JP2003005141A - 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法 - Google Patents
光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法Info
- Publication number
- JP2003005141A JP2003005141A JP2001188481A JP2001188481A JP2003005141A JP 2003005141 A JP2003005141 A JP 2003005141A JP 2001188481 A JP2001188481 A JP 2001188481A JP 2001188481 A JP2001188481 A JP 2001188481A JP 2003005141 A JP2003005141 A JP 2003005141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modulator
- electro
- optical modulator
- absorption
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 47
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0155—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption
- G02F1/0157—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption using electro-absorption effects, e.g. Franz-Keldysh [FK] effect or quantum confined stark effect [QCSE]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/16—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 series; tandem
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 差動ドライブの場合であっても遮断周波数が
半分に低下してしまうことがない光変調器、光変調器の
実装基板および光変調器の駆動方法を提供する。 【解決手段】 ＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ
（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して直
列に繋げた構造を有する光変調器４０とする。２つのＥ
Ａ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加する
と、光変調器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器
Ａ（７）で吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で
吸収される。このため、従来の光変調器と比較して２倍
の消光比を得ることができる。変調光波形の２重化を防
止するため、配線１５ｂの長さを配線１５ａの長さより
も長くして、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気信号がかか
るのを遅らせる構成とすることができる。光変調器を実
装するために、カップルド・コプレーナ基板１７と金ボ
ール２１等を介したフリップチップ実装を用いることが
できる。
半分に低下してしまうことがない光変調器、光変調器の
実装基板および光変調器の駆動方法を提供する。 【解決手段】 ＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ
（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して直
列に繋げた構造を有する光変調器４０とする。２つのＥ
Ａ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加する
と、光変調器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器
Ａ（７）で吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で
吸収される。このため、従来の光変調器と比較して２倍
の消光比を得ることができる。変調光波形の２重化を防
止するため、配線１５ｂの長さを配線１５ａの長さより
も長くして、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気信号がかか
るのを遅らせる構成とすることができる。光変調器を実
装するために、カップルド・コプレーナ基板１７と金ボ
ール２１等を介したフリップチップ実装を用いることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光変調器、光変調器
の実装基板および光変調器の駆動方法に関し、特に差動
で駆動する光変調器、光変調器の実装基板および光変調
器の駆動方法に関する。
の実装基板および光変調器の駆動方法に関し、特に差動
で駆動する光変調器、光変調器の実装基板および光変調
器の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の電界吸収型（Electro Ab
sorption : ＥＡ）変調器の構造を示す。ＥＡ変調器
は、ｐｎ接合からなる光導波路に電界を印加すると光を
吸収する電界吸収効果（electroabsorption effetct）
を利用したものであり、応答速度が高速であるため光通
信用の光変調器として用いられている。
sorption : ＥＡ）変調器の構造を示す。ＥＡ変調器
は、ｐｎ接合からなる光導波路に電界を印加すると光を
吸収する電界吸収効果（electroabsorption effetct）
を利用したものであり、応答速度が高速であるため光通
信用の光変調器として用いられている。
【０００３】図９において、符号１はＩｎｐ基板、６は
Ｉｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、２５は透明導
波路６につながったＥＡ変調器、３０はＥＡ変調器２５
のｐ型電極パッド、３１はＥＡ変調器２５のｎ型電極パ
ッド、５はＥＡ変調器２５の整合抵抗であるｎ型オーミ
ックコンタクト層である。
Ｉｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、２５は透明導
波路６につながったＥＡ変調器、３０はＥＡ変調器２５
のｐ型電極パッド、３１はＥＡ変調器２５のｎ型電極パ
ッド、５はＥＡ変調器２５の整合抵抗であるｎ型オーミ
ックコンタクト層である。
【０００４】ＥＡ変調器２５に変調信号電圧を印加する
ためにドライバアンプの出力には、正相とその逆の反相
との２つの信号がある。ＥＡ変調器２５を変調する方法
には２種類あり、正相または反相のいずれか一方の信号
出力を使用して変調する方法を単相ドライブといい、正
相および反相の両方の信号出力を使用して変調する方法
を差動ドライブという。
ためにドライバアンプの出力には、正相とその逆の反相
との２つの信号がある。ＥＡ変調器２５を変調する方法
には２種類あり、正相または反相のいずれか一方の信号
出力を使用して変調する方法を単相ドライブといい、正
相および反相の両方の信号出力を使用して変調する方法
を差動ドライブという。
【０００５】図１０は、図９のＥＡ変調器２５を単相ド
ライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図１０において、符号２０はＥＡ変調器２５と並列
に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変調器２５を駆動す
るＥＡ変調器ドライバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６
