JP2006332372A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 電気信号の非線形歪を低減することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の光モジュールは、半導体光素子と、半導体光素子と電気的に接続された配線パターンと、配線パターンに電気的に接続され、配線パターンを伝播する電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つを減衰させるバンドストップフィルタとを備える。この半導体光素子は発光素子であってもよいし、受光素子であってもよい。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光通信システムに用いられる光モジュールに関するものである。

光通信システムでは、光モジュールを用いて、音声や画像などの電気信号を光信号に変換し、或いは、光伝送路からの光信号を電気信号に変換する。光通信システムでは、高速な光信号及び電気信号を処理できる光モジュールが求められている。

しかしながら、光通信の速度がギガビット／秒のオーダーになると、光モジュールが電気信号を処理する際に、この電気信号に非線形歪が生じてしまう。そこで、本発明は、電気信号の非線形歪を低減することができる光モジュールを提供することを目的としている。

電気信号に生じる非線形歪は、この電気信号の偶数次高調波成分に起因する。この偶数次高調波成分を低減するため、本発明に係る光モジュールは、半導体光素子と、半導体光素子と電気的に接続された第１の配線パターンと、第１の配線パターン中に設けられ、第１の配線パターンを伝播する電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つを減衰させるバンドストップフィルタとを備える。

この光モジュールによれば、バンドストップフィルタが、電気信号の非線形歪の原因である偶数次高調波成分を低減するので、半導体光素子が発光素子の場合は発光素子に供給される電気信号の非線形歪が低減され、半導体光素子が受光素子の場合は受光素子から受ける電気信号の非線形歪が低減される。

この光モジュールのバンドストップフィルタは、第１の配線パターンの一部分と、当該一部分から離間した導体から構成され、電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つが電気的又は磁気的に結合される共振器とを有していることが好ましい。

この光モジュールは、第１の配線パターンを有するフレキシブル基板と、第１の配線パターンと電気的に接続された第２の配線パターンと、第２の配線パターンを有するリジッド基板とを更に備えていてもよい。

また、この光モジュールは、第１の配線パターンを有するリジッド基板と、第１の配線パターンと電気的に接続された第２の配線パターンと、第２の配線パターンを有するフレキシブル基板とを更に備えていてもよい。

本発明に係る光モジュールは、偶数次高調波成分を減衰させるバンドストップフィルタを備えているので、電気信号の非線形歪を低減することができる。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は同等の部分に対しては同一の符号を付すこととする。

図１は、本発明の実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。光モジュール１０は、外部から入力電気信号Ｅｉｎを受けて、この入力電気信号Ｅｉｎに応じた出力光信号Ｏｏｕｔを生成する。また、光モジュール１０は、外部の光ファイバ（図示せず）から入力光信号Ｏｉｎを受けて、この入力光信号Ｏｉｎに応じた出力電気信号Ｅｏｕｔを生成する。光モジュール１０は、光送信モジュール３２、光受信モジュール３４、フレキシブル基板３６、及びリジッド基板３８を備える。フレキシブル基板３６およびリジッド基板３８上には配線パターン（図示せず）が設けられており、これらの配線パターンは、入力電気信号Ｅｉｎおよび出力電気信号Ｅｏｕｔを伝送する信号伝送路として機能する。

光送信モジュール３２の基端には複数のリードピン３２ａが設けられており、これらのリードピン３２ａはリジッド基板３８上の配線パターンに電気的に接続されている。光送信モジュール３２は、リジッド基板３８からリードピン３２ａを介して入力電気信号Ｅｉｎを受け、出力光信号Ｏｏｕｔに変換する。また、光送信モジュール３２の先端にはスリーブ３２ｂが設けられており、このスリーブ３２ｂには外部の光ファイバが接続される。出力光信号Ｏｏｕｔは、この光ファイバを介して出力される。

