JP2010098126A - 基板搬送処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置において、基板搬送精度を確保し、処理不良の発生を抑制することのできる基板搬送処理装置を提供する。
【解決手段】気体の噴射又は噴射と吸引により基板Ｇを異なる高さに浮上させる浮上ステージ２２と、前記浮上ステージ２２の上方に配置され、基板幅方向にスリット状に形成されたノズル口から処理液を前記被処理基板上に供給する処理液供給ノズル２３と、前記浮上ステージ２２の左右側方に平行に配置されるガイドレール２５に沿って移動可能に設けられた基板キャリア５０と、前記基板キャリア５０に設けられ、前被処理基板Ｇの側縁部を下方から着脱自在に吸引保持する基板保持部材２４と、少なくとも基板搬送方向において前記処理液供給ノズル２３のノズル口と同位置に配置され、前記基板保持部材２４の直下位置において前記基板キャリア５０を支持する支持部材５１とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板搬送処理装置に関し、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板にレジスト液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。

ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループットを向上させるため、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送（平流し搬送）しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施すことが多くなっている。
搬送装置の構成としては、基板支持部材（支持ピン等）によるレジスト塗布面への転写を防止するため、基板を略水平姿勢の状態でステージ上に浮上させ、所定方向に搬送する浮上搬送が注目されている。

この浮上搬送の装置構成は、レジスト塗布処理装置の場合、その構成例が特許文献１に開示される。図７に示すように、このレジスト塗布処理装置２００は、上面に形成された複数のガス噴射口からガス噴射し、被処理基板であるＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ基板）Ｇを所定の高さ浮上させるステージ２０１を備える。また、ステージ２０１の左右両側に敷設されたガイドレール２０２と、ガイドレール２０２上をスライド移動するスライダ２０３と、スライダ２０３に接続され、基板Ｇの左右両端をそれぞれ吸着保持する基板保持部２０３ａとを備える。
また、この塗布処理装置２００は、ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０４と、レジストノズル２０４を洗浄するためのノズル洗浄ユニット２０５とをさらに備えている。

このような構成の塗布処理装置２００においては、レジスト液を基板Ｇに塗布する際、ステージ２０１上に基板Ｇを浮上させ、基板保持部２０３ａにより基板Ｇの左右両端が吸着保持される。次いで、基板保持部２０３ａが接続されたスライダ２０３をガイドレール２０２に沿ってスライド移動させることにより基板ＧをＸ方向に移動する。
そして、基板Ｇがレジストノズル２０４の下方を移動する際、スリット状のノズル口（図示せず）よりレジスト液が帯状に供給され、レジスト液が基板Ｇの被処理面に塗布される。
特開２００６−２３７０９７号公報

ところで、前記スライダ２０３に接続された基板保持部２０３ａでは、ガイドレール２０２の搬送精度に起因する悪影響を極力避けるために、スライダ２０３から基板Ｇ側に水平方向に突出して設けられ、その先端部上面で基板Ｇを吸着保持している。
しかしながら、そのような構造にあっては、基板保持部２０３ａの高さ位置精度が低下し易く、基板Ｇにうねりが発生する虞があった。そして、基板Ｇにうねりが生じることによって局所的な膜厚変動が生じ、塗布むら等の不具合が生じるという課題があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置において、基板搬送精度を確保し、処理不良の発生を抑制することのできる基板搬送処理装置を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送処理装置は、被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置において、気体の噴射又は噴射と吸引により基板を異なる高さに浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージの上方に配置され、基板幅方向にスリット状に形成されたノズル口から処理液を前記被処理基板上に供給する処理液供給ノズルと、前記浮上ステージの左右側方に平行に配置されるガイドレールに沿って移動可能に設けられた一対の基板キャリアと、前記基板キャリアに設けられ、前被処理基板の側縁部を下方から着脱自在に吸引保持する基板保持部材と、少なくとも基板搬送方向において前記処理液供給ノズルのノズル口と同位置に配置され、前記基板保持部材の直下位置において前記基板キャリアを支持する支持部材とを備えることに特徴を有する。

このように構成することにより、被処理基板が処理液供給ノズルの下方を通過する際、処理液の供給時点におけるノズル口と基板面との距離寸法を常に所定値に維持することができる。その結果、局所的な膜厚変動が生じることがなく、レジスト膜厚を均一とし、処理不良の発生を抑制することができる。