から正相の信号を出力する正相信号端子、２８はＥＡ変
調器ドライバ２６のグランド端子、２９はＥＡ変調器ド
ライバ２６から反相（逆相）の信号を出力する反相信号
端子である。
ライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図１０において、符号２０はＥＡ変調器２５と並列
に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変調器２５を駆動す
るＥＡ変調器ドライバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６
から正相の信号を出力する正相信号端子、２８はＥＡ変
調器ドライバ２６のグランド端子、２９はＥＡ変調器ド
ライバ２６から反相（逆相）の信号を出力する反相信号
端子である。
【０００６】図１０では正相信号端子２７から正相の信
号をＥＡ変調器２５に印加する例が示されているが、Ｅ
Ａ変調器２５の両端（Ｌ端およびＭ端）に正相または反
相の信号を印加することができるようになっている。Ｅ
Ａ変調器２５と並列に整合抵抗２０（例えば５０Ω）を
配置しており、Ｂ端側は接地されている。
号をＥＡ変調器２５に印加する例が示されているが、Ｅ
Ａ変調器２５の両端（Ｌ端およびＭ端）に正相または反
相の信号を印加することができるようになっている。Ｅ
Ａ変調器２５と並列に整合抵抗２０（例えば５０Ω）を
配置しており、Ｂ端側は接地されている。
【０００７】図１１は、図９のＥＡ変調器２５を差動ド
ライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図１１に示されるように、ＥＡ変調器２５の両端
（Ｌ端およびＭ端）に正相および反相の信号を印加して
いる。ＥＡ変調器２５と並列に整合抵抗２０が２個（例
えば、２Ｒ＝５０Ω＋５０Ω）配置されており、その中
央（Ｎ端側）が接地されている。
ライブする場合の等価回路を示す。図１０で図９と同じ
符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図１１に示されるように、ＥＡ変調器２５の両端
（Ｌ端およびＭ端）に正相および反相の信号を印加して
いる。ＥＡ変調器２５と並列に整合抵抗２０が２個（例
えば、２Ｒ＝５０Ω＋５０Ω）配置されており、その中
央（Ｎ端側）が接地されている。
【０００８】図１１に示されるような差動ドライブの場
合、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧は、図１０に示さ
れる単相ドライブの場合の２倍の値が得られる。一般
に、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧が大きいほど高い
消光比を得ることができるため、差動ドライブの方が高
い消光比を得ることができる。ここで、消光比（extinc
tion ratio）とは光変調器において透過光強度を変化さ
せたとき、その最大値と最小値との比をいい、光変調器
の性能の目安となる比である。
合、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧は、図１０に示さ
れる単相ドライブの場合の２倍の値が得られる。一般
に、ＥＡ変調器２５に印加できる電圧が大きいほど高い
消光比を得ることができるため、差動ドライブの方が高
い消光比を得ることができる。ここで、消光比（extinc
tion ratio）とは光変調器において透過光強度を変化さ
せたとき、その最大値と最小値との比をいい、光変調器
の性能の目安となる比である。
【０００９】単相ドライブの場合のＥＡ変調器２５の遮
断周波数ｆｃ（単相）は以下の（式１）で与えられる。
遮断周波数とは、光が導波路内を伝搬できなくなるとき
の周波数である。
断周波数ｆｃ（単相）は以下の（式１）で与えられる。
遮断周波数とは、光が導波路内を伝搬できなくなるとき
の周波数である。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここで、ＣはＥＡ変調器２５の容量、Ｒは
整合抵抗である。
整合抵抗である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】一方、差動ドライブの
場合、整合抵抗は２Ｒ（＝５０Ω＋５０Ω）であり、単
相ドライブの場合の整合抵抗Ｒ（＝５０Ω）の２倍であ
る。したがって、差動ドライブの場合のＥＡ変調器２５
の遮断周波数ｆｃ（差動）は以下の（式２）で与えられ
る。
場合、整合抵抗は２Ｒ（＝５０Ω＋５０Ω）であり、単
相ドライブの場合の整合抵抗Ｒ（＝５０Ω）の２倍であ
る。したがって、差動ドライブの場合のＥＡ変調器２５
の遮断周波数ｆｃ（差動）は以下の（式２）で与えられ
る。
【００１３】
【数２】
【００１４】つまり、差動ドライブの場合の遮断周波数
ｆｃ（差動）は、単相ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ
（単相）の半分に低下してしまうという問題があった。
ｆｃ（差動）は、単相ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ
（単相）の半分に低下してしまうという問題があった。
【００１５】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するためになされたものであり、差動ドライブの場合で
あっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがない
光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方
法を提供することにある。
するためになされたものであり、差動ドライブの場合で
あっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがない
光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方
法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明の光変調器は、
絶縁性の半導体層上に設けられ、直列に配された２つの
電界吸収型変調器と、第１の電界吸収型変調器の第１導
電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第２導電型の
電極とが共通に接続された電極とを備えたことを特徴と
するものである。
絶縁性の半導体層上に設けられ、直列に配された２つの
電界吸収型変調器と、第１の電界吸収型変調器の第１導
電型の電極と、第２の電界吸収型変調器の第２導電型の
電極とが共通に接続された電極とを備えたことを特徴と
するものである。
【００１７】ここで、この発明の光変調器において、第
１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極と、第２の電
界吸収型変調器の第１導電型の電極とは電気的に分離さ
れて配されることができる。
１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極と、第２の電
界吸収型変調器の第１導電型の電極とは電気的に分離さ
れて配されることができる。
【００１８】ここで、この発明の光変調器において、第
１の電界吸収型変調器に並列に接続された第１の整合抵
抗と、第２の電界吸収型変調器に並列に接続された第２
の整合抵抗とをさらに備えることができる。
１の電界吸収型変調器に並列に接続された第１の整合抵
抗と、第２の電界吸収型変調器に並列に接続された第２
の整合抵抗とをさらに備えることができる。
【００１９】ここで、この発明の光変調器において、第
２の電界吸収型変調器と第２の電界吸収型変調器の第１
導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離を、第
１の電界吸収型変調器と第１の電界吸収型変調器の第２
導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離より長
くすることができる。
２の電界吸収型変調器と第２の電界吸収型変調器の第１
