JP2010095688A - 導電性高分子複合体及び導電性高分子材料を用いた熱電素子 - Google Patents
導電性高分子複合体及び導電性高分子材料を用いた熱電素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】保護剤として導電性高分子の骨格構造の少なくとも一部分及び金属ナノ粒子と相互作用する部分を分子内に有する化合物を用いて被覆した金属ナノ粒子−導電性高分子複合体。また、耐熱性基材70上に薄膜形状で配設された導電性高分子を含む第1の熱電材料80と、薄膜形状又はワイヤ形状で第1の熱電材料から間隔を空けて隣り合わせに配設されて単位熱電対を構成するn型半導体又は金属を含む第2の熱電材料90と、これらの熱電材料が交互して電気的に直列に接続されかつ両末端が開放された回路を形成するように、第1及び第2の熱電材料の端部を電気接続する導電性材料100とを備える。
【選択図】図3
Description
(1)金ナノ粒子の合成
p−アミノチオフェノール(p−ATP)を保護剤として使用して、次のように金ナノ粒子を合成した。p−ATP(和光純薬工業株式会社製)の1.0mMエタノール/水(容積比1:1)溶液を用意した。この溶液を窒素雰囲気に置いた後、更に、テトラクロロ金(III)酸の濃度が1.0mMになるように、テトラクロロ金(III)酸四水和物(和光純薬工業株式会社製)を上記溶液に添加した。したがって、この溶液中でのp−ATPと金イオンAu3+のモル比は1:1であった。得られた溶液を窒素雰囲気下、遮光した状態で攪拌した後、還元剤であるテトラヒドロホウ酸ナトリウムの水溶液を滴下して金イオンの還元を行ったところ、溶液は黒色となった。この溶液を乾燥して、水で洗浄した後、再度乾燥して黒色粉末を得た。その黒色粉末のX線回折測定により金の結晶ピークが観察され、そのピーク形状から結晶の大きさが16nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量は75質量%であることが分かった。
ポリアニリン(PANi)は酸化重合法により合成した。市販のアニリン(和光純薬工業株式会社製)を減圧蒸留して得たアニリン9.38g(0.10モル)を、氷浴中で1M塩酸100mLと3時間混合した。その後、過硫酸アンモニウム28.53g(0.125モル)を溶解した水溶液100mLを、−8℃で攪拌している上記混合溶液に5時間掛けて滴下した。その後、引き続き15時間、−8℃で攪拌を続けて、得られた沈殿物を回収した。沈殿物を洗浄し、アンモニア水で脱ドープし、再度洗浄した後、乾燥してPANiを収率84.9%で得た。得られたPANiの重量平均分子量は6.7×104amu、多分散度は1.3であった。またUV−visスペクトル測定により、合成したPANiがエメラルジン構造であることを確認した。
PANiはカンファースルホン酸(CSA)を用いたドーピングにより導電性を示す。上記のようにして得られたp−ATP被覆金ナノ粒子及び導電性PANiを次のように複合化した。PANi248.3mg及びCSA(和光純薬工業株式会社製)290mgを瑪瑙乳鉢で混合した。そこに、p−ATP被覆金ナノ粒子1.7mgをm−クレゾール(和光純薬工業株式会社製)1.25gに分散した溶液を加えて混合し、更にm−クレゾール23.55gを加えてよく混合した。このとき、PANiに対する金の含有量は0.5質量%であった。このm−クレゾール溶液をガラス基板上に塗布し、乾燥してPANiフィルムを得た。適当な大きさに切り出したこのPANiフィルムに直径0.1mmの白金線を接続して、四端子法により導電性を測定した。接続には導電性ペーストXC−32(藤倉化成株式会社製)を用いた。また、ガラス基板より剥離したPANiフィルムについて、ゼーベック係数測定装置としてモバイルゼーベック(株式会社アイフェイズ製)を用いて、ゼーベック係数を測定した。測定結果を表1に示す。
例1と同様にして得られたp−ATP被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を1.1質量%(例2)又は2.1質量%(例3)とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表1に示す。
金イオンの還元前の溶液中でp−ATPと金イオンAu3+のモル比を5:1とした以外は例1と同様にして、p−ATP被覆金ナノ粒子を合成した。得られたp−ATP被覆金ナノ粒子のX線回折測定により金の結晶ピークが観察され、そのピーク形状から結晶の大きさが2.5nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量は69質量%であることが分かった。このp−ATP被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を0.5質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表1に示す。
例4と同様にして得られたp−ATP被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を1.0質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表1に示す。
例1で得られたPANi250mg及びCSA290mgを瑪瑙乳鉢で混合し、その後m−クレゾール24.8gを加えて、更によく混合した。このm−クレゾール溶液をガラス基板上に塗布し、乾燥してPANiフィルムを得た。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表1、表2及び表4に示す。
ポリビニルピロリドン(PVP)を保護剤として使用して、次のように金ナノ粒子を合成した。PVP(K30、和光純薬工業株式会社製)の1.0mMエタノール/水(容積比2:8)溶液を用意した。そこへ、テトラクロロ金(III)酸の濃度が1.0mMになるように、テトラクロロ金(III)酸四水和物(和光純薬工業株式会社製)を上記溶液に添加した。この溶液中でのPVPと金イオンAu3+のモル比は1:1であった。得られた溶液を窒素雰囲気下、遮光状態で攪拌した後、溶液を80℃まで加熱して還流状態にした。その後、0.1Mの水酸化ナトリウム溶液を、水酸化ナトリウムがAu3+に対して4倍モル量になるように滴下した。滴下直後に、溶液は赤みを帯びた黒色となった。この溶液を乾燥して、水で洗浄した後、再度乾燥して黒色粉末を得た。その黒色粉末のX線回折測定により金の結晶ピークが観察され、そのピーク形状から結晶の大きさが4.9nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量は77質量%であることが分かった。