光受信モジュール３４の基端には複数のリードピン３４ａが設けられており、これらのリードピン３４ｂはフレキシブル基板３６上の配線パターンに電気的に接続されている。この配線パターンは、リジッド基板３８上の配線パターンに電気的に接続されている。光受信モジュール３４の先端にはスリーブ３４ｂが設けられており、このスリーブ３４ｂには外部の光ファイバが接続される。光受信モジュール３４は、この光ファイバから入力光信号Ｏｉｎを受け、電気出力信号Ｅｏｕｔに変換する。この電気出力信号Ｅｏｕｔは、リードピン３４ａ、フレキシブル基板３６およびリジッド基板３８を介して、光モジュール１０の外部に出力される。

図２は、光モジュール１０の回路ブロック図である。図２の上半分および下半分は、それぞれ光モジュール１０の送信部及び受信部を示している。送信部は、光送信モジュール３２に加えて、リジッド基板３８上に実装された電子部品から構成される。また、受信部は、光受信モジュール３４に加えて、フレキシブル基板３６及びリジッド基板３８上に実装された電子部品から構成される。以下では、光モジュール１０の送信部及び受信部を順次に説明する。

まず、送信部を説明する。図２に示されるように、リジッド基板３８上には、ドライバ１２と、ドライバ１２の出力端子に接続された配線パターン１４が実装されている。ドライバ１２は、入力電気信号Ｅｉｎを受けて変調信号を生成し、配線パターン１４に出力する。リジッド基板３８上には、光送信モジュール３２内の発光素子１８（後述する）にバイアス電圧を供給する直流電圧源１１ａも実装されている。また、ドライバ１２と配線パターン１４の間には、終端抵抗２０ａの一端が接続されている。終端抵抗２０ａの他端は、所定の負の基準電位１１ｂに接続されている。

図３は、リジッド基板３８を示す斜視図である。リジッド基板３８は誘電体から構成されている。リジッド基板３８の上面には、ドライバ１２、配線パターン１４、終端抵抗２０ａ、及び直流電圧源１１ａが設けられている。リジッド基板３８の下面全体には、基準電位１１ｂを有する導体パターン３９が設けられている。リジッド基板３８の上面には、直流電圧源１１ａに接続された配線パターン５６と、基準電位１１ｂを有する導体パターン５８が更に設けられている。なお、リジッド基板３８の上面には、光モジュール１０の受信部に属する電子部品も実装されているが、これについては後述する。

配線パターン１４の一方の端部１４ａは、ドライバ１２の出力端子に接続され、他方の端部１４ｂは、複数のリードピン３２ａ（図１を参照）の1本に接続されている。

終端抵抗２０ａは、矩形の平面形状を有する抵抗体である。終端抵抗２０ａの一端は、配線パターン１４の端部１４ａに接続され、他端は導体パターン５８に接続されている。なお、終端抵抗２０ａは、ドライバ１２の出力抵抗としてドライバ１２の内部に配置されていてもよい。

本実施形態における配線パターン１４は、マイクロストリップ線路である。配線パターン１４の特性インピーダンスは、終端抵抗２０ａのインピーダンスに等しい。この特性インピーダンスは、配線パターン１４の配線幅、誘電体の厚み、誘電体の誘電率等のパラメータに応じて定まる。

配線パターン５６の一端は直流電圧源１１ａの出力端子に接続され、他端は、リードピン３２ａの１本に接続されている。

次に、光送信モジュール３２の構成を説明する。図２に示されるように、光送信モジュール３２は、出力光信号Ｏｏｕｔを生成する発光素子１８と、その発光素子に変調信号を供給する配線パターン１５を有している。配線パターン１５の一部には、バンドストップフィルタ（Band-Stop Filter：ＢＳＦ）１６が設けられている。ＢＳＦ１６の詳細は後述する。発光素子１８と配線パターン１５の間には、終端抵抗２０ｂの一端が接続されている。終端抵抗２０ｂの他端は、所定の基準電位１１ｂに接続されている。

