KR102441566B1 - 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102441566B1
KR102441566B1 KR1020170099811A KR20170099811A KR102441566B1 KR 102441566 B1 KR102441566 B1 KR 102441566B1 KR 1020170099811 A KR1020170099811 A KR 1020170099811A KR 20170099811 A KR20170099811 A KR 20170099811A KR 102441566 B1 KR102441566 B1 KR 102441566B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
pattern
emitting device
contact
Prior art date
Application number
KR1020170099811A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190016173A (ko
Inventor
우영걸
배철민
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170099811A priority Critical patent/KR102441566B1/ko
Priority to US15/864,885 priority patent/US10340414B2/en
Publication of KR20190016173A publication Critical patent/KR20190016173A/ko
Priority to US16/428,244 priority patent/US10847674B2/en
Priority to US17/102,293 priority patent/US20210074879A1/en
Priority to KR1020220111583A priority patent/KR102656107B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102441566B1 publication Critical patent/KR102441566B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0042—Assembling discrete nanostructures into nanostructural devices
    • B82B3/0052—Aligning two or more elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결된 복수의 발광 소자들, 그리고 상기 복수의 발광 소자들 중 적어도 하나의 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 잔여 패턴을 포함한다.

Description

발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR THE SAME}
본 기재는 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 소자(Light Emitting Diode, LED)는 양 단부에 연결된 전극을 통한 전기 신호에 대응하여 설정된 파장대의 빛을 발광하는 소자이다.
최근, 잉크젯 등의 분사 장치를 이용해 나노 사이즈(nano size)의 발광 소자들을 이웃하는 양 전극 상에 분사하고, 양 전극 사이에 전자기장을 형성하여 양 전극 상에 나노 사이즈의 발광 소자들을 정렬하는 발광 장치가 개발되었다.
일 실시예는, 발광 소자들이 정렬된 양 전극 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 양 전극 사이에 배치되는 발광 소자들의 개수가 향상된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
일 측면은 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결된 복수의 발광 소자들, 그리고 상기 복수의 발광 소자들 중 적어도 하나의 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 잔여 패턴을 포함하는 발광 장치를 제공한다.
상기 잔여 패턴은 상기 하나의 발광 소자 대비 작은 면적을 가질 수 있다.
상기 잔여 패턴은 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 발광 소자들과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 잔여 패턴은 유기 물질, 무기 물질, 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 잔여 패턴은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 돌출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 복수의 발광 소자들의 일 부분들과 접촉하는 제1 접촉부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전극 상에 위치하며, 상기 제2 전극 및 상기 복수의 발광 소자들의 타 부분들과 접촉하는 제2 접촉부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부 사이에 위치하는 적어도 하나의 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광 소자들은 제1 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 발광 소자의 일 단부 및 타 단부 중 적어도 하나의 단부는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극 상에서 상기 적어도 하나의 전극과 접촉하며, 상기 잔여 패턴은 상기 제1 발광 소자와 중첩할 수 있다.
상기 복수의 발광 소자들은 제2 발광 소자를 포함하며, 상기 제2 발광 소자의 일 단부 및 타 단부는 상기 기판 상에서 상기 기판과 접촉하며, 상기 잔여 패턴은 상기 제2 발광 소자와 비중첩할 수 있다.
또한, 일 측면은 기판 상에 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극 상에 복수의 발광 소자들을 도포하는 단계, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전자기장을 형성하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 복수의 발광 소자들을 정렬하는 단계, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 복수의 발광 소자들과 접촉하는 접촉 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판을 세척하는 단계, 그리고 상기 접촉 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 접촉 패턴을 제거하는 단계는 상기 복수의 발광 소자들 중 적어도 하나의 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 잔여 패턴을 형성할 수 있다.
상기 접촉 패턴은 포토레지스트 패턴, 무기 패턴, 금속 산화물 패턴 중 어느 하나일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자들이 정렬된 양 전극 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
또한, 양 전극 사이에 배치되는 발광 소자들의 개수가 향상된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 일 실시예에 따른 따른 발광 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 따른 발광 장치를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 장치는 실질적으로 나노 사이즈(nano size)를 가지는 복수의 발광 소자들을 이용해 발광하는 장치이다.
