JPH06177476A - 光パルス発生装置 - Google Patents
光パルス発生装置Info
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- JPH06177476A JPH06177476A JP43A JP34969492A JPH06177476A JP H06177476 A JPH06177476 A JP H06177476A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34969492 A JP34969492 A JP 34969492A JP H06177476 A JPH06177476 A JP H06177476A
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- optical modulator
- optical
- pulse
- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】集積素子を用いてトランスフォームリミッテッ
ドな光パルスを発生することができるパルス発生装置を
提供する。 【構成】単一波長で連続発振する半導体レーザと、半導
体レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型
光変調器とが半導体基板上に一体集積され、半導体電気
吸収型光変調器に半導体レーザの出力光を十分に消光す
る程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧
発生器と、半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を
加えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電
気吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波
形のフーリエ変換に相当するスペクトルを有するように
半導体レーザと半導体電気吸収型光変調器との間の分離
抵抗の値が大きく（例えば４００ｋΩ以上）設定された
構成を有している。
ドな光パルスを発生することができるパルス発生装置を
提供する。 【構成】単一波長で連続発振する半導体レーザと、半導
体レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型
光変調器とが半導体基板上に一体集積され、半導体電気
吸収型光変調器に半導体レーザの出力光を十分に消光す
る程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧
発生器と、半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を
加えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電
気吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波
形のフーリエ変換に相当するスペクトルを有するように
半導体レーザと半導体電気吸収型光変調器との間の分離
抵抗の値が大きく（例えば４００ｋΩ以上）設定された
構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速光ファイバ通信用
のソリトン光パルス発生装置に関するものである。
のソリトン光パルス発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信技術は、光増幅技術の進
展にささえられ超長距離化が進んでおり、再生中継器を
使用せずに太平洋横断も可能となってきた。しかしなが
ら、従来の伝送方式では、伝送速度が高くなると光ファ
イバの波長分散特性や非線形光学効果に基づく伝送特性
の劣化の影響が大きくなり、高速・大容量化には限界が
ある。この波長分散特性や非線形光学効果による高速化
の限界を打破する方式として、光ソリトン通信方式が近
年脚光を浴びている。
展にささえられ超長距離化が進んでおり、再生中継器を
使用せずに太平洋横断も可能となってきた。しかしなが
ら、従来の伝送方式では、伝送速度が高くなると光ファ
イバの波長分散特性や非線形光学効果に基づく伝送特性
の劣化の影響が大きくなり、高速・大容量化には限界が
ある。この波長分散特性や非線形光学効果による高速化
の限界を打破する方式として、光ソリトン通信方式が近
年脚光を浴びている。
【０００３】光ソリトン通信方式は、従来の伝送方式の
特性劣化要因である光ファイバの波長分散特性や非線形
光学効果を積極的に利用するものであり、ファイバの波
長分散によるパルスの広がりと非線形光学効果に基づく
パルス圧縮を釣り合わせ、光短パルスを形を変えずに伝
送する方式である。時間多重や波長多重も比較的容易で
あり、高速大容量化に適している。この光短パルスは、