金イオン還元前の溶液中でp−ATPと金イオンAu3+のモル比を20:1とした以外は例1と同様にして、p−ATP被覆金ナノ粒子を合成した。得られたp−ATP被覆金ナノ粒子のX線回折測定により金の結晶ピークが確認され、そのピーク形状から結晶の大きさが2.6nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量は8.2質量%であることが分かった。このp−ATP被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を0.3質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に測定した導電率を表2に示す。
例6と同様にして得られたp−ATP被覆金ナノ粒子を、PANiの重合時に混合することによって、次のように複合化した。市販のアニリン(和光純薬工業株式会社製)を減圧蒸留して得たアニリン3.137g(3.4×10-2モル)及びp−ATP被覆金ナノ粒子0.383gを混合し、その混合物を、LiCl9.0gを溶解した1M塩酸43mL中に添加して、3時間、−10℃で混合した。その後、過硫酸アンモニウム11.53g(5.1×10-2モル)を溶解した水溶液41mLを、−10℃で攪拌している上記混合溶液に30分間掛けて滴下した。その後、引き続き24時間、−10℃で攪拌を続けて、得られた沈殿物を回収した。沈殿物を洗浄し、アンモニア水を用いて脱ドープし、再度洗浄した後、乾燥してPANiを収率95.5%で得た。得られたPANi中の金の含有量は、ICP分析により0.3質量%であることが分かった。
仕込み質量比をNPV/G−1=95/5として得られたP(VP−ANi)を使用し、金イオン還元前の溶液中で、P(VP−ANi)と金イオンAu3+のモル比を0.1:1とした以外は比較例2と同様にして、アルコール還元法によりP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を合成した。得られたP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子のX線回折測定により金の結晶ピークが観察され、そのピーク形状から結晶の大きさが11.3nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量が98.7質量%であることが分かった。このP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を1.1質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表4に示す。
例9と同様にして得られたP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を表4に示す値とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表4に示す。
金イオン還元前の溶液中で、P(VP−ANi)と金イオンAu3+のモル比を1:1とした以外は例9と同様にして、P(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を合成した。得られたP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子のX線回折測定により金の結晶ピークが確認され、そのピーク形状から結晶の大きさが6.9nmであることが分かった。ICP分析により、金の含有量は76.0質量%であることが分かった。このP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を1.9質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に測定した導電率及びゼーベック係数を表4に示す。
例14と同様にして得られたP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を5.6質量%とした以外は例1と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表4に示す。
例14で得られたP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を1.6質量%とした以外は例7と同様に、ポリアニリンの重合時にP(VP−ANi)被覆金ナノ粒子を混合して複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表4に示す。
比較例2で合成したPVP被覆金ナノ粒子を、PANiに対する金の含有量を9.9質量%とした以外は比較例2と同様に、導電性PANiと複合化した。例1と同様に導電率とゼーベック係数を測定した結果を表4に示す。
導電性高分子として、カンファースルホン酸(CSA)でドープしたポリアニリン(PANi)を使用して、次のように熱電素子を作製した。
例17と同様にして得たPANiのm−クレゾール溶液をポリイミドフィルム上にスクリーン印刷により塗布した。膜の厚み12μm、幅30mm×長さ30mmの正方形のPANiのパターンを間隔10mmで8つ形成した。このPANiパターンの導電率は16.5S/cmであり、ゼーベック係数は13.4μV/Kであった。また、このときのPANiのパターンの扁平率は2500(=30mm/12μm)であった。このPANiパターンを、直径0.1mm、長さ30mmの銅線と組み合わせて単位熱電対とし、PANiパターンと銅線の接続には導電性ペーストXC−32を用いた。この単位熱電対をポリイミドフィルム上に8対形成し、さらにこのフィルムを64枚積層して、512対の単位熱電対を直列に接続して、積層型熱電素子を作製した。銅の導電率は6.0×105S/cm、ゼーベック係数は1.8μV/Kである。
ポリアニリン(オルメコンNX−C002NB、日産化学工業株式会社製)を、ポリイミドフィルム基材上に塗布し、乾燥した後、厚み62μmのポリアニリンフィルムを得た。このポリアニリンフィルムの導電率は150S/cmであり、ゼーベック係数は13.4μV/Kであった。このフィルムを幅1mm×長さ40mmの短冊状に基材と一緒に切り出し、粘着層を有するポリイミドテープの粘着面に2mm間隔で接着した。ある文献によれば、導電性ポリアニリンの熱伝導率は0.02〜0.24W/(m・K)(27℃)と報告されている(H. Yan, et al., J. Therm. Anal. Cal., 69 (2002) 881)。
この例では、例4のp−ATP被覆金属ナノ粒子−導電性PANi複合体を用いて、例18と同様の構造を有する積層型熱電素子を作製した場合に、どの程度性能が向上するかを計算して示す。
単位熱電対の抵抗=PANiの抵抗+銅線の抵抗
=(1/PANiの導電率(S/cm))・(長さ(cm)/断面積(cm2))
+(1/銅の導電率(S/cm))・(長さ(cm)/断面積(cm2))
=(1/16.5)×(3/3×12×10−4)
+(1/5.99×105)×(3/7.85×10−5)
=50.5Ω+0.0638Ω
=50.6Ω
素子内の接触抵抗の合計=素子の抵抗合計−単位熱電対の抵抗の合計
=66.7kΩ−512(対)×50.6Ω
=66.7kΩ−25.9kΩ
=40.8kΩ
(i)ゼーベック係数が変わらないため、熱電素子の出力電圧は変わらない。