발광 장치는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 복수의 발광 소자들(300), 잔여 패턴(400), 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 제1 절연 패턴(800), 제2 절연 패턴(900)을 포함한다.
기판(100)은 유리, 유기 재료, 무기 재료, 금속 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기판(100)은 플렉서블(flexible), 폴더블(foldable), 또는 벤더블(bendable)한 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 기판 본체부(110) 및 기판 본체부(110) 상에 위치하는 버퍼층(120)을 포함한다. 기판 본체부(110)는 상술한 유리, 유기 재료, 무기 재료, 금속 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 기판 본체부(110) 전체 표면에 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 유리, 유기 재료, 무기 재료 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(201)은 기판(100) 상에 위치하며, 제1 방향(x)으로 연장되어 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(y)으로 복수번 분기되어 연장된다.
제2 전극(202)은 기판(100) 상에 위치하며, 제1 전극(201)과 이격되어 있다. 제2 전극(202)은 제1 방향(x)으로 연장되어 제2 방향(y)으로 복수번 분기되어 연장된다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치된다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 직선 형상을 가지나, 이에 한정되지 않고 곡선 형상을 가질 수 있다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 기판(100) 상에서 동일한 평면 상에 위치하나, 이에 한정되지 않고, 기판(100) 상에서 서로 다른 평면 상에 위치할 수 있다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 한 번의 공정에 의해 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 다른 공정에 의해 순차적으로 형성될 수 있다.
복수의 발광 소자들(300)을 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 복수의 발광 소자들(300)은 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
복수의 발광 소자들(300)은 실질적으로 나노 사이즈(nano size)를 가지고 있다.
복수의 발광 소자들(300)은 발광 장치에 포함되는 발광 소자라면 공지된 다양한 발광 소자가 이용될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 표시 장치에 포함되는 발광 소자라면 공지된 다양한 발광 소자가 이용될 수 있다.
복수의 발광 소자들(300) 각각은 원기둥, 삼각 기둥, 사각 기둥, 다각 기둥, 원뿔 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
복수의 발광 소자들(300)은 용액의 형태로 잉크젯 등의 도포 장치에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 상에 도포된 후, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 형성되는 전자기장에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 정렬될 수 있다.
여기서, 용액은 복수의 발광 소자들(300)이 용매에 혼합된 잉크 또는 페이스트 상태일 수 있다.
복수의 발광 소자들(300) 각각은 종횡비를 가지고 있으며, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에서 다양한 방향으로 정렬된다.
복수의 발광 소자들(300)은 제1 발광 소자(301) 및 제2 발광 소자(302)를 포함한다.
제1 발광 소자(301)는 일 단부 및 타 단부 중 적어도 하나의 단부가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나의 전극 상에서 적어도 하나의 전극과 접촉한다. 구체적으로, 제1 발광 소자(301)는 양 단부 중 적어도 하나가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나 상에 위치하며, 제1 발광 소자(301)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 중첩한다.
제1 발광 소자(301)와 기판(100) 사이에는 잔여 패턴(400)이 위치한다.
제2 발광 소자(302)는 일 단부 및 타 단부가 기판(100) 상에서 기판(100)과 접촉한다. 구체적으로, 제2 발광 소자(302)는 양 단부가 기판(100)과 접촉하며, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 비중첩한다.
제2 발광 소자(302)와 기판(100) 사이에는 잔여 패턴(400)이 위치하지 않는다.
잔여 패턴(400)은 복수의 발광 소자들(300) 중 적어도 하나의 발광 소자와 기판(100) 사이에 위치한다.
잔여 패턴(400)은 복수의 발광 소자들(300) 중 적어도 하나와 중첩한다. 잔여 패턴(400)은 복수의 발광 소자들(300) 중 제1 발광 소자(301)와 중첩하며, 제2 발광 소자(302)와 비중첩한다.
잔여 패턴(400)은 복수의 발광 소자들(300) 중 하나의 발광 소자 대비 작은 면적을 가진다.
