JP2010067696A - 光トランシーバ - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル基板の高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制された光トランシーバを提供する。
【解決手段】ＯＳＡ１０と回路基板２０とこれらを接続するフレキシブル基板３０とを具備する光トランシーバであって、フレキシブル基板３０が、同一面上に互いに離間して設けられた高速信号線路３４および高速信号線路以外の他の線路３２と、これらと離間して対向配置されたグランド層４４と、高速信号線路３４、他の線路３２およびグランド層４４と離間して配置された抵抗体層５４とを有し、抵抗体層５４が、他の線路３２の少なくとも一部と対向している。
【選択図】図２

Description

本発明は、光信号を送信および受信する光トランシーバに関する。

光トランシーバは、通常、電気信号を受けて光信号に変換する光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）および光信号を受けて電気信号に変換する光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）と、ＴＯＳＡへの電気信号を発生させるＬＤドライバ、ＲＯＳＡからの電気信号を増幅するリミッタアンプ等を実装した回路基板と、ＴＯＳＡやＲＯＳＡと回路基板とを接続するフレキシブル基板とを具備する（例えば、特許文献１）。

ＴＯＳＡやＲＯＳＡは、発光素子であるレーザダイオード（ＬＤ）または受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と他の部品とが集積化されたアセンブリ品となっている。該アセンブリ品は、光サブアセンブリ（ＯＳＡ）と呼ばれる。
フレキシブル基板は、ＴＯＳＡやＲＯＳＡと回路基板との間で電気信号を伝送する高速信号線路と、ＴＯＳＡやＲＯＳＡに電源供給を行う電源線路等の、高速信号線路以外の他の線路と、グランド層とを有する。

近年、光通信における信号伝送速度が向上している。そして、信号伝送速度の向上に伴い、光トランシーバの高速信号線路を伝送される電気信号が高周波化されている。しかし、高速信号線路に高周波信号を供給する半導体素子等で発生した不要な高周波電流、あるいは高速信号線路のインピーダンス不整合箇所での反射による共鳴等により発生した不要な高周波電流が、電源線路等の他の線路に流れ込み、これが高周波の伝導ノイズとなって、高速信号線路を伝送される高周波信号等に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。
特開２００７−０４３４９６号公報

本発明は、フレキシブル基板の高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制された光トランシーバを提供する。また、本発明はさらに、高速信号線路を伝送される高周波信号の劣化が少ない光トランシーバを提供する。

本発明の光トランシーバは、光サブアセンブリと、回路基板と、前記光サブアセンブリと前記回路基板とを接続するフレキシブル基板とを具備する光トランシーバであって、前記フレキシブル基板が、互いに離間して設けられた、高周波信号を伝送する高速信号線路と、該高速信号線路以外の他の線路と、グランド層と、抵抗体層とを有し、前記抵抗体層が、前記他の線路の少なくとも一部と対向していることを特徴とする。
前記抵抗体層は、前記高速信号線路と対向していないことが好ましい。

前記フレキシブル基板は、途中で折り返されて配置され、折り返されて対向している一方のフレキシブル基板の高速信号線路は、他方のフレキシブル基板の抵抗体層と対向していないことが好ましい。
前記抵抗体層は、前記他の線路のエッジ部の近傍に対向展開されていることが好ましい。
前記他の線路は、前記抵抗体層と対向している部分にて複数の線に分割されていることが好ましい。

本発明の光トランシーバは、フレキシブル基板の高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制されたものとなる。また、抵抗体層と高速信号線路とが対向していなければ、高速信号線路を伝送される高周波信号の劣化が少ないものとなる。

本明細書において「対向」しているとは、フレキシブル基板の表面に直交する方向から見たときに少なくとも一部が重なり合う状態をいう。

＜光トランシーバ＞
光トランシーバは、通常、電気信号を受けて光信号に変換するＴＯＳＡと、光信号を受けて電気信号に変換するＲＯＳＡと、ＴＯＳＡへの電気信号を発生させるＬＤドライバ、ＲＯＳＡからの電気信号を増幅するリミッタアンプ等を実装した回路基板と、ＴＯＳＡと回路基板とを接続する第１のフレキシブル基板と、ＲＯＳＡと回路基板とを接続する第２のフレキシブル基板とを具備する。

