JP4698888B2

JP4698888B2 - 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法

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Publication number: JP4698888B2
Application number: JP2001188481A
Authority: JP
Inventors: 栄太郎石村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-06-21
Filing date: 2001-06-21
Publication date: 2011-06-08
Anticipated expiration: 2021-06-21
Also published as: US20020195622A1; JP2003005141A; US6914706B2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法に関し、特に差動で駆動する光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、従来の電界吸収型（Electro Absorption : ＥＡ）変調器の構造を示す。ＥＡ変調器は、ｐｎ接合からなる光導波路に電界を印加すると光を吸収する電界吸収効果（electroabsorption effetct）を利用したものであり、応答速度が高速であるため光通信用の光変調器として用いられている。
【０００３】
図９において、符号１はＩｎｐ基板、６はＩｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、２５は透明導波路６につながったＥＡ変調器、３０はＥＡ変調器２５のｐ型電極パッド、３１はＥＡ変調器２５のｎ型電極パッド、５はＥＡ変調器２５の整合抵抗であるｎ型オーミックコンタクト層である。
【０００４】
ＥＡ変調器２５に変調信号電圧を印加するためにドライバアンプの出力には、正相とその逆の反相との２つの信号がある。ＥＡ変調器２５を変調する方法には２種類あり、正相または反相のいずれか一方の信号出力を使用して変調する方法を単相ドライブといい、正相および反相の両方の信号出力を使用して変調する方法を差動ドライブという。
【０００５】
図１０は、図９のＥＡ変調器２５を単相ドライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図１０において、符号２０はＥＡ変調器２５と並列に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変調器２５を駆動するＥＡ変調器ドライバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６から正相の信号を出力する正相信号端子、２８はＥＡ変調器ドライバ２６のグランド端子、２９はＥＡ変調器ドライバ２６から反相（逆相）の信号を出力する反相信号端子である。
【０００６】
図１０では正相信号端子２７から正相の信号をＥＡ変調器２５に印加する例が示されているが、ＥＡ変調器２５の両端（Ｌ端およびＭ端）に正相または反相の信号を印加することができるようになっている。ＥＡ変調器２５と並列に整合抵抗２０（例えば５０Ω）を配置しており、Ｂ端側は接地されている。
【０００７】
図１１は、図９のＥＡ変調器２５を差動ドライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図１１に示されるように、ＥＡ変調器２５の両端（Ｌ端およびＭ端）に正相および反相の信号を印加している。ＥＡ変調器２５と並列に整合抵抗２０が２個（例えば、２Ｒ＝５０Ω＋５０Ω）配置されており、その中央（Ｎ端側）が接地されている。
【０００８】
図１１に示されるような差動ドライブの場合、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧は、図１０に示される単相ドライブの場合の２倍の値が得られる。一般に、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧が大きいほど高い消光比を得ることができるため、差動ドライブの方が高い消光比を得ることができる。ここで、消光比（extinction ratio）とは光変調器において透過光強度を変化させたとき、その最大値と最小値との比をいい、光変調器の性能の目安となる比である。
【０００９】
単相ドライブの場合のＥＡ変調器２５の遮断周波数ｆｃ（単相）は以下の（式１）で与えられる。遮断周波数とは、光が導波路内を伝搬できなくなるときの周波数である。
【００１０】
【数１】

【００１１】
ここで、ＣはＥＡ変調器２５の容量、Ｒは整合抵抗である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
一方、差動ドライブの場合、整合抵抗は２Ｒ（＝５０Ω＋５０Ω）であり、単相ドライブの場合の整合抵抗Ｒ（＝５０Ω）の２倍である。したがって、差動ドライブの場合のＥＡ変調器２５の遮断周波数ｆｃ（差動）は以下の（式２）で与えられる。
【００１３】
【数２】

