1 (ko) * 2008-09-30 2011-12-13 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법

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