本実施形態では、発光素子１８は光変調器集積型半導体レーザ素子である。このレーザ素子は、分布帰還型レーザダイオード（Distributed Feedback Laser Diode：ＤＦＢ−ＬＤ）１８ａと電界吸収型光変調素子（Electro-Absorption optical modulator：ＥＡ変調素子）１８ｂを一つの基板上にモノリシックに集積したものである。ＤＦＢ−ＬＤ１８ａは、ある一定の強度のレーザ光を生成し、ＥＡ変調素子１８ｂに送る。ＥＡ変調素子１８ｂは、配線パターン１５から送られる変調信号に応じてそのレーザ光を変調し、出力光信号Ｏｏｕｔを生成する。

発光素子１８、配線パターン１５、ＢＳＦ１６および終端抵抗２０ｂは、一つの基板上に実装されている。図４は、その基板を示す斜視図である。以下では、図２及び図４を参照しながら、光送信モジュール３２の構成を更に詳細に説明する。

図４に示されるように、基板４０は、キャリア４２上に載置されており、キャリア４２は光送信モジュール３２に搭載されている。キャリア４２は、例えば金属体から構成される。基板４０は誘電体から構成されている。キャリア基板４０の上面には、発光素子１８、配線パターン１５、及び終端抵抗２０ｂが設けられている。基板４０の下面全体には、基準電位１１ｂを有する導体パターン４３が設けられている。

基板４０の上面には、基準電位１１ｂを有する導体パターン４４と、ＤＦＢ−ＬＤ１８ａにバイアス電圧を供給するための配線パターン４６が更に設けられている。例えば、導体パターン４４はスルーホールビアによって導体パターン４３と接続される。ＤＦＢ−ＬＤ１８ａのアノードは、ボンディングワイヤによって配線パターン４６の一端４６ａに接続されている。配線パターン４６の他端４６ｂと配線パターン５６の端部との間には、複数のリードピン３２ａ（図１を参照）の１本が接続されている。したがって、配線パターン４６は、リードピン３２ａを介してリジッド基板３８上の配線パターン５６に電気的に結合されている。ＤＦＢ−ＬＤ１８ａのカソードは、導体パターン４４に接続されており、その結果、このカソードは基準電位１１ｂを有することになる。

ＥＡ変調素子１８ｂのカソードは、ボンディングワイヤによって配線パターン１５の一方の端部１５ｂに接続されている。ＥＡ変調素子１８ｂのアノード端子は、導体パターン４４に接続されており、その結果、このアノード端子は基準電位１１ｂを有することになる。

配線パターン１５の一方の端部１５ａと配線パターン１４の端部１４ｂとの間には、複数のリードピン３２ａの１本が接続されている。したがって、配線パターン１５は、このリードピン３２ａを介して配線パターン１４に電気的に結合されている。配線パターン１５の他方の端部１５ｂは、ボンディグワイヤによってＥＡ変調素子１８ｂのカソードに接続されている。したがって、配線パターン１４及び１５は、ドライバ１２から出力される変調信号をＥＡ変調素子１８ｂへ伝送する線路として機能する。

終端抵抗２０ｂは、矩形の平面形状を有する抵抗体である。終端抵抗２０ｂは、配線パターン１５の端部１５ｂと導体パターン４４の間に接続されている。この終端抵抗２０ｂと前述した終端抵抗２０ａは、ドライバ１２と発光素子１８との間の多重反射を低減する。

配線パターン１５は、配線パターン１４と同様に、マイクロストリップ線路である。配線パターン１４、１５の各特性インピーダンス、終端抵抗２０ａのインピーダンス、及び、終端抵抗２０ｂとＥＡ変調素子１８ｂとの合成インピーダンスは、全て同じ値を有する。