図１は、光トランシーバにおけるＯＳＡと回路基板との接続状態の一例を示す斜視図である。ＯＳＡ１０と回路基板２０とは、ＯＳＡ１０に接続する側が略１８０度に折り返され、回路基板２０に接続する側が略９０度に折り曲げられたフレキシブル基板３０によって接続されている。なお、図中のＯＳＡは１つのみであるが、通常、１つの回路基板には、２つのＯＳＡ（ＴＯＳＡおよびＲＯＳＡ）が接続される。

ＯＳＡ１０側の接続は、ＯＳＡ１０から突設されたリードピン（図示略）を、フレキシブル基板３０の高速信号線路３４および高速信号線路以外の他の線路３２（以下、単に「他の線路」と記す。）の一端に設けられたスルーホール３６に挿入し、半田等によって固定することによって行われる。
回路基板２０側の接続は、回路基板２０から突設されたリードピン（図示略）を、フレキシブル基板３０の高速信号線路３４および他の線路３２の他端に設けられたスルーホール３８に挿入し、半田等によって固定することによって行われる。

（ＯＳＡ）
ＯＳＡ１０としては、ＴＯＳＡ、ＲＯＳＡ、ＬＤおよびＰＤの両方を備え、上りと下りとで波長の異なる光信号をＬＤ、ＰＤに合分波させる光波長フィルタを備えた光送受信サブアセンブリ等が挙げられる。

（回路基板）
回路基板２０としては、ＴＯＳＡへの電気信号を発生させるＬＤドライバ（図示略）、ＲＯＳＡからの電気信号を増幅するリミッタアンプ（図示略）等を実装したリジッド基板等が挙げられる。

（フレキシブル基板）
図２は、フレキシブル基板３０を長さ方向に切断した際の断面図であり、図３は、図２におけるIII−III断面図であり、図４は、図２におけるIV−IV断面図である。フレキシブル基板３０は、基板本体４０の一方の表面に第１のカバーレイフィルム５０が接着剤層６０を介して貼り合わされ、基板本体４０の他方の表面に第２のカバーレイフィルム７０が接着剤層８０を介して貼り合わされたものである。

フレキシブル基板３０の幅は、ＯＳＡの直径と同等の約６ｍｍとされる。フレキシブル基板３０の長さは、極力、高周波信号の劣化を防ぐために短いことが好ましく、１０ｍｍ程度とされる。
高速信号線路３４は、離間して対向配置されたグランド層４４および／またはグランド線によって、伝送特性のよいマイクロストリップ構造またはコプレーナ構造となっている。

（基板本体）
基板本体４０は、基材フィルム４２と、基材フィルム４２の一方の表面に互いに離間して設けられた高速信号線路３４および他の線路３２と、基材フィルム４２の他方の表面に高速信号線路３４および他の線路３２と離間して対向配置されたグランド層４４とを有する。

基板本体４０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工して導体（高速信号線路３４、他の線路３２およびグランド層４４）としたものである。
銅張積層板としては、基材フィルム４２に銅箔を接着剤で貼り合わせたもの；銅箔上に基材フィルム４２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。

（基材フィルム）
基材フィルム４２の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ポリビニリデン、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー等が挙げられ、耐熱性を有する点から、ポリイミド、液晶ポリマーが好ましい。
基材フィルム４２の表面抵抗は、１×１０^６Ω以上が好ましい。
基材フィルム４２の厚さは、５〜５０μｍが好ましく、屈曲性の点から、６〜２５μｍがより好ましく、１０〜２５μｍが特に好ましい。

（導体）
高速信号線路３４は、１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する線路である。高周波信号の周波数は、３ＧＨｚ以上が好ましく、１０ＧＨｚ以上がより好ましく、４０ＧＨｚ以上が特に好ましい。
他の線路３２は、高速信号線路３４以外の線路である。他の線路３２としては、電源線路、線路形状のグランド線路、高速信号線路３４よりも低い周波数の信号を伝送する低速信号線路（バイアス電圧制御用線路、光パワーモニター用制御用線路等。）等が挙げられる。

