JP2010087340A - 基板検出装置および方法 - Google Patents

基板検出装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010087340A
JP2010087340A JP2008256268A JP2008256268A JP2010087340A JP 2010087340 A JP2010087340 A JP 2010087340A JP 2008256268 A JP2008256268 A JP 2008256268A JP 2008256268 A JP2008256268 A JP 2008256268A JP 2010087340 A JP2010087340 A JP 2010087340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrates
light source
substrate detection
reflector
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008256268A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5185756B2 (ja
Inventor
Masayuki Enomoto
本 雅 幸 榎
Masao Takatori
取 正 夫 鷹
Yoichi Nakamura
村 洋 一 中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawasaki Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Kawasaki Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2008256268A priority Critical patent/JP5185756B2/ja
Application filed by Kawasaki Heavy Industries Ltd filed Critical Kawasaki Heavy Industries Ltd
Priority to PCT/JP2009/066938 priority patent/WO2010038735A1/ja
Priority to EP09817767.8A priority patent/EP2346072B1/en
Priority to KR1020117007656A priority patent/KR101298791B1/ko
Priority to CN200980138891.4A priority patent/CN102171806B/zh
Priority to US13/121,498 priority patent/US9202732B2/en
Priority to TW098133411A priority patent/TWI414778B/zh
Publication of JP2010087340A publication Critical patent/JP2010087340A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5185756B2 publication Critical patent/JP5185756B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette

Abstract

【課題】カセット内の複数の基板の収納状態を迅速且つ確実に検出すること。
【解決手段】本発明の基板検出装置1は、複数の基板11の傍らに配置されるコリメート反射板4と、コリメート反射板4に向けて面状に光を放射する照明手段2,5であって、その光路内に複数の基板11の端部が位置するように配置される、照明手段2,5と、照明手段から面状に放射された光によってコリメート反射板4上に形成された、複数の基板11の端部を含む照明透過像を撮像する撮像手段3と、撮像手段3により取得された照明透過像の画像を処理して、複数の基板11の収納状態を検出する画像処理手段6と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、カセット内に収納された複数の基板の収納状態を検出するための装置および方法に関する。とりわけ本発明は、ウエハカセット(FOUP)内に収納された複数の半導体ウエハの収納状態を検出するのに適している。
従来、ウエハカセット(FOUP)内に収納された複数のウエハの収納状態を検出する方法として、透過式光スイッチにより、ウエハ端部を機械的にスキャンし、遮光検知によりマッピングを行う方式(遮光式センサスキャン)が知られている。
また、ウエハカセット内に収納されたウエハをカメラで撮影し、その画像を処理してウエハの収納状態を検出する方式も知られている。このような画像を利用したマッピングセンサの手法として、ウエハ面に垂直な2点間の輝度プロファイル線を複数取得して解析する方法がある。
特開2005−5347号公報 特表2005−520350号公報
しかしながら、上述した遮光式センサスキャンによるマッピング方式では、簡便なものではあるが、機構部分へのセンサ取付けが必須であり、また、機械式スキャンに比較的長い時間を要する上、飛び出し検知機能については別途専用のセンサを追加設置する必要がある。
ここで、「飛び出し検知」とは、ウエハカセット内に収納されているウエハが、規定の収納位置よりも前方に飛び出している状態を検知することを言う。
また、画像から取得した輝度プロファイル線を解析する方法においては、そのピーク(ウエハ端の反射を捕らえている)の位置および間隔からウエハの有無およびクロスウエハ等を判定しているため、局所的な外乱に弱いという問題がある。
この問題を解決するためには、輝度プロファイル線を増やして加算し、これにより局所的な外乱の影響を取り除く方法が提案されている。
しかし結局のところ、ウエハ端部の反射を利用した画像処理方法においては、ウエハにコーティング剤等の付着物が存在する場合には反射率が低下して、反射像を検知できない場合があり、透過式のウエハ検出方式に比べて信頼性が低いという問題がある。
本発明は、上述した従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであって、カセット内の複数の基板の収納状態を迅速且つ確実に検出することができる基板検出装置および方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、カセット内に収納された複数の基板の収納状態を検出するための装置において、前記複数の基板の傍らに配置されるコリメート反射板と、前記コリメート反射板に向けて面状に光を放射する照明手段であって、その光路内に前記複数の基板の端部が位置するように配置される、照明手段と、前記照明手段から面状に放射された光によって前記コリメート反射板上に形成された、前記複数の基板の端部を含む照明透過像を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により取得された前記照明透過像の画像を処理して、前記複数の基板の収納状態を検出する画像処理手段と、を備えたことを特徴とする。
好ましくは、前記照明手段は、前記コリメート反射板に向けて光を放射する点光源と、前記コリメート反射板で反射されて平行化された光を、前記コリメート反射板に向けて反射する再帰反射板と、を含む。
好ましくは、前記点光源と前記撮像手段とが互いに略同軸位置に配置されている。
好ましくは、前記照明手段は面光源を含む。
好ましくは、前記点光源又は前記面光源は発光ダイオードを含む。
好ましくは、前記コリメート反射板は、放物線ミラーから成る。
好ましくは、前記コリメート反射板は、複数の平面ミラーを全体として略曲面状に組み合わせて形成された曲面ミラーから成る。
上記課題を解決するために、本発明は、カセット内に収納された複数の基板の収納状態を検出する方法において、前記複数の基板の傍らに配置されたコリメート反射板に向けて、照明手段から面状の光を放射する工程であって、その光路内に前記複数の基板の端部が位置している、照明工程と、前記照明手段から面状に放射された光によって前記コリメート反射板上に形成された、前記複数の基板の端部を含む照明透過像を撮像手段によって撮像する撮像工程と、前記撮像手段により取得された前記照明透過像の画像を画像処理手段によって処理して、前記複数の基板の収納状態を検出する検出工程と、を備えたことを特徴とする。
好ましくは、前記照明工程において、点光源から前記コリメート反射板に向けて光を放射し、前記コリメート反射板で反射されて平行化された光を、その光路内に前記複数の基板の端部が位置するように前記コリメート反射板に向けて再帰反射板により反射する。
好ましくは、前記点光源と前記撮像手段とが互いに略同軸位置に配置されている。
好ましくは、前記照明手段は面光源を含む。
好ましくは、前記点光源又は前記面光源は発光ダイオードを含む。
好ましくは、前記コリメート反射板は、放物線ミラーから成る。
好ましくは、前記コリメート反射板は、複数の平面ミラーを全体として略曲面状に組み合わせて形成された曲面ミラーから成る。
以下、本発明の一実施形態としての基板検出装置および方法について、図面を参照しながら説明する。
図1に示したように本実施形態による基板検出装置1は、FOUP(ウエハカセット)10内に収納された複数の半導体ウエハ11の収納状態を検出するためのものである。
なお、半導体ウエハ11は円形平板状を成しており、ウエハ搬送用ロボットのアーム先端に取り付けられたハンドによってFOUP10に対して搬出入される。
基板検出装置1においては、発光ダイオード(LED)から成る高輝度の点光源2が、CCDカメラ(単眼カメラ)からなる撮像手段3と略同軸位置に配置されている。
点光源2からの光は、放射線ミラーから成るコリメート反射板4に向けて放射され、コリメート反射板4によって反射されて平行化される。
なお、コリメート反射板4は、放物線ミラーに代えて、複数の小型平面ミラーを全体として略曲面状に組み合わせて形成した曲面ミラーで構成することもできる。
コリメート反射板4に対向して再帰反射板5が配置されており、この再帰反射板5は、μCCRプレート(CCR: Corner Cube Reflector)で構成されている。