図５は、配線パターン１５中に設けられたバンドストップフィルタ１６を示す平面図である。バンドストップフィルタ１６は、配線パターン１５の一部分６０に加えて、その部分６０に沿って等間隔に配置された複数の共振器５２を有する。これらの共振器５２は、当該部分６０の軸線Ｘと直交して延びる一定幅のストリップ導体である。配線パターン１５を伝搬する電気信号の２次高調波の波長をλで表すと、ストリップ導体の全長Ｌはλ／２である。また、ストリップ導体の幅Ｗは、波長λに対して十分短い。これらの共振器５２は、軸線Ｘの方向に沿ってλ／４の間隔で配置されている。

このようなストリップ導体から構成されるバンドストップフィルタは公知なので、その動作原理の詳細な説明は省略するが、配線パターン１５中の部分６０を伝搬する電気信号の偶数次高調波成分が、共振器５２に電気的に結合される。本実施形態では、特に２次高調波成分が高い効率で結合される。この結果、バンドストップフィルタ１６は、部分６０を伝搬する電気信号の偶数次高調波成分、特に２次高調波成分を減衰させる。その一方で、バンドストップフィルタ１６は、奇数次高調波成分は、ほとんど減衰させない。

次に、図２を再び参照しながら、光モジュール１０の受信部を説明する。光受信モジュール３４の内部には、受光素子２２（本実施形態では、フォトダイオード）が設けられている。受光素子２２のアノードは負の基準電位１１ｂに接続されており、したがって、受光素子２２に逆方向のバイアス電圧が印加される。受光素子２２は、外部の光ファイバからの入力光信号Ｏｉｎを電気信号に変換し、フレキシブル基板３６上に設けられた配線パターン２４に出力する。受光素子２２のカソードは、複数のリードピン３４ａ（図１を参照）の１本を介して、配線パターン２４の一端２４ａに電気的に接続されている。

図６は、フレキシブル基板３６を示す斜視図である。フレキシブル基板３６は誘電体から構成されている。フレキシブル基板３６の上面には、配線パターン２４及び終端抵抗３０ａが設けられている。配線パターン２４の一部には、バンドストップフィルタ２６が設けられている。フレキシブル基板３６の下面全体には、基準電位１１ｂを有する導体パターン３７が設けられている。フレキシブル基板３６の上面の一部にも、基準電位１１ｂを有する導体パターン４８が設けられている。

配線パターン２４のうち端部２４ａと反対側の端部２４ｂは、リジッド基板３８上に設けられた配線パターン２５の一端２５ａと電気的に接続されている。配線パターン２４は、マイクロストリップ線路であり、終端抵抗３０ａのインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有するように設計されている。

配線パターン２４中には、バンドストップフィルタ２６が設けられている。バンドストップフィルタ２６は、バンドストップフィルタ１６と同様の構成を有しており、配線パターン２４を伝搬する電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つ、特に２次高調波成分を減衰させる。また、バンドストップフィルタ２６は、奇数次高調波成分は、ほとんど減衰させない。

配線パターン２５は、マイクロストリップ線路であり、終端抵抗３０ｂのインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有するように設計されている。終端抵抗３０ａは、矩形の平面形状を有する抵抗体である。終端抵抗３０ａは、配線パターン２４の端部２４ａと導体パターン４８との間に接続されている。

再び図３を参照する。リジッド基板３８の上面には、配線パターン２５、信号処理回路２８、及び終端抵抗３０ｂが設けられている。配線パターン２５の一方の端部２５ａは配線パターン２４に接続され、他方の端部２５ｂは信号処理回路２８の入力端子に接続されている。したがって、配線パターン２４及び２５は、受光素子２２から出力された電気信号を信号処理回路２８へ伝送するための線路として機能する。信号処理回路２８は、受光素子２２からの電気信号を配線パターン２５から受け、その電気信号に応じた出力電気信号Ｅｏｕｔを生成する。

終端抵抗３０ｂは、矩形の平面形状を有する抵抗体である。終端抵抗３０ｂは、配線パターン２５の端部２５ｂと、基準電位１１ｂを有する導体パターン５８との間に接続されている。この終端抵抗３０ｂと前述した終端抵抗３０ａは、受光素子２２と信号処理回路２８との間の多重反射を低減する。

