JPS61222310A - 周波数変換回路 - Google Patents

周波数変換回路

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Publication number
JPS61222310A
JPS61222310A JP5131685A JP5131685A JPS61222310A JP S61222310 A JPS61222310 A JP S61222310A JP 5131685 A JP5131685 A JP 5131685A JP 5131685 A JP5131685 A JP 5131685A JP S61222310 A JPS61222310 A JP S61222310A
Authority
JP
Japan
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frequency
harmonic
band
image
local oscillation
Prior art date
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Pending
Application number
JP5131685A
Other languages
English (en)
Inventor
Takamitsu Kitayama
北山 隆満
Hiroshi Nakano
洋 中野
Tomozo Oota
智三 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP5131685A priority Critical patent/JPS61222310A/ja
Publication of JPS61222310A publication Critical patent/JPS61222310A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は衛星放送受信機等、マイクロ波受信機に使用さ
れる周波数変換回路に関する。
〈従来技術〉 一般に衛星放送受信用のマイクロ波受信機の周波数変換
回路を構成する場合、初段に低雑音増幅器を設け、後段
に周波数変換器(ミキサ)を設は数(/i)に変換し、
この信号に増幅等の処理を行なうのが通常である。この
周波数変換回路の一般的構成を第7図に示す。同図で1
は高域通過フィルタ、2はFETやバイポーラトランジ
スタ素子からなる低雑音増幅器、3は受信信号周波数/
sは通過させるが、イメージ周波数成分の通過は阻止す
る帯域通過フィルタ(又は高域通過フィルタ)、4はミ
キサ、5は局部発振器、6はIF増幅器、7は受信信号
の入力端子、8はIF倍信号出力端子である。尚、受信
信号周波数/s、局部発振周波数/e、イメージ周波数
/m% IF周波数/iとの間には、原理的には次の関
係がある。
/s=2/e−/m=/h−/m 、  fi=/s−
/e(但し、fhは局部発振周波数の第2矢高周波(2
/e)である。) 受信信号周波数/s酸成分入力端子7より入り低雑音増
幅器2、帯域通過フィルタ3を通過後ミキサ4に至る。
このミキサ4では局部発振信号(/e酸成分を受け、受
信信号周波数/sとの混合を行ない、IF信号周波数/
iを発生する。上記IF倍信号出力端子8より取り出さ
れる。
上記帯域通過フィルタ3はイメージ周波数(7m)帯の
周波数を有する雑音や不要波の入力を阻止し、ミキサの
雑音特性の劣化を防ぐとともに、IF信号帯への不要波
成分の混入′を阻止する0ところで上記低雑音増幅器2
は、雑音特性が良好で増幅帯域特性がより広帯域なほど
活用性も広く望ましい。
又、この低雑音増幅器2は、その配設位置が信号を受信
するアンテナ系に近いほど信号伝搬に伴う損失が少ない
為通常はアンテナ近傍に配置されるが、この低雑音増幅
器2には、受信信号周波数/s酸成分共にイメージ周波
数/m帯の雑音成分が入力される場合が多々生じる。一
方、通常帯域通過フィルタ3は、イメージ周波数/m帯
の雑音成分が十分阻止されるよう設計されているが、局
部発振器5のもつ高調波成分あるいは、ミキサ4の非直
線性により発生する局部発振器5からの高調波周波数/
h(=2/e)成分が大きな減衰を受けることなく当フ
ィルタを通過する場合が多い。即ち、この高周波/h酸
成分低雑音増幅器2の出力側より倒来し、低雑音増幅器
2内に使用されるFETやバイポーラトランジスタ素子
等の増幅素子に入力される。
しかし、微弱な信号を受ける衛星受信用のマイクロ波受
信機においては、この高調波/h酸成分信号成分にくら
べてはるかに大きな量になることがしばしば生じる。こ
の様な場合、上記増幅素子は、入力となる受信信号成分
(/s)やイメージ成成(7m)を増幅(広帯域増幅器