【００１４】
つまり、差動ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ（差動）は、単相ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ（単相）の半分に低下してしまうという問題があった。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであり、差動ドライブの場合であっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがない光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明の光変調器は、絶縁性の半導体層上に設けられ、直列に配された２つの電界吸収型変調器と、第１の電界吸収型変調器の第１導電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第２導電型の電極とが共通に接続された電極とを備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
ここで、この発明の光変調器において、第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極とは電気的に分離されて配されることができる。
【００１８】
ここで、この発明の光変調器において、第１の電界吸収型変調器に並列に接続された第１の整合抵抗と、第２の電界吸収型変調器に並列に接続された第２の整合抵抗とをさらに備えることができる。
【００１９】
ここで、この発明の光変調器において、第２の電界吸収型変調器と第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離を、第１の電界吸収型変調器と第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離より長くすることができる。
【００２０】
この発明のカップルド・コプレーナ基板は、請求項１ないし４のいずれかに記載の光変調器を実装したカップルド・コプレーナ基板であって、第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極がフリップチップボンドされた第１の給電ラインと、第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極がフリップチップボンドされた第２の給電ラインと、前記電極がフリップチップボンドされたグランドラインとを備えたことを特徴とするものである。
【００２１】
ここで、この発明のカップルド・コプレーナ基板において、第１の給電ライン、第２の給電ラインおよびグランドラインのフリップチップボンドは金ボール結びによることができる。
【００２２】
この発明の駆動方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の光変調器を駆動する駆動方法であって、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に正相の信号を印加し、他方に逆相の信号を印加することを特徴とするものである。
【００２３】
ここで、この発明の駆動方法において、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に印加される信号を、他方に印加される信号より電気的に遅らせるディレイ方法を用いることができる。
【００２４】
ここで、この発明の駆動方法において、前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配線の長さを、他方に信号を印加する配線の長さより長くすることができる。
【００２５】
ここで、この発明の駆動方法において、前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配線の幅を、他方に信号を印加する配線の幅より広くすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、各実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における光変調器の上面図を示す。図１において、符号４０は本発明の光変調器、１はＩｎｐ基板、６はＩｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、７は透明導波路６につながったＥＡ変調器Ａ、８は透明導波路６につながったＥＡ変調器Ｂ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型（第２導電型）電極パッド、３はＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型（第１導電型）電極パッド、４はＥＡ変調器Ａ（７）のｎ型（第１導電型）電極パッドとＥＡ変調器Ｂ（８）のｐ型（第２導電型）電極パッドとの共通化電極パッド（電極）、５はＥＡ変調器Ａ（７）またはＥＡ変調器Ｂ（８）の整合抵抗であるｎ型オーミックコンタクト層である。
【００２８】
図１に示されるように、本発明の光変調器４０はＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との2個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して繋げた構造を有している。２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加すると、光変調器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器Ａ（７）で吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で吸収されるため、従来の光変調器と比較して２倍の消光比を得ることができる。ＥＡ変調器Ａ（７）のｎ型電極パッドとＥＡ変調器Ｂ（８）のｐ型電極パッドとは共通化電極パッド（電極）４で繋がっている。２つのＥＡ変調器Ａ（７）およびＢ（８）は絶縁性の基板１上に形成されているため、ＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型（第２導電型）電極パッド２とＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型（第２導電型）電極パッド３との間は、電気的にアイソレーションがとれている。
【００２９】
図２ないし図４は、本発明の実施の形態１における光変調器４０の断面図を示す。図２は図１におけるａ−ａ’線における断面図である。図２で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図２において、符号９は基板１上に形成された絶縁膜、５は基板１上に形成されたｎ型オーミックコンタクト層、１３はｎ型オーミックコンタクト層５上に形成されたｎ型クラッド層、１２はｎ型クラッド層１３上に形成された多重量子井戸吸収層、１１は多重量子井戸吸収層１２上に形成されたｐ型クラッド層、１０はｐ型クラッド層１１上に形成されたｐ型オーミックコンタクト層、７はＥＡ変調器Ａ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド、４は共通化電極パッド（電極）である。
【００３０】
図３は図１におけるｂ−ｂ’線における断面図を示す。図３で図１または２と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図３において、符号８はＥＡ変調器Ｂ、３はＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッドである。
【００３１】
図４は図１におけるｃ−ｃ’線における断面図を示す。図４で図１ないし３と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図４において、符号７はＥＡ変調器Ａ、８はＥＡ変調器Ｂ、１４ａは透明導波路のコア層、１４ｂは透明導波路のクラッド層である。
【００３２】
図５は、図１に示された本発明の実施の形態１における光変調器４０の等価回路を示し、図６は、本発明の実施の形態１における光変調器４０をドライバに接続した場合の等価回路を示す。図５および図６、で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図６において、符号２０ａはＥＡ変調器Ａ（７）と並列に接続された整合抵抗、２０ｂはＥＡ変調器Ｂ（８）と並列に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変調器Ａ（７）およびＢ（８）を駆動するＥＡ変調器ドライバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６から正相の信号を出力する正相信号端子、２８はＥＡ変調器ドライバ２６のグランド端子、２９はＥＡ変調器ドライバ２６から反相（逆相）の信号を出力する反相信号端子である。
【００３３】
図６に示されるように、２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とにそれぞれ並列に整合抵抗Ｒ（２０ａ、５０Ω）または整合抵抗Ｒ（２０ｂ、５０Ω）を接続している。ＥＡ変調器Ａ（７）には正相の信号を印加し、ＥＡ変調器Ｂ（８）には反相の信号を印加する。ＥＡ変調器Ａ（７）の容量とＥＡ変調器Ｂ（８）の容量とは同じ（＝Ｃ）であるとすると、本光変調器４０の遮断周波数ｆｃ（本光変調器）は、以下の式（３）で与えられる。
【００３４】
【数３】