導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離を、第
１の電界吸収型変調器と第１の電界吸収型変調器の第２
導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離より長
くすることができる。
【００２０】この発明のカップルド・コプレーナ基板
は、請求項１ないし４のいずれかに記載の光変調器を実
装したカップルド・コプレーナ基板であって、第１の電
界吸収型変調器の第２導電型の電極がフリップチップボ
ンドされた第１の給電ラインと、第２の電界吸収型変調
器の第１導電型の電極がフリップチップボンドされた第
２の給電ラインと、前記電極がフリップチップボンドさ
れたグランドラインとを備えたことを特徴とするもので
ある。
は、請求項１ないし４のいずれかに記載の光変調器を実
装したカップルド・コプレーナ基板であって、第１の電
界吸収型変調器の第２導電型の電極がフリップチップボ
ンドされた第１の給電ラインと、第２の電界吸収型変調
器の第１導電型の電極がフリップチップボンドされた第
２の給電ラインと、前記電極がフリップチップボンドさ
れたグランドラインとを備えたことを特徴とするもので
ある。
【００２１】ここで、この発明のカップルド・コプレー
ナ基板において、第１の給電ライン、第２の給電ライン
およびグランドラインのフリップチップボンドは金ボー
ル結びによることができる。
ナ基板において、第１の給電ライン、第２の給電ライン
およびグランドラインのフリップチップボンドは金ボー
ル結びによることができる。
【００２２】この発明の駆動方法は、請求項１ないし４
のいずれかに記載の光変調器を駆動する駆動方法であっ
て、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変
調器のいずれか一方に正相の信号を印加し、他方に逆相
の信号を印加することを特徴とするものである。
のいずれかに記載の光変調器を駆動する駆動方法であっ
て、第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変
調器のいずれか一方に正相の信号を印加し、他方に逆相
の信号を印加することを特徴とするものである。
【００２３】ここで、この発明の駆動方法において、第
１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器の
いずれか一方に印加される信号を、他方に印加される信
号より電気的に遅らせるディレイ方法を用いることがで
きる。
１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器の
いずれか一方に印加される信号を、他方に印加される信
号より電気的に遅らせるディレイ方法を用いることがで
きる。
【００２４】ここで、この発明の駆動方法において、前
記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２
の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配
線の長さを、他方に信号を印加する配線の長さより長く
することができる。
記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２
の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配
線の長さを、他方に信号を印加する配線の長さより長く
することができる。
【００２５】ここで、この発明の駆動方法において、前
記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２
の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配
線の幅を、他方に信号を印加する配線の幅より広くする
ことができる。
記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第２
の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する配
線の幅を、他方に信号を印加する配線の幅より広くする
ことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、各実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００２７】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１における光変調器の上面図を示す。図１において、
符号４０は本発明の光変調器、１はＩｎｐ基板、６はＩ
ｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、７は透明導波路
６につながったＥＡ変調器Ａ、８は透明導波路６につな
がったＥＡ変調器Ｂ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
（第２導電型）電極パッド、３はＥＡ変調器Ｂ（８）の
ｎ型（第１導電型）電極パッド、４はＥＡ変調器Ａ
（７）のｎ型（第１導電型）電極パッドとＥＡ変調器Ｂ
（８）のｐ型（第２導電型）電極パッドとの共通化電極
パッド（電極）、５はＥＡ変調器Ａ（７）またはＥＡ変
調器Ｂ（８）の整合抵抗であるｎ型オーミックコンタク
ト層である。
態１における光変調器の上面図を示す。図１において、
符号４０は本発明の光変調器、１はＩｎｐ基板、６はＩ
ｎｐ基板１上に設けられた透明導波路、７は透明導波路
６につながったＥＡ変調器Ａ、８は透明導波路６につな
がったＥＡ変調器Ｂ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
（第２導電型）電極パッド、３はＥＡ変調器Ｂ（８）の
ｎ型（第１導電型）電極パッド、４はＥＡ変調器Ａ
（７）のｎ型（第１導電型）電極パッドとＥＡ変調器Ｂ
（８）のｐ型（第２導電型）電極パッドとの共通化電極
パッド（電極）、５はＥＡ変調器Ａ（７）またはＥＡ変
調器Ｂ（８）の整合抵抗であるｎ型オーミックコンタク
ト層である。
【００２８】図１に示されるように、本発明の光変調器
４０はＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との2
個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して繋げた構造を有
している。２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同
時に電圧を印加すると、光変調器４０の端面Ｃから入射
した光はＥＡ変調器Ａ（７）で吸収された後、さらにＥ
Ａ変調器Ｂ（８）で吸収されるため、従来の光変調器と
比較して２倍の消光比を得ることができる。ＥＡ変調器
Ａ（７）のｎ型電極パッドとＥＡ変調器Ｂ（８）のｐ型
電極パッドとは共通化電極パッド（電極）４で繋がって
いる。２つのＥＡ変調器Ａ（７）およびＢ（８）は絶縁
性の基板１上に形成されているため、ＥＡ変調器Ａ
（７）のｐ型（第２導電型）電極パッド２とＥＡ変調器
Ｂ（８）のｎ型（第２導電型）電極パッド３との間は、
電気的にアイソレーションがとれている。
４０はＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との2
個のＥＡ変調器を透明導波路６を介して繋げた構造を有
している。２つのＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）とに同
時に電圧を印加すると、光変調器４０の端面Ｃから入射
した光はＥＡ変調器Ａ（７）で吸収された後、さらにＥ
Ａ変調器Ｂ（８）で吸収されるため、従来の光変調器と
比較して２倍の消光比を得ることができる。ＥＡ変調器
Ａ（７）のｎ型電極パッドとＥＡ変調器Ｂ（８）のｐ型
電極パッドとは共通化電極パッド（電極）４で繋がって
いる。２つのＥＡ変調器Ａ（７）およびＢ（８）は絶縁
性の基板１上に形成されているため、ＥＡ変調器Ａ
（７）のｐ型（第２導電型）電極パッド２とＥＡ変調器
Ｂ（８）のｎ型（第２導電型）電極パッド３との間は、
電気的にアイソレーションがとれている。
【００２９】図２ないし図４は、本発明の実施の形態１
