JPH0774420A - 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路 - Google Patents
光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路Info
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- JPH0774420A JPH0774420A JP6144725A JP14472594A JPH0774420A JP H0774420 A JPH0774420 A JP H0774420A JP 6144725 A JP6144725 A JP 6144725A JP 14472594 A JP14472594 A JP 14472594A JP H0774420 A JPH0774420 A JP H0774420A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザダイオードと光変調器を共通の
導体上に形成したＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤの駆動回路におい
て、変調器の駆動信号が半導体レーザダイオードに影響
しないようにして、出力光の波長の広がりを低減するこ
とを目的とする。 【構成】 半導体レーザダイオード１と、変調信号の印
加によって半導体レーザダイオード１の出力光を変調す
る光変調器２と、半導体レーザダイオード１の電極に接
続され高周波に対して抵抗として動作する抵抗手段５
と、半導体レーザダイオード１の一方の電極と光変調器
２の一方の電極とを共通に接続する共通接続手段３と、
共通接続手段３に接続されたインピーダンス手段又は反
射手段８と、インピーダンス手段又は反射手段８に接続
される接地電位とを有する。
導体上に形成したＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤの駆動回路におい
て、変調器の駆動信号が半導体レーザダイオードに影響
しないようにして、出力光の波長の広がりを低減するこ
とを目的とする。 【構成】 半導体レーザダイオード１と、変調信号の印
加によって半導体レーザダイオード１の出力光を変調す
る光変調器２と、半導体レーザダイオード１の電極に接
続され高周波に対して抵抗として動作する抵抗手段５
と、半導体レーザダイオード１の一方の電極と光変調器
２の一方の電極とを共通に接続する共通接続手段３と、
共通接続手段３に接続されたインピーダンス手段又は反
射手段８と、インピーダンス手段又は反射手段８に接続
される接地電位とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、波長が安定した出力光
を得るために半導体レーザダイオードに一定の電流を流
して得られた一定の光出力を光変調器で変調させるよう
にした光モジュールを有する光半導体回路及びそれを構
成するための光モジュール及び電源回路に関し、その出
力光の波長を更に安定させることが可能な光半導体回路
及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路に
関する。
を得るために半導体レーザダイオードに一定の電流を流
して得られた一定の光出力を光変調器で変調させるよう
にした光モジュールを有する光半導体回路及びそれを構
成するための光モジュール及び電源回路に関し、その出
力光の波長を更に安定させることが可能な光半導体回路
及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は高速に変調した光出力を光ファ
イバを介して伝送するものであり、図１８に示すよう
に、半導体レーザダイオード１１に駆動信号を印加して
変調した光出力を光ファイバ２００に入射させ、光ファ
イバ２００のもう一方の端で伝送された光信号を検出し
ている。
イバを介して伝送するものであり、図１８に示すよう
に、半導体レーザダイオード１１に駆動信号を印加して
変調した光出力を光ファイバ２００に入射させ、光ファ
イバ２００のもう一方の端で伝送された光信号を検出し
ている。
【０００３】光通信は、光自体の周波数が高く、半導体
レーザダイオード１１によって発生される信号光の単色
性、すなわち伝送信号の周波数安定性が良好なため、高
い伝送容量を有するが、より一層の伝送容量の向上が望
まれている。通常のディジタル光通信においては、長距
離の伝送になるほど信号光の単色性が問題になる。その
ため、光通信では、共振器全体にわたって周期構造を有
する分布帰還形ＤＦＢ（distributed feedback）半導体
レーザダイオードを使用している。
レーザダイオード１１によって発生される信号光の単色
性、すなわち伝送信号の周波数安定性が良好なため、高
い伝送容量を有するが、より一層の伝送容量の向上が望
まれている。通常のディジタル光通信においては、長距
離の伝送になるほど信号光の単色性が問題になる。その
ため、光通信では、共振器全体にわたって周期構造を有
する分布帰還形ＤＦＢ（distributed feedback）半導体
レーザダイオードを使用している。
【０００４】図１９の（１）に示すような電気信号で半
導体レーザダイオードをディジタル変調すると、実際の
光出力は図１９の（２）のように振動しながら変化する
ことになる。そのためたとえ分布帰還形共振器構造を有
する半導体レーザダイオードを使用しても、その出力光
の波長特性は図１９の（３）のように変化する。斜線の
部分が振動成分に対応した部分である。このような波長
の広がりがあると、光ファイバの分散特性等のために伝
送時間に差が生じ、伝送可能な信号周波数が制限される
ことになる。また同じ信号周波数であれば、伝送距離が
制限されることになる。
導体レーザダイオードをディジタル変調すると、実際の
光出力は図１９の（２）のように振動しながら変化する
ことになる。そのためたとえ分布帰還形共振器構造を有
する半導体レーザダイオードを使用しても、その出力光
の波長特性は図１９の（３）のように変化する。斜線の
部分が振動成分に対応した部分である。このような波長
の広がりがあると、光ファイバの分散特性等のために伝
送時間に差が生じ、伝送可能な信号周波数が制限される
ことになる。また同じ信号周波数であれば、伝送距離が
制限されることになる。
【０００５】上記のような出力光における波長の広がり
を低減するため、変調は別の変調器で行い、半導体レー
ザダイオードは一定の安定した光を出力するようにした
発光装置が提案されている。図２０はこのような発光装
置の構成を示す図であり、図２０の（１）は発光装置の
全体を示す斜視図であり、（２）はその回路図である。
なおすべての図において、共通の機能部分には同一の参
照番号を付して表すものとする。このような半導体レー
ザダイオードと光変調器を一体に形成した光装置を、Ｍ
Ｉ−ＤＦＢ−ＬＤと呼ぶ。
を低減するため、変調は別の変調器で行い、半導体レー
ザダイオードは一定の安定した光を出力するようにした
発光装置が提案されている。図２０はこのような発光装
置の構成を示す図であり、図２０の（１）は発光装置の
全体を示す斜視図であり、（２）はその回路図である。
なおすべての図において、共通の機能部分には同一の参
照番号を付して表すものとする。このような半導体レー
ザダイオードと光変調器を一体に形成した光装置を、Ｍ
Ｉ−ＤＦＢ−ＬＤと呼ぶ。
【０００６】図２０の（１）において、参照番号１は分
布帰還形半導体レーザダイオードであり、２は変調器で
ある。製作工程上、半導体レーザダイオード１と変調器
２は同一の半導体基板１００上に一方の端子を共通にし
て作る必要があり、図示のように集積化されている。４
は直流定電流源であり、半導体レーザダイオード１に流
れる電流は一定であるため、半導体レーザダイオード１
は波長の広がりの小さい安定した出力光を放出する。こ
の出力光は、隣接して配置された光変調器２に入射し、
通常の状態では光変調器２を透過する。
布帰還形半導体レーザダイオードであり、２は変調器で
ある。製作工程上、半導体レーザダイオード１と変調器
２は同一の半導体基板１００上に一方の端子を共通にし
て作る必要があり、図示のように集積化されている。４
は直流定電流源であり、半導体レーザダイオード１に流
れる電流は一定であるため、半導体レーザダイオード１
は波長の広がりの小さい安定した出力光を放出する。こ
の出力光は、隣接して配置された光変調器２に入射し、
通常の状態では光変調器２を透過する。
【０００７】半導体には逆電圧を印加すると基礎吸収端