また、前記支持部材は、前記基板キャリアの下面と接触することにより基板搬送方向に回転自在な回転部材を有することが望ましい。
このように支持部材が回転部材を介して基板キャリアと接触することにより、基板キャリアに与える負荷（抵抗）を小さくすることができる。
また、前記支持部材は、基板搬送方向に沿って複数設けられ、前記基板保持部材の直下位置において、前記複数の支持部材により前記基板キャリアが支持されることが望ましい。
このように複数の支持部材で基板キャリアを支持することにより、基板キャリアを支持する力を分散することができる。

また、前記浮上ステージの左右両側において、前記基板キャリアは前記レール側から前記浮上ステージに向かって板状に延設され、前記基板キャリアの延設された先端部上に前記基板保持部材が設けられていることが望ましい。
このように浮上ステージ付近で基板縁部を保持することにより、ガイドレールによる搬送精度の影響を極力受けず、支持部材による基板キャリアの支持精度を向上することができる。

また、前記支持部材を昇降移動させる昇降手段と、前記昇降手段の駆動制御を行う制御手段と、前記処理液供給ノズルのノズル口と前記被処理基板との間の距離寸法を求める距離検出手段とを備え、前記制御手段は、前記距離検出手段が求めた前記ノズル口と被処理基板との間の距離寸法が所定範囲内にない場合に、該所定範囲内となるよう前記昇降手段により前記支持部材を昇降移動させることが望ましい。
このようにフィードバック機能を有する構成とすることにより、より高精度にノズル口と基板面との距離寸法を管理することができる。

本発明によれば、被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置において、基板搬送精度を確保し、処理不良の発生を抑制することのできる基板搬送処理装置を得ることができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、本発明の基板搬送処理装置をレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）に適用した場合について説明する。図１は、レジスト塗布現像処理システム１００の概略平面図である。

先ず、レジスト塗布現像処理装置１００の動作の流れについて簡単に説明する。
このレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって処理ステーション２の搬送ラインＡの上流側端部に搬送され、さらに搬送ラインＡ上を搬送されて、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１３で基板Ｇに含まれる有機物の除去処理が行われる。エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１３での有機物の除去処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）１４でスクラブ洗浄処理および乾燥処理が施される。

スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）１４でのスクラブ洗浄処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）１５で加熱されて脱水される。デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）１５での脱水加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、アドヒージョンユニット（ＡＤ）１６で疎水化処理が施される。アドヒージョンユニット（ＡＤ）１６での疎水化処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０でレジスト膜が形成される。このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０は、本発明の基板搬送処理装置が適用されるものであるため、その構成については、詳しく後述する。
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０で所定のレジスト膜が形成された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２１で減圧雰囲気に晒されることにより、レジスト膜の乾燥処理が施される。

減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２１でレジスト膜の乾燥処理が施された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、プリベークユニット（ＨＴ）１８でプリベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤が除去される。基板Ｇのプリベーク処理は、搬送ラインＡ上を搬送されながら行われる。プリベークユニット（ＨＴ）１８での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）１９で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）１９で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の搬送アーム４３によってロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。
次に、基板Ｇは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺露光装置（ＥＥ）でレジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光処理が施される。

続いて、基板Ｇは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、レジスト膜に所定パターンの露光処理が施される。
なお、基板Ｇは、一時的にロータリーステージ（ＲＳ）４４上のバッファカセットに収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｇは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記される。

タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、現像ユニット（ＤＥＶ）３０で現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が順次施される。
現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、ポストベークユニット（ＨＴ）３１でポストベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤および水分が除去され、パターンが基板Ｇに密着する。基板Ｇのポストベーク処理は、後述するコロ搬送機構５によって搬送ラインＢ上を搬送されながら行われる。

なお、現像ユニット（ＤＥＶ）３０とポストベークユニット（ＨＴ）３１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けてもよい。ポストベークユニット（ＨＴ）３１での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、検査ユニット（ＩＰ）３５で検査される。検査を通過した基板Ｇは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容されることとなる。

次に、本発明の基板処理装置が適用される、浮上式の基板搬送処理装置であるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０について説明する。
図２は、前記レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０の要部を示す概略斜視図、図３は、基板搬送方向と直交する方向に沿う概略断面図、図４、図５は、図３のＤ−Ｄ矢視概略断面図、図６は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０において基板Ｇにレジスト液を供給（吐出）する状態を示す基板Ｇの移動方向に沿う概略断面図である。