の場合)すると共にその非直線性により、出力側より到
来した局部発亭 振器3から高調波成分(/h)と上記入力信号の間の混
合作用を行なってしまう。その結果、低雑音速 増幅器2内に局部発振器3から高調波成分とイメージ成
分の差の周波数、/h−fm=fsの雑音が発生する。
即ち、増幅器2内に入力されたイメージ成分(7m)は
増幅器内で受信信号成分(/s)に変換され、この受信
信号成分は、フィルタ3を通過し、ミキサ4に至り、I
F倍信号混入する。しかし、この混入は等制約にイメー
ジ抑圧効果を低下させる結果となり、大きなイメージ抑
圧効果を要求される衛星放送受信機においては大きな問
題となった。
更に局部発振周波数の第2次高調波の帯域では低雑音増
幅器2の逆伝達特性は不良であり、又高域通過フィルタ
lもその帯域では通過特性を示すので外部への輻射が大
きくなる。従って他の使用電波が高周波である場合に、
上記局部発振周波数の第2高調波の漏洩が他のシステム
との干渉土間本発明は以上の従来問題点を解消するため
になされたものであり、局部発振器の高調波によるイメ
ージ抑圧効果の低下や上記局部発振器の高調波の外部へ
の漏洩等を防止する新規な周波数変換回路を提供するこ
とを目的とする。
〈実施例〉 1\lT −に尭1旧F孤ス国辿勅亦廟H敗小−宗汝芳
1を図面を用いて詳細に説明する。
第1図に本発明に係る周波数変換回路の一実施例の回路
構成図を示す。同図において、lは高帯域通過フィルタ
、2はFETやバイポーラトランジスタ素子からなる低
雑音増幅器、3は受信信号周波数/sは通過させるがイ
メージ周波数成分の通過は阻止する帯域通過フィルタ(
又は高域通過フィルタ)、4はミキサ、5は局部発振器
、6はIF増幅器、7は受信信号の入力端子、8はIF
倍信号出力端子、9は局部発振周波数の第2高調波の通
過を阻止する帯域阻止回路である。該帯域阻止回路9の
具体的構造を第2図に示す。同図軸)はマイクロストリ
ップラインの開放端スタブを利用した帯域阻止回路、同
図(b)はマイクロストリップラインの両端が開放され
た1/2波長共振器を利用した帯域阻止回路、同図(c
)は誘電体共振器を利用した帯域阻止回路である。
上記帯域通過フィルタ3は信号周波数/sは通過させる
がイメージ周波継fm及び局部発振周波数/eに対して
は阻止特性を持つように設計され、上記帯域阻止回路9
は局部発振周波数の第2次高調波2/eを阻止するよう
に設計される。上記帯域通過フィルタ3と上記帯域阻止
回路9を縦続接続することにより、第3図の特性グラフ
の如く信号周波数/sは通過させるが、イメージ周波数
fm。
局部発振周波数fe 、局部発振周波数の第2次高調波
2/eを阻止するフィルタ回路が構成される。
第2図において10は誘電体基板であり、該誘電体基板
10の上面側にマイクロ波線路11が形成され、上記誘
電体基板IOの下面側にアース12が夫々銅箔によって
形成される。同図(a)は主線路11に、局部発振周波
数の第2次高調波2feの174波長の奇数倍の長さの
開放端スタブ13を接続した構造であり、同図(b)は
主線路11に、局部発振周波数の第2高調波2/eの1
/2波長の長さのマイクロストリップラインの両端が開
放された172波長共振器14を平行結合した構造であ
り、同図(c)は主線路11に、局部発振周波数の第2
高調波2/eに共振周波数を持つ誘電体共振器15を磁
界結合した構造を示す。上記帯域阻止回路9は局部発振
周波数の第2次高調波2/eを阻止する様に細かく寸法
設定がなされる。
以上の構成において帯域阻止回路9と帯域通過フィルタ
3とはその配列順序が逆であっても同様のフィルタ特性
を実現することが可能である。
第4図に本発明に係る周波数変換回路の他の実施例の回
路構成図を示す。同図において、■は高域通過フィルタ
1.2はFETやバイポーラトランジスタ素子からなる
低雑音増幅器、4はミキサ、5は局部発振器、6はIF
増幅器、7は受信信号の入力端子、8はIF倍信号出力
端子、16は帯域阻止機能を有したカットオフ導波管で
ある。該帯域阻止機能を有したカットオフ導波管16の
具体的構造を第5図及び第6図に示す。この帯域阻止機
能を有したカットオフ導波管16は信号周波数/sは通
過させるがイメージ周波数/m及び局部発振周波数fe
及び局部発振周波数の第2次高調波2/eを阻止するよ
うに設計される。通常のカットオフ導波管は一種の高域
通過フィルタとして機能し、例えば信号周波数/sを含
んでそれより高い周波数帯で通過特性を具備するように
容易に設計できる。この設計によりイメージ周波数/m
及び局部発振周波数feに対して十分な減衰量が得られ
る。第5図(a)においてカットオフ導波管16の上面
には局部発振周波数feの第2次高調波2/eに共振周
波数を持つ誘電体共振器17が挿入される。この誘電体
