JP2002055318A - 光電変換半導体装置 - Google Patents
光電変換半導体装置Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換半導体素子の消光特性の非線形性に
もかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半導体装置
を提供する。 【解決手段】 高周波回路基板２上にダイオード４が実
装されているため、このダイオード４の電圧−電流特性
により、印加される電気信号の電気波形を所望の波形に
整形した後に、光電変換半導体素子に印加することがで
きる。そのため、光電変換半導体素子１の消光特性の非
線形性にもかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半
導体装置を得ることができる。
もかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半導体装置
を提供する。 【解決手段】 高周波回路基板２上にダイオード４が実
装されているため、このダイオード４の電圧−電流特性
により、印加される電気信号の電気波形を所望の波形に
整形した後に、光電変換半導体素子に印加することがで
きる。そのため、光電変換半導体素子１の消光特性の非
線形性にもかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半
導体装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
おいて使用する光電変換半導体装置に関するものであ
る。
おいて使用する光電変換半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来の光電変換半導体装置の概
念図である。図に示すように、従来の光電変換半導体装
置は、電界吸収型の光電変換半導体素子１と、ＲＦ信号
を光電変換半導体素子１に給電するための高周波電気回
路基板２と、インピーダンス整合用の終端抵抗３ａとス
ルーホール３ｂとこれらを接続する伝送線路とを有する
終端抵抗基板３と、入力用の結合光学系７ａ及び出力用
の結合光学系７ｂとを備え、高周波電気回路基板２と光
電変換半導体素子１と終端抵抗基板３とは、ワイヤ６等
によって接続されている。
念図である。図に示すように、従来の光電変換半導体装
置は、電界吸収型の光電変換半導体素子１と、ＲＦ信号
を光電変換半導体素子１に給電するための高周波電気回
路基板２と、インピーダンス整合用の終端抵抗３ａとス
ルーホール３ｂとこれらを接続する伝送線路とを有する
終端抵抗基板３と、入力用の結合光学系７ａ及び出力用
の結合光学系７ｂとを備え、高周波電気回路基板２と光
電変換半導体素子１と終端抵抗基板３とは、ワイヤ６等
によって接続されている。
【０００３】従来の光電変換半導体装置においては、終
端抵抗基板３の裏面が接地電極となっており、スルーホ
ール３ｂを介して終端抵抗３ａがこの接地電極と電気的
に接続されている。又、光電変換半導体素子１の裏面が
接地電極となっている。そのため、光電変換半導体素子
１と終端抵抗３ａとは電気的に並列に接続されており、
光電変換半導体装置の内部インピーダンスは規格化イン
ピーダンスとなっている。又、高周波電気回路基板２に
は、上記ＲＦ信号を伝送する伝送線路５が形成されてい
る。
端抵抗基板３の裏面が接地電極となっており、スルーホ
ール３ｂを介して終端抵抗３ａがこの接地電極と電気的
に接続されている。又、光電変換半導体素子１の裏面が
接地電極となっている。そのため、光電変換半導体素子
１と終端抵抗３ａとは電気的に並列に接続されており、
光電変換半導体装置の内部インピーダンスは規格化イン
ピーダンスとなっている。又、高周波電気回路基板２に
は、上記ＲＦ信号を伝送する伝送線路５が形成されてい
る。
【０００４】次に動作について説明する。例えば、光電
変換半導体素子１が電界吸収型の光電変換半導体素子で
あるので、この光電変換半導体素子１には入射側結合光
学系から連続レーザ光が効率良く入射される。又、光電
変換半導体素子１では高周波電気回路２を経由して印加
される電圧に応じてレーザ光の吸収量が変化するため、
高周波電気回路２に変調信号電圧を印加すると、光電変
換半導体素子１の出射端面から出射されるレーザ光には
信号電圧に対応した強度変調が施されることになり、出
射側結合光学系に効率良く結合される。
変換半導体素子１が電界吸収型の光電変換半導体素子で
あるので、この光電変換半導体素子１には入射側結合光
学系から連続レーザ光が効率良く入射される。又、光電
変換半導体素子１では高周波電気回路２を経由して印加
される電圧に応じてレーザ光の吸収量が変化するため、
高周波電気回路２に変調信号電圧を印加すると、光電変
換半導体素子１の出射端面から出射されるレーザ光には
信号電圧に対応した強度変調が施されることになり、出
射側結合光学系に効率良く結合される。
【０００５】尚、先行技術文献としては、例えば、特開
平１０−２９３２７８号公報、特開平１０−０１３３５
１号公報などがある。
平１０−２９３２７８号公報、特開平１０−０１３３５
１号公報などがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
動作する従来の光電変換半導体装置は、電界吸収型の光
電変換半導体素子１におけるバイアス印加電圧と光出力
との関係、即ち消光特性が、図１６のように低バイアス
時は急峻、高バイアス時は緩やかという非線形性を有す
る。すなわち、光変調器における電気／光変換は、低バ
イアス時においては電圧変化に敏感であり、高バイアス
時においては電圧変化に鈍感であるという特徴がある。
動作する従来の光電変換半導体装置は、電界吸収型の光
電変換半導体素子１におけるバイアス印加電圧と光出力
との関係、即ち消光特性が、図１６のように低バイアス