図示するように、前記レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０は、気体の噴射または噴射と吸引により基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、この浮上ステージ２２の上方に配置され、基板Ｇの表面に処理液であるレジスト液Ｒを帯状に供給するレジスト供給ノズル２３（処理液供給ノズル）とを備える。

また、図３に示すように、浮上ステージ２２の左右側方に互いに平行に配置されるガイドレール２５に沿ってスライド移動可能なスライダ２６が設けられる。このスライダ２６は、搬送路に沿って左右両側に対配置され、その上面に基板搬送方向及び浮上ステージ２２に向かって板状に延設された基板キャリア５０が固定されている。即ち、スライダ２６の移動と共に、基板キャリア５０がガイドレール２５に沿って移動するように構成されている。

スライダ２６の駆動源は、例えばリニアモータにより実現される。この場合、図３に示すように、例えばガイドレール２５に沿ってリニアモータ固定子２７が敷設される。一方、基板キャリア５０は、図２、図３に示すようにスライダ２６の側方の部分を覆う状態で下方に延びる板状の３つのリニアモータ回転子５０ａが形成されている。リニアモータ回転子５０ａの先端部分は、図３に示すようにリニアモータ固定子２７に挟まれるように配置され、それらの間の反発力と吸引力とによりリニアモータ回転子５０ａ（即ち基板キャリア５０）が、スライダ２６と共にガイドレール２５に沿って移動するように構成されている。

また、浮上ステージ２２を挟んで基板搬送方向の左右両側にそれぞれ設けられた基板キャリア５０において、浮上ステージ２２に向かって延設された先端部上には、基板Ｇの左右の側縁部を着脱可能に吸引保持する角棒状の吸着パッド２４（基板保持部材）が設けられている。この吸着パッド２４は、例えば合成ゴムにより形成され、その上面に所定形状（例えば長孔状）の吸引孔（図示せず）が複数形成されている。
前記吸引孔は吸着パッド２４内に形成された室（図示せず）を介してバキューム管６１に接続され、真空装置６２の作動により吸引動作するようになされている。したがって、基板Ｇの側縁部が吸着パッド２４上に載置されると、真空装置６２が作動し、それにより吸着パッド２４の上面全体が吸着面となり、基板Ｇの辺部が吸着保持される。

また、搬送ステージ２２の左右両側において、ガイドレール２５よりも内側には、基板搬送方向に回転自在なローラ５１ａ（回転部材）を有する支持部材５１がそれぞれ敷設されている。支持部材５１は、図３に示すように、基板キャリア５０に通過時にＹ方向において吸着パッド２４の直下に位置し、ローラ５１ａの上端部が基板キャリア５０の下面と接触することで、ローラ５１ａが回転しながら基板キャリア５０を支持するようになされている。

前記支持部材５１は、図４に示すように基板搬送方向（Ｘ方向）においてレジスト供給ノズル２３のノズル口と同位置に配置され、且つ、図３に示すように吸着パッド２４の直下位置において基板キャリア５０を支持するようになされている。
尚、支持部材５１は、基板搬送方向において、レジスト供給ノズル２３のノズル口と同位置に配置されるのであれば、支持部材５１に加えられる負荷を分散するために、図５に示すように基板搬送方向に沿って複数基（図では片側３基）設けてもよい。

この構成により、搬送される基板Ｇがレジスト供給ノズル２３の直下を通過する時点、即ちノズル口からレジストＲが基板面に供給される時点で、基板面とノズル先端（ノズル口）との間の距離寸法が常に所定値に維持される構成となされている。
また、前記のように吸着パッド２４は、浮上ステージ２２に向かって延設された先端部上に設けられているため、ガイドレール２５及びスライダ２６による搬送精度の影響を極力受けず、支持部材５１による基板キャリア５０の支持精度を向上することができる。

さらに、このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０においては、吸着パッド２４の高さ位置を微調整し、ノズル口と基板面との間の距離寸法をより高精度に所定値に維持する機能を有する。
即ち、支持部材５１の下方には、支持部材５１を昇降移動させるための昇降装置５２（昇降手段）が設けられている。尚、この昇降装置５２（昇降手段）は、例えば圧電アクチュエータにより構成され、その駆動制御は制御部６０（制御手段）により行われる。