잔여 패턴(400)은 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자들(300)과 다른 물질을 포함한다. 잔여 패턴(400)은 유기 물질, 무기 물질, 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 잔여 패턴(400)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
잔여 패턴(400)은 제1 발광 소자(301)와 기판(100) 사이를 직접 연결한다. 이로 인해 제조 공정 중 제1 발광 소자(301)가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리되는 것이 억제된다. 이와 같이, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리되는 것이 억제됨으로써, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300)의 개수가 향상된 발광 장치가 제공된다.
돌출부(500)는 기판(100)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 돌출부(500)는 기판(100)의 표면으로부터 상측 방향으로 돌출되어 있다. 돌출부(500)의 표면에는 돌출부(500)에 의해 상측 방향으로 돌출된 제2 전극(202)이 위치한다.
복수의 발광 소자들(300)로부터 발광되어 돌출부(500) 방향으로 조사된 빛은 돌출부(500)에 의해 돌출된 제2 전극(202)에 의해 상측 방향으로 반사될 수 있다. 이로 인해, 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광된 빛의 효율이 향상된다.
제1 접촉부(600)는 제1 전극(201) 상에 위치하며, 제1 전극(201) 및 복수의 발광 소자들(300)의 일 부분과 접촉한다. 제1 접촉부(600)는 투명 도전성 재료를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
제2 접촉부(700)는 제2 전극(202) 상에 위치하며, 제2 전극(202) 및 복수의 발광 소자들(300)의 타 부분과 접촉한다. 제2 접촉부(700)는 투명 도전성 재료를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
제1 접촉부(600)의 일부와 제2 접촉부(700)의 일부는 복수의 발광 소자들(300) 상에서 중첩한다.
제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치하는 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
구체적으로, 복수의 발광 소자들(300) 중 제1 발광 소자(301)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 접촉되어 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 직접 연결된 상태이나, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 직접 연결되지 않은 상태이다. 그러나, 제1 접촉부(600)가 제2 전극(202) 및 제2 발광 소자(302)의 일 부분과 접촉하고, 제2 접촉부(700)가 제1 전극(201) 및 제2 발광 소자(302)의 타 부분과 접촉함으로써, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 연결된다.
이와 같이, 제1 접촉부(600) 및 제2 접촉부(700)에 의해 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결됨으로써, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 정렬되어도, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다. 이로 인해, 제조 공정 중 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 또는 제2 전극(202)과 이격되더라도, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 전부가 발광한다.
제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 사이에는 적어도 하나의 절연 패턴이 위치한다.
제1 절연 패턴(800)은 복수의 발광 소자들(300) 상에 위치하며, 복수의 발광 소자들(300)과 제1 접촉부(600) 사이와 제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 사이에 위치한다.
제2 절연 패턴(900)은 제1 절연 패턴(800) 상에 위치하며, 제1 절연 패턴(800)과 제2 접촉부(700) 사이와 제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 사이에 위치한다.
이상과 같은 일 실시예에 따른 발광 장치는 잔여 패턴(400)이 제1 발광 소자(301)와 기판(100) 사이를 직접 연결함으로써, 제조 공정 중 제1 발광 소자(301)가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리되는 것이 억제된다.
즉, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리되는 것이 억제됨으로써, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300)의 개수가 향상된 발광 장치가 제공된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치는 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광되어 돌출부(500) 방향으로 조사된 빛이 돌출부(500)에 의해 돌출된 제2 전극(202)에 의해 상측 방향으로 반사됨으로써, 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광된 빛의 효율이 향상된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치는 제1 접촉부(600) 및 제2 접촉부(700)에 의해 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결됨으로써, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 정렬되어도, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
즉, 제조 공정 중 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 또는 제2 전극(202)과 이격되더라도, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 전부가 발광하는 발광 장치가 제공된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치는 잔여 패턴(400)에 의해 발광 소자들(300)이 정렬된 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된다.
이를 이하의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용해 보다 구체적으로 설명한다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명한다. 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용해 상술한 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선, 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(100)의 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)을 도포한다(S100).
구체적으로, 기판(100) 상에 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)을 도포한다.