時は急峻、高バイアス時は緩やかという非線形性を有す
る。すなわち、光変調器における電気／光変換は、低バ
イアス時においては電圧変化に敏感であり、高バイアス
時においては電圧変化に鈍感であるという特徴がある。
【０００７】従って、光電変換半導体素子１に印加され
る電気信号の変調電気波形にリンギングが生じているよ
うな場合やパターン効果があるような場合においては、
光電変換半導体装置から出射される変調光波形は、特に
マーク側のリンギングやパターン効果が強調された波形
となるために変調光波形が劣化し、変調光波形の優劣の
指標であるアイ開口率が劣化するという問題がある。
る電気信号の変調電気波形にリンギングが生じているよ
うな場合やパターン効果があるような場合においては、
光電変換半導体装置から出射される変調光波形は、特に
マーク側のリンギングやパターン効果が強調された波形
となるために変調光波形が劣化し、変調光波形の優劣の
指標であるアイ開口率が劣化するという問題がある。
【０００８】本発明は、以上のような問題点に鑑みてな
されたものであり、光電変換半導体素子の消光特性の非
線形性にもかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半
導体装置を提供することを目的とするものである。
されたものであり、光電変換半導体素子の消光特性の非
線形性にもかかわらず、変調光波形に優れた光電変換半
導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光電変換
半導体装置は、消光特性が非線形性を有する光電変換半
導体素子と、高周波電気信号を上記光電変換半導体素子
に供給する高周波電気回路と、インピーダンス整合用の
終端抵抗とを備え、上記高周波電気回路が、上記高周波
電気信号を伝送する伝送線路及びこの伝送線路に接続さ
れるダイオード素子を有しているものである。
半導体装置は、消光特性が非線形性を有する光電変換半
導体素子と、高周波電気信号を上記光電変換半導体素子
に供給する高周波電気回路と、インピーダンス整合用の
終端抵抗とを備え、上記高周波電気回路が、上記高周波
電気信号を伝送する伝送線路及びこの伝送線路に接続さ
れるダイオード素子を有しているものである。
【００１０】又、ダイオード素子が伝送線路に直列に接
続されているものである。
続されているものである。
【００１１】又、ダイオード素子が、伝送線路に並列に
接続されているものである。
接続されているものである。
【００１２】又、ダイオード素子が、伝送線路にそれぞ
れ電気的な極性を異にして並列に接続された１対のダイ
オードからなるものである。
れ電気的な極性を異にして並列に接続された１対のダイ
オードからなるものである。
【００１３】又、光電変換半導体素子と高周波電気回路
とが近接配置されているものである。
とが近接配置されているものである。
【００１４】又、高周波電気回路と終端抵抗が同一基板
上に形成され、この基板上に光電変換半導体素子がフリ
ップチップ実装されているものである。
上に形成され、この基板上に光電変換半導体素子がフリ
ップチップ実装されているものである。
【００１５】又、光電変換半導体素子が、半導体レーザ
と消光特性が非線形性を有する光変調器とがモノリシッ
クに集積化されたものである。
と消光特性が非線形性を有する光変調器とがモノリシッ
クに集積化されたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本実施の
形態による光電変換半導体装置の概念図である。図２
は、ダイオードの電圧−電流特性図である。この光電変
換半導体装置は、量子閉じ込めシュタルク効果およびフ
ランツケルディッシュ効果を有する電界吸収型の光電変
換半導体素子１と、ＲＦ信号を光電変換半導体素子１に
給電するための高周波電気回路基板２と、インピーダン
ス整合用の終端抵抗３ａとスルーホール３ｂとこれらを
接続する伝送線路を有する終端抵抗基板３と、入出力用
の結合光学系７ａ及び出力用の結合光学系７ｂとを備
え、高周波電気回路基板２と光電変換半導体素子１と終
端抵抗基板３とは、ワイヤ６等によって電気的に接続さ
れている。また、高周波電気回路基板２上には、上記Ｒ
Ｆ信号を伝送する伝送線路５が形成され、さらに、これ
に電気的に接続されたダイオード４が実装されている。
形態による光電変換半導体装置の概念図である。図２
は、ダイオードの電圧−電流特性図である。この光電変
換半導体装置は、量子閉じ込めシュタルク効果およびフ
ランツケルディッシュ効果を有する電界吸収型の光電変
換半導体素子１と、ＲＦ信号を光電変換半導体素子１に
給電するための高周波電気回路基板２と、インピーダン
ス整合用の終端抵抗３ａとスルーホール３ｂとこれらを
接続する伝送線路を有する終端抵抗基板３と、入出力用
の結合光学系７ａ及び出力用の結合光学系７ｂとを備
え、高周波電気回路基板２と光電変換半導体素子１と終
端抵抗基板３とは、ワイヤ６等によって電気的に接続さ
れている。また、高周波電気回路基板２上には、上記Ｒ
Ｆ信号を伝送する伝送線路５が形成され、さらに、これ
に電気的に接続されたダイオード４が実装されている。
【００１７】尚、終端抵抗基板３の裏面が接地電極とな
っており、スルーホール３ｂを介して終端抵抗３ａがこ
の接地電極と電気的に接続されている。加えて、光電変
換半導体素子１の裏面が接地電極となっている。そのた
め、光電変換半導体素子１と終端抵抗３ａとは電気的に
並列に接続されており、光電変換半導体装置の内部イン
ピーダンスは規格化インピーダンスとなっている。
っており、スルーホール３ｂを介して終端抵抗３ａがこ
の接地電極と電気的に接続されている。加えて、光電変
換半導体素子１の裏面が接地電極となっている。そのた
め、光電変換半導体素子１と終端抵抗３ａとは電気的に
並列に接続されており、光電変換半導体装置の内部イン
