JP5349003B2 - フレキシブルプリント基板、及び光信号伝送装置 - Google Patents

Description

本発明は、フレキシブルプリント基板、及び光信号伝送装置に関する。

フレキシブルプリント基板（以下、ＦＰＣ）は、可撓性を有し、実装時の寸法ずれや熱変形に伴う変形によるストレスを吸収することができ、信号を処理し伝送データを出力する信号処理回路と、信号処理回路から出力された伝送データに応じて光信号を変調して光信号を出力する半導体レーザ素子との接続に用いられることがある。

光信号伝送装置の小型化に伴いＦＰＣも小型化され、ＦＰＣに設けられた各信号パターンが近接するようになってきている。信号パターンが近接すると、信号パターン同士の電磁結合が強まり、隣接する信号パターンとの共振が発生することがある。共振が発生すると信号を伝送する導体から不要輻射等により電力が散逸し、伝送信号にノイズが重畳され信号品質が劣化することがあった。

特に近年では高ビットレートで信号の伝送が行われるようになってきており、信号処理回路と半導体レーザ素子とを接続する一般的な長さのＦＰＣにおいては、高ビットレートで信号が伝送されると現に共振が発生することがあり、共振による信号品質の劣化が問題となってきている。

そこで、従来では下記の特許文献１に記載されているように、ＦＰＣをシールドで被覆して伝送信号へのノイズを低減しているものがある。
特開２００８−１９８９３１号公報

しかしながら、ＦＰＣをシールドで被覆するとＦＰＣの厚みが増し可撓性が損なわれる上に、製造工程において接続端子部での応力集中による断線やパターン剥離等の問題が生じることがあった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的の一つは、可撓性を維持しつつ、信号を伝送する導体と他の信号パターンとの共振により発生するノイズを低減させることができるフレキシブルプリント基板、及び光信号伝送装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係るフレキシブルプリント基板は、誘電体層と、前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含むことを特徴とする。

また、本発明の一態様に係るフレキシブルプリント基板は、前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広いこととする。

また、本発明の一態様に係るフレキシブルプリント基板は、前記抵抗膜は、前記ストリップ導体及び前記接地導体と電気的に接続されていないこととする。

また、本発明の一態様に係るフレキシブルプリント基板は、前記抵抗膜は、前記誘電体層、前記ストリップ導体及び前記接地導体のいずれよりも薄いこととする。

また、本発明の一態様に係るフレキシブルプリント基板は、前記抵抗膜を、前記接地導体を被覆する誘電体層と前記接地導体との間に設けたこととする。

また、本発明の一態様に係るフレキシブルプリント基板は、前記ストリップ導体と前記接地導体とを含む信号パターン及び当該信号パターンに隣り合う信号パターンの双方に対向して前記抵抗膜を設けたこととする。

また、本発明に係る光信号伝送装置は、信号を処理する信号処理部と、前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、前記フレキシブルプリント基板を介して前記信号処理部と接続され、前記信号処理部により処理された信号に基づいて光信号を変調する半導体レーザ素子と、を含み、前記フレキシブルプリント基板は、誘電体層と、前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含むことを特徴とする。

また、本発明に係る光信号伝送装置は、信号を処理する信号処理部と、前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、光信号を受光する受光素子を含み、当該受光素子により受光した光信号に応じた電気信号を、前記フレキシブルプリント基板を介して接続された前記信号処理部に伝送する光受信部と、を含み、前記フレキシブルプリント基板は、誘電体層と、前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含むことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、ストリップ導体から漏れた電磁波の一部を抵抗膜により吸収して、信号を伝送するストリップ導体と他の信号パターンとの共振により発生するノイズを低減させることができる。

本発明の一態様によれば、ストリップ導体から漏れた電磁波と交差する抵抗膜の面積が拡大し、ストリップ導体と他の信号パターンとの電磁結合を効果的に抑制させることができる。