기판 본체부(110) 상에 버퍼층(120)이 형성된 기판(100) 상에 돌출부(500)를 형성하고, 제1 전극(201)과 제2 전극(202)을 형성한다. 이때, 제2 전극(202)은 돌출부(500)와 중첩하며, 제1 전극(201)은 이웃하는 제2 전극(202) 사이에 위치한다.
복수의 발광 소자들(300)은 용매에 혼합된 잉크 또는 페이스트 상태의 용액의 형태로 잉크젯 등의 도포 장치에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 상에 도포된다. 그리고 용매를 증발시키면 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)이 배치된다. 이때, 의도치 않게 용매에 혼합되었거나, 제조 공정 중 유입된 파티클(particle)(10)이 복수의 발광 소자들(300)과 함께 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 위치된다.
다음, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 복수의 발광 소자들(300)을 정렬한다(S200).
구체적으로, 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)에 전원을 인가하여 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 전자기장을 형성한다. 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 형성된 전자기장에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 복수의 발광 소자들(300)이 정렬된다.
다음, 도 5 및 도 6을 참조하면, 복수의 발광 소자들(300)과 접촉하는 접촉 패턴(402)을 형성한다(S300).
구체적으로, 우선, 도 5를 참조하면, 기판(100) 전체에 걸쳐서 포토레지스트층(401)을 형성한다.
한편, 다른 실시예에서는 기판(100) 전체에 걸쳐서 포토레지스트층(401) 대신에 유기층, 무기층, 금속 산화물층 중 어느 하나를 형성할 수 있다.
다음, 도 6을 참조하면, 마스크를 이용해 포토레지스트층(401)을 노광 및 현상하여 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 복수의 발광 소자들(300)과 접촉하는 접촉 패턴(402)을 형성한다. 즉, 접촉 패턴(402)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
접촉 패턴(402)은 제1 전극(201) 및 제1 전극(201)과 이웃하는 복수의 발광 소자들(300) 각각의 일 부분과 접촉할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 다른 실시예에서는 유기층, 무기층, 금속 산화물층 중 어느 하나를 포토리소그래피 공정을 이용해 식각하여 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 복수의 발광 소자들(300)과 접촉하는 접촉 패턴(402)을 형성할 수 있다.
즉, 다른 실시예에서 접촉 패턴(402)은 유기 패턴, 무기 패턴, 금속 산화물 패턴 중 어느 하나일 수 있다.
다음, 기판(100)을 세척한다(S400).
구체적으로, 접촉 패턴(402)이 현상에 의해 형성됨으로써, 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 위치된 파티클(10)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리된다.
또한, 기판(100)을 습식 또는 건식 식각하여 기판(100)을 세척할 수 있다.
이로 인해 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 위치된 파티클(10)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리된다.
기판(100)을 세척할 때, 접촉 패턴(402)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 복수의 발광 소자들(300)과 접촉함으로써, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에서 분리되는 것이 억제된다.
또한, 기판(100)을 세척하여 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 위치된 파티클(10)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리됨으로써, 파티클(10)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 단락(short circuit)되는 것이 억제된다.
다음, 도 7을 참조하면, 접촉 패턴(402)을 제거한다(S500).
구체적으로, 에슁(ashing) 공정을 이용해 포토레지스트 패턴인 접촉 패턴(402)을 제거한다.
이때, 복수의 발광 소자들(300) 중 적어도 하나의 발광 소자와 기판(100) 사이에 접촉 패턴(402)의 일부가 잔존함으로써, 잔여 패턴(400)이 형성된다.
한편, 다른 실시예에서는 습식 또는 건식 식각을 이용해 유기 패턴, 무기 패턴, 금속 산화물 패턴 중 어느 하나일 수 있는 접촉 패턴(402)을 제거할 수 있다.
다음, 복수의 발광 소자들(300) 상에 적어도 하나의 접촉부와 적어도 하나의 절연 패턴을 형성할 수 있다.
이상과 같이, 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 기판(100)을 세척할 때, 접촉 패턴(402)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 복수의 발광 소자들(300)과 접촉함으로써, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에서 분리되는 것이 억제된다.