導体（高速信号線路３４、他の線路３２およびグランド層４４）を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。
導体の厚さは、１８〜３５μｍが好ましい。
高速信号線路３４および他の線路３２の長さ方向の端部（端子）には、ＯＳＡ１０から突設されたリードピン１２または回路基板２０から突設されたリードピン２２が挿入され、半田等によって固定される、スルーホール３６およびスルーホール３８が形成される。そのため、該端部は、第１のカバーレイフィルム５０および第２のカバーレイフィルム７０に覆われていない。

（カバーレイフィルム）
第１のカバーレイフィルム５０は、基材フィルム５２の片面に抵抗体層５４が形成されたものである。
第２のカバーレイフィルム７０は、基材フィルム７２からなり、抵抗体層５４は形成されていない。

（基材フィルム）
基材フィルム５２および基材フィルム７２の材料としては、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリアラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられる。
基材フィルム５２および基材フィルム７２の表面抵抗は、１×１０^６Ω以上が好ましい。
基材フィルム５２および基材フィルム７２の厚さは、可とう性の点から、３〜２５μｍが好ましく、表面形状への追従性が高くなる点から、３〜１０μｍが特に好ましい。

（抵抗体層）
抵抗体層５４は、接着剤層６０を介して他の線路３２と離間し、他の線路３２に沿って他の線路３２の近傍に対向配置されているが、他の線路３２とは電気的に接続していない。

他の線路３２においては、高周波電流（伝導ノイズ）は表皮効果によって表面に集中して流れることから、側面と上面または下面とが交わる稜部（エッジ部３３）に高周波電流が集中して流れる。そのため、エッジ部３３から電磁波ノイズが放射され、エッジ部３３の周囲に電磁界変動が起きる。この電磁界変動、すなわちエッジ部３３から生じる磁束密度の変化が起きると、この磁束密度の変化を妨げるように近傍に配置された抵抗体層５４中に渦電流が発生し（電磁誘導の原理）、抵抗損によりエネルギーは消費され、他の線路３２を流れる伝導ノイズは減衰していく（伝導ノイズが抑制される）ものと考えられる。

なお、抵抗体層５４は、高周波成分を抑制するため、高速信号線路３４を伝送される高周波信号を劣化させてしまうおそれがある。よって、抵抗体層５４は、高速信号線路以外の他の導体（電源線路、グランド層等）が介在することなしに、高速信号線路３４の近傍に対向配置させない。ただし、抵抗体層５４と高速信号線路３４との間に他の導体が介在する場合は、上述の伝導ノイズ抑制のメカニズムが働かないため、高速信号線路３４を伝送される高周波信号を劣化させることがない。よって、抵抗体層５４は、他の導体が介在する状態で、高速信号線路３４に対向配置させてもよい。

また、上述の伝導ノイズ抑制のメカニズムからすれば、抵抗体層５４は、端部のスルーホールを除く他の線路３２の全体に対向配置されることが好ましい。ただし、以下のような場合には、他の線路３２の一部に抵抗体層５４を対向配置させないことがある。
ＯＳＡ１０から突設されたリードピン１２同士の間隔と、回路基板２０から突設されたリードピン２２同士の間隔とが異なる場合、図５に示すように、フレキシブル基板３０における高速信号線路３４および他の線路３２の位置が幅方向に途中で変化する。そして、該位置が、フレキシブル基板３０が略１８０度に折り返される部分（図中、折り返し位置）の前後で変化する場合、折り返されて対向している一方のフレキシブル基板３０の高速信号線路３４および該端部のリードピン１２が、他方のフレキシブル基板３０の他の線路３２と対向する場合がある。この場合は、一方のフレキシブル基板３０の高速信号線路３４等が、他方のフレキシブル基板３０の抵抗体層５４と対向しないようにするために、図２、図３および図５に示すように、一方のフレキシブル基板３０の高速信号線路３４等と、他方のフレキシブル基板３０の他の線路３２とが対向する領域（Ａ）においては、他の線路３２に抵抗体層５４を対向配置しないことが好ましい。
抵抗体層５４の影響を弱める他の方法として、図６および図７に示すように、他の線路３２をスルーホール４６により基材フィルム４２の反対側に配線し、高速信号線路３４等から抵抗体層５４を離して設置する方法が挙げられる。この際、第２のカバーレイフィルム７０に抵抗体層５４を形成してもよい。