【００３５】
式（３）を上述の式（２）と比較すると、従来の差動ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ（差動）よりも高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ることができる。
【００３６】
ＥＡ変調器の消光比ＥｘはＥＡ変調器の長さＬに比例する。ＥＡ変調器の容量ＣもＥＡ変調器の長さＬに比例する。本発明の光変調器では、上述のように従来の単相ドライブの場合よりも２倍の消光比を取ることができる。このため、各ＥＡ変調器Ａ（７）またはＢ（８）の長さＬを半分にした場合であっても、従来の単相ドライブの場合と同じ消光比を取ることができる。ＥＡ変調器Ａ（７）等の長さＬを半分にすると、ＥＡ変調器Ａ（７）等の容量Ｃは半分（＝Ｃ／２）になるため、式（３）のＣをＣ／２に置き換えると、以下の式（４）が得られる。
【００３７】
【数４】

【００３８】
つまり、本光変調器４０により、同じ消光比を取ることができる条件で単相ドライブよりも約２８．８％高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ることができる。
【００３９】
以上より、実施の形態１によれば、ＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して直列に繋げた構造を有する光変調器４０とすることができる。２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加すると、光変調器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器Ａ（７）で吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で吸収されるため、従来の光変調器と比較して２倍の消光比を得ることができる。このため、差動ドライブの場合であっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがない光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法を得ることができる。
【００４０】
実施の形態２．
図７は、本発明の実施の形態２における光変調器の上面図を示す。図７で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図７において、符号４２は本発明の別の光変調器、６ａは光変調器４２のｃ側とＥＡ変調器Ａ（７）との間を繋ぐ導波路、６ｂはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との間を繋ぐ導波路、６ｃはＥＡ変調器Ｂ（８）と光変調器４２のｃ’側との間を繋ぐ導波路、１５ａはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２（ボンディングパッド）との間に設けられた配線、１５ｂはＥＡ変調器Ｂ（８）とＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパッド）との間に設けられた配線である。
【００４１】
図７に示されるように、ｃ側から入射した光は、ＥＡ変調器Ａ（７）で変調された後、繋ぎの透明導波路６ｂを通ってＥＡ変調器Ｂ（８）へ入る。繋ぎの導波路６ｂの長さをＬｗとすると、ＥＡ変調器Ａ（７）を出た光がＥＡ変調器Ｂ（８）へ入るまでに要する時間Ｔａｂは、以下の式（５）で与えられる。
【００４２】
【数５】