ピーダンスは規格化インピーダンスとなっている。
【００１８】次に動作について説明する。図１におい
て、光電変換半導体素子１には入射側結合光学系から連
続レーザ光が効率良く入射される。一方、光電変換半導
体素子１では高周波電気回路２を経由して印加される電
圧に応じてレーザ光の吸収量が変化するため、高周波電
気回路２に変調信号電圧を印加すると、光電変換半導体
素子１の出射端面から出射されるレーザ光には、信号電
圧に対応した強度変調が施されることになり、出射側結
合光学系に効率良く結合される。
て、光電変換半導体素子１には入射側結合光学系から連
続レーザ光が効率良く入射される。一方、光電変換半導
体素子１では高周波電気回路２を経由して印加される電
圧に応じてレーザ光の吸収量が変化するため、高周波電
気回路２に変調信号電圧を印加すると、光電変換半導体
素子１の出射端面から出射されるレーザ光には、信号電
圧に対応した強度変調が施されることになり、出射側結
合光学系に効率良く結合される。
【００１９】本発明による光電変換半導体装置は、高周
波回路基板２上にダイオード４が実装されているため、
印加される電気信号の電気波形を所望の波形に整形した
後に、光電変換半導体素子１に印加することができる。
波回路基板２上にダイオード４が実装されているため、
印加される電気信号の電気波形を所望の波形に整形した
後に、光電変換半導体素子１に印加することができる。
【００２０】ダイオード４を用いることで電気波形を所
望の波形に整形できる理由を以下に説明する。一般に、
ダイオードの電圧−電流特性には図２に示すような非線
形の関係があるため、ダイオードの端子間に逆方向電圧
が印加された場合、もしくはＶｆ（順方向立ち上がり電
圧）以下の順方向電圧が印加された場合には、電流は流
れず、Ｖｆ以上の順方向電圧を印加したときのみ電流が
流れる。
望の波形に整形できる理由を以下に説明する。一般に、
ダイオードの電圧−電流特性には図２に示すような非線
形の関係があるため、ダイオードの端子間に逆方向電圧
が印加された場合、もしくはＶｆ（順方向立ち上がり電
圧）以下の順方向電圧が印加された場合には、電流は流
れず、Ｖｆ以上の順方向電圧を印加したときのみ電流が
流れる。
【００２１】このような電圧−電流特性を利用すること
によって、光電変換半導体装置に印加される電気信号の
電気波形のマーク側あるいはスペース側における電圧変
動（リンギングやパターン効果）を抑制することがで
き、光電変換半導体素子の消光特性の非線形性にもかか
わらず、光電変換半導体装置から出射される変調光波形
が良好な光電変換半導体装置を得ることができる。そし
て、変調光波形の優劣を判定する規格としては、アイマ
スク規定やアイ開口率などがあるが、これらの規格を満
足する光電変換半導体装置を得ることができる。
によって、光電変換半導体装置に印加される電気信号の
電気波形のマーク側あるいはスペース側における電圧変
動（リンギングやパターン効果）を抑制することがで
き、光電変換半導体素子の消光特性の非線形性にもかか
わらず、光電変換半導体装置から出射される変調光波形
が良好な光電変換半導体装置を得ることができる。そし
て、変調光波形の優劣を判定する規格としては、アイマ
スク規定やアイ開口率などがあるが、これらの規格を満
足する光電変換半導体装置を得ることができる。
【００２２】また、ダイオード４の配設位置によって
は、ダイオード４と光電変換半導体素子１間で電気的な
多重反射が生じるために、光電変換半導体装置から出射
される変調光波形や、周波数特性が劣化する可能性があ
る。
は、ダイオード４と光電変換半導体素子１間で電気的な
多重反射が生じるために、光電変換半導体装置から出射
される変調光波形や、周波数特性が劣化する可能性があ
る。
【００２３】この多重反射としては、ダイオード４の配
設位置と光電変換半導体素子１の配設位置との間の電気
長が半波長となる基本モードが生じるため、この電気長
が短いほど基本モードの周波数が高くなり、光電変換半
導体装置を駆動する際に必要とする周波数帯域外（高周
波側）に追いやることができる。又、ダイオード４の配
設位置と光電変換半導体素子１の配設位置との間の距離
が長く、例えばワイヤ６での接続部分等インピーダンス
の不整合を生じる部分が、ダイオード４の配設位置と光
電変換半導体素子１の配設位置との間に存在するような
場合には、ダイオード４によって波形整形したにもかか
わらず、電気信号が光電変換半導体素子１へ到達する間
に、再度波形が劣化してしまうこととなる。
設位置と光電変換半導体素子１の配設位置との間の電気
長が半波長となる基本モードが生じるため、この電気長
が短いほど基本モードの周波数が高くなり、光電変換半
導体装置を駆動する際に必要とする周波数帯域外（高周
波側）に追いやることができる。又、ダイオード４の配
設位置と光電変換半導体素子１の配設位置との間の距離
が長く、例えばワイヤ６での接続部分等インピーダンス
の不整合を生じる部分が、ダイオード４の配設位置と光
電変換半導体素子１の配設位置との間に存在するような
場合には、ダイオード４によって波形整形したにもかか
わらず、電気信号が光電変換半導体素子１へ到達する間
に、再度波形が劣化してしまうこととなる。
【００２４】従って、ダイオード４を前記高周波電気回
路基板２上の光電変換半導体素子１の直近に配設するこ
とによって、光電変換半導体装置から出射される変調光
波形がより一層良好な光電変換半導体装置を得ることが
できる。
路基板２上の光電変換半導体素子１の直近に配設するこ
とによって、光電変換半導体装置から出射される変調光
波形がより一層良好な光電変換半導体装置を得ることが
できる。
【００２５】実施の形態２．図３は、本実施の形態によ
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図４はこの
光電変換半導体装置の回路模式図である。図３、４にお