における光変調器４０の断面図を示す。図２は図１にお
けるａ−ａ’線における断面図である。図２で図１と同
じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図２において、符号９は基板１上に形成された絶縁
膜、５は基板１上に形成されたｎ型オーミックコンタク
ト層、１３はｎ型オーミックコンタクト層５上に形成さ
れたｎ型クラッド層、１２はｎ型クラッド層１３上に形
成された多重量子井戸吸収層、１１は多重量子井戸吸収
層１２上に形成されたｐ型クラッド層、１０はｐ型クラ
ッド層１１上に形成されたｐ型オーミックコンタクト
層、７はＥＡ変調器Ａ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
電極パッド、４は共通化電極パッド（電極）である。
における光変調器４０の断面図を示す。図２は図１にお
けるａ−ａ’線における断面図である。図２で図１と同
じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図２において、符号９は基板１上に形成された絶縁
膜、５は基板１上に形成されたｎ型オーミックコンタク
ト層、１３はｎ型オーミックコンタクト層５上に形成さ
れたｎ型クラッド層、１２はｎ型クラッド層１３上に形
成された多重量子井戸吸収層、１１は多重量子井戸吸収
層１２上に形成されたｐ型クラッド層、１０はｐ型クラ
ッド層１１上に形成されたｐ型オーミックコンタクト
層、７はＥＡ変調器Ａ、２はＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
電極パッド、４は共通化電極パッド（電極）である。
【００３０】図３は図１におけるｂ−ｂ’線における断
面図を示す。図３で図１または２と同じ符号を付した箇
所は同じ要素を示すため説明は省略する。図３におい
て、符号８はＥＡ変調器Ｂ、３はＥＡ変調器Ｂ（８）の
ｎ型電極パッドである。
面図を示す。図３で図１または２と同じ符号を付した箇
所は同じ要素を示すため説明は省略する。図３におい
て、符号８はＥＡ変調器Ｂ、３はＥＡ変調器Ｂ（８）の
ｎ型電極パッドである。
【００３１】図４は図１におけるｃ−ｃ’線における断
面図を示す。図４で図１ないし３と同じ符号を付した箇
所は同じ要素を示すため説明は省略する。図４におい
て、符号７はＥＡ変調器Ａ、８はＥＡ変調器Ｂ、１４ａ
は透明導波路のコア層、１４ｂは透明導波路のクラッド
層である。
面図を示す。図４で図１ないし３と同じ符号を付した箇
所は同じ要素を示すため説明は省略する。図４におい
て、符号７はＥＡ変調器Ａ、８はＥＡ変調器Ｂ、１４ａ
は透明導波路のコア層、１４ｂは透明導波路のクラッド
層である。
【００３２】図５は、図１に示された本発明の実施の形
態１における光変調器４０の等価回路を示し、図６は、
本発明の実施の形態１における光変調器４０をドライバ
に接続した場合の等価回路を示す。図５および図６、で
図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明
は省略する。図６において、符号２０ａはＥＡ変調器Ａ
（７）と並列に接続された整合抵抗、２０ｂはＥＡ変調
器Ｂ（８）と並列に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変
調器Ａ（７）およびＢ（８）を駆動するＥＡ変調器ドラ
イバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６から正相の信号を
出力する正相信号端子、２８はＥＡ変調器ドライバ２６
のグランド端子、２９はＥＡ変調器ドライバ２６から反
相（逆相）の信号を出力する反相信号端子である。
態１における光変調器４０の等価回路を示し、図６は、
本発明の実施の形態１における光変調器４０をドライバ
に接続した場合の等価回路を示す。図５および図６、で
図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明
は省略する。図６において、符号２０ａはＥＡ変調器Ａ
（７）と並列に接続された整合抵抗、２０ｂはＥＡ変調
器Ｂ（８）と並列に接続された整合抵抗、２６はＥＡ変
調器Ａ（７）およびＢ（８）を駆動するＥＡ変調器ドラ
イバ、２７はＥＡ変調器ドライバ２６から正相の信号を
出力する正相信号端子、２８はＥＡ変調器ドライバ２６
のグランド端子、２９はＥＡ変調器ドライバ２６から反
相（逆相）の信号を出力する反相信号端子である。
【００３３】図６に示されるように、２つのＥＡ変調器
Ａ（７）とＢ（８）とにそれぞれ並列に整合抵抗Ｒ（２
０ａ、５０Ω）または整合抵抗Ｒ（２０ｂ、５０Ω）を
接続している。ＥＡ変調器Ａ（７）には正相の信号を印
加し、ＥＡ変調器Ｂ（８）には反相の信号を印加する。
ＥＡ変調器Ａ（７）の容量とＥＡ変調器Ｂ（８）の容量
とは同じ（＝Ｃ）であるとすると、本光変調器４０の遮
断周波数ｆｃ（本光変調器）は、以下の式（３）で与え
られる。
Ａ（７）とＢ（８）とにそれぞれ並列に整合抵抗Ｒ（２
０ａ、５０Ω）または整合抵抗Ｒ（２０ｂ、５０Ω）を
接続している。ＥＡ変調器Ａ（７）には正相の信号を印
加し、ＥＡ変調器Ｂ（８）には反相の信号を印加する。
ＥＡ変調器Ａ（７）の容量とＥＡ変調器Ｂ（８）の容量
とは同じ（＝Ｃ）であるとすると、本光変調器４０の遮
断周波数ｆｃ（本光変調器）は、以下の式（３）で与え
られる。
【００３４】
【数３】
【００３５】式（３）を上述の式（２）と比較すると、
従来の差動ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ（差動）よ
りも高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ることがで
きる。
従来の差動ドライブの場合の遮断周波数ｆｃ（差動）よ
りも高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ることがで
きる。
【００３６】ＥＡ変調器の消光比ＥｘはＥＡ変調器の長
さＬに比例する。ＥＡ変調器の容量ＣもＥＡ変調器の長
さＬに比例する。本発明の光変調器では、上述のように
従来の単相ドライブの場合よりも２倍の消光比を取るこ
とができる。このため、各ＥＡ変調器Ａ（７）またはＢ
（８）の長さＬを半分にした場合であっても、従来の単
相ドライブの場合と同じ消光比を取ることができる。Ｅ
Ａ変調器Ａ（７）等の長さＬを半分にすると、ＥＡ変調
器Ａ（７）等の容量Ｃは半分（＝Ｃ／２）になるため、
式（３）のＣをＣ／２に置き換えると、以下の式（４）
が得られる。
さＬに比例する。ＥＡ変調器の容量ＣもＥＡ変調器の長
さＬに比例する。本発明の光変調器では、上述のように
従来の単相ドライブの場合よりも２倍の消光比を取るこ
とができる。このため、各ＥＡ変調器Ａ（７）またはＢ
（８）の長さＬを半分にした場合であっても、従来の単
相ドライブの場合と同じ消光比を取ることができる。Ｅ
Ａ変調器Ａ（７）等の長さＬを半分にすると、ＥＡ変調
器Ａ（７）等の容量Ｃは半分（＝Ｃ／２）になるため、
式（３）のＣをＣ／２に置き換えると、以下の式（４）
が得られる。
【００３７】
【数４】
【００３８】つまり、本光変調器４０により、同じ消光
比を取ることができる条件で単相ドライブよりも約２
８．８％高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ること
ができる。
比を取ることができる条件で単相ドライブよりも約２
８．８％高い遮断周波数ｆｃ（本光変調器）を得ること
ができる。
【００３９】以上より、実施の形態１によれば、ＥＡ変
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調
器を透明導波路６を介して直列に繋げた構造を有する光
変調器４０とすることができる。２つのＥＡ変調器Ａ
（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加すると、光変調
器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器Ａ（７）で
吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で吸収される
ため、従来の光変調器と比較して２倍の消光比を得るこ