次に、光モジュール１０の動作について説明する。光モジュール１０の送信動作では、ドライバ１２が、外部からの入力電気信号Ｅｉｎに応じた変調信号を生成する。この変調信号は、配線パターン１４を伝搬し、リードピン３２ａを通じて配線パターン１５へ導かれる。変調信号は、配線パターン１５を伝搬し、ボンディングワイヤを通じて発光素子１８のＥＡ変調素子１８ｂに入力される。配線パターン１５の伝搬中、変調信号はバンドストップフィルタ１６を通過する。

一方で、直流電圧源１１ａは、配線パターン５６、リードピン３２ａ、配線パターン４６、及びボンディングワイヤを介して、ＤＦＢ−ＬＤ１８ａへバイアス電圧を供給する。ＤＦＢ−ＬＤ１８ａは、このバイアス電圧によって一定な強度の光１８ＡをＥＡ変調素子１８ｂに供給する。ＥＡ変調素子１８ｂは、入力された変調信号に応じて一定強度の光７０を変調し、光信号Ｏｏｕｔを生成する。この光信号Ｏｏｕｔは、スリーブ３２ｂを介して外部の光ファイバへ導かれる。

光モジュール１０の受信動作では、光モジュール１０は、スリーブ３４ａを介して外部の光ファイバから入力光信号Ｏｉｎを受け、この入力光信号Ｏｉｎを受光素子２２へ導く。受光素子２２は、この入力光信号Ｏｉｎに応じた電気信号を生成する。この電気信号は、リードピン３４ｂを介して配線パターン２４へ導かれ、配線パターン２４を伝搬する。その際、電気信号は、バンドストップフィルタ２６を通過する。次いで、電気信号は、配線パターン２５へ導かれ、配線パターン２５を伝播し、信号処理回路２８へ導かれる。信号処理回路２８は、この電気信号に応じた出力電気信号Ｅｏｕｔを生成する。

以下では、図７〜図１０を参照しながら、光モジュール１０に相当するシミュレーションモデルを用いたシミュレーションの結果を示す。ここで、図７は、電圧信号生成モデルを用いて生成された入力電気信号Ｅｉｎのアイパターンを示している。この入力電気信号Ｅｉｎは、１０Ｇｂｐｓのビットレートを有するノンリターンゼロ（ＮＲＺ）方式のランダムパターン信号である。図８は、バンドストップフィルタ１６が設けられていない配線パターン１５の端部１５ｂにおける変調信号のアイパターンを示している。図８に示されるように、変調信号がドライバ１２等の電気回路や、配線パターン１４及び１５を通過すると、電気信号に非線形歪が生じる。

図９は、バンドストップフィルタ１６に相当するシミュレーションモデルの透過特性を示す図である。図９は、ＳパラメータのＳ２１のマグニチュード特性である。Ｓ２１とは出力電力÷入力電力であり、Ｓ２１＝０ｄＢのとき、出力電力＝入力電力、すなわち、透過率１００％である。マグニチュードは、位相を考慮しない大きさのみを表しており、Ｓ２１が実部＋ｊ虚部で表される場合、（（実部）^２＋（虚部）^２）^１／２によって算出される。

図９に示されるように、バンドストップフィルタ１６に相当するシミュレーションモデルは、周波数１０ＧＨｚの電気信号成分、すなわち、１０Ｇｂｐｓのビットレートを有するノンリターンゼロ方式の電気信号の２次高調波成分を約１０００分の３（−５０ｄＢ）以下に減衰させる。

図１０は、図９のバンドストップフィルタ１６モデルが設けられた配線パターン１５の端部１５ｂにおける変調信号のアイパターンを示している。図８と図１０を比較すれば、バンドストップフィルタ１６を用いて変調信号の２次高調波成分を減衰させることにより、変調信号の非線形歪が低減されることが分かる。このことから、本発明者は、電気信号に生じる非線形歪がその電気信号の偶数次高調波成分に起因するという結論に達した。