また、上述の伝導ノイズ抑制のメカニズムからすれば、抵抗体層５４は、他の線路のエッジ部３３の近傍に対向展開されていることが好ましい。
また、抵抗体層５４を他の線路３２のエッジ部３３の近傍に対向展開させるためには、抵抗体層５４は、他の線路３２の表面形状にコンフォーマルに（すなわち、基板本体４０の表面形状に沿うように）設けられていることが好ましい。

また、上述の伝導ノイズ抑制のメカニズムからすれば、抵抗体層５４と他の線路３２との間隙（すなわち、接着剤層６０の厚さ）は、狭い方が好ましい。具体的には、抵抗体層５４と他の線路３２との間隙は、１〜１００μｍが好ましい。抵抗体層５４と他の線路３２との間隙が１μｍ未満では、抵抗体層５４と他の線路３２との絶縁性不良が発生するおそれがある。抵抗体層５４と他の線路３２との間隙が１００μｍを超えると、伝導ノイズ抑制効果が小さくなるとともに、フレキシブル基板３０が厚くなる。

また、上述のノイズ抑制のメカニズムからすれば、他の線路３２のエッジ部３３から生じる磁束を受ける抵抗体層５４の有効面積が大きいことが好ましい。よって、抵抗体層５４の幅は、他の線路３２の幅よりも広いことが好ましい。具体的には、他の線路３２からはみ出した抵抗体層５４の幅は、０．１ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましく、１．０ｍｍ以上がさらに好ましい。該幅が０．１ｍｍ以上であれば、有効に磁束を十分に受けることができ、渦電流を十分に発生できる。該幅の上限は、フレキシブル基板３０の大きさに応じて決定される。伝導ノイズの周波数が、１ＧＨｚ以上で、高くなればなるほど、伝導ノイズがエッジ部３３に集中しやすいため、該幅が小さくても、伝導ノイズを効率よく抑制できる。

また、上述のノイズ抑制のメカニズムからすれば、効率よく伝導ノイズを抑制するためには、抵抗体層５４を対向配置しない面積が拡大した場合は特に、他の線路３２において磁束密度の変化を起こす位置を増やす、すなわちエッジ部３３の数を増やすことが好ましい。例えば、図８に示すように、１本の他の線路３２を途中で複数本に分割することが好ましい。また、図９および図１０に示すように、基材フィルム４２の反対側にも他の線路３２を設けることによってエッジ部３３の数を増やすことが可能である。
また、図１１に示すように、抵抗体層５４を、他の線路３２を挟み込むように設置することにより、他の線路３２のエッジ部３３から生じる磁束を効率よく受けることが好ましい。
さらに、他の線路３２の表面に複数の凹凸を形成したり、表面を粗面化したりして、エッジ部３３の数を増やしてもよい。

また、不要な高周波電流は、他の線路３２だけではなく、グランド層４４にも流れ込む場合がある。よって、図９〜図１１、および図１２に示すように、抵抗体層５４は、接着剤層８０を介してグランド層４４と離間し、グランド層４４に沿ってグランド層４４の近傍に対向配置されていてもよい。

抵抗体層５４は、フレキシブル基板３０の外部に露出していないことが好ましい。抵抗体層５４がフレキシブル基板３０の側面等からの外部に露出すると、抵抗体層５４の劣化、抵抗体層５４を構成している材料のマイグレーション等の問題が生じるおそれがある。

抵抗体層５４の表面抵抗は、５〜５００Ωが好ましい。抵抗体層５４の表面抵抗が５Ω未満では、渦電流が発生しても十分な抵抗損を得にくく、伝導ノイズ抑制効果が小さくなる。抵抗体層５４の表面抵抗が５００Ωを超えると、渦電流が発生しにくくなり、効率よく伝導ノイズを抑制しにくくなる。

抵抗体層５４の材料としては、金属、導電性セラミックス、炭素材料等が挙げられる。材料の固有抵抗が低い場合は、抵抗体層５４を薄くすることで、表面抵抗を高く調整できるが、厚さのコントロールが難しくなるため、抵抗体層５４の材料としては、比較的高い固有抵抗を有する材料が好ましい。