とができる。このため、差動ドライブの場合であっても
遮断周波数が半分に低下してしまうことがない光変調
器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法を得
ることができる。
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調
器を透明導波路６を介して直列に繋げた構造を有する光
変調器４０とすることができる。２つのＥＡ変調器Ａ
（７）とＢ（８）とに同時に電圧を印加すると、光変調
器４０の端面Ｃから入射した光はＥＡ変調器Ａ（７）で
吸収された後、さらにＥＡ変調器Ｂ（８）で吸収される
ため、従来の光変調器と比較して２倍の消光比を得るこ
とができる。このため、差動ドライブの場合であっても
遮断周波数が半分に低下してしまうことがない光変調
器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法を得
ることができる。
【００４０】実施の形態２．図７は、本発明の実施の形
態２における光変調器の上面図を示す。図７で図１と同
じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図７において、符号４２は本発明の別の光変調器、
６ａは光変調器４２のｃ側とＥＡ変調器Ａ（７）との間
を繋ぐ導波路、６ｂはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器
Ｂ（８）との間を繋ぐ導波路、６ｃはＥＡ変調器Ｂ
（８）と光変調器４２のｃ’側との間を繋ぐ導波路、１
５ａはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
電極パッド２（ボンディングパッド）との間に設けられ
た配線、１５ｂはＥＡ変調器Ｂ（８）とＥＡ変調器Ｂ
（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパッド）との
間に設けられた配線である。
態２における光変調器の上面図を示す。図７で図１と同
じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略す
る。図７において、符号４２は本発明の別の光変調器、
６ａは光変調器４２のｃ側とＥＡ変調器Ａ（７）との間
を繋ぐ導波路、６ｂはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器
Ｂ（８）との間を繋ぐ導波路、６ｃはＥＡ変調器Ｂ
（８）と光変調器４２のｃ’側との間を繋ぐ導波路、１
５ａはＥＡ変調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型
電極パッド２（ボンディングパッド）との間に設けられ
た配線、１５ｂはＥＡ変調器Ｂ（８）とＥＡ変調器Ｂ
（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパッド）との
間に設けられた配線である。
【００４１】図７に示されるように、ｃ側から入射した
光は、ＥＡ変調器Ａ（７）で変調された後、繋ぎの透明
導波路６ｂを通ってＥＡ変調器Ｂ（８）へ入る。繋ぎの
導波路６ｂの長さをＬｗとすると、ＥＡ変調器Ａ（７）
を出た光がＥＡ変調器Ｂ（８）へ入るまでに要する時間
Ｔａｂは、以下の式（５）で与えられる。
光は、ＥＡ変調器Ａ（７）で変調された後、繋ぎの透明
導波路６ｂを通ってＥＡ変調器Ｂ（８）へ入る。繋ぎの
導波路６ｂの長さをＬｗとすると、ＥＡ変調器Ａ（７）
を出た光がＥＡ変調器Ｂ（８）へ入るまでに要する時間
Ｔａｂは、以下の式（５）で与えられる。
【００４２】
【数５】
【００４３】ここで、ｎは繋ぎの導波路６ｂの屈折率、
ｃは光速度である。例えば、繋ぎの導波路６ｂの長さＬ
ｗ＝１００μｍ、屈折率ｎ＝３．１６、光速度ｃ＝３×
１０ ８ｍ／ｓとすると、時間Ｔａｂは約１０−１２ｓ＝
１ｐｓとなる。つまり、ＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）
とで約１ｐｓの時差が生ずることになる。この結果、例
えば４０Ｇｂｐｓ、すなわち１パルスが２５ｐｓ等の高
速で変調する場合、変調光波形が２重化してしまうこと
になる。そこで、このような時差が生じないようにする
ため、図７に示されるように、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパ
ッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２
（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａ
の長さよりも長くして、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気
信号がかかるのを遅らせる構成とした。変調光波形の２
重化を防止する別の構成として、ＥＡ変調器Ａ（７）を
駆動する給電ラインの長さとＥＡ変調器Ｂ（８）を駆動
する給電ラインの長さとを異なるようにすることもでき
る。あるいは他の構成として、駆動回路で電気的にディ
レイをかけたりしてＥＡ変調器Ｂ（８）の方が１ｐｓ分
遅く変調がかかるようにすることもできる。
ｃは光速度である。例えば、繋ぎの導波路６ｂの長さＬ
ｗ＝１００μｍ、屈折率ｎ＝３．１６、光速度ｃ＝３×
１０ ８ｍ／ｓとすると、時間Ｔａｂは約１０−１２ｓ＝
１ｐｓとなる。つまり、ＥＡ変調器Ａ（７）とＢ（８）
とで約１ｐｓの時差が生ずることになる。この結果、例
えば４０Ｇｂｐｓ、すなわち１パルスが２５ｐｓ等の高
速で変調する場合、変調光波形が２重化してしまうこと
になる。そこで、このような時差が生じないようにする
ため、図７に示されるように、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパ
ッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２
（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａ
の長さよりも長くして、ＥＡ変調器Ｂ（８）に駆動電気
信号がかかるのを遅らせる構成とした。変調光波形の２
重化を防止する別の構成として、ＥＡ変調器Ａ（７）を
駆動する給電ラインの長さとＥＡ変調器Ｂ（８）を駆動
する給電ラインの長さとを異なるようにすることもでき
る。あるいは他の構成として、駆動回路で電気的にディ
レイをかけたりしてＥＡ変調器Ｂ（８）の方が１ｐｓ分
遅く変調がかかるようにすることもできる。
【００４４】以上より、実施の形態２によれば、変調光
波形の２重化を防止するため、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパ
ッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２
（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａ
の長さよりも長くすることにより、ＥＡ変調器Ｂ（８）
に駆動電気信号がかかるのを遅らせる構成とすることが
できる。給電ラインの長さを変えたり、駆動回路で電気
的にディレイをかけることによっても変調光波形の２重
化を防止することができる。
波形の２重化を防止するため、ＥＡ変調器Ｂ（８）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド３（ボンディングパ
ッド）との間に設けられた配線１５ｂの長さを、ＥＡ変
調器Ａ（７）とＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電極パッド２
（ボンディングパッド）との間に設けられた配線１５ａ
の長さよりも長くすることにより、ＥＡ変調器Ｂ（８）
に駆動電気信号がかかるのを遅らせる構成とすることが
できる。給電ラインの長さを変えたり、駆動回路で電気
的にディレイをかけることによっても変調光波形の２重
化を防止することができる。
【００４５】実施の形態３．本実施の形態３は、上述の
実施の形態で示された光変調器を実装する基板等につい
て説明する。本発明の光変調器４０等は、図１または図
７に示されたように３個の電極を有しているため、従来