즉, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리되는 것이 억제됨으로써, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300)의 개수가 향상된 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
또한, 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 기판(100)을 세척하여 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 위치된 파티클(10)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)으로부터 분리됨으로써, 파티클(10)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 단락(short circuit)되는 것이 억제된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 잔여 패턴(400)

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결된 복수의 발광 소자들; 그리고
    상기 복수의 발광 소자들 중 적어도 하나의 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 잔여 패턴
    을 포함하고,
    상기 잔여 패턴은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 두께 방향으로 비중첩하는 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 잔여 패턴은 상기 하나의 발광 소자 대비 작은 면적을 가지는 발광 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 잔여 패턴은 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 발광 소자들과 다른 물질을 포함하는 발광 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 잔여 패턴은 유기 물질, 무기 물질, 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 잔여 패턴은 포토레지스트 패턴인 발광 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 돌출부를 더 포함하는 발광 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고 상기 복수의 발광 소자들의 일 부분들과 접촉하는 제1 접촉부를 더 포함하는 발광 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제2 전극 상에 위치하며, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되고 상기 복수의 발광 소자들의 타 부분들과 접촉하는 제2 접촉부를 더 포함하는 발광 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 접촉부와 상기 제2 접촉부 사이에 위치하는 적어도 하나의 절연 패턴을 더 포함하는 발광 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 복수의 발광 소자들은 제1 발광 소자를 포함하며,
    상기 제1 발광 소자의 일 단부 및 타 단부 중 적어도 하나의 단부는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극 상에서 상기 적어도 하나의 전극과 접촉하며,
    상기 잔여 패턴은 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 발광 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 복수의 발광 소자들은 제2 발광 소자를 포함하며,
    상기 제2 발광 소자의 일 단부 및 타 단부는 상기 기판 상에서 상기 기판과 접촉하며,
    상기 잔여 패턴은 상기 제2 발광 소자와 비중첩하는 발광 장치.
  12. 기판 상에 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극 상에 복수의 발광 소자들을 도포하는 단계;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전자기장을 형성하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 복수의 발광 소자들을 정렬하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 복수의 발광 소자들과 접촉하는 접촉 패턴을 형성하는 단계;
    상기 기판을 세척하는 단계; 그리고
    상기 접촉 패턴을 제거하는 단계
    를 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 접촉 패턴을 제거하는 단계는 상기 복수의 발광 소자들 중 적어도 하나의 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 잔여 패턴을 형성하는 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에서,
    상기 접촉 패턴은 포토레지스트 패턴, 무기 패턴, 금속 산화물 패턴 중 어느 하나인 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에서,
    상기 발광 소자들 중 일부는 상기 잔여 패턴과 직접 접촉하는 발광 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 잔여 패턴의 폭은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격보다 작은 발광 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 기판은 제1 기판, 및 상기 제1 기판 상에 배치된 버퍼층을 포함하고,
    상기 발광 소자들은 상기 버퍼층 상에 배치된 발광 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 상기 버퍼층 상에 직접 배치된 발광 장치.
  19. 제17항에서,
    상기 잔여 패턴은 상기 버퍼층 상에 배치되고,
    상기 발광 소자들 중 적어도 일부는 상기 버퍼층과 직접 접촉하는 발광 장치.
  20. 제9항에서,
    상기 절연 패턴은 상기 발광 소자들의 적어도 일부분과 중첩하며, 상기 제1 접촉부 및 상기 제2 접촉부 사이에 배치된 발광 장치.