(ii)熱電素子内の接触抵抗は変わらない。
(iii)p−ATP被覆金属ナノ粒子−PANi複合体の導電率として、例4の382S/cmの値を用いる。
単位熱電対の抵抗=複合体の抵抗+銅線の抵抗
=(1/複合体の導電率(S/cm))・(長さ(cm)/断面積(cm2))
+(1/銅の導電率(S/cm))・(長さ(cm)/断面積(cm2))
=(1/382)×(3/3×12×10−4)
+(1/5.99×105)×(3/7.85×10−5)
=2.18Ω+0.0638Ω
=2.24Ω
単位熱電対の抵抗の合計=512(対)×2.24Ω
=1.15kΩ
素子抵抗=単位熱電対の抵抗の合計+接触抵抗
=1.15kΩ+40.8kΩ
≒42.0kΩ
出力電流=140mV/42.0kΩ
=3.3μA
20、220 金属ナノ粒子
30、230 導電性高分子
50、250 正電荷
60 熱電素子
61 積層型熱電素子
70 基材
80 第1の熱電材料
90 第2の熱電材料
100 導電性材料
101、102 接点
110 端子
111 リード線
210 従来の保護剤
240 絶縁性領域
Claims (10)
- 導電性高分子、及び
保護剤で被覆された金属ナノ粒子を含む、導電性高分子複合体であって、
前記保護剤が、前記導電性高分子の骨格構造の少なくとも一部分及び前記金属ナノ粒子と相互作用する部分を分子内に有する化合物である、導電性高分子複合体。 - 前記導電性高分子が、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、及びこれらの誘導体からなる群から選択される、請求項1に記載の導電性高分子複合体。
- 前記保護剤が、前記導電性高分子がポリアニリンを含む場合、4−アミノチオフェノール、2−アミノチオフェノール、3−アミノチオフェノール、2−アミノベンゼンスルホン酸、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、2−アミノベンゾニトリル、3−アミノベンゾニトリル、4−アミノベンゾニトリル、2−アミノベンジルシアニド、3−アミノベンジルシアニド、4−アミノベンジルシアニド、N−フェニル−1,2−フェニレンジアミン、又はN−フェニル−1,4−フェニレンジアミンか、あるいはN−ビニルピロリドンとN−フェニル−N’−(3−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−p−フェニレンジアミンとの共重合体から選択され;前記導電性高分子がポリチオフェン又はポリチエニレンビニレンを含む場合、3−(2−チエニル)−DL−アラニン、4−(2−チエニル)酪酸、2−(2−チエニル)エタノール、2−(3−チエニル)エタノール、2−チオフェン酢酸、3−チオフェン酢酸、2−チオフェンアセトニトリル、2−チオフェンカルボニトリル、2−チオフェンカルボキサミド、2−チオフェンカルボン酸、3−チオフェンカルボン酸、2−チオフェンカルボン酸ヒドラジド、2,5−チオフェンジカルボン酸、2−チオフェンエチルアミン、2−チオフェングリオキシル酸、2−チオフェンマロン酸、2−チオフェンメタノール、又は3−チオフェンメタノールから選択され;前記導電性高分子がポリピロールを含む場合、ピロール−2−カルボン酸、又は1−(2−シアノエチル)ピロールから選択され;前記導電性高分子がポリフェニレンビニレンを含む場合、安息香酸、ベンゼンチオール、ベンゼンスルホン酸、3−ビニル安息香酸、又は4−ビニル安息香酸から選択される、請求項2に記載の導電性高分子複合体。
- 前記金属ナノ粒子が、金、白金、パラジウム、銀、ロジウム、ニッケル、銅、及びスズ、並びにそれらの合金からなる群から選択される材料で作られる、請求項1〜3のいずれか1つに記載の導電性高分子複合体。
- 前記保護剤のモル数が、前記金属ナノ粒子1モルあたり0.1〜50である、請求項1〜4のいずれか1つに記載の導電性高分子複合体。
- 前記金属ナノ粒子の含有量が、前記導電性高分子の質量を基準として、0.01質量%以上である、請求項1〜5のいずれか1つに記載の導電性高分子複合体。
- (a)耐熱性を有する基材と、
(b)薄膜形状で前記基材上に配設されている、導電性高分子を含む少なくとも1つの第1の熱電材料と、
(c)薄膜形状又はワイヤ形状で前記基材上に前記第1の熱電材料から間隔を空けて隣り合わせに配設されて、その隣り合う第1の熱電材料と一緒に単位熱電対を構成する、n型半導体又は金属を含む少なくとも1つの第2の熱電材料と、
(d)前記第1の熱電材料と前記第2の熱電材料が交互して電気的に直列に接続されかつ両末端が開放された回路を形成するように、前記第1の熱電材料の端部と前記第2の熱電材料の端部とを電気的に接続する導電性材料と
を備える、熱電素子。 - 前記導電性高分子がポリアニリンである、請求項7に記載の熱電素子。
- 前記第1の熱電材料が、保護剤で被覆された金属ナノ粒子をさらに含み、前記保護剤が、前記導電性高分子の骨格構造の少なくとも一部分及び前記金属ナノ粒子と相互作用する部分を分子内に有する化合物である、請求項7又は8のいずれかに記載の熱電素子。
- 前記基材が可撓性である、請求項7〜9のいずれか1つに記載の熱電素子。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013018732A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 導電性ポリマー-金属複合体の析出方法及び導電性ポリマー-金属複合体 |
WO2013047730A1 (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料及び熱電変換素子 |
WO2013046917A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 株式会社日立製作所 | 有機無機複合物およびその製造方法 |
WO2013114854A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 日本電気株式会社 | 有機熱電発電素子およびその製造方法 |
WO2014006932A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換材料及び熱電変換素子 |
WO2014046306A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 住友化学株式会社 | 導電性膜形成用の組成物 |
WO2014119468A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子並びにこれを用いた熱電発電用物品及びセンサー用電源 |
JP2014204123A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | ハーマン ベッカー オートモーティブ システムズ ゲーエムベーハー | 印刷回路基板一体型熱電冷却器/加熱器 |