金属としては、強磁性金属、常磁性金属等が挙げられる。
強磁性金属としては、鉄、カルボニル鉄、鉄合金（Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等。）、コバルト、ニッケル、これらの合金等が挙げられる。
常磁性金属としては、金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、タンタル、モリブデン、それらの合金、アモルファス合金、強磁性金属との合金等が挙げられる。
金属としては、酸化に対して抵抗力のある点から、ニッケル、鉄クロム合金、タングステン、クロム、タンタルが好ましく、実用的には、ニッケル、ニッケルクロム合金、鉄クロム合金、タングステン、クロム、タンタルがより好ましく、ニッケルまたはニッケル合金が特に好ましい。

導電性セラミックスとしては、金属と、ホウ素、炭素、窒素、ケイ素、リンおよび硫黄からなる群から選ばれる１種以上の元素とからなる合金、金属間化合物、固溶体等が挙げられる。具体的には、窒化ニッケル、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、炭化チタン、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化バナジウム、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、炭化タングステン、ホウ化クロム、ホウ化モリブデン、ケイ化クロム、ケイ化ジルコニウム等が挙げられる。
導電性セラミックスは、物理的蒸着法における反応性ガスとして、窒素、炭素、ケイ素、ホウ素、リンおよび硫黄からなる群から選ばれる１種以上の元素を含むガスを用いることによって容易に得られる。
炭素材料としては、アモルファスカーボン、グラファイト、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等が挙げられる。

抵抗体層５４は、例えば、基材フィルム５２の表面に、物理的蒸着法（ＥＢ蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタ法等。）により形成された抵抗体蒸着膜を、公知の湿式法（湿式エッチング法）、乾式法（プラズマエッチング法、レーザーアブレーション法）等により所望のパターンに加工することによって形成される。
抵抗体層５４の厚さは、可とう性の点から、５〜５０ｎｍが好ましい。

（接着剤層）
接着剤層６０および接着剤層８０は、例えば、市販の接着剤シート（ボンディングシート）が硬化または固化したものである。従来のように、カバーレイフィルムに湿式の接着剤を塗布、乾燥させて接着剤層を形成すると、（ｉ）パターン状の抵抗体層が形成されたカバーレイフィルムがカールし、その後の位置あわせが困難になる、（ii）加熱によってパターニング寸法が変化してしまい位置あわせ精度が低下する、（iii）抵抗体層の劣化を促す、等の不具合がある。このような不具合を避けるためにも、ドライな接着剤シートを用いることが好ましく、さらに抵抗体層をエッチング加工した後、直ちに基板本体と積層プレスを行うことができ、非常に簡便に接着加工を行うことができる。

接着剤シートの材料としては、Ｂステージ（半硬化状態）のエポキシ樹脂、熱可塑性のポリイミド等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシル変性ニトリルゴム等。）を含んでいてもよい。
接着剤シートは、離型性フィルム等の上に、所望の厚みになるよう前記材料をキャスティングすることにより形成され、その後、離型性フィルム等を剥離して連続シート状にしてもよく、あるいは、離型性フィルムまたは保護フィルム付きで貯留してもよい。

接着剤層は、抵抗体層と導体との絶縁性を高めるために、スペーサーとして絶縁性粉体を含むことが好ましい。該粉体が、流動性調整、難燃性等の別の機能を有していても構わない。絶縁性粉体としては、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化ケイ素、酸化チタン、ゼオライト系、繊維状の粉体（炭酸カルシウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、ホウ酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー等。）等が挙げられる。
このうちアスペクト比が３以上の粉体を用いることにより、接着剤層の流動により、効果的に他の線路３２のエッジ部３３に配向し留まることが可能となるので好ましい。
絶縁性粉体の径は、接着剤層の厚みの１／２から１／２０が好ましい。これより小さいと、絶縁性スペーサーの機能を果たせなくなり、これより大きいと接着阻害をもたらす恐れがある。
絶縁性粉体の配合量は、接着剤層１００質量部中、おおよそ１〜３０質量部である。これより少ないと十分な絶縁性を出せず、多いと接着阻害をもたらすほか、表面形状の追従性に問題が生じて来る。