が長波長側にシフトするフランツ・ケルディッシュ効果
とよばれる性質があることが知られている。図２１はフ
ランツ・ケルディッシュ効果を示す図であり、図２１の
光変調器２はこのフランツ・ケルディッシュ効果を利用
してレーザ光の変調を行う。図２１に示すように、レー
ザ光の波長を基礎吸収端近傍に一致させ、逆電圧を印加
しない状態ではレーザ光は透過するが、逆電圧を印加し
た状態ではレーザ光は吸収され光変調器には吸収電流が
流れる。これにより、光変調器２に逆電圧を印加するか
しないかにより半導体レーザダイオード１からのレーザ
光が透過するかしないかの変調が可能になる。
が長波長側にシフトするフランツ・ケルディッシュ効果
とよばれる性質があることが知られている。図２１はフ
ランツ・ケルディッシュ効果を示す図であり、図２１の
光変調器２はこのフランツ・ケルディッシュ効果を利用
してレーザ光の変調を行う。図２１に示すように、レー
ザ光の波長を基礎吸収端近傍に一致させ、逆電圧を印加
しない状態ではレーザ光は透過するが、逆電圧を印加し
た状態ではレーザ光は吸収され光変調器には吸収電流が
流れる。これにより、光変調器２に逆電圧を印加するか
しないかにより半導体レーザダイオード１からのレーザ
光が透過するかしないかの変調が可能になる。
【０００８】図２０の（１）に示した集積化発光装置の
回路を示したのが図２０の（２）であり、３は半導体レ
ーザダイオード１と変調器２の共通の端子を表し、通常
は接地される。分布帰還形半導体レーザダイオードで上
記のような出力光の波長の広がりを生じる原因は電流変
調に伴う緩和振動であり、一定電流で半導体レーザダイ
オード１を動作させればその光出力は安定し、出力光の
波長の揺らぎも非常に小さくできる。光変調器２で透過
光を変調しても透過光の波長はほとんど変化しないか
ら、図２０の集積化発光装置であれば直接半導体レーザ
ダイオードを変調するのに比べて出力光の波長の広がり
を大幅に低減することが可能になり、伝送容量及び伝送
距離の改善が図れる。
回路を示したのが図２０の（２）であり、３は半導体レ
ーザダイオード１と変調器２の共通の端子を表し、通常
は接地される。分布帰還形半導体レーザダイオードで上
記のような出力光の波長の広がりを生じる原因は電流変
調に伴う緩和振動であり、一定電流で半導体レーザダイ
オード１を動作させればその光出力は安定し、出力光の
波長の揺らぎも非常に小さくできる。光変調器２で透過
光を変調しても透過光の波長はほとんど変化しないか
ら、図２０の集積化発光装置であれば直接半導体レーザ
ダイオードを変調するのに比べて出力光の波長の広がり
を大幅に低減することが可能になり、伝送容量及び伝送
距離の改善が図れる。
【０００９】本発明が対象とするのは、図２０に示した
ような一定の出力光を出射するべくバイアスされた半導
体レーザと、その出力光を変調する光変調器を備えてい
る光モジュールである。この場合、レーザと光変調器の
接地側を共通の半導体基板で構成した一体型の光半導体
装置を使用する場合と、レーザと光変調器を別々に作
り、接地側電極をベース導体上に光学軸が一致するよう
に位置合わせして一体化したものを使用する場合があ
る。いずれにしろ、共通の導体（上記の半導体基板又は
ベース導体）によってレーザと光変調器とが電気的に接
続されていることになる。
ような一定の出力光を出射するべくバイアスされた半導
体レーザと、その出力光を変調する光変調器を備えてい
る光モジュールである。この場合、レーザと光変調器の
接地側を共通の半導体基板で構成した一体型の光半導体
装置を使用する場合と、レーザと光変調器を別々に作
り、接地側電極をベース導体上に光学軸が一致するよう
に位置合わせして一体化したものを使用する場合があ
る。いずれにしろ、共通の導体（上記の半導体基板又は
ベース導体）によってレーザと光変調器とが電気的に接
続されていることになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
ダイオード１は温度変動の影響を受けやすく、温度変動
により出力強度や波長が変化するという問題がある。こ
のような温度変動の影響を防ぐため、図２０の集積化発
光装置はペルチェ素子等を利用した温度を一定に保持す
る温度調整装置に収容される。
ダイオード１は温度変動の影響を受けやすく、温度変動
により出力強度や波長が変化するという問題がある。こ
のような温度変動の影響を防ぐため、図２０の集積化発
光装置はペルチェ素子等を利用した温度を一定に保持す
る温度調整装置に収容される。
【００１１】図２２はＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤとペルチェ素
子を有する光モジュールの内部を模式的に示す図であ
る。図２２において、参照番号１はＤＦＢレーザを、１
００はＤＦＢレーザ１及び光変調器が一体に形成される
半導体基板を、１０２は光モジュールのベースを、１０
３はシールカバーを、１０５はペルチェ素子を、１０６
はＤＦＢレーザ、光変調器、ペルチェ素子等の各電極が
接続されるターミナルを有するリードピンを、１１０は
ボンディングワイヤを示す。シールカバー３内の空間に
は、窒素ガス（Ｎ2 ）やヘリウムガス（Ｈｅ）等の不活
性ガスが充填されている。
子を有する光モジュールの内部を模式的に示す図であ
る。図２２において、参照番号１はＤＦＢレーザを、１
００はＤＦＢレーザ１及び光変調器が一体に形成される
半導体基板を、１０２は光モジュールのベースを、１０
３はシールカバーを、１０５はペルチェ素子を、１０６
はＤＦＢレーザ、光変調器、ペルチェ素子等の各電極が
接続されるターミナルを有するリードピンを、１１０は
ボンディングワイヤを示す。シールカバー３内の空間に
は、窒素ガス（Ｎ2 ）やヘリウムガス（Ｈｅ）等の不活
性ガスが充填されている。
【００１２】半導体レーザ１及び光変調器の電極とリー
ドピン１０６のターミナルとの接続は、半導体基板１０
０上形成された電極パッドを介して行われる。半導体基
板１００上の電極がＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤのグランド電極
となり、それが共通導体になる。ペルチェ素子１０５
は、電源が供給されると半導体基板１００の熱をベース
１０２に移動させるように動作する。この熱移動によ
り、半導体基板１００及びその上に設けられた半導体レ
ーザ１及び光変調器が冷却される。実際には半導体基板
１００の温度を測定し、ペルチェ素子１０５への電力の
供給を制御することにより、半導体基板１００の温度を
一定に保持している。
ドピン１０６のターミナルとの接続は、半導体基板１０
０上形成された電極パッドを介して行われる。半導体基
板１００上の電極がＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤのグランド電極
となり、それが共通導体になる。ペルチェ素子１０５
は、電源が供給されると半導体基板１００の熱をベース
１０２に移動させるように動作する。この熱移動によ
り、半導体基板１００及びその上に設けられた半導体レ
ーザ１及び光変調器が冷却される。実際には半導体基板
１００の温度を測定し、ペルチェ素子１０５への電力の
供給を制御することにより、半導体基板１００の温度を
一定に保持している。
【００１３】ペルチェ素子１０５による温度制御を正確
に且つ効率的に行うためには、温度制御される半導体基
板１００と周囲とはできるだけ熱の移動がないようにし
て保持する必要があるため、半導体レーザダイオード１
と光変調器２の共通導体３は金属ワイヤや導電性ブリッ
ジ等の熱伝導が少ない電気導体で光モジュールパッケー
ジの接地端子に接続され、この接地端子が更に駆動回路
のアースに接続される。電気的にはこれらの電気導体
は、光通信における信号周波数のような高周波数帯では
インピーダンス要素として動作するため、共通導体３と
アースとの間のインピーダンスは高周波成分に対しては
比較的大きくなる。
に且つ効率的に行うためには、温度制御される半導体基
板１００と周囲とはできるだけ熱の移動がないようにし
て保持する必要があるため、半導体レーザダイオード１
と光変調器２の共通導体３は金属ワイヤや導電性ブリッ
ジ等の熱伝導が少ない電気導体で光モジュールパッケー
ジの接地端子に接続され、この接地端子が更に駆動回路
のアースに接続される。電気的にはこれらの電気導体
は、光通信における信号周波数のような高周波数帯では
インピーダンス要素として動作するため、共通導体３と
アースとの間のインピーダンスは高周波成分に対しては
比較的大きくなる。
【００１４】光変調器２を駆動するためには、正電圧と