JP2014241355A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 熱電変換材料 |
JPWO2013141065A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-08-03 | リンテック株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2015162502A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | トヨタ紡織株式会社 | 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 |
WO2015130364A3 (en) * | 2013-12-05 | 2015-11-26 | Robert Bosch Gmbh | Materials for thermoelectric energy conversion |
JP2016082132A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
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JPWO2016068054A1 (ja) * | 2014-10-31 | 2017-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換素子および熱電変換モジュール |
JP2018125498A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Tdk株式会社 | 熱電変換装置 |
JP2020511791A (ja) * | 2017-03-09 | 2020-04-16 | ラチース,リカルド | 変換材料 |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101580318B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2015-12-28 | 삼성전자주식회사 | 나노 금속 결합용 단량체, 전도성 고분자 복합체 및 그의제조방법 |
US7952174B2 (en) * | 2009-05-28 | 2011-05-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing air-gap insulation between adjacent conductors using nanoparticles |
JP2011084814A (ja) | 2009-09-18 | 2011-04-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 銀−共役化合物複合体 |
WO2011034177A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 住友化学株式会社 | 銀-共役化合物複合体 |
KR20120071254A (ko) * | 2010-12-22 | 2012-07-02 | 한국전자통신연구원 | 열전소자 및 그 제조 방법 |
US9704612B2 (en) | 2011-03-17 | 2017-07-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Composition of silver-conjugated compound composite |
US9120898B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-09-01 | Baker Hughes Incorporated | Method of curing thermoplastic polymer for shape memory material |
US8939222B2 (en) | 2011-09-12 | 2015-01-27 | Baker Hughes Incorporated | Shaped memory polyphenylene sulfide (PPS) for downhole packer applications |
KR101378949B1 (ko) * | 2011-09-23 | 2014-04-18 | 한국과학기술원 | 공중합체로 기능화된 나노 입자를 포함하는 주형 고분자와 전도성 고분자 복합재 조성물 |
US8829119B2 (en) | 2011-09-27 | 2014-09-09 | Baker Hughes Incorporated | Polyarylene compositions for downhole applications, methods of manufacture, and uses thereof |
US9144925B2 (en) | 2012-01-04 | 2015-09-29 | Baker Hughes Incorporated | Shape memory polyphenylene sulfide manufacturing, process, and composition |
US10062825B2 (en) * | 2012-06-28 | 2018-08-28 | City University Of Hong Kong | Thermo-electric generator module |
EP2911159A4 (en) * | 2012-10-24 | 2016-04-06 | Nat Inst For Materials Science | ADHESIVE BODY BETWEEN CONDUCTIVE POLYMETAL COMPLEX AND SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING ADHESIVE BODY, CONDUCTIVE POLYMETAL COMPLEX DISPERSION LIQUID, METHOD FOR THE PRODUCTION AND USE THEREOF, AND METHOD OF LOOSING FILLING USING CONDUCTIVE MATERIAL |
US9707642B2 (en) | 2012-12-07 | 2017-07-18 | Baker Hughes Incorporated | Toughened solder for downhole applications, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
WO2014115909A1 (ko) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 연세대학교 산학협력단 | 전기 전도성 고분자의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전기 전도성 고분자의 박막을 포함하는 열전소자 |