撮像手段3は伝送ケーブルによって画像処理手段6に接続されており、撮像手段3で取得された画像は、伝送ケーブルを介して画像処理手段6に伝送される。
上記構成を備えた基板検出装置1を用いてウエハ(基板)11の収納状態を検出する際には、点光源2からの光が放射され、コリメート反射板4によって反射されて平行化される。
さらに、コリメート反射板4により反射された光が、コリメート反射板4に対向して配置された再帰反射板5によって、コリメート反射板4に向けて反射される(照射工程)。
再帰反射板4により反射された光によって、コリメート反射板4上に、複数のウエハ11の端部を含む照明透過像が形成される。即ち、再帰反射板5により反射されてコリメート反射板4に向かう反射光の光路内に、複数のウエハ11の端部が位置している。
そして、コリメート反射板4上に映し出された、複数のウエハ11の端部を含む照明透過像を、CCDカメラより成る撮像手段3によって撮像する(撮像工程)。
図1(b)に示したように、コリメート反射板4のミラー法線と撮像手段(CCDカメラ)3のカメラ光軸とが平面図上で互いに平行にされており、これにより、ウエハ像が画像上で平行な像に結像する。
図2は、撮像手段3によって取得されたコリメータ反射板4上の照明透過像20のイメージ図である。
照明透過像20においては、複数のウエハ11の各端部によって遮光された部分が、複数の局所的な遮光部分(低輝度部分)として現れている。このため、照明透過像20を画像処理手段6によって解析することにより、カセット10内における複数のウエハ11の収納状態を検出することができる(検出工程)。
具体的には、遮光画素の画素数・間隔を解析することにより、カセット10の各スロット内にウエハ11が存在するか否かの判定、ダブルウエハの有無の判定、クロスウエハの有無の判定、および飛び出しウエハの有無(飛び出し量)の判定を行うことができる。
ここで、「ダブルウエハ」とは、同じスロット内に2枚のウエハが重なって収納されている場合を言う。「クロスウエハ」とは、ウエハが左右のスロットに段違いで収納されている場合を言う。「飛び出しウエハ」とは、ウエハが規定の収納位置よりも前方に飛び出している場合を言う。
図2の照明透過像20を参照して説明すると、あるスロットにウエハが存在しない場合には、そこに対応する遮光部分が欠落している。また、飛び出しウエハが存在する場合には、そこに対応する遮光部分が、他の遮光部分よりもY軸方向に長くなっている。クロスウエハが存在する場合には、そこに対応する遮光部分が、他の遮光部分よりもX軸方向に厚くなっており、かつ、2つのスロット位置にまたがっている。ダブルウエハが存在する場合には、そこに対応する部分が、他の遮光部分よりもX軸方向に2倍に厚くなっている。
上述の特徴を備えた本実施形態によれば、次に述べるような各種の優れた効果を奏することができる。
・本実施形態は、カメラを利用した画像処理方式を採用するものであるが、原理的には透過式の遮光センサをスキャンする方式に近いため、対象物であるウエハ11の反射率に左右されず、ウエハ11の収納状態を確実に検出することができる。
・ウエハ11の端部において、ある程度の幅(Y軸方向の長さ)について照明透過像20を得られるため、マッピングセンサの機能に加え、ウエハ11の飛び出しを確実に検知することができる。これは、従来の透過式の遮光センサを1度スキャンしただけでは実現できない。
・規定位置からのウエハ11の飛び出しを、遮光部分のY軸方向の長さの変化で検出するようにしたので、飛び出し量の定量化を容易に行うことができる。
・従来の透過式の遮光センサのような機械式スキャンが不要であり、機構の簡素化および処理時間の短縮化が可能である。
・ダブルウエハの検出を面積値により判定することにより、ダブルウエハの場合と正常の場合とで検出値が大きく変動する。このため、プロファイルを利用する従来の技術に比べて、ダブルウエハの検出をより確実に行うことができる。
・1台のカメラを用いて全ウエハ11の照明透過像20を一度に取得することが可能であり、これにより、小型且つ簡略な基板検出装置1を実現することができる。
次に、本発明の他の実施形態による基板検出装置1Aについて、図3を参照して説明する。
上述したように図1に示した基板検出装置1においては、点光源2からの光をコリメート反射板4で反射させて平行化し、平行化された光を再帰反射板5で反射させるようにしている。
これに対して、図3に示した基板検出装置1Aにおいては、図1に示した再帰反射板5の位置に透過型の面光源12を配置して、この面光源12からの平行光をコリメート反射板4に向けて放射するように構成されている。
透過型の面光源12は、LED素子を縦に1列並べて構成されたLED光源13と、このLED光源13から放射された光を透過する拡散透過板14とを備えている。拡散透過板14は、例えば曇りガラスで構成される。
LED光源13から放射された直後の光にはムラがあるが、拡散透過板14を透過させることにより、ムラのない均質な明るさを持つ面光源とすることができる。
図3に示した基板検出装置1Aにおいても、コリメート反射板4上に映し出された複数のウエハ11の端部を含む照明透過像を、CCDカメラより成る撮像手段3によって撮像し、画像処理手段6によって照明透過像を解析することにより、図1に示した基板検出装置1と同様の効果を奏することができる。
図4は、図3に示した実施形態の一変形例としての基板検出装置1Bを示しており、この装置1Bにおいては反射型の面光源15が用いられている。
この反射型の面光源15は、LED光源13から放射された光を、拡散反射板16で反射させるように構成されている。この面光源15によっても、ムラのない均質な光をコリメート反射板4に向けて放射することができる。
図4に示した基板検出装置1Bにおいても、図1に示した基板検出装置1と同様の効果が得られる。
以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に限定されるものではなく、上記実施形態に多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
本発明の一実施形態による基板検出装置の概略構成を、複数のウエハが収納されたFOUPと共に示した図であり、(a)が側面図、(b)が平面図。 図1に示した基板検出装置により取得された画像のイメージを示した図。 本発明の他の実施形態による基板検出装置を示した平面図。 図3に示した実施形態の一変形例による基板検出装置を示した平面図。
符号の説明
1 基板検出装置
2 点光源(発光ダイオード)
3 撮像手段(CCDカメラ)
4 コリメート反射板(放物線ミラー)
5 再帰反射板(μCCRプレート)
6 画像処理手段
10 ウエハカセット(FOUP)
11 ウエハ(基板)
12 透過型面光源
13 LED光源
14 拡散透過板
15 反射型面光源
16 拡散反射板
20 照明透過像