と異なる実装方法が必要となる。
実施の形態で示された光変調器を実装する基板等につい
て説明する。本発明の光変調器４０等は、図１または図
７に示されたように３個の電極を有しているため、従来
と異なる実装方法が必要となる。
【００４６】図８は、本発明の実施の形態３における、
光変調器の実装基板および実装方法を示す。図８で図
１、図６及び図７と同じ符号を付した箇所は同じ要素を
示すため説明は省略する。図８において、符号１７は光
変調器４０または４２を実装する誘電体基板（カップル
ド・コプレーナ基板）、１６は誘電体基板１７上に形成
されたグランドライン、１８は誘電体基板１７上に形成
された給電ラインＡ、１９は誘電体基板１７上に形成さ
れた給電ラインＢ、２１、２２、２３ａおよび２３ｂは
金ボール、２４はグランドである。
光変調器の実装基板および実装方法を示す。図８で図
１、図６及び図７と同じ符号を付した箇所は同じ要素を
示すため説明は省略する。図８において、符号１７は光
変調器４０または４２を実装する誘電体基板（カップル
ド・コプレーナ基板）、１６は誘電体基板１７上に形成
されたグランドライン、１８は誘電体基板１７上に形成
された給電ラインＡ、１９は誘電体基板１７上に形成さ
れた給電ラインＢ、２１、２２、２３ａおよび２３ｂは
金ボール、２４はグランドである。
【００４７】図８に示されるように、給電ライン（スト
リップ線路）Ａ（１８）、Ｂ（１９）および２つの整合
抵抗２０ａと２０ｂとを有するカップルド・コプレーナ
基板１７を作製する。２つの整合抵抗２０ａと２０ｂと
は片側をグランド２４に接地されている。基板１７に光
変調器４０または４２をフリップチップする。各電極は
以下のように結ぶことができる。ＥＡ変調器Ａ（７）の
ｐ型電極パッド２とストリップ線路Ａ（１８）とを金ボ
ール２１で結ぶ。ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド
３とストリップ線路Ｂ（１９）とを金ボール２２で結
ぶ。共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調器Ａ
（７）のｎ型電極パッドとグランド２４とを金ボール２
３ａで結び、共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調
器Ｂ（８）のｐ型電極パッドとグランド２４とを金ボー
ル２３ｂで結ぶ。上述のようにフリップチップボンドさ
れた基板において、ストリップ線路Ａ（１８）には正相
の駆動電圧を印加し、ストリップ線路Ｂ（１９）には反
相（逆相）の駆動電圧を印加して使用する。本実施の形
態３ではカップルド・コプレーナ基板１７と金ボール２
１等を介したフリップチップ実装を用いたため、１０Ｇ
ｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することができる。
リップ線路）Ａ（１８）、Ｂ（１９）および２つの整合
抵抗２０ａと２０ｂとを有するカップルド・コプレーナ
基板１７を作製する。２つの整合抵抗２０ａと２０ｂと
は片側をグランド２４に接地されている。基板１７に光
変調器４０または４２をフリップチップする。各電極は
以下のように結ぶことができる。ＥＡ変調器Ａ（７）の
ｐ型電極パッド２とストリップ線路Ａ（１８）とを金ボ
ール２１で結ぶ。ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッド
３とストリップ線路Ｂ（１９）とを金ボール２２で結
ぶ。共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調器Ａ
（７）のｎ型電極パッドとグランド２４とを金ボール２
３ａで結び、共通化電極パッド４に接続されたＥＡ変調
器Ｂ（８）のｐ型電極パッドとグランド２４とを金ボー
ル２３ｂで結ぶ。上述のようにフリップチップボンドさ
れた基板において、ストリップ線路Ａ（１８）には正相
の駆動電圧を印加し、ストリップ線路Ｂ（１９）には反
相（逆相）の駆動電圧を印加して使用する。本実施の形
態３ではカップルド・コプレーナ基板１７と金ボール２
１等を介したフリップチップ実装を用いたため、１０Ｇ
ｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することができる。
【００４８】以上より、実施の形態３によれば、本発明
の実施の形態における光変調器を実装するために、カッ
プルド・コプレーナ基板１７と金ボール２１等を介した
フリップチップ実装を用いることができる。このため、
１０Ｇｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することがで
きる。
の実施の形態における光変調器を実装するために、カッ
プルド・コプレーナ基板１７と金ボール２１等を介した
フリップチップ実装を用いることができる。このため、
１０Ｇｂｐｓ以上の高周波に対しても対応することがで
きる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光変調
器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法によ
れば、光変調器４０等においてＥＡ変調器Ａ（７）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６
を介して直列に繋げることにより、差動ドライブの場合
であっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがな
い光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動
方法を提供することができる。
器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法によ
れば、光変調器４０等においてＥＡ変調器Ａ（７）とＥ
Ａ変調器Ｂ（８）との２個のＥＡ変調器を透明導波路６
を介して直列に繋げることにより、差動ドライブの場合
であっても遮断周波数が半分に低下してしまうことがな
い光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動
方法を提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１における光変調器の上
面図である。
面図である。
【図２】 図１におけるａ−ａ’線における断面図であ
る。
る。
【図３】 図１におけるｂ−ｂ’線における断面図であ
る。
る。
【図４】 図１におけるｃ−ｃ’線における断面図であ
る。
る。
【図５】 図１に示された本発明の実施の形態１におけ
る光変調器４０の等価回路を示す図である。
る光変調器４０の等価回路を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態１における光変調器４０
をドライバに接続した場合の等価回路を示す図である。
をドライバに接続した場合の等価回路を示す図である。
【図７】 本発明の実施の形態２における光変調器の上
面図である。
面図である。
【図８】 本発明の実施の形態３における、光変調器の
実装基板および実装方法を示す図である。
実装基板および実装方法を示す図である。
【図９】 従来の電界吸収型（Electro Absorption :
ＥＡ）変調器の構造を示す図である。
ＥＡ）変調器の構造を示す図である。
【図１０】 図９のＥＡ変調器２５を単相ドライブする
場合の等価回路を示す図である。
場合の等価回路を示す図である。
【図１１】 図９のＥＡ変調器２５を差動ドライブする
場合の等価回路を示す図である。
場合の等価回路を示す図である。
１ Ｉｎｐ基板、 ２ ＥＡ変調器Ａ（７）のｐ型電
極パッド、 ３ ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッ
ド、 ４ 共通化電極パッド、 ５ ｎ型オーミッ
クコンタクト層、 ６，６ａ，６ｂ，６ｃ 透明導波
路、 ７ ＥＡ変調器Ａ、 ８ ＥＡ変調器Ｂ、
９ 絶縁膜、 １０ ｐ型オーミックコンタクト
層、 １１ ｐ型クラッド層、 １２ 多重量子井
戸吸収層、１３ ｎ型クラッド層、 １４ａ 透明導
波路のコア層、 １４ｂ 透明導波路のクラッド層、
１５ａ，１５ｂ 配線、 １６ グランドライ