また、ノズル口の左右側方には、ノズル口と基板Ｇとの距離寸法を検出する、例えばＣＣＤカメラ等からなるセンサ５３が設けられ、検出信号が制御部６０に入力されるようになされている。制御部６０では、入力された信号に基づきノズル口と基板Ｇとの間の距離寸法を求め（即ちセンサ５３と制御部６０とにより距離検出手段が構成される）、その値が予め設定された値（所定値）の範囲内にあるか判断するようになされている。そして、検出した距離寸法が所定値の範囲内でなければ、その範囲内となるよう昇降装置５２を駆動し、支持部材５１を昇降移動させ、吸着パッド２４の高さ位置を変化させて、ノズル口と基板面との距離寸法を調整するようになされている。

尚、基板キャリア５０は、例えばアルミ等の材料により形成され、昇降装置５２の昇降動作に伴い、吸着パッド２４が設けられた基板キャリア５０先端部が昇降可能となるよう、厚さ寸法等が設定されている。

また、浮上ステージ２２は、図２、図６に示すように、図示しない搬送アームによって搬送される基板Ｇを受け取る昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ａを具備する搬入領域２２ａと、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの隙間を一定の距離例えば１００〜１５０μｍに維持する塗布領域２２ｂと、基板Ｇを受け渡す昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ｂを具備する搬出領域２２ｃとが設けられている。

搬入領域２２ａと搬出領域２２ｃにおいては、浮上ステージ２２の表面に設けられた多数の噴射孔２９ａから気体例えば空気が噴射されて基板Ｇが約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されている。また、塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面に多数の噴射孔２９ａと吸引孔２９ｂが例えば千鳥状に設けられており、噴射孔２９ａから気体すなわち空気を噴射すると共に、吸引孔２９ｂから吸引することによって基板Ｇが約５０μｍの高さの位置に浮上されている。

なお、搬入領域２２ａと塗布領域２２ｂとの間、及び塗布領域２２ｂと搬出領域２２ｃとの間には、それぞれ両者間の高さのギャップを繋げる繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅが設けられている。これら繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅにおいては、多数の噴射孔２９ａと吸引孔２９ｂとが設けられており、気体である空気の噴射量及び吸引量を調整することによって基板Ｇを徐々に下降又は上昇するように構成されている。

前記レジスト供給ノズル２３は、浮上ステージ２２の上方を跨ぐ門形フレーム（図示せず）に固定されており、図示しないレジストタンクに接続される供給管２３ａによって供給されるレジスト液Ｒを、基板Ｇの表面に帯状に供給（吐出，滴下）するように構成されている。

次に、前記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０の動作態様について説明する。
冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、リフトピン２８ａが上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。
基板Ｇを受け取った後、リフトピン２８ａは下降する一方、基板Ｇは搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置６２が作動して吸着パッド２４によって基板Ｇが吸着保持される。この際、基板Ｇは浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上の約１００〜１５０μｍの高さの位置に水平状態に維持される。

次いで、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送される。塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面から空気の噴出と吸引とのバランスによって基板Ｇは約５０μｍの高さの位置に浮上される。
この際、レジスト供給ノズル２３の下方において、支持部材５１が基板Ｇを吸着保持している吸着パッド２４の直下部分を支持するため、基板Ｇは浮上ステージ２２の塗布領域２２ｂ上の約５０μｍの高さの位置に水平状態に維持され、レジスト供給ノズル２３との間に所定の隙間Ｓ（１００〜１５０μｍ）を維持する。

また、制御部６０では、レジスト供給ノズル２３のノズル口近傍に設けられたセンサ５３からの検出結果に基づき、そのときの隙間Ｓの距離寸法が求められ、その結果が所定の範囲内に無い場合には、昇降装置５２の駆動制御を行い、昇降装置５２が昇降動作して吸着パッド２４の高さ位置を微調整する。これにより、常にレジスト供給ノズル２３のノズル口と基板面までの距離が高精度に所定値となるよう制御される。
この状態で、レジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）すると共に、基板Ｇを移動することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される。

レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置を停止して基板Ｇの吸着保持が解かれる。すると、リフトピン２８ｂが上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＤＰ）２１へ搬送する。

