JP2010106018A - 1,3,5−トリアジン誘導体、その製造方法、及びこれを構成成分とする有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
2.正孔注入層
3.正孔輸送層
4.発光層
5.電子輸送層
6.陰極層
実施例−2
実施例−3
13C−NMR(CDCl3):δ120.1(CH×2),125.3(CH×2),126.5(CH×2),126.8(quart.×2),127.0(CH×2),127.1(CH×2),127.2(CH×2),127.4(CH×2),127.5(CH×4),127.6(CH×2),127.9(CH×2),128.4(CH×2),129.8(CH×2) ,130.1(CH×2),130.2(CH×2),130.6(CH),130.7(CH×4),133.2(quart.×2),133.6(quart.×2),135.8(quart.×2),137.0(quart.×2),137.7(quart.),139.1(quart.×2),141.1(quart.×2),141.9(quart.×2),142.4(CH×2),160.4(quart.×2),171.4(quart.),171.8(quart.×2).
実施例−4
実施例−5
実施例−6
実施例−7
実施例−8
実施例―9
13C−NMR(CDCl3):δ119.2(CH×2),127.1(CH×2),127.8(CH×4),128.8(CH×4),128.9(CH×4),129.1(CH×4),130.1(CH),132.7(CH×2),136.2(quart.×2),137.2(quart.×2),137.6(quart.),141.8(quart.×2),143.0(quart.×2),157.4(CH×4),164.6(quart.×2),171.5(quart.),171.8(quart.×2).
実施例―10
実施例―11
参考例−1
参考例−2
参考例−3
素子実施例1
1,3,5−トリアジンを構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図1に示すような発光面積が4mm2の有機電界発光素子を作製した。まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、1.0×10−4Paまで減圧した。その後、図1の1で示す前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層2、正孔輸送層3、発光層4及び電子輸送層5を順次成膜し、その後陰極層6を成膜した。正孔注入層2としては、昇華精製したフタロシアニン銅(II)を25nmの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層3としては、N,N’−ジ(ナフチレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(NPD)を45nmの膜厚で真空蒸着した。発光層4としては、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルエテン−1−イル)ジフェニル(DPVBi)と4,4’−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)フェニルエテン−1−イル]ビフェニル(DPAVBi)を99:1質量%の割合で40nmの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層5としては、本発明の2−[4,4”−ジ(2−キノリル)−1,1’:3’,1”−テルフェニル−5−イル]−4,6−ジ−p−トリル−1,3,5−トリアジンを20nmの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を0.3nm/秒〜0.5nm/秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ITOストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層6を成膜した。陰極層6は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ0.5nmと100nmの膜厚で真空蒸着し、2層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計(DEKTAK)で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度1ppm以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス社製)を用いた。
素子実施例2
素子実施例1の発光層4を膜厚40nmのAlqにした以外は、素子実施例1と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
素子実施例3
素子実施例1の電子輸送層5を膜厚20nmの2−[4,4”−ジ(2−ピリミジル)−1,1’:3’,1”−テルフェニル−5’−イル]−4,6‐ジ−p−トリル−1,3,5−トリアジンにした以外は、素子実施例1と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
素子実施例4
素子実施例3の発光層4を膜厚40nmのAlqにした以外は、素子実施例3と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
素子比較例1
素子実施例1の電子輸送層5を膜厚20nmのAlqにした以外は、素子実施例1と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
素子比較例2
素子実施例2の電子輸送層5を膜厚20nmのAlqにした以外は、素子実施例2と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
Claims (10)
- R1、R2及びR3が水素原子である請求項1に記載の1,3,5−トリアジン誘導体。
- Ar2が炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよいピラジル基、炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよい2−ピリミジル基、炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよい2−キノキサリル基、炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよいキナゾリル基、炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよいキノリル基又は炭素数1から4のアルキル基で置換されていてもよいイソキノリル基である請求項1又は2に記載の1,3,5−トリアジン誘導体。
- Ar1が置換されていてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル基である請求項1から3のいずれかに記載の1,3,5−トリアジン誘導体。
- Xが炭素原子である請求項1から4のいずれかに記載の1,3,5−トリアジン誘導体。
- 一般式(2)
- 一般式(4)
- パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム触媒であることを特徴とする請求項6又は7に記載の1,3,5−トリアジン誘導体の製造方法。
- パラジウム触媒が、トリフェニルホスフィン、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン又は2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルを配位子として有するパラジウム触媒であることを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載の1,3,5−トリアジン誘導体の製造方法。
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