いて、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態による光電変換半導体装置の高周波電
気回路基板２には、ダイオード４ａが伝送線路５に逆方
向に直列に実装されている。
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図４はこの
光電変換半導体装置の回路模式図である。図３、４にお
いて、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態による光電変換半導体装置の高周波電
気回路基板２には、ダイオード４ａが伝送線路５に逆方
向に直列に実装されている。
【００２６】ダイオード４の端子間に逆方向電圧が印加
された場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加さ
れた場合には電流は流れないというダイオードの電圧−
電流特性を利用すると、光電変換半導体素子１に印加す
る電気波形のマーク側電圧を０Ｖ付近に調整することに
より、光電変換半導体素子１に印加される電気信号の電
気波形のマーク側における電圧変動（リンギングやパタ
ーン効果）を図５に示すように抑制することができる。
尚、ここで、図５（ａ）は高周波電気回路基板２に印加
される電気信号、図５（ｂ）はダイオード４ａの作用に
より所望の波形に整形され光電変換半導体素子１に印加
される電気信号をそれぞれ示す波形図である。
された場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加さ
れた場合には電流は流れないというダイオードの電圧−
電流特性を利用すると、光電変換半導体素子１に印加す
る電気波形のマーク側電圧を０Ｖ付近に調整することに
より、光電変換半導体素子１に印加される電気信号の電
気波形のマーク側における電圧変動（リンギングやパタ
ーン効果）を図５に示すように抑制することができる。
尚、ここで、図５（ａ）は高周波電気回路基板２に印加
される電気信号、図５（ｂ）はダイオード４ａの作用に
より所望の波形に整形され光電変換半導体素子１に印加
される電気信号をそれぞれ示す波形図である。
【００２７】そのため、光電変換半導体素子１の消光特
性の非線形性にもかかわらず、出射される変調光波形が
良好な光電変換半導体装置を得ることができる。そし
て、その結果、変調光波形の優劣を判定する規格として
は、アイマスク規定やアイ開口率などがあるが、これら
の規格を満足する光電変換半導体装置を得ることができ
る。
性の非線形性にもかかわらず、出射される変調光波形が
良好な光電変換半導体装置を得ることができる。そし
て、その結果、変調光波形の優劣を判定する規格として
は、アイマスク規定やアイ開口率などがあるが、これら
の規格を満足する光電変換半導体装置を得ることができ
る。
【００２８】実施の形態３．図６は、本実施の形態によ
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図７はこの
光電変換半導体装置の回路模式図である。図６、７にお
いて、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態による光電変換半導体装置の高周波電
気回路基板２には、ダイオード４ｂが伝送線路５に対し
て並列に接続され、このダイオード４ｂにバイアス電圧
が印加されている。
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図７はこの
光電変換半導体装置の回路模式図である。図６、７にお
いて、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態による光電変換半導体装置の高周波電
気回路基板２には、ダイオード４ｂが伝送線路５に対し
て並列に接続され、このダイオード４ｂにバイアス電圧
が印加されている。
【００２９】ダイオード４ｂの端子間に逆方向電圧が印
加された場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加
された場合には電流は流れないというダイオードの電圧
−電流特性を利用すると、ダイオード４ｂに印加するバ
イアス電圧を調整することによって、光電変換半導体素
子１に印加される電気信号の電気波形のマーク側におけ
る電圧変動（リンギングやパターン効果）を図８に示す
ように抑制することが可能となる。尚、ここで、図８
（ａ）は高周波電気回路基板２に印加される電気信号、
図８（ｂ）はダイオード４ｂの作用により所望の波形に
整形され光電変換半導体素子１に印加される電気信号を
それぞれ示す波形図である。
加された場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加
された場合には電流は流れないというダイオードの電圧
−電流特性を利用すると、ダイオード４ｂに印加するバ
イアス電圧を調整することによって、光電変換半導体素
子１に印加される電気信号の電気波形のマーク側におけ
る電圧変動（リンギングやパターン効果）を図８に示す
ように抑制することが可能となる。尚、ここで、図８
（ａ）は高周波電気回路基板２に印加される電気信号、
図８（ｂ）はダイオード４ｂの作用により所望の波形に
整形され光電変換半導体素子１に印加される電気信号を
それぞれ示す波形図である。
【００３０】そのため、光電変換半導体素子１の消光特
性の非線形性にもかかわらず、光電変換半導体装置から
出射される変調光波形が良好な光電変換半導体装置を得
ることができる。そして、その結果、変調光波形の優劣
を判定する規格としては、アイマスク規定やアイ開口率
などがあるが、これらの規格を満足する光電変換半導体
装置を得ることができる。
性の非線形性にもかかわらず、光電変換半導体装置から
出射される変調光波形が良好な光電変換半導体装置を得