Claims (14)

  1. カセット内に収納された複数の基板の収納状態を検出するための装置において、
    前記複数の基板の傍らに配置されるコリメート反射板と、
    前記コリメート反射板に向けて面状に光を放射する照明手段であって、その光路内に前記複数の基板の端部が位置するように配置される、照明手段と、
    前記照明手段から面状に放射された光によって前記コリメート反射板上に形成された、前記複数の基板の端部を含む照明透過像を撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段により取得された前記照明透過像の画像を処理して、前記複数の基板の収納状態を検出する画像処理手段と、を備えた基板検出装置。
  2. 前記照明手段は、前記コリメート反射板に向けて光を放射する点光源と、前記コリメート反射板で反射されて平行化された光を、前記コリメート反射板に向けて反射する再帰反射板と、を含む請求項1記載の基板検出装置。
  3. 前記点光源と前記撮像手段とが互いに略同軸位置に配置されている請求項2記載の基板検出装置。
  4. 前記照明手段は面光源を含む請求項1記載の基板検出装置。
  5. 前記点光源又は前記面光源は発光ダイオードを含む請求項2乃至4のいずれか一項に記載の基板検出装置。
  6. 前記コリメート反射板は、放物線ミラーから成る請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板検出装置。
  7. 前記コリメート反射板は、複数の平面ミラーを全体として略曲面状に組み合わせて形成された曲面ミラーから成る請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板検出装置。
  8. カセット内に収納された複数の基板の収納状態を検出する方法において、
    前記複数の基板の傍らに配置されたコリメート反射板に向けて、照明手段から面状の光を放射する工程であって、その光路内に前記複数の基板の端部が位置している、照明工程と、
    前記照明手段から面状に放射された光によって前記コリメート反射板上に形成された、前記複数の基板の端部を含む照明透過像を撮像手段によって撮像する撮像工程と、
    前記撮像手段により取得された前記照明透過像の画像を画像処理手段によって処理して、前記複数の基板の収納状態を検出する検出工程と、を備えた基板検出方法。
  9. 前記照明工程において、点光源から前記コリメート反射板に向けて光を放射し、前記コリメート反射板で反射されて平行化された光を、その光路内に前記複数の基板の端部が位置するように前記コリメート反射板に向けて再帰反射板により反射する、請求項8記載の基板検出方法。
  10. 前記点光源と前記撮像手段とが互いに略同軸位置に配置されている請求項9記載の基板検出方法。
  11. 前記照明手段は面光源を含む請求項8記載の基板検出方法。
  12. 前記点光源又は前記面光源は発光ダイオードを含む請求項9乃至11のいずれか一項に記載の基板検出方法。
  13. 前記コリメート反射板は、放物線ミラーから成る請求項8乃至12のいずれか一項に記載の基板検出方法。
  14. 前記コリメート反射板は、複数の平面ミラーを全体として略曲面状に組み合わせて形成された曲面ミラーから成る請求項8乃至12のいずれか一項に記載の基板検出方法。
JP2008256268A 2008-10-01 2008-10-01 基板検出装置および方法 Active JP5185756B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008256268A JP5185756B2 (ja) 2008-10-01 2008-10-01 基板検出装置および方法
EP09817767.8A EP2346072B1 (en) 2008-10-01 2009-09-29 Substrate detection device and method
KR1020117007656A KR101298791B1 (ko) 2008-10-01 2009-09-29 기판검출장치 및 방법
CN200980138891.4A CN102171806B (zh) 2008-10-01 2009-09-29 基板检测装置及方法
PCT/JP2009/066938 WO2010038735A1 (ja) 2008-10-01 2009-09-29 基板検出装置および方法
US13/121,498 US9202732B2 (en) 2008-10-01 2009-09-29 Apparatus and method for detecting substrates
TW098133411A TWI414778B (zh) 2008-10-01 2009-10-01 Substrate detection device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008256268A JP5185756B2 (ja) 2008-10-01 2008-10-01 基板検出装置および方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010087340A true JP2010087340A (ja) 2010-04-15
JP5185756B2 JP5185756B2 (ja) 2013-04-17