ン、 １７ 誘電体基板、 １８ 給電ラインＡ、
１９ 給電ラインＢ、２０，２０ａ，２０ｂ 整合
抵抗、 ２１，２２，２３ａ，２３ｂ 金ボール、
２６ ＥＡ変調器ドライバ、 ２７ 正相信号端
子、 ２８ グランド端子、 ２９ 反相信号端
子、 ２５ 従来のＥＡ変調器、 ３０ＥＡ変調器
２５のｐ型電極パッド、 ３１ ＥＡ変調器２５のｎ
型電極パッド、 ４０，４２ 光変調器。
極パッド、 ３ ＥＡ変調器Ｂ（８）のｎ型電極パッ
ド、 ４ 共通化電極パッド、 ５ ｎ型オーミッ
クコンタクト層、 ６，６ａ，６ｂ，６ｃ 透明導波
路、 ７ ＥＡ変調器Ａ、 ８ ＥＡ変調器Ｂ、
９ 絶縁膜、 １０ ｐ型オーミックコンタクト
層、 １１ ｐ型クラッド層、 １２ 多重量子井
戸吸収層、１３ ｎ型クラッド層、 １４ａ 透明導
波路のコア層、 １４ｂ 透明導波路のクラッド層、
１５ａ，１５ｂ 配線、 １６ グランドライ
ン、 １７ 誘電体基板、 １８ 給電ラインＡ、
１９ 給電ラインＢ、２０，２０ａ，２０ｂ 整合
抵抗、 ２１，２２，２３ａ，２３ｂ 金ボール、
２６ ＥＡ変調器ドライバ、 ２７ 正相信号端
子、 ２８ グランド端子、 ２９ 反相信号端
子、 ２５ 従来のＥＡ変調器、 ３０ＥＡ変調器
２５のｐ型電極パッド、 ３１ ＥＡ変調器２５のｎ
型電極パッド、 ４０，４２ 光変調器。
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁性の半導体層上に設けられ、直列に
配された２つの電界吸収型変調器と、 第１の電界吸収型変調器の第１導電型の電極と、第２の
電界吸収型変調器の第２導電型の電極とが共通に接続さ
れた電極とを備えたことを特徴とする光変調器。 - 【請求項２】 請求項１記載の光変調器において、 第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極と、第２の
電界吸収型変調器の第１導電型の電極とは電気的に分離
されて配されたことを特徴とする光変調器。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光変調器におい
て、 第１の電界吸収型変調器に並列に接続された第１の整合
抵抗と、 第２の電界吸収型変調器に並列に接続された第２の整合
抵抗とをさらに備えたことを特徴とする光変調器。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかの光変調器
において、 第２の電界吸収型変調器と第２の電界吸収型変調器の第
１導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離を、
第１の電界吸収型変調器と第１の電界吸収型変調器の第
２導電型の電極のボンディングパッドとの間の距離より
長くしたことを特徴とする光変調器。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の光
変調器を実装したカップルド・コプレーナ基板であっ
て、 第１の電界吸収型変調器の第２導電型の電極がフリップ
チップボンドされた第１の給電ラインと、 第２の電界吸収型変調器の第１導電型の電極がフリップ
チップボンドされた第２の給電ラインと、 前記電極がフリップチップボンドされたグランドライン
とを備えたことを特徴とするカップルド・コプレーナ基
板。 - 【請求項６】 請求項５記載のカップルド・コプレーナ
基板において、 第１の給電ライン、第２の給電ラインおよびグランドラ
インのフリップチップボンドは金ボール結びによること
を特徴とするカップルド・コプレーナ基板。 - 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかに記載の光
変調器を駆動する駆動方法であって、 第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器
のいずれか一方に正相の信号を印加し、他方に逆相の信
号を印加することを特徴とする駆動方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の駆動方法において、 第１の電界吸収型変調器または第２の電界吸収型変調器
のいずれか一方に印加される信号を、他方に印加される
信号より電気的に遅らせるディレイ方法を用いたことを
特徴とする駆動方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の駆動方法において、 前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第
２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する
配線の長さを、他方に信号を印加する配線の長さより長
くすることを特徴とする駆動方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載の駆動方法において、 前記ディレイ方法は、第１の電界吸収型変調器または第
２の電界吸収型変調器のいずれか一方に信号を印加する
配線の幅を、他方に信号を印加する配線の幅より広くす
ることを特徴とする駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188481A JP4698888B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法 |
| US10/112,859 US6914706B2 (en) | 2001-06-21 | 2002-04-02 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188481A JP4698888B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003005141A true JP2003005141A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4698888B2 JP4698888B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=19027576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001188481A Expired - Fee Related JP4698888B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6914706B2 (ja) |
| JP (1) | JP4698888B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009222965A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Opnext Japan Inc | 電界吸収型変調器 |
| JP2017003729A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光信号生成装置 |
| JP2017009626A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 日本オクラロ株式会社 | 光信号生成装置 |
| JP2019008163A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 日本電気株式会社 | 電界吸収型光変調器 |
| US10771161B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-09-08 | Lumentum Japan, Inc. | Optical transmission module |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7515775B1 (en) * | 2003-08-15 | 2009-04-07 | Luxtera, Inc. | Distributed amplifier optical modulator |