共振器17の挿入によって局部発振周波数の第2次高調
波2/e帯の十分な減衰特性を実現できる。即ち以上の
帯域阻止機能を有したカットオフ導波管16によって第
3図の様な特性のフィルタ回路を実現できる。尚、上記
誘電体共振器17は第5図(b)に示す様にカットオフ
導波管16の側面に挿入してもよい。
尚、第6図(a)において示す様にカットオフ導波管1
6の上面に局部発振周波数feの第2次高調波2/eに
共振周波数を持つ空胴共振器18を電界結合させてもよ
い。この空胴共振器18の電界結合によって局部発振周
波数の第2次高調波2/e帯の十分な減衰特性を実現で
きる。又、第6図(b)において示す様にカットオフ導
波管I6の側面に局部発振周波数/eの第2次高調波2
feに共振周波数を持つ空胴共振器18を磁界結合させ
てもよい。
上記空胴共振器18としては円筒空胴共振器を用いても
よい、父上記カットオフ導波管16としては円形導波管
を用いてもよい。
〈発明の効果〉 以上の本発明によれば低雑音増幅器とミキサの間に局部
発振周波数の第2次高調波の通過を阻止する帯域阻止回
路を設けたので局部発振周波数の第2次高調波に起因す
るところのイメージ抑圧効果の低下や局部発振周波数の
第2次高調波の外部への漏洩等を防止することができる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る周波数変換回路の一実施例の回路
構成図、第2図は帯域阻止回路の斜視図、第3図は特性
グラフ図、第4図は本発明に係る周波数変換回路の他の
実施例の回路構成図、第5図及び第6図はカットオフ導
波管の斜視図、第7図図中4>1:高域通過フィルタ 
2:低雑音増幅器3:帯域通過フィルタ 4:ミキサ 5:局部発振器    5:IF増幅器7:入力端子 
    8:出力端子 9:帯域阻止回路  IO=誘電体基板ll:主線路 
     12:アース13:開放端スタブ   14
 : 1/2波長共振器15:誘電体共振器 16:カットオフ導波管  17:誘電体共振器18:
空胴共振器 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図 (C) 第4図 (a)          (b) 第5図 (a )          (b ’)第6図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マイクロ波受信機に組み込まれるための周波数変換
    回路であつて、 前段に低雑音増幅器を設け、後段に受信信号周波数をそ
    れより十分低い中間周波数に変換するミキサを設け、上
    記低雑音増幅器と上記ミキサの間に局部発振周波数の第
    2次高調波の通過を阻止する帯域阻止回路を設けたこと
    を特徴とする周波数変換回路。
JP5131685A 1985-03-13 1985-03-13 周波数変換回路 Pending JPS61222310A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5131685A JPS61222310A (ja) 1985-03-13 1985-03-13 周波数変換回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP5131685A JPS61222310A (ja) 1985-03-13 1985-03-13 周波数変換回路

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Publication Number Publication Date
JPS61222310A true JPS61222310A (ja) 1986-10-02

Family

ID=12883509

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5131685A Pending JPS61222310A (ja) 1985-03-13 1985-03-13 周波数変換回路

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JP (1) JPS61222310A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332372A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332372A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール

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