KR101602726B1 (ko) * | 2013-01-24 | 2016-03-11 | 연세대학교 산학협력단 | 전기 전도성 고분자의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전기 전도성 고분자의 박막을 포함하는 열전소자 |
US9595654B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-03-14 | Baker Hughes Incorporated | Thermoelectric polymer composite, method of making and use of same |
DE102013108791B3 (de) * | 2013-08-14 | 2014-12-11 | O-Flexx Technologies Gmbh | Verfahren zum Abscheiden von thermoelektrischem Material |
JP6355492B2 (ja) | 2013-10-03 | 2018-07-11 | アルパッド株式会社 | 複合樹脂及び電子デバイス |
CN103579487B (zh) * | 2013-11-13 | 2017-02-15 | 东华大学 | 一种低维纳米银/聚苯胺基热电材料及其制备方法 |
US20190103540A1 (en) * | 2013-12-06 | 2019-04-04 | Sridhar Kasichainula | Double-sided metal clad laminate based flexible thermoelectric device and module |
US10566515B2 (en) | 2013-12-06 | 2020-02-18 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited N-type and P-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
US10141492B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-11-27 | Nimbus Materials Inc. | Energy harvesting for wearable technology through a thin flexible thermoelectric device |
US10367131B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-07-30 | Sridhar Kasichainula | Extended area of sputter deposited n-type and p-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device |
US10290794B2 (en) | 2016-12-05 | 2019-05-14 | Sridhar Kasichainula | Pin coupling based thermoelectric device |
US11024789B2 (en) | 2013-12-06 | 2021-06-01 | Sridhar Kasichainula | Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of N-type and P-type thermoelectric legs |
US20180090660A1 (en) * | 2013-12-06 | 2018-03-29 | Sridhar Kasichainula | Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs |
US20190198744A1 (en) * | 2013-12-06 | 2019-06-27 | Sridhar Kasichainula | Hybrid solar and solar thermal device with embedded flexible thin-film based thermoelectric module |
ES2549828B1 (es) * | 2014-04-30 | 2016-07-14 | Universitat De València | Dispositivo termoeléctrico orgánico, sistema termoeléctrico, método para la fabricación del dispositivo, revestimiento para cerramiento, cerramiento y sistema híbrido solar termoeléctrico |
KR101636908B1 (ko) | 2014-05-30 | 2016-07-06 | 삼성전자주식회사 | 신축성 열전 복합체 및 이를 포함하는 열전소자 |
CN105374926B (zh) * | 2014-08-06 | 2018-04-06 | 中国科学院化学研究所 | 一种柔性多功能传感器及其制备方法与应用 |
CN104176701B (zh) * | 2014-08-18 | 2016-08-24 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 有机配体包裹的金纳米颗粒薄膜及其场致电子发射装置 |
US9587076B2 (en) | 2014-09-23 | 2017-03-07 | The Boeing Company | Polymer nanoparticles for controlling resin reaction rates |
US10160840B2 (en) | 2014-09-23 | 2018-12-25 | The Boeing Company | Polymer nanoparticles for controlling permeability and fiber volume fraction in composites |
US10472472B2 (en) | 2014-09-23 | 2019-11-12 | The Boeing Company | Placement of modifier material in resin-rich pockets to mitigate microcracking in a composite structure |
US10808123B2 (en) | 2014-09-23 | 2020-10-20 | The Boeing Company | Nanoparticles for improving the dimensional stability of resins |