負電圧の間を高い周波数で変化する駆動信号が光変調器
２に印加される。この駆動信号は光変調器２を通って共
通導体３に漏れ出す。もし共通導体３とアースとの間の
インピーダンスが低ければ、漏れ出した高周波信号の大
部分はこのインピーダンス要素及び接地端子を通ってグ
ランドに流れ、半導体レーザ１を流れる電流には影響し
ない。しかし、実際には上記のように共通導体３とアー
スとの間のインピーダンスは比較的高いため、高周波信
号は半導体レーザ１にも流れることになる。
負電圧の間を高い周波数で変化する駆動信号が光変調器
２に印加される。この駆動信号は光変調器２を通って共
通導体３に漏れ出す。もし共通導体３とアースとの間の
インピーダンスが低ければ、漏れ出した高周波信号の大
部分はこのインピーダンス要素及び接地端子を通ってグ
ランドに流れ、半導体レーザ１を流れる電流には影響し
ない。しかし、実際には上記のように共通導体３とアー
スとの間のインピーダンスは比較的高いため、高周波信
号は半導体レーザ１にも流れることになる。
【００１５】更に、光変調器２に逆電圧が印加された瞬
間、急激に光吸収電流が発生する。従って、駆動信号を
光変調器に印加した時には、光変調器を流れる電流が急
激に変化することになる。もし共通導体３とアースとの
間のインピーダンスが低ければ、この急激な電流変動は
半導体レーザ１を流れる電流には影響しないが、実際に
は上記のように共通導体３とアースとの間のインピーダ
ンスは比較的高いため、半導体レーザ１を流れる電流が
変動することになる。したがって、駆動信号を印加する
ことによる変動が、図２０の（２）に破線で示したよう
な経路で、半導体レーザダイオード１に影響することに
なる。
間、急激に光吸収電流が発生する。従って、駆動信号を
光変調器に印加した時には、光変調器を流れる電流が急
激に変化することになる。もし共通導体３とアースとの
間のインピーダンスが低ければ、この急激な電流変動は
半導体レーザ１を流れる電流には影響しないが、実際に
は上記のように共通導体３とアースとの間のインピーダ
ンスは比較的高いため、半導体レーザ１を流れる電流が
変動することになる。したがって、駆動信号を印加する
ことによる変動が、図２０の（２）に破線で示したよう
な経路で、半導体レーザダイオード１に影響することに
なる。
【００１６】すなわち、ペルチェ素子等を利用して温度
を一定に保持する温度調整装置にＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤを
保持した従来の光モジュールは、図２３に示すような等
価回路を有すると言える。参照番号２００で示した部分
が光モジュールであり、そのグランド端子と内部の共通
導体３との間にはインピーダンス８１が存在する。従っ
て、駆動信号により生じた共通導体３での高周波信号
は、インピーダンス８１が存在するため、グランド端子
に流れにくくなり、かなりの部分が半導体レーザ１に流
れることになる。この結果、半導体レーザダイオード１
の光出力強度の変動を生じさせると共に、出力光の波長
も揺ぎ、伝送容量及び伝送距離の低下を招く。
を一定に保持する温度調整装置にＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤを
保持した従来の光モジュールは、図２３に示すような等
価回路を有すると言える。参照番号２００で示した部分
が光モジュールであり、そのグランド端子と内部の共通
導体３との間にはインピーダンス８１が存在する。従っ
て、駆動信号により生じた共通導体３での高周波信号
は、インピーダンス８１が存在するため、グランド端子
に流れにくくなり、かなりの部分が半導体レーザ１に流
れることになる。この結果、半導体レーザダイオード１
の光出力強度の変動を生じさせると共に、出力光の波長
も揺ぎ、伝送容量及び伝送距離の低下を招く。
【００１７】この問題は半導体レーザと光変調器のグラ
ンド電極が共通なインピーダンスを介してグランドに接
続されているために生じると考えられる。従って、例え
ば、太いボンディングワイヤが使用されているために光
モジュール内には共通インピーダンスが存在しない場合
でも、光モジュール外に共通インピーダンスが存在する
場合には、同様の問題が生じると考えられる。また、信
号を反射させる反射要素が共通インピーダンスの替わり
に存在する場合にも、同様の問題が生じると考えられ
る。
ンド電極が共通なインピーダンスを介してグランドに接
続されているために生じると考えられる。従って、例え
ば、太いボンディングワイヤが使用されているために光
モジュール内には共通インピーダンスが存在しない場合
でも、光モジュール外に共通インピーダンスが存在する
場合には、同様の問題が生じると考えられる。また、信
号を反射させる反射要素が共通インピーダンスの替わり
に存在する場合にも、同様の問題が生じると考えられ
る。
【００１８】文献 Journal of Lightwave Technology V
ol.6, No.6 (1988年6 月）"Electrical and Optical In
teractions between Integrated InGaAsP/InP DFB Lase
rs and Electroabsorption Modulators" には、駆動信
号による変動を低減するため、半導体レーザに平行にコ
ンデンサを設けることが記載されている。しかし、この
文献には、コンデンサを設ける位置について具体的に記
載されておらず、文献の内容からは、図２４に示すよう
に、コンデンサは光モジュールの外に設け、一方の電極
を光モジュールの半導体レーザの電極に接続される端子
に接続し、もう一方の電極をグランドに接続するものと
考えられる。しかし、このような構成では、共通導体３
での急激な変動はやはり半導体レーザを経由して伝達さ
れるため、半導体レーザダイオード１の光出力強度が変
動するという問題は十分に解決できない。
ol.6, No.6 (1988年6 月）"Electrical and Optical In
teractions between Integrated InGaAsP/InP DFB Lase
rs and Electroabsorption Modulators" には、駆動信
号による変動を低減するため、半導体レーザに平行にコ
ンデンサを設けることが記載されている。しかし、この
文献には、コンデンサを設ける位置について具体的に記
載されておらず、文献の内容からは、図２４に示すよう
に、コンデンサは光モジュールの外に設け、一方の電極
を光モジュールの半導体レーザの電極に接続される端子
に接続し、もう一方の電極をグランドに接続するものと
考えられる。しかし、このような構成では、共通導体３
での急激な変動はやはり半導体レーザを経由して伝達さ
れるため、半導体レーザダイオード１の光出力強度が変
動するという問題は十分に解決できない。
【００１９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、波長の広がりのために制限されている伝送容量
及び伝送距離を延長できるようにするため、出力光の波
長の広がりを低減可能な光半導体装置回路及びそれを構
成するための光モジュールと電源を実現することを目的
とする。
であり、波長の広がりのために制限されている伝送容量
及び伝送距離を延長できるようにするため、出力光の波
長の広がりを低減可能な光半導体装置回路及びそれを構
成するための光モジュールと電源を実現することを目的
とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１（ａ），（ｂ）は上
記目的を達成するための本発明の光半導体装置回路の原
理構成図である。図１（ａ）は本発明の第１の態様によ
る光半導体装置回路の原理構成を示しており、半導体レ
ーザダイオード１と、半導体レーザダイオードの出力光
を変調する光変調器２と、半導体レーザダイオードを発
光させるためのバイアス電流が入力される半導体レーザ
ダイオードの電極に接続され少なくとも高周波では抵抗
として動作する抵抗手段５と、半導体レーザダイオード
と光変調器のそれぞれの接地端子を共通に接続する共通
接続手段３と、共通接続手段に接続されたインピーダン
ス手段又は反射手段８と、インピーダンス手段又は反射
手段に接続された接地電位とを備えることを特徴とす
る。
記目的を達成するための本発明の光半導体装置回路の原
理構成図である。図１（ａ）は本発明の第１の態様によ
る光半導体装置回路の原理構成を示しており、半導体レ
ーザダイオード１と、半導体レーザダイオードの出力光
を変調する光変調器２と、半導体レーザダイオードを発