【００４３】
ここで、ｎは繋ぎの導波路６ｂの屈折率、ｃは光速度である。例えば、繋ぎの導波路６ｂの長さＬｗ＝１００μｍ、屈折率ｎ＝３．１６、光速度ｃ＝３×１０^８ｍ／ｓとすると、時間Ｔａｂは約１０^−１２ｓ＝１ｐｓとなる。つまり、ＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とで約１ｐｓの時差が生ずることになる。この結果、例えば４０Ｇｂｐｓ、すなわち１パルスが２５ｐｓ等の高速で変調する場合、変調光波形が２重化してしまうことになる。そこで、このような時差が生じないようにするため、図７に示されるように、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａの長さよりも長くして、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気信号がかかるのを遅らせる構成とした。変調光波形の２重化を防止する別の構成として、ＥＡ変調器Ａ（７）を駆動する給電ラインの長さとＥＡ変調器Ｂ（８）を駆動する給電ラインの長さとを異なるようにすることもできる。あるいは他の構成として、駆動回路で電気的にディレイをかけたりしてＥＡ変調器Ｂ（８）の方が１ｐｓ分遅く変調がかかるようにすることもできる。
【００４４】
以上より、実施の形態２によれば、変調光波形の２重化を防止するため、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａの長さよりも長くすることにより、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気信号がかかるのを遅らせる構成とすることができる。給電ラインの長さを変えたり、駆動回路で電気的にディレイをかけることによっても変調光波形の２重化を防止することができる。
【００４５】
実施の形態３．
本実施の形態３は、上述の実施の形態で示された光変調器を実装する基板等について説明する。本発明の光変調器４０等は、図１または図７に示されたように３個の電極を有しているため、従来と異なる実装方法が必要となる。
【００４６】
図８は、本発明の実施の形態３における、光変調器の実装基板および実装方法を示す。図８で図１、図６及び図７と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図８において、符号１７は光変調器４０または４２を実装する誘電体基板（カップルド・コプレーナ基板）、１６は誘電体基板１７上に形成されたグランドライン、１８は誘電体基板１７上に形成された給電ラインＡ、１９は誘電体基板１７上に形成された給電ラインＢ、２１、２２、２３ａおよび２３ｂは金ボール、２４はグランドである。
【００４７】
図８に示されるように、給電ライン（ストリップ線路）Ａ（１８）、Ｂ（１９）および２つの整合抵抗２０ａと２０ｂとを有するカップルド・コプレーナ基板１７を作製する。２つの整合抵抗２０ａと２０ｂとは片側をグランド２４に接地されている。基板１７に光変調器４０または４２をフリップチップする。各電極は以下のように結ぶことができる。ＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２とストリップ線路Ａ（１８）とを金ボール２１で結ぶ。ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３とストリップ線路Ｂ（１９）とを金ボール２２で結ぶ。共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調器Ａ（７）のｎ型電極パッドとグランド２４とを金ボール２３ａで結び、共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調器Ｂ（８）のｐ型電極パッドとグランド２４とを金ボール２３ｂで結ぶ。上述のようにフリップチップボンドされた基板において、ストリップ線路Ａ（１８）には正相の駆動電圧を印加し、ストリップ線路Ｂ（１９）には反相（逆相）の駆動電圧を印加して使用する。本実施の形態３ではカップルド・コプレーナ基板１７と金ボール２１等を介したフリップチップ実装を用いたため、１０Ｇｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することができる。
【００４８】
以上より、実施の形態３によれば、本発明の実施の形態における光変調器を実装するために、カップルド・コプレーナ基板１７と金ボール２１等を介したフリップチップ実装を用いることができる。このため、１０Ｇｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法によれば、光変調器４０等においてＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して直列に繋げることにより、差動ドライブの場合であっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがない光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における光変調器の上面図である。
【図２】図１におけるａ−ａ’線における断面図である。
【図３】図１におけるｂ−ｂ’線における断面図である。
【図４】図１におけるｃ−ｃ’線における断面図である。
【図５】図１に示された本発明の実施の形態１における光変調器４０の等価回路を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１における光変調器４０をドライバに接続した場合の等価回路を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態２における光変調器の上面図である。
【図８】本発明の実施の形態３における、光変調器の実装基板および実装方法を示す図である。
【図９】従来の電界吸収型（Electro Absorption : ＥＡ）変調器の構造を示す図である。
【図１０】図９のＥＡ変調器２５を単相ドライブする場合の等価回路を示す図である。
【図１１】図９のＥＡ変調器２５を差動ドライブする場合の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
１Ｉｎｐ基板、２ＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド、３ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド、４共通化電極パッド、５ｎ型オーミックコンタクト層、６，６ａ，６ｂ，６ｃ透明導波路、７ＥＡ変調器Ａ、８ＥＡ変調器Ｂ、９絶縁膜、１０ｐ型オーミックコンタクト層、１１ｐ型クラッド層、１２多重量子井戸吸収層、１３ｎ型クラッド層、１４ａ透明導波路のコア層、１４ｂ透明導波路のクラッド層、１５ａ，１５ｂ配線、１６グランドライン、１７誘電体基板、１８給電ラインＡ、１９給電ラインＢ、２０，２０ａ，２０ｂ整合抵抗、２１，２２，２３ａ，２３ｂ金ボール、２６ＥＡ変調器ドライバ、２７正相信号端子、２８グランド端子、２９反相信号端子、２５従来のＥＡ変調器、３０ＥＡ変調器２５のｐ型電極パッド、３１ＥＡ変調器２５のｎ型電極パッド、４０，４２光変調器。