US9845556B2 (en) | 2014-09-23 | 2017-12-19 | The Boeing Company | Printing patterns onto composite laminates |
US10072126B2 (en) | 2014-09-23 | 2018-09-11 | The Boeing Company | Soluble nanoparticles for composite performance enhancement |
US9862828B2 (en) | 2014-09-23 | 2018-01-09 | The Boeing Company | Polymer nanoparticle additions for resin modification |
US10662302B2 (en) | 2014-09-23 | 2020-05-26 | The Boeing Company | Polymer nanoparticles for improved distortion capability in composites |
US11276810B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-15 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
US11283000B2 (en) | 2015-05-14 | 2022-03-22 | Nimbus Materials Inc. | Method of producing a flexible thermoelectric device to harvest energy for wearable applications |
US9584061B1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-02-28 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Electric drive systems including smoothing capacitor cooling devices and systems |
US10139287B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-11-27 | Raytheon Company | In-situ thin film based temperature sensing for high temperature uniformity and high rate of temperature change thermal reference sources |
JP6804931B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-12-23 | オリンパス株式会社 | 医療機器用付着防止膜および医療機器 |
KR20170111840A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 현대자동차주식회사 | 열전모듈 및 그 제조방법 |
CN106090808A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-11-09 | 西安理工大学 | 一种高效热电转换led灯 |
US10468574B2 (en) | 2017-05-04 | 2019-11-05 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Thermoelectric materials and related compositions and methods |
US11152556B2 (en) | 2017-07-29 | 2021-10-19 | Nanohmics, Inc. | Flexible and conformable thermoelectric compositions |
CN110003496B (zh) * | 2018-09-29 | 2022-04-15 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种聚合物分散体的制备方法及聚合物分散体 |
CN110010353B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-01-01 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种聚合物分散体及固态电解电容器 |
WO2020063794A1 (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-02 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 聚合物分散体及其制备方法、固态电解电容器 |
US11024788B2 (en) * | 2018-10-26 | 2021-06-01 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Flexible thermoelectric generator and method for fabricating the same |
KR102168167B1 (ko) | 2019-05-29 | 2020-10-21 | 중앙대학교 산학협력단 | 히터 열공정을 이용한 웨어러블 디바이스용 도전사 제조장치 및 제조방법 |
US20220209091A1 (en) * | 2019-06-07 | 2022-06-30 | University Of Notre Dame Du Lac | Aerosol jet printing and sintering of thermoelectric devices |
CN110400867B (zh) * | 2019-07-31 | 2022-12-06 | 太仓碧奇新材料研发有限公司 | 一种纸基热电薄膜的制备方法 |
KR102314950B1 (ko) * | 2019-11-19 | 2021-10-21 | 울산과학기술원 | 주석-셀레나이드 박막의 제조 방법, 이를 사용하여 제조된 주석-셀레나이드 박막 및 이를 포함하는 열전소재 |
CN110882712A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-03-17 | 大连理工大学 | 一种金属有机聚合物热解制备硅化物催化剂的方法 |
KR102564964B1 (ko) * | 2021-01-22 | 2023-08-07 | 한남대학교 산학협력단 | 연료전지용 전극 촉매 및 이의 제조방법 |