接着剤層の厚さは、１〜１００μｍが好ましい。また、抵抗体層５４を、基板本体４０の表面形状に沿うように設けるためには、接着剤層６０の厚さは、他の線路３２の厚さよりも薄いことが好ましい。抵抗体層５４への濡れは、接着剤層６０の溶融によるものであり、溶剤を含んだ接着剤よりは粘度が高く、良く濡れないため、接着力が不足するが、抵抗体層５４上に、接着促進剤として、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等の接着促進剤を塗布することが好ましい。

シラン系カップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

チタネート系カップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジ−トリデシルホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げられる。

以上説明したフレキシブル基板３０にあっては、抵抗体層５４が接着剤層６０（または接着剤層８０）を介して他の線路３２（またはグランド層４４）と離間して対向配置されているため、下記の理由から他の線路３２（またはグランド層４４）を伝導する伝導ノイズを抑制できる。
他の線路３２（またはグランド層４４）から電磁波ノイズが放射され、他の線路３２（またはグランド層４４）の周囲に電磁界変動、すなわち他の線路３２（またはグランド層４４）から生じる磁束密度の変化が起きた際に、この磁束密度の変化を妨げるように対向配置された抵抗体層５４中に渦電流が発生し、抵抗損によりエネルギーは消費され、他の線路３２（またはグランド層４４）を流れる伝導ノイズは減衰していくものと考えられる。

以下、実施例を示す。なお、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（各層の厚さ）
透過型電子顕微鏡（日立製作所社製、Ｈ９０００ＮＡＲ）を用いてサンプルの断面を観察し、各層の５箇所の厚さを測定し、平均した。

（表面抵抗）
石英ガラス上に金を蒸着して形成した、２本の薄膜金属電極（長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、電極間距離１０ｍｍ）を用い、該電極上に被測定物を置き、被測定物上から、被測定物の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域を５０ｇの荷重で押し付け、１ｍＡ以下の測定電流で電極間の抵抗を測定し、この値を表面抵抗とした。

（伝導ノイズ抑制効果）
フレキシブル基板３０の他の線路３２の両端間のＳパラメータをネットワークアナライザー（アンリツ社製、３７２４７Ｄ）で評価し、伝導ノイズ抑制効果を確認した。
また、隣接する高速信号線路３４と他の線路３２とのＳパラメータを測定し、クロストークの影響を確認した。

〔例１〕
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムと厚さ１８μｍの圧延銅箔とエポキシ系接着剤とからなる両面銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ８６μｍ）の一方の表面をエッチング法にて加工し、図５に示すような、線幅：０．１ｍｍ、線長：９ｍｍの４本の導体（高速信号線路３４および他の線路３２）を形成した。導体の両端には、測定用の同軸リード線が半田付けできるように２ｍｍΦのランド部分を形成した。前記両面銅張積層板の他方の表面をエッチング法にて加工し、１５ｍｍ×６ｍｍのグランド層４４を形成し、基板本体４０を作製した。

２００ｍｍ×２００ｍｍ×厚さ１０μｍのポリイミドフィルムの表面の全体に、マグネトロンスパッタ法にて窒素ガス流通下にニッケルを物理的に蒸着させ、厚さ２５ｎｍの窒化ニッケル蒸着膜（表面抵抗：２５Ω）を形成した。該蒸着膜を、レーザーアブレーション法にて、図５に示すように、他の線路３２上の一部を除き、他の線路３２上を覆うような抵抗体層５４を形成し、第１のカバーレイフィルム５０を作製した。

第１のカバーレイフィルムと同様のポリイミドフィルムを用意し、第２のカバーレイフィルム７０とした。

第１のカバーレイフィルム５０の抵抗体層５４が形成された側の表面、および第２のカバーレイフィルム７０の表面に、２００ｍｍ×２００ｍｍ×厚さ２０μｍのボンディングシート（ゴム成分を含むエポキシ樹脂と潜在硬化剤とからなるエポキシ系接着剤を成膜後、乾燥させＢステージ状にしたもの、ボンディングシート１００質量部中に絶縁性粉体として平均粒径５μｍのシリカ粒子５質量部と平均繊維径１μｍ、平均繊維長２０μｍの炭酸カルシウム３質量部を含む。）を部分的に加熱し、接着した。ボンディングシートが仮止めされた第１のカバーレイフィルム５０および第２のカバーレイフィルム７０には、ランド部分を避ける窓部が、打ち抜きにより形成されている。