Claims

絶縁性の半導体層上に設けられ、直列に配された２つの電界吸収型変調器と、
第１の電界吸収型変調器の第１導電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第２導電型の電極とが共通に接続された電極と
を備え、
第２の電界吸収型変調器と第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離を、第１の電界吸収型変調器と第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離より長くしたことを特徴とする光変調器。
請求項１記載の光変調器において、
第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極とは電気的に分離されて配されたことを特徴とする光変調器。
請求項１または２記載の光変調器において、
第１の電界吸収型変調器に並列に接続された第１の整合抵抗と、
第２の電界吸収型変調器に並列に接続された第２の整合抵抗と
をさらに備えたことを特徴とする光変調器。
請求項１ないし３のいずれかに記載の光変調器を実装したカップルド・コプレーナ基板であって、
第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極がフリップチップボンドされた第１の給電ラインと、
第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極がフリップチップボンドされた第２の給電ラインと、
前記電極がフリップチップボンドされたグランドラインと
を備えたことを特徴とするカップルド・コプレーナ基板。
請求項４記載のカップルド・コプレーナ基板において、
第１の給電ライン、第２の給電ラインおよびグランドラインのフリップチップボンドは金ボール結びによることを特徴とするカップルド・コプレーナ基板。
請求項１ないし３のいずれかに記載の光変調器を駆動する駆動方法であって、
第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に正相の信号を印加し、他方に逆相の信号を印加することを特徴とする駆動方法。
請求項６記載の駆動方法において、
第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に印加される信号を、他方に印加される信号より電気的に遅らせるディレイ方法を用いたことを特徴とする駆動方法。
請求項７記載の駆動方法において、
前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配線の長さを、他方に信号を印加する配線の長さより長くすることを特徴とする駆動方法。
請求項７記載の駆動方法において、
前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配線の幅を、他方に信号を印加する配線の幅より広くすることを特徴とする駆動方法。