ることができる。そして、その結果、変調光波形の優劣
を判定する規格としては、アイマスク規定やアイ開口率
などがあるが、これらの規格を満足する光電変換半導体
装置を得ることができる。
【００３１】また、実施の形態２では、ダイオード４ａ
通過後の変調電気波形のマーク側電圧は０Ｖに固定され
てしまうため、光電変換半導体装置から出射される変調
光波形のマーク側光出力や平均光出力も自ずと決まって
しまっていた。一方、本実施の形態では、ダイオード４
ｂの両端子間の電位差に着目すればよく、光電変換半導
体素子１に入力する変調電気波形のマーク側電圧に応じ
て、ダイオード４ｂに印加するバイアス電圧を調整する
ことで波形の整形が可能である。
通過後の変調電気波形のマーク側電圧は０Ｖに固定され
てしまうため、光電変換半導体装置から出射される変調
光波形のマーク側光出力や平均光出力も自ずと決まって
しまっていた。一方、本実施の形態では、ダイオード４
ｂの両端子間の電位差に着目すればよく、光電変換半導
体素子１に入力する変調電気波形のマーク側電圧に応じ
て、ダイオード４ｂに印加するバイアス電圧を調整する
ことで波形の整形が可能である。
【００３２】つまり、光電変換半導体素子１に入力する
変調電気波形のバイアス電圧、および、ダイオード４ｂ
に印加されるバイアス電圧とを調整することによって、
ダイオード４ｂ通過後の電気波形のマーク側電圧を任意
の値とすることができる。従って、光電変換半導体装置
から出射される変調光波形のマーク側光出力や平均光出
力を任意の値とすることができ、汎用性に優れた光電変
換半導体装置を得ることができる。
変調電気波形のバイアス電圧、および、ダイオード４ｂ
に印加されるバイアス電圧とを調整することによって、
ダイオード４ｂ通過後の電気波形のマーク側電圧を任意
の値とすることができる。従って、光電変換半導体装置
から出射される変調光波形のマーク側光出力や平均光出
力を任意の値とすることができ、汎用性に優れた光電変
換半導体装置を得ることができる。
【００３３】なお、伝送線路５に接続するダイオード４
ｂの極性を反転することによって、スペース側における
電圧変動（リンギングやパターン効果）を抑制すること
も可能である。
ｂの極性を反転することによって、スペース側における
電圧変動（リンギングやパターン効果）を抑制すること
も可能である。
【００３４】実施の形態４．図９は、本実施の形態によ
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図１０はこ
の光電変換半導体装置の回路模式図である。図９、１０
において、図１と同様な構成要素には同一の符号を用い
ている。本実施の形態による光電変換半導体装置におい
ては、伝送線路５に２個のダイオード４ｃ，４ｄが並列
に接続され、それぞれのダイオード４ｃ，４ｄにバイア
ス電圧が印加されている。また、それぞれのダイオード
４ｃ，４ｄは極性が逆になるように接続されている。
る光電変換半導体装置の概念図である。又、図１０はこ
の光電変換半導体装置の回路模式図である。図９、１０
において、図１と同様な構成要素には同一の符号を用い
ている。本実施の形態による光電変換半導体装置におい
ては、伝送線路５に２個のダイオード４ｃ，４ｄが並列
に接続され、それぞれのダイオード４ｃ，４ｄにバイア
ス電圧が印加されている。また、それぞれのダイオード
４ｃ，４ｄは極性が逆になるように接続されている。
【００３５】ダイオードの端子間に逆方向電圧が印加さ
れた場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加され
た場合には電流は流れないというダイオードの電圧−電
流特性を利用すると、それぞれのダイオード４ｃ，４ｄ
に印加するバイアス電圧および光電変換半導体素子１に
入力する変調電気波形のバイアス電圧を調整して、ダイ
オード４ｃ，４ｄの端子間の電位差を制御することによ
って、光電変換半導体素子１に印加される電気信号の電
気波形のマーク側とスペース側における電圧変動（リン
ギングやパターン効果）を図１１のように抑制すること
ができる。尚、ここで、図１１（ａ）は高周波電気回路
基板２に印加される電気信号、図１１（ｂ）はダイオー
ド４ｃ、４ｄの作用により所望の波形に整形され光電変
換半導体素子１に印加される電気信号をそれぞれ示す波
形図である。
れた場合、もしくは、Ｖｆ以下の順方向電圧が印加され
た場合には電流は流れないというダイオードの電圧−電
流特性を利用すると、それぞれのダイオード４ｃ，４ｄ
に印加するバイアス電圧および光電変換半導体素子１に
入力する変調電気波形のバイアス電圧を調整して、ダイ
オード４ｃ，４ｄの端子間の電位差を制御することによ
って、光電変換半導体素子１に印加される電気信号の電
気波形のマーク側とスペース側における電圧変動（リン
ギングやパターン効果）を図１１のように抑制すること
ができる。尚、ここで、図１１（ａ）は高周波電気回路
基板２に印加される電気信号、図１１（ｂ）はダイオー
ド４ｃ、４ｄの作用により所望の波形に整形され光電変
換半導体素子１に印加される電気信号をそれぞれ示す波
形図である。
【００３６】そのため、光変調器素子１の消光特性の非
線形性にもかかわらず、光電変換半導体装置から出射さ
れる変調光波形が良好な光電変換半導体装置を得ること
ができる。そして、その結果、変調光波形の優劣を判定
する規格としては、アイマスク規定やアイ開口率などが
あるが、これらの規格を満足する光電変換半導体装置を
得ることができる。
線形性にもかかわらず、光電変換半導体装置から出射さ
れる変調光波形が良好な光電変換半導体装置を得ること
ができる。そして、その結果、変調光波形の優劣を判定
する規格としては、アイマスク規定やアイ開口率などが
あるが、これらの規格を満足する光電変換半導体装置を
得ることができる。
【００３７】また、実施の形態３の回路構成では、光電