本発明の一態様によれば、抵抗膜に生じた電流の損失を大きくすることができる。

本発明の一態様によれば、フレキシブルプリント基板を薄くして可撓性を確保できる。

本発明の一態様によれば、抵抗膜を保護することができる。

本発明の一態様によれば、ストリップ導体から漏れた電磁波と交差する抵抗膜の面積を増やし、抵抗膜による電流損失を増加させると共に、他の信号パターンにおけるノイズの発生を抑制することができる。

本発明の一態様によれば、光信号の伝送の際に、送信信号を伝送するストリップ導体と他の信号パターンとの共振により発生するノイズを低減することができる。

本発明の一態様によれば、光信号の伝送の際に、受信信号を伝送するストリップ導体と他の信号パターンとの共振により発生するノイズを低減することができる。

以下、本発明を実施するための好適な実施の形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。

図１には、本発明の第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１０の構造図を示した。フレキシブルプリント基板１０は、光ファイバ伝送用トランシーバ等の電子装置の主基板と、光送信モジュールや光受信モジュールとを接続するものである。光ファイバ伝送用トランシーバには、例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ程度の高ビットレートにより信号を伝送する装置を用いることとしてよい。

図１に示されるように、第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０は、ベースフィルムである誘電体層１００、接着フィルムである誘電体層１０２Ａ，１０２Ｂ、カバーレイフィルムである誘電体層１０４Ａ，１０４Ｂ、ストリップ導体１０６、接地導体１０８、抵抗膜１１０、及び隣接パターン１１２を含み構成される。

フレキシブルプリント基板１０の製造にあたり、誘電体層１００の両側に銅箔フィルムを設けた両面銅張積層板を用い、パターニング加工を行なうことで上層にストリップ導体１０６、下層に接地導体１０８および隣接パターン１１２を設ける。そして、カバーレイフィルムである誘電体層１０４Ａ，１０４Ｂにそれぞれ接着フィルムである誘電体層１０２Ａ，１０２Ｂを積層し、これらをベースフィルムである誘電体層１００の上下に圧着して、ストリップ導体１０６と接地導体１０８及び隣接パターン１１２をそれぞれ被覆する。

カバーレイである誘電体層１０４Ａの接地導体１０８に対向する面にはあらかじめ抵抗膜１１０を設け、レーザ加工によりパターニングしておく。具体的には、抵抗膜１１０は、金属材料を誘電体層１０４Ａ上に蒸着させて形成することとしてよく、金属材料としては、強磁性金属、常磁性金属等を用いることとしてよい。なお、強磁性金属としては、例えば鉄、カルボニル鉄；Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金；コバルト、ニッケル；これらの合金等を用いることとしてよく、また、常磁性金属としては、例えば、金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、それらの合金、強磁性金属との合金等を用いることとしてよい。そして、抵抗膜１１０が形成された誘電体層１０４Ａにより誘電体層１０２Ａを被覆し、誘電体層１０４Ｂにより誘電体層１０２Ｂを被覆してフレキシブルプリント基板１０を形成する。

フレキシブルプリント基板１０を構成する各層の材料および厚さとしては、例えば誘電体層１００には厚さ５０μｍのポリイミドを用い、ストリップ導体１０６、接地導体１０８および隣接パターン１１２には厚さ２８μｍの銅箔を用い、誘電体層１０４Ａ，１０４Ｂには厚さ１２μｍのポリイミドを用い、誘電体層１０２Ａ，１０２Ｂには厚さ２５μｍのエポキシ系接着剤を用いることとしてよい。また、抵抗膜１１０の厚さは５〜２００ｎｍの範囲であれば好適であるが、一例としては２５ｎｍと非常に薄いものを用いることとしてよい。これらよりフレキシブルプリント基板１０の厚さは１８０μｍ以下の薄さとなり、十分な可撓性が得られる。なお、各層の厚さはフレキシブルプリント基板１０における各層の積層方向に関する長さとする。

フレキシブルプリント基板１０のサイズは、一例として長さを１０ｍｍ、幅を５．６ｍｍとする。ここでの長さとは、ストリップ導体１０６における信号の伝送方向に関する長さであり、幅とは、フレキシブルプリント基板１０の厚み及び長さとそれぞれ直交する方向の長さ（図面における横方向の長さ）である。なお、フレキシブルプリント基板１０のサイズは、Ｘ２やＸＦＰ ＭＳＡ等の規格に準拠したサイズを用いることとしてよい。

また、本実施形態では、信号の伝送線路をシングルエンデッド型のマイクロストリップ線路として構成し、具体的には接地導体１０８とその上部に配置したストリップ導体１０６とにより構成される。この伝送線路は主基板上のドライバＩＣから１０Ｇｂｉｔ／ｓのビットレートで出力される高速デジタル駆動信号を、光送信モジュール内のレーザ変調器に伝達する経路を構成するものである。本実施形態では、ストリップ導体１０６の幅は０．０８ｍｍ、接地導体１０８の幅は０．８ｍｍとする。なお、ストリップ導体１０６の幅は特性インピーダンスが５０Ωとなるように選択したものである。

また、図１に示された４本の隣接パターン１１２の幅は、各々０．２ｍｍ程度とする。隣接パターン１１２は、光送信モジュールのモニター用フォトダイオード端子やレーザ電流端子、温度調整用ペルチェ端子に接続する信号線路である。隣接パターン１１２とストリップ導体１０６は例えば等ピッチで配置し、各々の中心間距離を０．７９ｍｍとする。抵抗膜１１０の幅は２．６ｍｍと接地導体１０８よりも広くし、ストリップ導体１０６および接地導体１０８と中心位置を一致させている。本実施形態では、抵抗膜１１０は接地導体１０８の両側に距離０．９ｍｍずつはみ出している。抵抗膜１１０のシート抵抗値は２５Ω／□とする。

なお、フレキシブルプリント基板１０、及びフレキシブルプリント基板１０を構成する各層の材料特性や厚さ、パターン寸法等は上記の具体例に限定されるものではなく、例えば抵抗膜１１０のシート抵抗値を１００Ω／□としてもよいし、三次元電磁界解析ツール等を用いて所望の特性を有するように設定することとしてもよい。

次に、図２を参照しながら、第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０を用いた場合の小信号通過特性（Ｓ２１）を説明する。小信号通過特性は、図１に示されたストリップ導体１０６および接地導体１０８からなる伝送線路の両端に５０Ωポートを配置し、三次元電磁界解析ツールを用いて得た。また、隣接パターン１１２は伝送線路と共振する回路の一例として、一端を開放し、他の一端を接地電位に固定して、周波数５．７ＧＨｚ（基本波）、１７．１ＧＨｚ（３倍波）、・・・に共振周波数を持つオープンスタブ回路を構成した。

図２に示された小信号通過特性のうち（１）は上記の第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０を用いた場合を示し、（２）は抵抗膜１１０を具備しない従来技術のフレキシブルプリント基板１０を用いた場合を示している。図２の（１）に示されるように、従来技術のフレキシブルプリント基板の伝送線路では、周波数５．７ＧＨｚ、１７．１ＧＨｚに深さが０．７ｄＢ以上の急峻なディップが現れ、共振の影響による劣化が生じているが、図２の（１）に示された第１の実施形態のフレキシブルプリント基板１０の伝送線路では、周波数０ＧＨｚから２０ＧＨｚの範囲で０ｄＢから−０．２ｄＢまで単調に減少する良好な特性を示し、共振の影響によるディップの発生が抑えられている。

次に、図３を参照しながら、接地導体１０８の幅（Ｗ_ＧＮＤ）を変化させた場合のディップ特性について説明する。図３の縦軸は、伝送線路の小信号通過（Ｓ２１）特性において周波数１７ＧＨｚ付近に生じるディップの深さ（Ｄｉｐ ｓｉｚｅ）を表し、横軸は接地導体１０８の幅（Ｗ_ＧＮＤ）を表す。図３においても（１）は本実施形態のフレキシブルプリント基板１０による特性を示し、（２）は従来技術のフレキシブルプリント基板による特性を示したものである。

図３に示されるように、抵抗膜１１０を具備しない従来のフレキシブルプリント基板では、接地導体１０８の幅が約２．０ｍｍ以下となるとディップが生じ、接地導体１０８の幅が小さくなるほどディップが深くなる。しかしながら、第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０によると、接地導体１０８の幅を２．０ｍｍから０．４ｍｍまで縮小した場合にもディップが発生せず、ディップの発生が十分に抑えられている。

次に図４を参照しながら、抵抗膜１１０の幅を変化させた場合のディップ特性について説明する。図４の縦軸は、伝送線路の小信号通過（Ｓ２１）特性において周波数１７ＧＨｚ付近に生じるディップの深さ（Ｄｉｐ ｓｉｚｅ）を表し、横軸は抵抗膜１１０の幅を変化させた時の接地導体１０８の両側にはみ出した幅Ｄを示す。ここで接地導体１０８の幅は０．８ｍｍとした。図４に示されるように抵抗膜１１０の幅を増加するにつれてディップの発生は抑えられてゆき、はみ出し幅Ｄが０．７ｍｍ以上となると、ディップの発生が完全に抑えられているといえる。

第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０によれば、可撓性に優れ、他の信号パターンとの共振による特性劣化を抑えた良好な伝送線路特性を得ることができる。この第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０は、例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送レートで動作する光送受信機などの電子装置に好適に適用できる。

また、フレキシブルプリント基板１０に備えられた接地導体１０８の幅が２．０ｍｍ以下の場合には、抵抗膜１１０を設けない場合と比してディップの抑圧効果が明確に現れる。そして、伝送線路にシングルエンデッド型の線路を用いた場合には、接地導体１０８に対する抵抗膜１１０のはみ出し幅Ｄを０．７ｍｍ以上とした場合に、良好なディップの抑圧効果を得ることができる。

なお、上記の第１の実施形態においては、誘電体層１００，１０４Ａ，１０４Ｂをポリイミドとしたが、材料はこれに限られるものではなく、例えば液晶ポリマを用いても良い。誘電体層１００，１０４Ａ，１０４Ｂに液晶ポリマを用いた場合には、誘電体損失をポリイミドに比べてさらに小さくでき、伝送線路の周波数帯域特性を向上させることができる。また、上記の第１の実施形態においては、伝送線路にマイクロストリップ線路を用いたが、伝送線路にグランデッドコプラナ線路を用いてもよい。伝送線路にグランデッドコプラナ線路を用いた場合には、ストリップ導体１０６の両側に接地導体パターンが追加された構造になるため、フレキシブルプリント基板の可撓性は多少損なわれるが、伝送線路（ストリップ導体１０６）と隣接パターン１１２との電磁結合がさらに低減される。

次に、本発明の第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０について説明する。図５には、第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０の構造図を示す。図５に示されるように、第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０と第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０との差は、第２の実施形態においては、抵抗膜２１０の幅をフレキシブルプリント基板２０の幅全体に広げた点にある。すなわち抵抗膜２１０は接地導体１０８の下部だけではなく、隣接パターン１１２の下部にも配置される。図５に示された符号のうち、第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０と同一の符号が付されたものについては同じものであるため説明を省略する。

第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０によれば、隣接パターン１１２の高周波における通過損失を抵抗膜２１０によって増やすことができ、隣接パターン１１２に接続するモニター用フォトダイオード端子やレーザ電流端子、温度調整用ペルチェ端子へのノイズを除去することができる。さらに上記第１の実施形態と同様に、可撓性に優れ、共振による特性劣化がなく良好な伝送線路特性を得ることができる。第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０は、例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送レートで動作する光送受信機などの電子装置に好適に適用できる。

次に、本発明の第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板３０について説明する。図６には、第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板３０の構造図を示す。図６に示されるように、第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板３０と第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０との差は、第３の実施形態においては、隣接パターン３１２を誘電体層１００の上部に配置した点と、隣接パターン３１２の下部に接地導体３０８を設けた点にある。第３の実施形態において、接地導体３０８と接地導体１０８との間隙（Ｇ：Ｇａｐ）は０．４ｍｍとする。図６に示された符号のうち、第１及び第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０，２０と同一の符号が付されたものについては同じものであるため説明を省略する。

第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板３０によれば、隣接パターン３１２とその下部の接地導体３０８とによりマイクロストリップ線路を構成することができ、広帯域特性を有する伝送線路を配置することができる。また、接地導体１０８，３０８は互いに分離されているため、各接地導体に異なったバイアス電圧を印加することができ、設計の自由度が増すという利点がある。さらに上記第１の実施形態と第２の実施形態と同様に、第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板３０は、可撓性に優れ、共振による特性劣化がなく良好な伝送線路特性を得ることができ、１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送レートで動作する光送受信機などの電子装置に好適に適用できる。

次に、図７を参照しながら、本発明の第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板４０について説明する。図７には、第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板４０の構造図を示す。

図７に示されるように、第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板４０と第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板１０との差は、第４の実施形態においては、ストリップ導体を４０６Ａ，４０６Ｂと二本の平行配線にして、伝送線路を差動型のストリップ線路とした点であり、他の点は第１の実施形態と同様である。

第４の実施形態において、ストリップ導体４０６Ａ，４０６Ｂの幅は０．０８ｍｍとし、各々の中心間距離は０．７９ｍｍとする。また、接地導体４０８の幅は１．２ｍｍとする。ストリップ導体４０６Ａ，４０６Ｂの幅は差動での特性インピーダンスが１００Ωとなるように選択することとしてよい。この差動伝送線路は、光受信モジュール内のプリアンプＩＣから差動出力される１０Ｇｂｉｔ／ｓの高速デジタル信号を主基板上のポストアンプＩＣに伝達する経路に用いられる。

第４の実施形態において、４本の隣接パターン４１２の幅は各々０．２ｍｍ程度とする。これらは光受信モジュールのフォトダイオード電圧端子やプリアンプＩＣ電圧端子、プリアンプＩＣ制御端子、温度検知用サーミスター端子に接続する。隣接パターン４１２は例えば等ピッチで配置し、各々の中心間距離を０．７９ｍｍとする。抵抗膜４１０の幅は１．６ｍｍと接地導体４０８に比べ広く設定し、抵抗膜４１０の中心位置はストリップ導体４０６Ａ，４０６Ｂの中心位置および接地導体４０８の中心位置と一致させる。すなわち、抵抗膜４１０は接地導体４０８の両側に距離０．２ｍｍずつはみ出した配置とする。抵抗膜４１０のシート抵抗値は２５Ω／□としてよい。

図８には、第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板４０に関し、抵抗膜４１０の接地導体４０８に対するはみ出し幅Ｄと、ディップの深さとの関係を表したグラフを示した。図８において、横軸は抵抗膜４１０の幅を変化させた時の接地導体４０８の片側にはみ出した距離Ｄを表し、縦軸は伝送線路の小信号通過（Ｓ２１）特性において周波数５．７ＧＨｚ付近に生じるディップの深さ（Ｄｉｐ ｓｉｚｅ）を表す。本実施形態では、接地導体４０８の幅は１．２ｍｍとした。図８に示されるように、抵抗膜４１０の幅を増加するに従いディップの発生は抑制されてゆき、距離Ｄを０．２ｍｍ以上とすることにより、ディップが完全に抑圧されている。

第４の実施形態によれば可撓性に優れ、共振による特性劣化がなく伝送線路特性が良好なフレキシブルプリント基板構造を得ることができ、１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送レートで動作するのに適した光送受信機などの電子装置を提供することができる。また、伝送線路が差動型の線路の場合、接地導体の幅に対し抵抗膜がはみ出る距離Ｄを０．２ｍｍ以上とした場合、良好なディップの抑圧効果を得ることができる。