光させるためのバイアス電流が入力される半導体レーザ
ダイオードの電極に接続され少なくとも高周波では抵抗
として動作する抵抗手段５と、半導体レーザダイオード
と光変調器のそれぞれの接地端子を共通に接続する共通
接続手段３と、共通接続手段に接続されたインピーダン
ス手段又は反射手段８と、インピーダンス手段又は反射
手段に接続された接地電位とを備えることを特徴とす
る。
【００２１】また、図１（ｂ）は第２の発明による光半
導体装置回路の原理構成を示しており、半導体レーザダ
イオード１と、半導体レーザダイオードの出力光を変調
する光変調器２と、半導体レーザダイオードと光変調器
のそれぞれの接地端子を共通に接続する共通接続手段３
と、一端が半導体レーザダイオードを発光させるための
バイアス電流が入力される半導体レーザダイオードの電
極に接続され、他端が共通接続手段３に接続されたバイ
パスコンデンサ９と、共通接続手段３に接続されたイン
ピーダンス手段又は反射手段８と、インピーダンス手段
又は反射手段に接続された接地電位とを備えることを特
徴とする。
導体装置回路の原理構成を示しており、半導体レーザダ
イオード１と、半導体レーザダイオードの出力光を変調
する光変調器２と、半導体レーザダイオードと光変調器
のそれぞれの接地端子を共通に接続する共通接続手段３
と、一端が半導体レーザダイオードを発光させるための
バイアス電流が入力される半導体レーザダイオードの電
極に接続され、他端が共通接続手段３に接続されたバイ
パスコンデンサ９と、共通接続手段３に接続されたイン
ピーダンス手段又は反射手段８と、インピーダンス手段
又は反射手段に接続された接地電位とを備えることを特
徴とする。
【００２２】
【作用】駆動信号の印加により生じた共通接続手段３に
おける高周波信号は、２つの経路によりグランドに伝達
される。１つの経路はインピーダンス手段又は反射手段
８を通る経路であり、もう１つの経路は半導体レーザ１
を通る経路である。第１の態様によれば、高周波領域で
は抵抗手段５が抵抗として動作するため、上記の共通接
続手段３における高周波信号は、主としてインピーダン
ス手段又は反射手段８を通って伝達され、半導体レーザ
を通ることはほとんどなくなる。そのため、駆動信号の
半導体レーザへの影響は低減される。
おける高周波信号は、２つの経路によりグランドに伝達
される。１つの経路はインピーダンス手段又は反射手段
８を通る経路であり、もう１つの経路は半導体レーザ１
を通る経路である。第１の態様によれば、高周波領域で
は抵抗手段５が抵抗として動作するため、上記の共通接
続手段３における高周波信号は、主としてインピーダン
ス手段又は反射手段８を通って伝達され、半導体レーザ
を通ることはほとんどなくなる。そのため、駆動信号の
半導体レーザへの影響は低減される。
【００２３】また、第２の態様によれば、共通接続手段
３から半導体レーザ１のバイアス電流が印加される電極
への経路は、更に２つの経路に分けられる。１つは半導
体レーザを通る経路であり、もう１つはバイパスコンデ
ンサ９を通る経路である。バイパスコンデンサ９は高周
波信号を通しやすいから、共通接続手段３における高周
波信号は主としてバイパスコンデンサ９を通って伝達さ
れることになり、半導体レーザ１を通ることはほとんど
なくなる。そのため、駆動信号の半導体レーザへの影響
は低減される。
３から半導体レーザ１のバイアス電流が印加される電極
への経路は、更に２つの経路に分けられる。１つは半導
体レーザを通る経路であり、もう１つはバイパスコンデ
ンサ９を通る経路である。バイパスコンデンサ９は高周
波信号を通しやすいから、共通接続手段３における高周
波信号は主としてバイパスコンデンサ９を通って伝達さ
れることになり、半導体レーザ１を通ることはほとんど
なくなる。そのため、駆動信号の半導体レーザへの影響
は低減される。
【００２４】なお、バイパスコンデンサ９を介して伝達
される高周波信号は、電源４に付随する浮遊容量４ａや
配線容量などを介して接地側に伝達される。なお、本発
明の上記２つの態様を組み合わせることも可能である。
される高周波信号は、電源４に付随する浮遊容量４ａや
配線容量などを介して接地側に伝達される。なお、本発
明の上記２つの態様を組み合わせることも可能である。
【００２５】
【実施例】図３は本発明の第一実施例の集積化発光装置
の構成を示す図である。図３において、参照番号１は半
導体レーザダイオードを、２はフランツ・ケルディッシ
ュ効果を利用した光変調器を示し、これらは同一の半導
体基板上に一方の電極を共通にして形成されている。４
は定電流源を、６は光変調器２への駆動信号を伝送する
同軸ケーブルを、７は終端抵抗を示す。５１は半導体レ
ーザダイオード１と定電流源４の間に設けられた抵抗を
示す。ここでは、この抵抗５１が抵抗手段５に相当す
る。
の構成を示す図である。図３において、参照番号１は半
導体レーザダイオードを、２はフランツ・ケルディッシ
ュ効果を利用した光変調器を示し、これらは同一の半導
体基板上に一方の電極を共通にして形成されている。４
は定電流源を、６は光変調器２への駆動信号を伝送する
同軸ケーブルを、７は終端抵抗を示す。５１は半導体レ
ーザダイオード１と定電流源４の間に設けられた抵抗を
示す。ここでは、この抵抗５１が抵抗手段５に相当す
る。
【００２６】図４は光変調器の駆動回路を示す図であ
る。図４において、参照番号１４２は相補出力のドライ
バを、１４３と１４４はトランジスタを、１４５は定電
流源を示す。トランジスタ１４３と１４４は入力信号に
応じて選択的にいずれかがオン状態になる。トランジス
タ１４４がオン状態であるかどうかに応じて、抵抗ＲD
とトランジスタ１４４の間の電圧が変化し、この電圧
が、同軸ケーブル６を介して光変調器に接続されるパッ
ケージの端子に供給される。
る。図４において、参照番号１４２は相補出力のドライ
バを、１４３と１４４はトランジスタを、１４５は定電
流源を示す。トランジスタ１４３と１４４は入力信号に
応じて選択的にいずれかがオン状態になる。トランジス
タ１４４がオン状態であるかどうかに応じて、抵抗ＲD
とトランジスタ１４４の間の電圧が変化し、この電圧
が、同軸ケーブル６を介して光変調器に接続されるパッ
ケージの端子に供給される。
【００２７】図５は、本実施例で使用するＭＩ−ＤＦＢ
レーザダイオード（ＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤ）の概略図であ
る。図５において、参照番号１はＤＦＢレーザダイオー
ドを、２は光変調器を、１２はＤＦＢレーザダイオード
１と光変調器２を隔てる絶縁部を、１３は活性層を、１
４はカップリング部を、１５は吸収層を、１６は半絶縁
インジウムリン（ＳＩ−ＩｎＰ）埋め込み層を示す。１
７で示された表面には高反射コーティングがされ、１８
で示された表面には無反射コーティングがされる。ＭＩ
−ＤＦＢレーザダイオードについては広く知られている
のでこれ以上の説明は省略する。
レーザダイオード（ＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤ）の概略図であ
る。図５において、参照番号１はＤＦＢレーザダイオー
ドを、２は光変調器を、１２はＤＦＢレーザダイオード
１と光変調器２を隔てる絶縁部を、１３は活性層を、１
４はカップリング部を、１５は吸収層を、１６は半絶縁
インジウムリン（ＳＩ−ＩｎＰ）埋め込み層を示す。１
７で示された表面には高反射コーティングがされ、１８
で示された表面には無反射コーティングがされる。ＭＩ
−ＤＦＢレーザダイオードについては広く知られている
のでこれ以上の説明は省略する。
【００２８】図６は、光通信を行うのに適した形で図５
に示したＭＩ−ＤＦＢレーザダイオードを供給するた
め、光ファイバが接続されたバタフライ型パッケージに
収容した光モジュールを示す図であり、本実施例でもこ
の光モジュールを使用する。図６の（１）、（２）、
（３）はそれぞれ光モジュールの上面図、側面図、正面
図を表す。
に示したＭＩ−ＤＦＢレーザダイオードを供給するた
め、光ファイバが接続されたバタフライ型パッケージに
収容した光モジュールを示す図であり、本実施例でもこ
の光モジュールを使用する。図６の（１）、（２）、
（３）はそれぞれ光モジュールの上面図、側面図、正面
図を表す。
【００２９】図６において、参照番号１０２は図２２に
示したベースを、１０３はシールカバーを、１０６はリ
ードピンを、１０４はリードピン１０６をシールカバー
１０３から絶縁するための絶縁部材を、１２２は光カッ
プリングコネクタを、１２３は光ファイバケーブルを示
す。このパッケージ内には、熱電子冷却器、サーミスタ