変換半導体装置に印加される電気信号の電気波形のマー
ク側もしくはスペース側どちらか一方の電圧変動のみし
か整形できないが、本実施の形態では、マーク側および
スペース側の電圧変動を同時に整形することができ、光
電変換半導体装置から出射される変調光波形がより一層
良好な光電変換半導体装置を得ることができる。
変換半導体装置に印加される電気信号の電気波形のマー
ク側もしくはスペース側どちらか一方の電圧変動のみし
か整形できないが、本実施の形態では、マーク側および
スペース側の電圧変動を同時に整形することができ、光
電変換半導体装置から出射される変調光波形がより一層
良好な光電変換半導体装置を得ることができる。
【００３８】実施の形態５．図１２は、本実施の形態に
よる光電変換半導体装置の概念図である。又、図１３は
この光電変換半導体装置の要部断面図である。図１２、
１３において、図１と同様な構成要素には同一の符号を
用いている。本実施の形態においては、光電変換半導体
素子１が、高周波電気回路基板と終端抵抗基板とにフリ
ップチップ実装されている。なお、本実施の形態におい
ては、高周波電気回路基板と終端抵抗基板とを一体物
（共通基板１０）として構成している。又、図１３に示
すように、この共通基板１０の裏面には、スルーホール
３ｂを介して共通基板１０表面に電気的に接続される接
地配線８が形成されている。
よる光電変換半導体装置の概念図である。又、図１３は
この光電変換半導体装置の要部断面図である。図１２、
１３において、図１と同様な構成要素には同一の符号を
用いている。本実施の形態においては、光電変換半導体
素子１が、高周波電気回路基板と終端抵抗基板とにフリ
ップチップ実装されている。なお、本実施の形態におい
ては、高周波電気回路基板と終端抵抗基板とを一体物
（共通基板１０）として構成している。又、図１３に示
すように、この共通基板１０の裏面には、スルーホール
３ｂを介して共通基板１０表面に電気的に接続される接
地配線８が形成されている。
【００３９】例えば実施の形態４では、高周波回路基板
２と光電変換半導体素子１と終端抵抗基板３とはそれぞ
れワイヤ６によって接続されているため、このワイヤ６
によって、ダイオード４と半導体素子１間にインピーダ
ンスの不整合部分が存在し、若干、波形が劣化する可能
性がある。
２と光電変換半導体素子１と終端抵抗基板３とはそれぞ
れワイヤ６によって接続されているため、このワイヤ６
によって、ダイオード４と半導体素子１間にインピーダ
ンスの不整合部分が存在し、若干、波形が劣化する可能
性がある。
【００４０】一方、本実施の形態５においては、これら
ワイヤ６の替わりに、金や半田等のバンプ９によってフ
リップチップ実装しているため、ほとんどインピーダン
スの不整合が生じず、光電変換半導体装置から出射され
る変調光波形がより一層良好な光電変換半導体装置を得
ることができる。
ワイヤ６の替わりに、金や半田等のバンプ９によってフ
リップチップ実装しているため、ほとんどインピーダン
スの不整合が生じず、光電変換半導体装置から出射され
る変調光波形がより一層良好な光電変換半導体装置を得
ることができる。
【００４１】また、前述したように、高周波電気回路基
板２と終端抵抗基板３とは一体物で構成しているため
に、部品数や組立工程数を削減することが可能であり、
安価な光電変換半導体装置を得ることができる。尚、本
実施の形態においては、高周波電気回路基板２と終端抵
抗基板３とを一体物で構成しているが、それに限定され
るものではない。
板２と終端抵抗基板３とは一体物で構成しているため
に、部品数や組立工程数を削減することが可能であり、
安価な光電変換半導体装置を得ることができる。尚、本
実施の形態においては、高周波電気回路基板２と終端抵
抗基板３とを一体物で構成しているが、それに限定され
るものではない。
【００４２】実施の形態６．図１４は、本実施の形態に
よる光電変換半導体装置の概念図である。図１４におい
て、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態においては、本実施の形態における光
電変換半導体素子の代わりに、消光特性が非線形性を有
する光変調器１ａと半導体レーザ１ｂとをモノリシック
に集積化した光変調器集積化半導体レーザ素子１ｃを用
いている。
よる光電変換半導体装置の概念図である。図１４におい
て、図１と同様な構成要素には同一の符号を用いてい
る。本実施の形態においては、本実施の形態における光
電変換半導体素子の代わりに、消光特性が非線形性を有
する光変調器１ａと半導体レーザ１ｂとをモノリシック
に集積化した光変調器集積化半導体レーザ素子１ｃを用
いている。
【００４３】例えば実施の形態４では、連続レーザ光を
光電変換半導体素子１に効率良く入射するために、入射
側に結合光学系を必要とする上に、連続レーザ光を生成
するための半導体レーザモジュールを別途必要とする。
一方、本実施の形態においては、光変調器集積化半導体
レーザ素子１ｃを用いることによって、入力用の結合光
学系７ａ等の部品数や、組立工程数を削減することが可
能であり、安価な光電変換半導体装置を得ることができ
る。またこのような光電変換半導体装置を用いるシステ
ムとしても、部品数を削減することが可能となり、安価
かつ小型なシステムを構築することが可能となる。
光電変換半導体素子１に効率良く入射するために、入射
側に結合光学系を必要とする上に、連続レーザ光を生成
するための半導体レーザモジュールを別途必要とする。
一方、本実施の形態においては、光変調器集積化半導体
レーザ素子１ｃを用いることによって、入力用の結合光
学系７ａ等の部品数や、組立工程数を削減することが可
能であり、安価な光電変換半導体装置を得ることができ
る。またこのような光電変換半導体装置を用いるシステ
ムとしても、部品数を削減することが可能となり、安価
かつ小型なシステムを構築することが可能となる。