本実施形態では、配線パターン１５中に設けられたバンドストップフィルタ１６が、変調信号の偶数次高調波成分、特に２次高調波成分を減衰させるので、変調信号の非線形歪が低減される。それに応じて、出力光信号Ｏｏｕｔの非線形歪も低減される。

また、本実施形態では、バンドストップフィルタ２６が、受光素子２２から出力される電気信号の２次高調波成分を減衰させる。このため、その電気信号がリードピン３４ａや配線パターンを伝搬する間に非線形歪みを生じたとしても、その非線形歪はバンドストップフィルタ２６によって低減される。それに応じて、出力電気信号Ｅｏｕｔの非線形歪も低減される。

更に、また、バンドストップフィルタ１６、２６の共振器５２によって偶数次高調波成分が反射され、配線パターンに戻ったとしても、終端抵抗２０ａ，３０ａがその反射成分を基準電位１１ｂに導く。したがって、共振器５２で生じた反射成分による電気信号の歪を防止することができる。

本実施形態の光モジュール１０は、発光素子１８としてＥＡ変調素子集積型ＤＦＢ−ＬＤを用いているので、発光素子１８の入力インピーダンスは非常に大きい。そのため、配線パターンの両端に終端抵抗２０ａ及び２０ｂを設けることにより、ドライバ１２と発光素子１８との間でインピーダンスを整合させることができる。したがって、ドライバ１２と発光素子１８との間の多重反射による電気信号の波形歪が低減される。

バンドストップフィルタ１６，２６は導体から構成されているので、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、インダクタ等の受動素子から構成されるフィルタと比較して、消費電力を削減され、発熱を低減することができる。

また、配線パターンの一部にバンドストップフィルタが設けられているので、上記の能動素子や受動素子から構成されるフィルタと比較して、実装スペースを削減することができる。

光受信モジュール３４がフレキシブル基板３６を用いてリジッド基板３８に接続されているので、光受信モジュール３４のリードピン３４ａを折り曲げる必要がない。したがって、光受信モジュール３４から出力される高速な電気信号の波形歪を抑えることができる。

以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。

上記実施形態では、バンドストップフィルタ１６が基板４０上の配線パターン１５中に設けられているが、バンドストップフィルタ１６をリジッド基板３８上の配線パターン１４中に設けてもよい。また、バンドストップフィルタ２６をフレキシブル基板３６上の配線パターン２４中に設ける代わりに、バンドストップフィルタ２６をリジッド基板３８上の配線パターン２５中に設けてもよい。

上記実施形態のバンドストップフィルタは、配線パターンの一部分に沿って矩形状の共振器５２が配置された構成を有している。しかし、本発明で使用するバンドストップフィルタは、他の構成を有してもよい。

以下では、図１１及び図１２を参照しながら、バンドストップフィルタの別の例を説明する。図１１は、複数の共振器５２ａを有するバンドストップフィルタ１６ａを示す図である。図１１に示すバンドストップフィルタ１６ａは、部分６０の軸線Ｘと直交する方向に、複数の共振器５２ａを有する。共振器５２ａは、一定の幅を有するストリップ導体がコ字状に延在してなる導体パターンである。部分６０を伝搬する電気信号の２次高調波の波長をλで表すと、ストリップ導体の全長Ｌはλ／２であり、ストリップ導体の幅Ｗはλよりも十分に短い。これらの共振器５２ａは、部分６０の軸線Ｘの方向に沿ってλ／４の間隔で配置されている。このバンドストップフィルタ１６ａは、部分６０を伝搬する電気信号の偶数次高調波成分（特に２次高調波成分）を共振器５２ａに磁気的に結合し、それによって偶数次高調波成分を減衰させる。バンドストップフィルタ１６ａは、当該電気信号の奇数次高調波成分は、ほとんど減衰させない。