及び光アイソレータが収容されている。
示したベースを、１０３はシールカバーを、１０６はリ
ードピンを、１０４はリードピン１０６をシールカバー
１０３から絶縁するための絶縁部材を、１２２は光カッ
プリングコネクタを、１２３は光ファイバケーブルを示
す。このパッケージ内には、熱電子冷却器、サーミスタ
及び光アイソレータが収容されている。
【００３０】図７は上記のパッケージの内部を示す図で
ある。図７において、参照番号１はＤＦＢレーザダイオ
ードを、２は変調器を、１００はＤＦＢレーザダイオー
ド１と変調器２が形成された半導体基板を、１０２はベ
ースを、１０３はシールカバーを、１０５はペルチェ素
子を、１２２は光カップリングコネクタを、１２４は光
ファイバを、１４１と１４２はＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤから
出射される光を光ファイバ１２４の入射端に集光する非
球面レンズを示す。
ある。図７において、参照番号１はＤＦＢレーザダイオ
ードを、２は変調器を、１００はＤＦＢレーザダイオー
ド１と変調器２が形成された半導体基板を、１０２はベ
ースを、１０３はシールカバーを、１０５はペルチェ素
子を、１２２は光カップリングコネクタを、１２４は光
ファイバを、１４１と１４２はＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤから
出射される光を光ファイバ１２４の入射端に集光する非
球面レンズを示す。
【００３１】上記のように、ペルチェ素子１０５は、電
源が供給されると半導体基板１００の熱をベース１０２
に移動させるように動作する。この熱移動により、半導
体基板１００及びその上に設けられた半導体レーザ１及
び光変調器が冷却される。実際には半導体基板１００の
温度を測定し、ペルチェ素子１０５への電力の供給を制
御することにより、半導体基板１００の温度を一定に保
持している。
源が供給されると半導体基板１００の熱をベース１０２
に移動させるように動作する。この熱移動により、半導
体基板１００及びその上に設けられた半導体レーザ１及
び光変調器が冷却される。実際には半導体基板１００の
温度を測定し、ペルチェ素子１０５への電力の供給を制
御することにより、半導体基板１００の温度を一定に保
持している。
【００３２】図８はパッケージ内部の半導体レーザ１、
光変調器２、及びリードピンを接続するボンディングワ
イヤの配線の様子を示す斜視図であり、図９はその上面
図である。図８及び図９において、参照番号１１１、１
１２及び１１３はリードピンを、１１４、１２０及び１
２２はリードピンに接続される電極を、１１６はパッケ
ージ上の電極を、１１５と１２１は抵抗素子を、１１
７、１１８及び１１９は半導体基板上に形成された電極
パッドを示す。半導体レーザ１と変調器２は半導体基板
１００上に形成され、電極１１８が半導体レーザ１と変
調器２のグランド、すなわち共通導体３として働く。半
導体レーザ１と変調器２の上側の電極はボンディングワ
イヤで電極パッド１１７と１１９に接続される。抵抗素
子１１５は抵抗５１として働き、抵抗素子１２１は抵抗
７として働く。
光変調器２、及びリードピンを接続するボンディングワ
イヤの配線の様子を示す斜視図であり、図９はその上面
図である。図８及び図９において、参照番号１１１、１
１２及び１１３はリードピンを、１１４、１２０及び１
２２はリードピンに接続される電極を、１１６はパッケ
ージ上の電極を、１１５と１２１は抵抗素子を、１１
７、１１８及び１１９は半導体基板上に形成された電極
パッドを示す。半導体レーザ１と変調器２は半導体基板
１００上に形成され、電極１１８が半導体レーザ１と変
調器２のグランド、すなわち共通導体３として働く。半
導体レーザ１と変調器２の上側の電極はボンディングワ
イヤで電極パッド１１７と１１９に接続される。抵抗素
子１１５は抵抗５１として働き、抵抗素子１２１は抵抗
７として働く。
【００３３】図１０は第一実施例の集積化発光装置の改
善効果をビット誤り率の変化で示した図である。図１０
は終端抵抗７と抵抗５１の抵抗値を共に４３Ωとし、１
２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定した時の結果
であり、横軸が平均受光パワーを示し、立て軸がビット
誤り率を示す。丸点が従来の装置での測定結果を示し、
四角点が本実施例での結果を示し、それぞれ白抜きの点
が伝送距離１２０ｋｍで測定したビット誤り率を、黒点
が基準となる伝送距離０ｋｍの場合のビット誤り率をを
示す。従来例に比べて大きく改善されていることが明瞭
に示されている。
善効果をビット誤り率の変化で示した図である。図１０
は終端抵抗７と抵抗５１の抵抗値を共に４３Ωとし、１
２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定した時の結果
であり、横軸が平均受光パワーを示し、立て軸がビット
誤り率を示す。丸点が従来の装置での測定結果を示し、
四角点が本実施例での結果を示し、それぞれ白抜きの点
が伝送距離１２０ｋｍで測定したビット誤り率を、黒点
が基準となる伝送距離０ｋｍの場合のビット誤り率をを
示す。従来例に比べて大きく改善されていることが明瞭
に示されている。
【００３４】第１実施例では、抵抗５１に相当する抵抗
素子１１５がパッケージ内に設けられていたが、抵抗５
１はパッケージ外に設けてもよい。また、第１実施例で
は、抵抗５１として４３Ωの抵抗素子を使用して、図１
０に示すような結果を得たが、２０Ω以上の抵抗値の抵
抗素子を使用すれば顕著な改善効果が得られる。
素子１１５がパッケージ内に設けられていたが、抵抗５
１はパッケージ外に設けてもよい。また、第１実施例で
は、抵抗５１として４３Ωの抵抗素子を使用して、図１
０に示すような結果を得たが、２０Ω以上の抵抗値の抵
抗素子を使用すれば顕著な改善効果が得られる。
【００３５】図１１は本発明の第二実施例の光半導体装
置を説明するための図である。第一実施例と異なる点
は、抵抗５１の代わりにインダクタンス素子５２とコン
デンサ５３、抵抗素子５４からなる回路を採用した点で
あり、インダクタンス素子５２とコンデンサ５３、抵抗
素子５４はＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤのパッケージの外に設け
られる。
置を説明するための図である。第一実施例と異なる点
は、抵抗５１の代わりにインダクタンス素子５２とコン
デンサ５３、抵抗素子５４からなる回路を採用した点で
あり、インダクタンス素子５２とコンデンサ５３、抵抗
素子５４はＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤのパッケージの外に設け
られる。
【００３６】本実施例によれば、前記第一実施例と同様
に光変調器の光吸収電流の変動等に起因する共通導体３
の高周波信号が半導体レーザダイオードの発光強度に影
響することは無くなる。また更に本実施例では、電源手
段４から半導体レーザダイオード１への直流電力供給に
ついて電力消費が増加することが無くなる。図１２は第
二実施例における改善効果をビット誤り率の変化で示し
た図である。
に光変調器の光吸収電流の変動等に起因する共通導体３
の高周波信号が半導体レーザダイオードの発光強度に影
響することは無くなる。また更に本実施例では、電源手
段４から半導体レーザダイオード１への直流電力供給に
ついて電力消費が増加することが無くなる。図１２は第
二実施例における改善効果をビット誤り率の変化で示し
た図である。
【００３７】図１２は終端抵抗７と抵抗５１の抵抗値を
共に４３Ωとし、インダクタンス素子５２のインダクタ
ンスを１ｍＨとし、コンデンサ５３の容量を２０ｐＦと
した場合の１２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定
した時の結果を示す図であり、表示内容は図１０と同じ
形式である。本実施例でも従来例に比べて大きく改善さ
れていることが明瞭に示されている。
共に４３Ωとし、インダクタンス素子５２のインダクタ
ンスを１ｍＨとし、コンデンサ５３の容量を２０ｐＦと
した場合の１２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定
した時の結果を示す図であり、表示内容は図１０と同じ
形式である。本実施例でも従来例に比べて大きく改善さ
れていることが明瞭に示されている。
【００３８】図１３は本発明の第三実施例の集積化発光
装置の駆動回路を示す図である。第一実施例及び第二実
施例と異なる点は、半導体レーザダイオード１に並列に