【００４４】
【発明の効果】この発明に係る光電変換半導体装置は、
消光特性が非線形性を有する光電変換半導体素子と、高
周波電気信号を上記光電変換半導体素子に供給する高周
波電気回路と、インピーダンス整合用の終端抵抗とを備
え、上記高周波電気回路が、上記高周波電気信号を伝送
する伝送線路及びこの伝送線路に接続されるダイオード
素子を有しているので、光電変換半導体素子の消光特性
の非線形性にもかかわらず、出射される変調光波形が良
好な光電変換半導体装置を得ることが可能となる。
消光特性が非線形性を有する光電変換半導体素子と、高
周波電気信号を上記光電変換半導体素子に供給する高周
波電気回路と、インピーダンス整合用の終端抵抗とを備
え、上記高周波電気回路が、上記高周波電気信号を伝送
する伝送線路及びこの伝送線路に接続されるダイオード
素子を有しているので、光電変換半導体素子の消光特性
の非線形性にもかかわらず、出射される変調光波形が良
好な光電変換半導体装置を得ることが可能となる。
【００４５】又、ダイオード素子が伝送線路に直列に接
続されているので、光電変換半導体素子に印加する電気
波形のマーク側電圧を０Ｖ付近に調整することによっ
て、光電変換半導体素子に印加される電気信号の電気波
形のマーク側における電圧変動（リンギングやパターン
効果）を抑制することができる。
続されているので、光電変換半導体素子に印加する電気
波形のマーク側電圧を０Ｖ付近に調整することによっ
て、光電変換半導体素子に印加される電気信号の電気波
形のマーク側における電圧変動（リンギングやパターン
効果）を抑制することができる。
【００４６】又、ダイオード素子が、伝送線路に並列に
接続されているので、光電変換半導体素子に入力する変
調電気波形のバイアス電圧、およびダイオードのバイア
ス電圧とを調整することによって、ダイオード通過後の
電気波形のマーク側電圧を任意の値とすることができ
る。
接続されているので、光電変換半導体素子に入力する変
調電気波形のバイアス電圧、およびダイオードのバイア
ス電圧とを調整することによって、ダイオード通過後の
電気波形のマーク側電圧を任意の値とすることができ
る。
【００４７】又、ダイオード素子が、伝送線路にそれぞ
れ電気的な極性を異にして並列に接続された１対のダイ
オードからなるので、マーク側およびスペース側の電圧
変動を同時に整形することができる。
れ電気的な極性を異にして並列に接続された１対のダイ
オードからなるので、マーク側およびスペース側の電圧
変動を同時に整形することができる。
【００４８】又、光電変換半導体素子と高周波電気回路
とが近接配置されているので、変調光波形をより一層良
好にすることができる。
とが近接配置されているので、変調光波形をより一層良
好にすることができる。
【００４９】又、高周波電気回路と終端抵抗が同一基板
上に形成され、この基板上に光電変換半導体素子がフリ
ップチップ実装されているので、変調光波形をより一層
良好にすることができ、しかも、部品点数や組立工程数
を削減することが可能となる。
上に形成され、この基板上に光電変換半導体素子がフリ
ップチップ実装されているので、変調光波形をより一層
良好にすることができ、しかも、部品点数や組立工程数
を削減することが可能となる。
【００５０】又、光電変換半導体素子が、半導体レーザ
と消光特性が非線形性を有する光変調器とがモノリシッ
クに集積化されたものであるので、部品数や組立工程数
を削減することが可能である。
と消光特性が非線形性を有する光変調器とがモノリシッ
クに集積化されたものであるので、部品数や組立工程数
を削減することが可能である。
【図１】 実施の形態１による光電変換半導体装置の概
念図である。
念図である。
【図２】 ダイオードの電圧−電流特性図である。
【図３】 実施の形態２による光電変換半導体装置の概
念図である。
念図である。
【図４】 実施の形態２による光電変換半導体装置の回
路模式図である。
路模式図である。
【図５】 実施の形態２による光電変換半導体装置にお
ける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、及
び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示す
波形図である。
ける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、及
び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示す
波形図である。
【図６】 実施の形態３による光電変換半導体装置の概
念図である。
念図である。
【図７】 実施の形態３による光電変換半導体装置の回
路模式図である。
路模式図である。
【図８】 実施の形態に３よる光電変換半導体装置にお
ける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、及
び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示す
波形図である。
ける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、及
び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示す
波形図である。
【図９】 実施の形態４による光電変換半導体装置の概
念図である。
念図である。
【図１０】 実施の形態４による光電変換半導体装置の
回路模式図である。
回路模式図である。
【図１１】 実施の形態に４よる光電変換半導体装置に
おける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、
及び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示