基板本体４０の高速信号線路３４および他の線路３２が形成された側の表面に、ボンディングシートが仮止めされた第１のカバーレイフィルム５０を、基板本体４０と第１のカバーレイフィルム５０との間にボンディングシートが位置するように、かつ抵抗体層５４と他の線路３２（ランド部分を除く。）とが対向配置されるように重ねた。また、基板本体４０のグランド層４４が形成された側の表面に、ボンディングシートが仮止めされた第２のカバーレイフィルム７０を、基板本体４０と第２のカバーレイフィルム７０との間にボンディングシートが位置するように重ねた。

これらを熱プレスによって一体化させ、フレキシブル基板３０を得た。フレキシブル基板３０においては、抵抗体層５４は他の線路３２のエッジ部３３の近傍に対向展開されていた。また、抵抗体層５４は完全にカバーレイフィルムで覆われており、フレキシブル基板３０の外部に露出していなかった。
フレキシブル基板３０について、ランド部分に測定用の同軸リード線を半田付けし、グランド層４４に外部導体を半田付けし、ネットワークアナライザーと接続した後、隣接する高速信号線路３４と他の線路３２のＳパラメータを測定した。高周波ノイズが乗った他の線路３２の伝導ノイズは抑制され、隣接する高速信号線路３４への影響はなかった。結果を図１３〜図１５に示す。

〔例２〕
抵抗体層を設けない以外は、例１と同様にして、フレキシブル基板を作製し、例１と同様にして評価した。高周波ノイズが乗った他の線路３２の伝導ノイズは抑制されず、隣接する高速信号線路３４へ影響を及ぼした。結果を図１３〜図１５に示す。

本発明の光トランシーバは、１０Ｇｂｐｓ光伝送インターフェースや４０Ｇｂｐｓ光伝送インターフェースに用いられる光トランシーバモジュールとして有用である。

光トランシーバにおける光サブアセンブリと回路基板との接続状態の一例を示す斜視図である。 図１のフレキシブル基板を長さ方向に切断した際の断面図である。 図２におけるIII−III断面図である。 図２におけるIV−IV断面図である。 図１のフレキシブル基板の正面図である。 フレキシブル基板の他の例を示す断面図である。 図６におけるVII−VII断面図である。 フレキシブル基板の他の例を示す断面図である。 フレキシブル基板の他の例を示す断面図である。 図９におけるＸ−Ｘ断面図である。 フレキシブル基板の他の例を示す断面図である。 フレキシブル基板の他の例を示す断面図である。 例１および例２における他の線路３２の伝導ノイズ抑制効果を示すグラフである。 例１および例２における高速信号線路３４への遠端クロストークを示すグラフである。 例１および例２における高速信号線路３４への近端クロストークを示すグラフである。

符号の説明

１０ ＯＳＡ（光サブアセンブリ）
２０ 回路基板
３０ フレキシブル基板
３２ 他の線路
３３ エッジ部
３４ 高速信号線路
４０ 基板本体
４４ グランド層
５４ 抵抗体層

Claims (5)

1. 光サブアセンブリと、
   回路基板と、
   前記光サブアセンブリと前記回路基板とを接続するフレキシブル基板と
   を具備する光トランシーバであって、
   前記フレキシブル基板が、互いに離間して設けられた、高周波信号を伝送する高速信号線路と、該高速信号線路以外の他の線路と、グランド層と、抵抗体層とを有し、
   前記抵抗体層が、前記他の線路の少なくも一部と対向している、光トランシーバ。
2. 前記抵抗体層が、前記高速信号線路と対向していない、請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 前記フレキシブル基板が、途中で折り返されて配置され、
   折り返されて対向している一方のフレキシブル基板の高速信号線路が、他方のフレキシブル基板の抵抗体層と対向していない、請求項１または２に記載の光トランシーバ。
4. 前記抵抗体層が、前記他の線路のエッジ部の近傍に対向展開されている、請求項１〜３のいずれかに記載の光トランシーバ。
5. 前記他の線路が、前記抵抗体層と対向している部分にて複数の線に分割されている、請求項１〜４のいずれかに記載の光トランシーバ。

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