コンデンサ５５を接続したことである。図１４は第３実
施例におけるパッケージ内部の半導体レーザ１、光変調
器２、及びリードピンを接続するボンディングワイヤの
配線の様子を示す斜視図であり、図１５はその上面図で
ある。
装置の駆動回路を示す図である。第一実施例及び第二実
施例と異なる点は、半導体レーザダイオード１に並列に
コンデンサ５５を接続したことである。図１４は第３実
施例におけるパッケージ内部の半導体レーザ１、光変調
器２、及びリードピンを接続するボンディングワイヤの
配線の様子を示す斜視図であり、図１５はその上面図で
ある。
【００３９】図１４と図１５に示すように、半導体基板
上の共通導体に相当する電極１３６上にマイクロチップ
コンデンサ１４１が取り付けられている。このマイクロ
チップコンデンサ１４１が図１３のコンデンサ５５に相
当する。図１６は図１４と図１５に示した部分の等価回
路図である。参照番号１５１、１５３、１５４及び１５
５は、各ボンディングワイヤ又は２段階のボンディング
ワイヤに相当するインダクタンスを表すインピーダンス
を示す。
上の共通導体に相当する電極１３６上にマイクロチップ
コンデンサ１４１が取り付けられている。このマイクロ
チップコンデンサ１４１が図１３のコンデンサ５５に相
当する。図１６は図１４と図１５に示した部分の等価回
路図である。参照番号１５１、１５３、１５４及び１５
５は、各ボンディングワイヤ又は２段階のボンディング
ワイヤに相当するインダクタンスを表すインピーダンス
を示す。
【００４０】コンデンサは直流は遮断するが、高周波信
号は通過させる。そのため定電流源４からの一定の電流
は半導体レーザダイオード１を流れ、光変調器２の駆動
信号による高周波数の電圧変動による電流はこのコンデ
ンサ５５を流れるため、高周波数の電流変動の半導体レ
ーザダイオード１の発光に対する影響が低減される。図
１７はコンデンサ５５の容量を１００ｐＦとした場合の
１２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定した時の結
果を示す図であり、表示内容は図１０と同じ形式であ
る。本実施例でも従来例に比べて大きく改善されている
ことが明瞭に示されている。コンデンサ５５の容量は、
１ｐＦから１ｎＦの間であることが望ましい。
号は通過させる。そのため定電流源４からの一定の電流
は半導体レーザダイオード１を流れ、光変調器２の駆動
信号による高周波数の電圧変動による電流はこのコンデ
ンサ５５を流れるため、高周波数の電流変動の半導体レ
ーザダイオード１の発光に対する影響が低減される。図
１７はコンデンサ５５の容量を１００ｐＦとした場合の
１２０ｋｍの伝送距離でビット誤り率を測定した時の結
果を示す図であり、表示内容は図１０と同じ形式であ
る。本実施例でも従来例に比べて大きく改善されている
ことが明瞭に示されている。コンデンサ５５の容量は、
１ｐＦから１ｎＦの間であることが望ましい。
【００４１】以上、第一乃至第三実施例について説明し
たが、それぞれの実施例で説明した抵抗、インヅクタン
ス及びキャパシタンスの各緩和手段を組み合わせてより
一層電圧変動の半導体レーザダイオード１の発光に対す
る影響を低減することも可能である。
たが、それぞれの実施例で説明した抵抗、インヅクタン
ス及びキャパシタンスの各緩和手段を組み合わせてより
一層電圧変動の半導体レーザダイオード１の発光に対す
る影響を低減することも可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザダイオードと光変調器を同一の半導体基板
上に形成したＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤの出力光の波長幅の広
がりを低減出来るため、光通信の伝送容量の増加及び伝
送距離の延長が可能になる。
半導体レーザダイオードと光変調器を同一の半導体基板
上に形成したＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤの出力光の波長幅の広
がりを低減出来るため、光通信の伝送容量の増加及び伝
送距離の延長が可能になる。
【図１】本発明の第１の態様の光半導体装置回路の原理
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の第２の態様の光半導体装置回路の原理
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の第一実施例における回路構成を示す図
である。
である。
【図４】第一実施例における光変調器の駆動回路図であ
る。
る。
【図５】実施例で使用するＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤを示す斜
視図である。
視図である。
【図６】実施例で使用するＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤと温度制
御装置を収容し、光ファイバを接続した光モジュールを
示す図である。
御装置を収容し、光ファイバを接続した光モジュールを
示す図である。
【図７】図６の光モジュールの内部を示す図である。
【図８】第一実施例における光モジュールの内部のボン
ディングワイヤによる配線の様子を示す斜視図である。
ディングワイヤによる配線の様子を示す斜視図である。
【図９】第一実施例における光モジュールの内部のボン
ディングワイヤによる配線の様子を示す上面図である。
ディングワイヤによる配線の様子を示す上面図である。
【図１０】第一実施例の効果をビット誤り率で示した図
である。
である。
【図１１】本発明の第二実施例における回路構成を示す
図である。
図である。
【図１２】第二実施例の効果をビット誤り率で示した図
である。
である。
【図１３】本発明の第三実施例における回路構成を示す
図である。
図である。
【図１４】第三実施例における光モジュールの内部のボ
ンディングワイヤによる配線の様子を示す斜視図であ
る。
ンディングワイヤによる配線の様子を示す斜視図であ
る。
【図１５】第三実施例における光モジュールの内部のボ
ンディングワイヤによる配線の様子を示す上面図であ
る。
ンディングワイヤによる配線の様子を示す上面図であ
る。
【図１６】第三実施例における光モジュール部分の等価
回路図である。
回路図である。
【図１７】第三実施例の効果をビット誤り率で示した図
である。
である。
【図１８】半導体レーザを使用した光通信の基本構成を
示す図である。
示す図である。
【図１９】駆動信号による波長変化を示す図である。
【図２０】半導体レーザと光変調器を集積化したＭＩ−
ＤＦＢ−ＬＤを示す図である。
ＤＦＢ−ＬＤを示す図である。
【図２１】光変調器の動作原理を示す図である。
【図２２】ＭＩ−ＤＦＢ−ＬＤを温度制御装置上の搭載
した光モジュールの内部を模式的に示す図である。
した光モジュールの内部を模式的に示す図である。
【図２３】図２２の光モジュールの等価回路図である。
【図２４】半導体レーザに平行にコンデンサを設ける従
来例の回路構成を示す図である。
来例の回路構成を示す図である。
１…半導体レーザダイオード ２…光変調器 ３…共通導体 ４…定電流源 ５…抵抗手段 ６…同軸ケーブル ７…終端抵抗 ８…インピーダンス手段又は反射手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 雙田 晴久 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 上手 清嗣 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (34)
- 【請求項１】 半導体レーザダイオード（１）と、 前記半導体レーザダイオードの出力光を変調する光変調
器（２）と、 前記半導体レーザダイオードを発光させるためのバイア
ス電流が入力される前記半導体レーザダイオードの電極
に接続され、少なくとも高周波では抵抗として動作する
抵抗手段（５）と、 前記半導体レーザダイオードと前記光変調器のそれぞれ
の接地端子を共通に接続する共通接続手段（３）と、 前記共通接続手段に接続されたインピーダンス手段又は
反射手段（８）と、 前記インピーダンス手段又は反射手段に接続された接地
電位とを備えることを特徴とする光半導体回路。 - 【請求項２】 前記半導体レーザダイオードを一定にバ
イアスするように接続される電源（４）を備えることを
特徴とする請求項１に記載の光半導体回路。 - 【請求項３】 前記半導体レーザダイオードと前記光変
調器は、１個のパッケージ内に収容されていることを特