KR102539290B1 (ko) * | 2021-04-14 | 2023-06-05 | 한양대학교 산학협력단 | 금속-유기 골격체를 포함하는 전자 시냅스 소자의 활성층 형성용 조성물, 이를 이용한 활성층 형성 방법 및 활성층을 포함하는 전자 시냅스 소자 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2973050A (en) * | 1959-07-16 | 1961-02-28 | Lucius L Bennett | Motor vehicle throttle lock |
JPH04202707A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法 |
JP2003155355A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超微粒子を含有する樹脂組成物成形体 |
WO2003089515A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Composition de semi-conducteur organique, element semi-conducteur organique et procede pour les produire |
US20050040370A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-02-24 | Gurin Michael H. | Quantum lilypads and amplifiers and methods of use |
JP2006502254A (ja) * | 2002-09-24 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法 |
WO2007004033A2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | National University Of Singapore | An electrically conductive composite |
JP2007138112A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Tokai Rubber Ind Ltd | 導電性ポリマー組成物およびそれを用いた電子写真機器用導電性部材 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188464A (ja) | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜熱電素子及びその製造方法 |
US5973050A (en) | 1996-07-01 | 1999-10-26 | Integrated Cryoelectronic Inc. | Composite thermoelectric material |
JP3168318B2 (ja) | 1996-08-29 | 2001-05-21 | 日本航空電子工業株式会社 | 薄膜熱電変換装置 |
JP2002305330A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 熱起電力増幅用素子 |
JP3927784B2 (ja) | 2001-10-24 | 2007-06-13 | 北川工業株式会社 | 熱電変換部材の製造方法 |
US7800194B2 (en) * | 2002-04-23 | 2010-09-21 | Freedman Philip D | Thin film photodetector, method and system |
US20060102871A1 (en) * | 2003-04-08 | 2006-05-18 | Xingwu Wang | Novel composition |
JP3743801B2 (ja) | 2003-06-02 | 2006-02-08 | 国立大学法人神戸大学 | 貴金属系触媒担持導電性高分子複合体の製造方法 |
JP3981738B2 (ja) | 2004-12-28 | 2007-09-26 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 熱電変換素子 |
JP4568820B2 (ja) | 2005-03-10 | 2010-10-27 | 国立大学法人大阪大学 | π共役系分子化合物−金属ナノクラスターの製造方法 |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2008270161A patent/JP5243181B2/ja active Active
-
2009
- 2009-10-19 US US13/122,488 patent/US8519505B2/en active Active
- 2009-10-19 KR KR1020117011053A patent/KR20110086047A/ko active Application Filing
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- 2009-10-19 EP EP09743998.8A patent/EP2350181B1/en not_active Not-in-force
- 2009-10-19 WO PCT/US2009/061121 patent/WO2010048066A2/en active Application Filing
- 2009-10-19 CN CN200980150035.0A patent/CN102245688B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-22 US US13/947,211 patent/US8669635B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2973050A (en) * | 1959-07-16 | 1961-02-28 | Lucius L Bennett | Motor vehicle throttle lock |
JPH04202707A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法 |
JP2003155355A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超微粒子を含有する樹脂組成物成形体 |
WO2003089515A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Composition de semi-conducteur organique, element semi-conducteur organique et procede pour les produire |