す波形図である。
おける、高周波電気回路基板２に印加される電気信号、
及び、光電変換半導体素子１に印加される電気信号を示
す波形図である。
【図１２】 実施の形態５による光電変換半導体装置の
概念図である。
概念図である。
【図１３】 実施の形態５による光電変換半導体装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図１４】 実施の形態６による光電変換半導体装置の
概念図である。
概念図である。
【図１５】 従来の光電変換半導体装置の概念図であ
る。
る。
【図１６】 電界吸収型の光電変換半導体素子における
消光特性図である。
消光特性図である。
１ 光電変換半導体素子、 １ａ 光変調器、１ｂ
半導体レーザ、 １ｃ 光変調器集積化半導体レ
ーザ素子、２ 高周波電気回路基板、 ３ 終端抵抗
基板、３ａ 終端抵抗、 ３ｂ スルーホー
ル、４、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ ダイオード、５ 伝
送線路、 ６ ワイヤ７ａ 入力用の結合
光学系、 ７ｂ 出力用の結合光学系、８ 接地配線、
９ バンプ、 １０ 共通基板。
半導体レーザ、 １ｃ 光変調器集積化半導体レ
ーザ素子、２ 高周波電気回路基板、 ３ 終端抵抗
基板、３ａ 終端抵抗、 ３ｂ スルーホー
ル、４、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ ダイオード、５ 伝
送線路、 ６ ワイヤ７ａ 入力用の結合
光学系、 ７ｂ 出力用の結合光学系、８ 接地配線、
９ バンプ、 １０ 共通基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/28 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｙ 10/26 10/14 10/04 10/06
Claims (7)
- 【請求項１】 消光特性が非線形性を有する光電変換半
導体素子と、高周波電気信号を上記光電変換半導体素子
に供給する高周波電気回路と、インピーダンス整合用の
終端抵抗とを備え、 上記高周波電気回路は、上記高周波電気信号を伝送する
伝送線路及びこの伝送線路に接続されるダイオード素子
を有していることを特徴とする光電変換半導体装置。 - 【請求項２】 ダイオード素子は、伝送線路に直列に接
続されていることを特徴とする請求項１記載の光電変換
半導体装置。 - 【請求項３】 ダイオード素子は、伝送線路に並列に接
続されていることを特徴とする請求項１記載の光電変換
半導体装置。 - 【請求項４】 ダイオード素子は、伝送線路にそれぞれ
電気的な極性を異にして並列に接続された１対のダイオ
ードからなることを特徴とする請求項１記載の光電変換
半導体装置。 - 【請求項５】 光電変換半導体素子と高周波電気回路と
は近接配置されていることを特徴とする請求項１記載の
光電変換半導体装置。 - 【請求項６】 高周波電気回路と終端抵抗が同一基板上
に形成され、この基板上に光電変換半導体素子がフリッ
プチップ実装されていることを特徴とする請求項１記載
の光電変換半導体装置。 - 【請求項７】 光電変換半導体素子は、半導体レーザと
消光特性が非線形性を有する光変調器とがモノリシック
に集積化されたものであることを特徴とする請求項１記
載の光電変換半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239880A JP2002055318A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 光電変換半導体装置 |
| US09/764,442 US6549321B2 (en) | 2000-08-08 | 2001-01-19 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239880A JP2002055318A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 光電変換半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055318A true JP2002055318A (ja) | 2002-02-20 |
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ID=18731347
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|---|---|---|---|
| JP2000239880A Pending JP2002055318A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 光電変換半導体装置 |
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|---|---|
| US (1) | US6549321B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002055318A (ja) |
Cited By (3)
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Cited By (3)
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| KR100794817B1 (ko) * | 2003-05-08 | 2008-01-15 | 시옵티컬 인코포레이티드 | 고속 실리콘-기반 전기-광학 변조기 |
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