徴とする請求項２に記載の光半導体回路。 - 【請求項４】 前記共通接続手段は、前記パッケージ内
にあることを特徴とする請求項３に記載の光半導体回
路。 - 【請求項５】 前記抵抗手段は、前記半導体レーザダイ
オードに直列に接続されてなる抵抗（５１）であり、前
記パッケージ内にあることを特徴とする請求項３に記載
の光半導体回路。 - 【請求項６】 前記抵抗手段は、前記半導体レーザダイ
オードに直列に接続されてなる抵抗（５１）であり、前
記パッケージ外にあることを特徴とする請求項３に記載
の光半導体回路。 - 【請求項７】 前記抵抗手段は前記パッケージ外に設け
られた抵抗（５４）であり、コンデンサ（５３）と直列
に接続されて直列回路を形成し、該直列回路は前記パッ
ケージの電源接続端子と前記パッケージ外の接地電位の
間に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の
光半導体回路。 - 【請求項８】 前記半導体レーザダイオードに直列に接
続されたインピーダンス素子（５２）を備えることを特
徴とする請求項７に記載の光半導体回路。 - 【請求項９】 一端が前記バイアスが入力される前記半
導体レーザダイオードの電極に接続され、他端が前記共
通接続手段に接続されたバイパスコンデンサ（５５）を
備えること特徴とする請求項３乃至８に記載の光半導体
回路。 - 【請求項１０】 前記パッケージ内に設けられ、前記半
導体レーザダイオードと前記光変調器を一定温度に保持
する温度制御手段（１０５）を備えることを特徴とする
請求項３乃至８に記載の光半導体回路。 - 【請求項１１】 半導体レーザダイオード（１）と、 前記半導体レーザダイオードの出力光を変調する光変調
器（２）と、 前記半導体レーザダイオードと前記光変調器のそれぞれ
の接地端子を共通に接続する共通接続手段（３）と、 一端が前記半導体レーザダイオードを発光させるための
バイアス電流が入力される前記半導体レーザダイオード
の電極に接続され、他端が前記共通接続手段に接続され
たバイパスコンデンサ（９）と、 前記共通接続手段に接続されたインピーダンス手段又は
反射手段（８）と、 前記インピーダンス手段又は反射手段に接続された接地
電位とを備えることを特徴とする光半導体回路。 - 【請求項１２】 前記半導体レーザダイオードを一定に
バイアスするように接続される電源（４）を備えること
を特徴とする請求項１１に記載の光半導体回路。 - 【請求項１３】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器は、１個のパッケージ内に収容されていることを
特徴とする請求項１２に記載の光半導体回路。 - 【請求項１４】 前記パッケージ内に設けられ、前記半
導体レーザダイオードと前記光変調器を一定温度に保持
する温度制御手段を備えることを特徴とする請求項１３
に記載の光半導体回路。 - 【請求項１５】 半導体レーザダイオード（１）と、 前記半導体レーザダイオードの出力光を変調する光変調
器（２）と、 駆動電流を供給するための前記半導体レーザダイオード
の電極に接続され、少なくとも高周波に対しては抵抗と
して動作する抵抗手段（５）とを備えることを特徴とす
る光モジュール。 - 【請求項１６】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器とを共通に接続するための共通導体（３）を備え
ることを特徴とする請求項１５に記載の光モジュール。 - 【請求項１７】 前記共通導体は、インピーダンス手段
（８）を介して接地端子に接続されてなることを特徴と
する請求項１６に記載の光モジュール。 - 【請求項１８】 前記インピーダンス手段は、ボンディ
ングワイヤ又は導電性ブリッジであることを特徴とする
請求項１７に記載の光モジュール。 - 【請求項１９】 前記共通導体は、反射手段を介して接
地端子に接続されてなることを特徴とする請求項１６に
記載の光モジュール。 - 【請求項２０】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器とが共通の半導体基板（１００）上に集積化され
ており、前記共通導体は、前記半導体基板または前記半
導体基板に接続された基板電極のいずれかであることを
特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の
光モジュール。 - 【請求項２１】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器とが独立したチップによって構成されており、前
記共通導体は、前記半導体レーザダイオードのチップと
前記光変調器のチップとを共通に接続する導電性基体で
あることを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１
項に記載の光半導体装置。 - 【請求項２２】 前記抵抗手段は、前記半導体レーザダ
イオードに直列に接続されてなることを特徴とする請求
項１５に記載の光モジュール。 - 【請求項２３】 前記抵抗手段は、容量素子を介して前
記半導体レーザダイオードに接続されてなることを特徴
とする請求項１５に記載の光モジュール。 - 【請求項２４】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器を一定温度に保持する温度制御手段（１０５）を
備えることを特徴とする請求項１５乃至２３のいずれか
１項に記載の光モジュール。 - 【請求項２５】 半導体レーザダイオード（１）と、 前記半導体レーザダイオードの出力光を変調する光変調
器（２）と、 一端が駆動電流を供給するための前記半導体レーザダイ
オードの電極に接続され、他端が前記半導体レーザダイ
オードの接地電極に当該モジュール内で直接接続される
バイパスコンデンサ（９）とを備えることを特徴とする
光モジュール。 - 【請求項２６】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器と前記バイパスコンデンサの他端とを共通に接続
するための共通導体（３）を備えることを特徴とする請
求項２５に記載の光モジュール。 - 【請求項２７】 前記共通導体は、インピーダンス手段
を介して接地端子に接続されてなることを特徴とする請
求項２６に記載の光モジュール。 - 【請求項２８】 前記インピーダンス手段は、ボンディ
ングワイヤ又は導電性ブリッジであることを特徴とする
請求項２７に記載の光モジュール。 - 【請求項２９】 前記共通導体は、反射手段を介して接
地端子に接続されてなることを特徴とする請求項２６に
記載の光モジュール。 - 【請求項３０】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器とが共通の半導体基板上に集積化されており、前
記共通導体は、前記半導体基板または前記半導体基板に
接続された基板電極のいずれかであることを特徴とする
請求項２５乃至２９のいずれか１項に記載の光モジュー
ル。 - 【請求項３１】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器とが独立したチップによって構成されており、前
記共通導体は、前記半導体レーザダイオードのチップと
前記光変調器のチップとを共通に接続する導電性基体で
あることを特徴とする請求項２５乃至２９のいずれか１
項に記載の光半導体装置。 - 【請求項３２】 前記半導体レーザダイオードと前記光
変調器を一定温度に保持する温度制御手段を備えること
を特徴とする請求項２５乃至３１のいずれか１項に記載
の光モジュール。 - 【請求項３３】 半導体レーザダイオードを一定にバイ
アスする電力を供給するための電源装置において、 半導体レーザダイオードに電力を供給する出力端子に直
列に接続された抵抗を備えることを特徴とする電源装
置。 - 【請求項３４】 半導体レーザダイオードを一定にバイ
アスする電力を供給するための電源装置において、 半導体レーザダイオードに電力を供給する出力端子と接
地電位との間に接続されたコンデンサと抵抗の直列回路
を備えることを特徴とする電源装置。
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| JP14472594A JP3330451B2 (ja) | 1993-06-30 | 1994-06-27 | 光モジュール |
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|---|---|---|---|