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、基板Ｇがレジスト供給ノズル２３の下方を通過する際、基板左右の側縁部を吸着保持する吸着パッド２４の直下で、支持部材５１により基板搬送キャリア５０を支持する構成となされる。このため、吸着パッド２４の高さ位置、即ち基板Ｇの高さ位置を精度よく維持することができる。

即ち、レジスト液Ｒの供給時点におけるノズル口と基板面との距離寸法が常に所定値に維持され、その結果、局所的な膜厚変動が生じることがなく、レジスト膜厚を均一とし、処理不良の発生を抑制することができる。
さらには、センサ５３を用いてノズル口と基板面との距離寸法Ｓを検出し、その検出結果に基づき、支持部材５１を昇降させて吸着パッド２４の高さ位置を微調整することで、より高精度にノズル口と基板面との距離寸法を管理することができる。

尚、前記実施の形態において、支持部材５１は、基板搬送方向に回転自在なローラ５１ａを有する形態、所謂コロの場合を例にとって示したが、本発明にあっては、その形態に限定されず、基板搬送方向に回転自在な部材であれば他の形態（例えば球体（ボール）等）であってもよい。
或いは、支持部材５１が基板搬送方向に回転自在な回転部材を具備する構成に限定されることなく、支持部材５１と基板キャリア５０下面とが滑らかに摺接する構成であってもよい。

図１は、本発明の基板搬送処理装置としてのレジスト塗布ユニットを備えるレジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。 図２は、レジスト塗布ユニットの要部を示す概略斜視図である。 図３は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、基板搬送方向と直交する方向に沿う概略断面図である。 図４は、図３のＤ−Ｄ矢視概略断面図である。 図５は、図３のＤ−Ｄ矢視概略断面図の他の形態を示す図である。 図６は、レジスト塗布ユニットにおいて基板にレジスト液を供給（吐出）する状態を示す基板の移動方向に沿う概略断面図である。 図７は、従来の基板浮上搬送の装置構成を説明するための図である。

符号の説明

２０ レジスト塗布ユニット（基板搬送処理装置）
２２ 浮上ステージ
２３ レジスト供給ノズル（処理液供給ノズル）
２４ 吸着パッド（基板保持部材）
２５ ガイドレール
５０ 基板キャリア
５１ 支持部材
５１ａ ローラ（回転部材）
５２ 昇降装置（昇降手段）
５３ センサ（距離検出手段）
６０ 制御部（制御手段、距離検出手段）
１００ レジスト塗布現像処理装置
Ｇ 基板（被処理基板）
Ｒ レジスト液（処理液）

Claims (5)

1. 被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送処理装置において、
   気体の噴射又は噴射と吸引により基板を異なる高さに浮上させる浮上ステージと、
   前記浮上ステージの上方に配置され、基板幅方向にスリット状に形成されたノズル口から処理液を前記被処理基板上に供給する処理液供給ノズルと、
   前記浮上ステージの左右側方に平行に配置されるガイドレールに沿って移動可能に設けられた一対の基板キャリアと、
   前記基板キャリアに設けられ、前被処理基板の側縁部を下方から着脱自在に吸引保持する基板保持部材と、
   少なくとも基板搬送方向において前記処理液供給ノズルのノズル口と同位置に配置され、前記基板保持部材の直下位置において前記基板キャリアを支持する支持部材とを備えることを特徴とする基板搬送処理装置。
2. 前記支持部材は、前記基板キャリアの下面と接触することにより基板搬送方向に回転自在な回転部材を有することを特徴とする請求項１に記載された基板搬送処理装置。
3. 前記支持部材は、基板搬送方向に沿って複数設けられ、
   前記基板保持部材の直下位置において、前記複数の支持部材により前記基板キャリアが支持されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板搬送処理装置。
4. 前記浮上ステージの左右両側において、前記基板キャリアは前記レール側から前記浮上ステージに向かって板状に延設され、
   前記基板キャリアの延設された先端部上に前記基板保持部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板搬送装置。
5. 前記支持部材を昇降移動させる昇降手段と、前記昇降手段の駆動制御を行う制御手段と、前記処理液供給ノズルのノズル口と前記被処理基板との間の距離寸法を求める距離検出手段とを備え、
   前記制御手段は、前記距離検出手段が求めた前記ノズル口と被処理基板との間の距離寸法が所定範囲内にない場合に、該所定範囲内となるよう前記昇降手段により前記支持部材を昇降移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板搬送装置。

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