JP2006502254A (ja) * | 2002-09-24 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法 |
US20050040370A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-02-24 | Gurin Michael H. | Quantum lilypads and amplifiers and methods of use |
WO2007004033A2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | National University Of Singapore | An electrically conductive composite |
JP2009500802A (ja) * | 2005-07-01 | 2009-01-08 | ナショナル ユニバーシティー オブ シンガポール | 導電性複合材料 |
JP2007138112A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Tokai Rubber Ind Ltd | 導電性ポリマー組成物およびそれを用いた電子写真機器用導電性部材 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013018732A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2015-03-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 導電性ポリマー−金属複合体の析出方法及び導電性ポリマー−金属複合体 |
WO2013018732A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 導電性ポリマー-金属複合体の析出方法及び導電性ポリマー-金属複合体 |
US10043598B2 (en) | 2011-08-01 | 2018-08-07 | National Institute For Materials Science | Process for precipitation of conducting polymer/metal composites, and conducting polymer/metal composites |
WO2013046917A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 株式会社日立製作所 | 有機無機複合物およびその製造方法 |
JP2013072096A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Hitachi Ltd | 有機無機複合物およびその製造方法 |
WO2013047730A1 (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料及び熱電変換素子 |
WO2013114854A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 日本電気株式会社 | 有機熱電発電素子およびその製造方法 |
JPWO2013141065A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-08-03 | リンテック株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
WO2014006932A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換材料及び熱電変換素子 |
WO2014046306A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 住友化学株式会社 | 導電性膜形成用の組成物 |
WO2014119468A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子並びにこれを用いた熱電発電用物品及びセンサー用電源 |
JP2014204123A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | ハーマン ベッカー オートモーティブ システムズ ゲーエムベーハー | 印刷回路基板一体型熱電冷却器/加熱器 |
JP2014241355A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 熱電変換材料 |
WO2015130364A3 (en) * | 2013-12-05 | 2015-11-26 | Robert Bosch Gmbh | Materials for thermoelectric energy conversion |
US10439121B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-10-08 | Robert Bosch Gmbh | Materials for thermoelectric energy conversion |
JP2015162502A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | トヨタ紡織株式会社 | 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 |
KR20160127740A (ko) | 2014-02-28 | 2016-11-04 | 고쿠리츠다이가쿠호징 나라 센탄카가쿠기쥬츠 다이가쿠인 다이가쿠 | 열전 변환 재료 및 열전 변환 소자 |
JP2016082132A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
JPWO2016068054A1 (ja) * | 2014-10-31 | 2017-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換素子および熱電変換モジュール |
JP2018125498A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Tdk株式会社 | 熱電変換装置 |
JP2020511791A (ja) * | 2017-03-09 | 2020-04-16 | ラチース,リカルド | 変換材料 |
US10950775B2 (en) | 2017-03-09 | 2021-03-16 | Gerold Kotman | Conversion material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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