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| JPH0774420A true JPH0774420A (ja) | 1995-03-17 |
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|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5781578A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| JP2001257435A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信器 |
| JP2005234267A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光モジュール |
| JP2009177030A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Opnext Japan Inc | 光送信モジュール及び光伝送装置 |
| JP2013020173A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 外部変調型レーザ素子の駆動回路 |
| JP2014168097A (ja) * | 2014-05-12 | 2014-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
| JP2016162962A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール及び光送受信モジュール |
| WO2017171093A1 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| JP2021027206A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体発光装置 |
| US10965098B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-03-30 | Lumentum Japan, Inc. | Transmitter optical subassembly and optical module comprising an impedance element to minimize a flow of an alternate current |
| CN113039689A (zh) * | 2018-08-30 | 2021-06-25 | 菲尼萨瑞典公司 | 激光器芯片上载体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028162U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-19 | ||
| JPH031587A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0311785A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
| JPH03129791A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザダイオードモジュール |
| JPH06177476A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光パルス発生装置 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP14472594A patent/JP3330451B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028162U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-19 | ||
| JPH031587A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0311785A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
| JPH03129791A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザダイオードモジュール |
| JPH06177476A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光パルス発生装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5781578A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| JP2001257435A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送信器 |
| JP2005234267A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光モジュール |
| JP2009177030A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Opnext Japan Inc | 光送信モジュール及び光伝送装置 |
| JP2013020173A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 外部変調型レーザ素子の駆動回路 |
| US9088122B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver for laser diode integrated with external modulator |
| JP2014168097A (ja) * | 2014-05-12 | 2014-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
| JP2016162962A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール及び光送受信モジュール |
| WO2017171093A1 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| JP2017187518A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| US10935821B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-03-02 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
| US10965098B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-03-30 | Lumentum Japan, Inc. | Transmitter optical subassembly and optical module comprising an impedance element to minimize a flow of an alternate current |
| CN113039689A (zh) * | 2018-08-30 | 2021-06-25 | 菲尼萨瑞典公司 | 激光器芯片上载体装置 |
| CN113039689B (zh) * | 2018-08-30 | 2024-04-26 | 菲尼萨瑞典公司 | 激光器芯片上载体装置 |
| JP2021027206A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体発光装置 |
| US11336072B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-05-17 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3330451B2 (ja) | 2002-09-30 |
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