| US7039258B2 (en) * | 2003-08-15 | 2006-05-02 | Luxtera, Inc. | Distributed amplifier optical modulators |
| JP4421951B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-02-24 | 日本オプネクスト株式会社 | 光送信モジュール |
| US9128309B1 (en) * | 2010-09-29 | 2015-09-08 | Lockheed Martin Corporation | Plural EAM device with optimized waveguide profile |
| JP6299337B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-03-28 | 富士通株式会社 | 位相変調装置及びその制御方法 |
| JP6499804B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05289125A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 光送信装置、光伝送装置および光変調器 |
| JPH08139700A (ja) * | 1994-09-17 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 受光装置及び光伝送装置並びに光分離方法 |
| JPH11145561A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
| JP2000284241A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2001091913A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000221457A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光処理装置 |
| JP2002055318A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換半導体装置 |
-
2001
- 2001-06-21 JP JP2001188481A patent/JP4698888B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-02 US US10/112,859 patent/US6914706B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05289125A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 光送信装置、光伝送装置および光変調器 |
| JPH08139700A (ja) * | 1994-09-17 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 受光装置及び光伝送装置並びに光分離方法 |
| JPH11145561A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
| JP2000284241A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2001091913A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009222965A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Opnext Japan Inc | 電界吸収型変調器 |
| JP2017003729A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光信号生成装置 |
| JP2017009626A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 日本オクラロ株式会社 | 光信号生成装置 |
| JP2019008163A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 日本電気株式会社 | 電界吸収型光変調器 |
| US10771161B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-09-08 | Lumentum Japan, Inc. | Optical transmission module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6914706B2 (en) | 2005-07-05 |
| JP4698888B2 (ja) | 2011-06-08 |
| US20020195622A1 (en) | 2002-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7010179B2 (en) | Differential drive semiconductor optical modulator | |
| JP5267105B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法、光送信器 | |
| WO2020202605A1 (ja) | 光変調器 | |
| JP4698888B2 (ja) | 光変調器、光変調器の実装基板および光変調器の駆動方法 | |
| JP3701619B2 (ja) | 光送信器 | |
| JP4917253B2 (ja) | 分布型低域フィルタ伝送線回路装置 | |
| JP2020509427A (ja) | 変調電極に対して横方向に変位した伝導平面を有する高周波光変調器 | |
| JP4017352B2 (ja) | 光モジュール | |
| JP3847668B2 (ja) | 進行波型光変調装置 | |
| JP3330451B2 (ja) | 光モジュール | |
| JP2003295139A5 (ja) | ||
| EP3477362B1 (en) | Electro-optic modulator | |
| JPH06230328A (ja) | 電界吸収型光変調器の実装方法 | |
| JP2011027908A (ja) | 光変調器モジュール | |
| JPH0758310A (ja) | 光集積回路 | |
| JP6411536B2 (ja) | 電気光学変調器 | |
| US20190044301A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2001257435A (ja) | 光送信器 | |
| CN216391024U (zh) | 用于高速率光信号产生的调制器芯片组件 | |
| US6735010B2 (en) | Resonator-type semiconductor optical modulator with asymmetrical electrode structure | |
| WO2023248352A1 (ja) | 光変調器 | |
| JP2000258739A (ja) | 光変調器及び光通信用光源 | |
| JP2011175305A (ja) | 光変調器モジュール | |
| JP5421963B2 (ja) | 光変調器モジュール | |
| JP3979108B2 (ja) | 光信号処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080417 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101026 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110301 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110302 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |