JP2010153814A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板の上部に互いに離隔して配置され、それぞれが第１の導電型上部半導体層、活性層、及び第２の導電型下部半導体層を有する複数の発光セルと、
   前記基板と前記複数の発光セルとの間に互いに離隔して配置され、対応する前記第２の導電型下部半導体層にそれぞれ電気的に接続され、それぞれが隣接する前記複数の発光セルに向かって延びている延長部を有する複数の電極と、
   前記複数の発光セルと前記複数の電極との間の領域に配置され、少なくとも一部が隣接する前記複数の発光セルの周縁の下方に延びており、前記複数の電極の延長部を露出させる開口部を有するエッチング防止層と、
   前記発光セルの側面を覆う側面絶縁層と、
   前記複数の発光セルを電気的に接続され、前記側面絶縁層によって前記複数の発光セルの側面から離隔され、それぞれ前記複数の発光セルの一つに前記第１の導電型上部半導体層が電気的に接続された一端部と、前記エッチング防止層の開口部を通じて、隣接する前記複数の発光セルの一つに前記第２の導電型下部半導体層が電気的に接続された他端部と、を有する複数の配線と、
   を備え、
   前記複数の電極は、それぞれが反射層及び保護金属層を有し、
   前記反射層は、前記第２の導電型下部半導体層の下部領域内に形成され、前記保護金属層は、前記反射層の側面及び下部面を覆うことを特徴とする発光素子。
2. 前記基板と前記複数の電極との間に設けられた層間絶縁層、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１の導電型上部半導体層は、それぞれが粗表面を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
4. 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
5. 犠牲基板上に第１の導電型半導体層、第２の導電型半導体層、及び前記第１の導電型半導体層及び前記第２の導電型半導体層の間に設けられた活性層を有する複数の化合物半導体層を形成して、前記第１の導電型半導体層を前記犠牲基板に近く配置し、
   前記複数の化合物半導体層上に前記第２の導電型半導体層を露出させる開口部を有してエッチング防止層を形成し、
   前記エッチング防止層の開口部を充填して、前記エッチング防止層上に延びている延長部を有して、互いに離隔する複数の電極を形成し、
   前記複数の電極上に層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層上に基板をボンディングし、
   前記犠牲基板を除去して、前記第１の導電型半導体層を露出させ、
   前記エッチング防止層が露出するように前記複数の化合物半導体層をパターニングして、互いに離隔した複数の発光セルを形成し、
   前記複数の発光セルを覆い、前記第１の導電型半導体層の上面の少なくとも一部を露出させる側面絶縁層を形成すると共に、前記エッチング防止層をパターニングして、前記複数の電極を露出させる開口部を形成し、
   前記第１の導電型半導体層と露出した前記複数の電極を接続する配線を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
6. 前記複数の電極の形成は、
   前記エッチング防止層の複数の開口部内のそれぞれに反射層を形成し、
   前記反射層を覆う保護金属層を形成することを含むことを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
7. 露出した前記第１の導電型半導体層の上面に粗表面を形成することを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
8. 前記エッチング防止層は、シリコン酸化層またはシリコン窒化層で形成することを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。