図１２は、複数の共振器５２ｂを有するバンドストップフィルタ１６ｂを示す図である。図１２に示すバンドストップフィルタ１６ｂは、部分６０の軸線Ｘと直交する方向に沿って配置された複数の共振器５２ｂを有する。共振器５２ｂは、一定の幅を有するストリップ導体がＬ字状に延在してなる導体パターンである。部分６０を伝搬する電気信号の２次高調波の波長をλで表すと、ストリップ導体の全長Ｌはλ／２であり、ストリップ導体の幅Ｗは電気信号の２次高調波の波長λに対して十分短い。これらの共振器５２ｂは、部分６０の軸線Ｘの方向に沿ってλ／４の間隔で配置されている。このバンドストップフィルタ１６ｂは、部分６０を伝搬する電気信号の偶数次高調波成分（特に２次高調波成分）を共振器５２ｂに電気的および磁気的に結合し、それによって偶数次高調波成分を減衰させる。バンドストップフィルタ１６ｂも、当該電気信号の奇数次高調波成分は、ほとんど減衰させない。

バンドストップフィルタ１６において共振器５２の長さ及び間隔を上記実施形態の半分、４分の１等に変更すると、バンドストップフィルタ１６は、それぞれ、部分６０を伝搬する電気信号の４次高調波成分、８次高調波成分等を減衰させる。バンドストップフィルタ２６、１６ａ、１６ｂについても、同様の変更が可能である。

バンドストップフィルタの共振器は、単一であってもよいが、偶数次高調波成分を十分に低減するためには、複数設けることが望ましい。

配線パターン１４、１５、２４、及び、２５は、マイクロストリップ線路に限られず、ストリップ線路やコプレナ線路など、他の伝送線路であってもよい。

本発明の実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る光モジュールの回路ブロック図である。 リジッド基板を示す斜視図である。 光送信モジュール内の基板を示す斜視図である。 バンドストップフィルタを示す平面図である。 フレキシブル基板を示す斜視図である。 電圧信号生成モデルを用いて生成された入力電気信号Ｅｉｎのアイパターンである。 バンドストップフィルタが設けられていない光モジュールのシミュレーションモデルにおける変調信号のアイパターンである。 バンドストップフィルタモデルの透過特性を示す図である。 バンドストップフィルタモデルが設けられた光モジュールのシミュレーションモデルにおける変調信号のアイパターンである。 磁気的に結合された共振器を有するバンドストップフィルタを示す図である。 電気的に、且つ磁気的に結合された共振器を有するバンドストップフィルタを示す図である。

符号の説明

１０…光モジュール、１２…ドライバ、１４、１５、２４、２５…配線パターン、１６、２６…バンドストップフィルタ、１８…発光素子、２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂ…終端抵抗、２２…受光素子、２８…信号処理回路、３２…光送信モジュール、３４…光受信モジュール、３６…フレキシブル基板、３８…リジッド基板。

Claims (4)

1. 半導体光素子と、
   前記半導体光素子と電気的に接続された第１の配線パターンと、
   前記第１の配線パターン中に設けられ、前記第１の配線パターンを伝播する電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つを減衰させるバンドストップフィルタと、
   を備える光モジュール。
2. 前記バンドストップフィルタは、
   前記第１の配線パターンの一部分と、
   当該一部分から離間した導体から構成され、前記電気信号の偶数次高調波成分の少なくとも一つが電気的又は磁気的に結合される共振器と、
   を有している、
   請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記第１の配線パターンを有するフレキシブル基板と、
   前記第１の配線パターンと電気的に接続された第２の配線パターンと、
   前記第２の配線パターンを有するリジッド基板と、
   を更に備える請求項２に記載の光モジュール。
4. 前記第１の配線パターンを有するリジッド基板と、
   前記第１の配線パターンと電気的に接続された第２の配線パターンと、
   前記第２の配線パターンを有するフレキシブル基板と、
   を更に備える請求項２に記載の光モジュール。

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