KR1020170099811A 2017-08-07 2017-08-07 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 KR102441566B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099811A KR102441566B1 (ko) 2017-08-07 2017-08-07 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US15/864,885 US10340414B2 (en) 2017-08-07 2018-01-08 Light emitting diode device and method for the same
US16/428,244 US10847674B2 (en) 2017-08-07 2019-05-31 Light emitting diode device and method for the same
US17/102,293 US20210074879A1 (en) 2017-08-07 2020-11-23 Light emitting diode device and method for the same
KR1020220111583A KR102656107B1 (ko) 2017-08-07 2022-09-02 발광 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099811A KR102441566B1 (ko) 2017-08-07 2017-08-07 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220111583A Division KR102656107B1 (ko) 2017-08-07 2022-09-02 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190016173A KR20190016173A (ko) 2019-02-18
KR102441566B1 true KR102441566B1 (ko) 2022-09-07

Family

ID=65231123

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170099811A KR102441566B1 (ko) 2017-08-07 2017-08-07 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR1020220111583A KR102656107B1 (ko) 2017-08-07 2022-09-02 발광 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220111583A KR102656107B1 (ko) 2017-08-07 2022-09-02 발광 장치

Country Status (2)

Country Link
US (3) US10340414B2 (ko)
KR (2) KR102441566B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102540894B1 (ko) * 2018-07-05 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102604659B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
EP3951880A4 (en) * 2019-03-28 2022-12-28 Samsung Display Co., Ltd. DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US20220181522A1 (en) * 2019-04-16 2022-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
KR20210054119A (ko) 2019-11-04 2021-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101436123B1 (ko) 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4914929B1 (ko) 1968-05-13 1974-04-11
JPS4814394B1 (ko) 1968-12-06 1973-05-07
US3717806A (en) 1972-03-31 1973-02-20 R Sebring Ac-to-dc converter
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
US7999398B2 (en) * 2006-08-03 2011-08-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid state device
KR20160063402A (ko) * 2008-09-12 2016-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
JP4914929B2 (ja) 2009-10-15 2012-04-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4814394B2 (ja) 2010-03-05 2011-11-16 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
KR101692409B1 (ko) * 2010-03-29 2017-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
CN104094426B (zh) * 2012-02-02 2017-09-01 西铁城时计株式会社 半导体发光装置及其制造方法
KR101374611B1 (ko) 2012-04-13 2014-03-17 (재)한국나노기술원 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
KR101628345B1 (ko) 2014-07-08 2016-06-09 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리의 제조방법
KR102340409B1 (ko) * 2015-05-12 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102360093B1 (ko) * 2015-07-22 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101730929B1 (ko) * 2015-11-17 2017-04-28 피에스아이 주식회사 선택적 금속오믹층을 포함하는 초소형 led 전극어셈블리 제조방법
KR101627365B1 (ko) * 2015-11-17 2016-06-08 피에스아이 주식회사 편광을 출사하는 초소형 led 전극어셈블리, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 led 편광램프
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR101814104B1 (ko) * 2016-01-14 2018-01-04 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
TWI574394B (zh) * 2016-02-05 2017-03-11 友達光電股份有限公司 自發光型顯示器及其修補方法
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
KR102605174B1 (ko) * 2016-12-19 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101436123B1 (ko) 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190044024A1 (en) 2019-02-07
US20190288159A1 (en) 2019-09-19
KR102656107B1 (ko) 2024-04-09
US10847674B2 (en) 2020-11-24
US20210074879A1 (en) 2021-03-11
KR20220127781A (ko) 2022-09-20
US10340414B2 (en) 2019-07-02
KR20190016173A (ko) 2019-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102415812B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102441566B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US11552232B2 (en) Ultra-small LED electrode assembly
CN107799550B (zh) 柔性显示器
KR101047683B1 (ko) 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
WO2015173965A1 (ja) 発光装置
JP2008153543A (ja) 静電チャック
US20170278897A1 (en) Package substrate and manufacturing method thereof, and oled display device and manufacturing method thereof
JP4379394B2 (ja) マスク及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP6207928B2 (ja) 発光装置の製造方法
WO2014162453A1 (ja) 接合構造および発光装置
KR20140069213A (ko) 배선기판
KR20200097465A (ko) 초음파 코터 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP6164982B2 (ja) 発光装置
US20160170295A1 (en) Photomask and method of forming fine pattern using the same
JP2014203525A (ja) 接合構造および発光装置
JP2017055006A5 (ko)
US20180235089A1 (en) Wiring board and manufacturing method of wiring board
WO2014162386A1 (ja) ワイヤの接続構造及び電気機器
WO2014162387A1 (ja) ワイヤの接続構造及び電気機器
WO2017183118A1 (ja) 発光装置
JP2017191784A (ja) 発光装置
JP2015230882A (ja) 発光装置
WO2014097384A1 (ja) 発光装置
WO2014162454A1 (ja) 接合構造および発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant