JP5349003B2 - フレキシブルプリント基板、及び光信号伝送装置 - Google Patents
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- 誘電体層と、
前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の厚さは5nm以上200nm以下である
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板。 - 前記抵抗膜は、前記ストリップ導体及び前記接地導体と電気的に接続されていない
ことを特徴とする請求項1に記載のフレキシブルプリント基板。 - 前記抵抗膜は、前記誘電体層、前記ストリップ導体及び前記接地導体のいずれよりも薄い
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブルプリント基板。 - 前記ストリップ導体と前記接地導体とを含む信号パターン及び当該信号パターンに隣り合う信号パターンの双方に対向して前記抵抗膜を設けた
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。 - 前記抵抗膜は、Fe−Ni、Fe−Co、Fe−Cr、Fe−Si、Fe−Al、Fe−Cr−Si、Fe−Cr−Al、Fe−Al−Si、Fe−Ptの群のいずれかより選択される強磁性金属、もしくは金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、それらの合金の群のいずれかより選択される常磁性金属を用いて形成される
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。 - 前記抵抗膜は、前記ストリップ導体よりも前記接地導体に近い側のカバーレイフィルムの面であって、前記接地導体と対向する面に設けられる
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のフレキシブルプリント基板。 - 信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、
前記フレキシブルプリント基板を介して前記信号処理部と接続され、前記信号処理部により処理された信号に基づいて光信号を変調する半導体レーザ素子と、を含み、
前記フレキシブルプリント基板は、
誘電体層と、
前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の厚さは5nm以上200nm以下である
ことを特徴とする光信号伝送装置。 - 信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部と接続されたフレキシブルプリント基板と、
光信号を受光する受光素子を含み、当該受光素子により受光した光信号に応じた電気信号を、前記フレキシブルプリント基板を介して接続された前記信号処理部に伝送する光受信部と、を含み、
前記フレキシブルプリント基板は、
誘電体層と、
前記誘電体層の一方の面に形成された、信号を伝送するストリップ導体と、
前記誘電体層の他方の面に形成された、前記誘電体層を介して前記ストリップ導体と対向する接地導体と、
前記接地導体を介して前記ストリップ導体と対向して設けられた抵抗膜と、を含み、
前記接地導体の幅は、前記ストリップ導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の幅は、前記接地導体の幅よりも広く、
前記抵抗膜の厚さは5nm以上200nm以下である
ことを特徴とする光信号伝送装置。
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JP2008275199A JP5349003B2 (ja) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | フレキシブルプリント基板、及び光信号伝送装置 |
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JP2010103392A JP2010103392A (ja) | 2010-05-06 |
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Family Applications (1)
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