次に、図９を参照しながら、本発明の第５の実施形態に係るフレキシブルプリント基板５０について説明する。図９には、第５の実施形態に係るフレキシブルプリント基板５０の構造図を示す。図９に示されるように、第５の実施形態に係るフレキシブルプリント基板５０と第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板４０との差は、第５の実施形態では、抵抗膜５１０の幅をフレキシブルプリント基板５０の幅全体に広げた点にあり、他の点は第４の実施形態と同様である。すなわち、第５の実施形態においては、抵抗膜５１０は接地導体４０８の下部だけではなく、隣接パターン４１２の下部にも配置される。

第５の実施形態によれば隣接パターン４１２の高周波における通過損失を抵抗膜５１０によって増やすことができ、隣接パターン４１２に接続するフォトダイオード電圧端子やプリアンプＩＣ電圧端子、プリアンプＩＣ制御端子、温度検知用サーミスター端子へのノイズを除去することができる。さらに上記第１乃至第４の実施形態と同様に、第５の実施形態に係るフレキシブルプリント基板５０も、可撓性に優れ、共振による特性劣化がなく良好な伝送線路特性を得ることができ、１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速伝送レートで動作するのに適した光送受信機などの電子装置に好適に適用できる。

なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この分野の通常の知識を有する当業者によって多様な変更、変形又は置換が可能であることはもちろんである。

第１の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の構造図である。 第１の実施形態に係るＦＰＣを用いた場合の小信号通過特性を示す図である。 接地導体の幅を変化させた場合のディップ特性を示す図である。 抵抗膜の幅を変化させた場合のディップ特性を示す図である。 第２の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の構造図である。 第３の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の構造図である。 第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の構造図である。 第４の実施形態に係るフレキシブルプリント基板に関し、抵抗膜の接地導体に対するはみ出し幅Ｄと、ディップの深さとの関係を表したグラフである。 第５の実施形態に係るフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の構造図である。

符号の説明

１０，２０，３０，４０，５０ フレキシブルプリント基板、１００ 誘電体層（ベースフィルム）、１０２Ａ，１０２Ｂ 誘電体層、１０４Ａ，１０４Ｂ 誘電体層（カバーレイフィルム）、１０６ ストリップ導体、１０８ 接地導体、１１０ 抵抗膜、１１２ 隣接パターン、２１０ 抵抗膜、３０８ 接地導体、３１２ 隣接パターン、４０６Ａ，４０６Ｂ ストリップ導体、４０８ 接地導体、４１０ 抵抗膜、４１２ 隣接パターン、５１０ 抵抗膜。

Claims (8)

1. 誘電体層と、
   前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
   前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
   前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
   前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の厚さは５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
   ことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
2. 前記抵抗膜は、前記ストリップ導体及び前記接地導体と電気的に接続されていない
   ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基板。
3. 前記抵抗膜は、前記誘電体層、前記ストリップ導体及び前記接地導体のいずれよりも薄い
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブルプリント基板。
4. 前記ストリップ導体と前記接地導体とを含む信号パターン及び当該信号パターンに隣り合う信号パターンの双方に対向して前記抵抗膜を設けた
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。
5. 前記抵抗膜は、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔの群のいずれかより選択される強磁性金属、もしくは金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、それらの合金の群のいずれかより選択される常磁性金属を用いて形成される
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。
6. 前記抵抗膜は、前記ストリップ導体よりも前記接地導体に近い側のカバーレイフィルムの面であって、前記接地導体と対向する面に設けられる
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。
7. 信号を処理する信号処理部と、
   前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、
   前記フレキシブルプリント基板を介して前記信号処理部と接続され、前記信号処理部により処理された信号に基づいて光信号を変調する半導体レーザ素子と、を含み、
   前記フレキシブルプリント基板は、
   誘電体層と、
   前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
   前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
   前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
   前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の厚さは５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする光信号伝送装置。
8. 信号を処理する信号処理部と、
   前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、
   光信号を受光する受光素子を含み、当該受光素子により受光した光信号に応じた電気信号を、前記フレキシブルプリント基板を介して接続された前記信号処理部に伝送する光受信部と、を含み、
   前記フレキシブルプリント基板は、
   誘電体層と、
   前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
   前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
   前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
   前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
   前記抵抗膜の厚さは５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする光信号伝送装置。

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