Family

ID=42073496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008256268A Active JP5185756B2 (ja) 2008-10-01 2008-10-01 基板検出装置および方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9202732B2 (ja)
EP (1) EP2346072B1 (ja)
JP (1) JP5185756B2 (ja)
KR (1) KR101298791B1 (ja)
CN (1) CN102171806B (ja)
TW (1) TWI414778B (ja)
WO (1) WO2010038735A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011211048A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Kawasaki Heavy Ind Ltd 基板搬送ロボットの状態監視装置
CN104916573A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 北京七星华创电子股份有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态组合检测方法及装置
US20220285186A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for mapping wafers in a wafer carrier
WO2023171573A1 (ja) * 2022-03-11 2023-09-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 基板の検出方法及びロードポート

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5333408B2 (ja) * 2010-10-22 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 保持部材の姿勢判定装置、その方法、基板処理装置及び記憶媒体
US11880178B1 (en) 2010-11-16 2024-01-23 Ectoscan Systems, Llc Surface data, acquisition, storage, and assessment system
US9599461B2 (en) * 2010-11-16 2017-03-21 Ectoscan Systems, Llc Surface data acquisition, storage, and assessment system
TWI484160B (zh) * 2013-04-23 2015-05-11 Au Optronics Corp 基板檢測裝置與方法
JP5750472B2 (ja) * 2013-05-22 2015-07-22 株式会社安川電機 基板搬送ロボット、基板搬送システムおよび基板の配置状態の検出方法
CN105206550B (zh) * 2014-06-20 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室和半导体设备
KR101701419B1 (ko) * 2016-08-17 2017-02-02 주식회사 오토닉스 반사형 이미지 검출 센서
US10784134B2 (en) * 2017-05-03 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Image based substrate mapper
WO2019113064A1 (en) 2017-12-06 2019-06-13 Ectoscan Systems, Llc Performance scanning system and method for improving athletic performance
TWI641073B (zh) * 2018-03-09 2018-11-11 創意電子股份有限公司 晶圓載運裝置
JP7346839B2 (ja) * 2019-02-15 2023-09-20 Tdk株式会社 ロードポート
JP7324667B2 (ja) * 2019-09-20 2023-08-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7447661B2 (ja) * 2020-04-23 2024-03-12 Tdk株式会社 板状対象物の配列検出装置およびロードポート
US20210407831A1 (en) * 2020-06-30 2021-12-30 Brooks Automation, Inc. Substrate mapping apparatus and method therefor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283603A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Metsukusu:Kk 半導体ウェハ検出装置
JP2001093964A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Nikon Corp ウェハ検出装置
JP2003017548A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Sunx Ltd ウエハ検出装置
JP2003273197A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Sunx Ltd ウエハ飛び出し検出装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157230A (ja) * 1984-01-11 1985-08-17 Telmec Co Ltd 半導体ウエハ搬送方法
US4691999A (en) * 1986-04-04 1987-09-08 Hughes Aircraft Company Afocal beam expansion apparatus and method
JPS63131533A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Canon Inc 斜め基板検出装置および方法
JPH03239344A (ja) * 1990-02-17 1991-10-24 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ検知装置
US5225691A (en) * 1992-05-18 1993-07-06 Avalon Engineering, Inc. Semiconductor wafer cassette mapper with emitter and detector arrays for slot interrogation
JPH06244268A (ja) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Tohoku Ltd 移載装置
DE19535871C2 (de) * 1995-09-27 2000-02-10 Jenoptik Jena Gmbh Indexer für Magazinfächer eines Magazins und darin enthaltene scheibenförmige Objekte
JP3977485B2 (ja) * 1997-04-24 2007-09-19 東京エレクトロン株式会社 アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置
DE19814046C1 (de) * 1998-03-30 1999-11-18 Jenoptik Jena Gmbh Anordnung zur Detektion von scheibenförmigen Objekten in einer Kassette
JP3058615B2 (ja) * 1998-04-10 2000-07-04 株式会社山武 ウエハ検出装置
JP2005520350A (ja) 2000-12-01 2005-07-07 ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド ウエハマッピング装置及び方法
US6914233B2 (en) * 2001-12-12 2005-07-05 Shinko Electric Co., Ltd. Wafer mapping system
JP4163435B2 (ja) * 2002-03-29 2008-10-08 株式会社日本マイクロニクス 被検査基板の検査装置
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
JP4276440B2 (ja) * 2003-01-06 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
JP4028814B2 (ja) * 2003-04-21 2007-12-26 川崎重工業株式会社 マッピング装置
JP4196335B2 (ja) 2003-06-10 2008-12-17 株式会社安川電機 薄型基板検出方法
JP2006170622A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Olympus Corp 外観検査装置
WO2008100443A2 (en) * 2007-02-09 2008-08-21 Bright View Technologies, Inc. High contrast liquid crystal displays
CN105185026B (zh) * 2007-11-15 2018-09-11 爱克斯崔里斯科技有限公司 颗粒探测

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283603A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Metsukusu:Kk 半導体ウェハ検出装置
JP2001093964A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Nikon Corp ウェハ検出装置
JP2003017548A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Sunx Ltd ウエハ検出装置
JP2003273197A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Sunx Ltd ウエハ飛び出し検出装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011211048A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Kawasaki Heavy Ind Ltd 基板搬送ロボットの状態監視装置
CN104916573A (zh) * 2015-06-17 2015-09-16 北京七星华创电子股份有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态组合检测方法及装置
US20220285186A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for mapping wafers in a wafer carrier
WO2023171573A1 (ja) * 2022-03-11 2023-09-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 基板の検出方法及びロードポート

Also Published As

Publication number Publication date
JP5185756B2 (ja) 2013-04-17
EP2346072B1 (en) 2016-05-25
KR101298791B1 (ko) 2013-08-22
TWI414778B (zh) 2013-11-11
CN102171806A (zh) 2011-08-31
TW201028679A (en) 2010-08-01
US9202732B2 (en) 2015-12-01
KR20110049916A (ko) 2011-05-12
EP2346072A4 (en) 2012-11-28
EP2346072A1 (en) 2011-07-20
CN102171806B (zh) 2014-07-16
WO2010038735A1 (ja) 2010-04-08
US20110205354A1 (en) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5185756B2 (ja) 基板検出装置および方法
US6862097B2 (en) Three-dimensional shape measuring method, and three-dimensional shape measuring apparatus
WO2011062138A1 (ja) ウエハ検出装置
JP5512350B2 (ja) 基板搬送ロボットの状態監視装置
TW201339923A (zh) 光學觸控系統
JP3593950B2 (ja) 二次元コード読取装置
KR20100026923A (ko) 테스트 소켓 및 테스트 모듈
CN103033143B (zh) 光学探测器
US20150226543A1 (en) Optical probe, attachable cover, and shape measuring apparatus
JP2007279047A (ja) 光学検査システム
JP5529522B2 (ja) 基板収納状態検出装置及び基板収納状態検出方法
KR101658700B1 (ko) 표면 검사 광학장치 및 표면 검사방법
JP3568482B2 (ja) 板状体の傷検出方法及び装置
US8852859B2 (en) Method and/or system for measuring concentration of detection target using transmission or reflection of light
JP2007123561A (ja) ウエハ外周部検査装置
KR100611129B1 (ko) 광전센서
US7045803B2 (en) Missing die detection
TWI261661B (en) Angled sensors for detecting substrates
JP6663156B2 (ja) 物体検出装置
JP2010219852A (ja) 画像読取装置
JP2885443B2 (ja) フラットパッケージ集積回路のリード検査装置
JP2004325268A (ja) 表面欠陥検出装置および表面欠陥検出方法
JP2010032242A (ja) 基板検出装置
JP2019149297A (ja) 光源装置および投光装置
JP2014017293A (ja) 電子部品の搭載方法、部品搭載ヘッドおよび電子部品搭載装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5185756

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250