（１）ｓｅｃｈ2 形状であること、（２）トランスフォ
ームリミッテッドパルスであること（光パルスの包絡線
波形のフーリエ変換に相当するスペクトルをもつ光パル
ス）が必要である。
特性劣化要因である光ファイバの波長分散特性や非線形
光学効果を積極的に利用するものであり、ファイバの波
長分散によるパルスの広がりと非線形光学効果に基づく
パルス圧縮を釣り合わせ、光短パルスを形を変えずに伝
送する方式である。時間多重や波長多重も比較的容易で
あり、高速大容量化に適している。この光短パルスは、
（１）ｓｅｃｈ2 形状であること、（２）トランスフォ
ームリミッテッドパルスであること（光パルスの包絡線
波形のフーリエ変換に相当するスペクトルをもつ光パル
ス）が必要である。
【０００４】このような要求に対応する一つの手段とし
て、半導体電気吸収型光変調器はｄＢで表した消光比が
印加電圧に対しほぼ線形な関係を持つので、一定強度の
レーザ光を半導体電気吸収型光変調器に入射し、半導体
電気吸収型光変調器に正弦波状変調電圧を加えると、ほ
ぼｓｅｃｈ2 形状を持つ光パルスを発生することができ
る。さらに半導体電気吸収型光変調器の位相変調成分は
極めて小さいので、パルスはトランスフォームリミッテ
ッドパルスである（文献１：M. SUZUKI et al., "Trans
form-Limited 14ps Optical Pulse Generation with 15
GHz Repetition Rate by InGaAsP Electroabsorption
Modulator", Electronics Letters, vol.28, No.11, p
p.1007-1008, May 1992）。一方、レーザと光変調器の
間の光結合損失を大幅に低減するためにＤＦＢレーザと
ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子は、
ノン・リターン・ゼロ信号発生用のものが知られている
（文献２：雙田晴久他、「光変調器／ＤＦＢレーザ集積
化光源」、電子情報通信学会技術研究報告、ＯＱＥ８９
−３０、ｐｐ. ３１−３６、１９８９）。この素子のＤ
ＦＢレーザと光変調器の間の分離抵抗は、１０ｋΩであ
る。
て、半導体電気吸収型光変調器はｄＢで表した消光比が
印加電圧に対しほぼ線形な関係を持つので、一定強度の
レーザ光を半導体電気吸収型光変調器に入射し、半導体
電気吸収型光変調器に正弦波状変調電圧を加えると、ほ
ぼｓｅｃｈ2 形状を持つ光パルスを発生することができ
る。さらに半導体電気吸収型光変調器の位相変調成分は
極めて小さいので、パルスはトランスフォームリミッテ
ッドパルスである（文献１：M. SUZUKI et al., "Trans
form-Limited 14ps Optical Pulse Generation with 15
GHz Repetition Rate by InGaAsP Electroabsorption
Modulator", Electronics Letters, vol.28, No.11, p
p.1007-1008, May 1992）。一方、レーザと光変調器の
間の光結合損失を大幅に低減するためにＤＦＢレーザと
ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子は、
ノン・リターン・ゼロ信号発生用のものが知られている
（文献２：雙田晴久他、「光変調器／ＤＦＢレーザ集積
化光源」、電子情報通信学会技術研究報告、ＯＱＥ８９
−３０、ｐｐ. ３１−３６、１９８９）。この素子のＤ
ＦＢレーザと光変調器の間の分離抵抗は、１０ｋΩであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本願発明者らは、この
文献２の集積素子を用い、同集積素子のＤＦＢレーザ側
を一定直流電流で駆動し、ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光
変調器側を逆方向電圧と正弦波状変調電圧を足し合わせ
た電圧で駆動する光パルス発生装置を構成し、ＤＦＢレ
ーザの駆動電流が増加するとキャリア効果によりＤＦＢ
レーザの発振波長が短波長側へ移ることを考慮し、周期
Ｔで正弦波状電圧を発生させたときの光パルスの波形と
スペクトルのシミュレーションを行った。光パルスを図
３（ａ）、スペクトルを同図（ｂ）に示す。
文献２の集積素子を用い、同集積素子のＤＦＢレーザ側
を一定直流電流で駆動し、ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光
変調器側を逆方向電圧と正弦波状変調電圧を足し合わせ
た電圧で駆動する光パルス発生装置を構成し、ＤＦＢレ
ーザの駆動電流が増加するとキャリア効果によりＤＦＢ
レーザの発振波長が短波長側へ移ることを考慮し、周期
Ｔで正弦波状電圧を発生させたときの光パルスの波形と
スペクトルのシミュレーションを行った。光パルスを図
３（ａ）、スペクトルを同図（ｂ）に示す。
【０００６】比較のために本願発明者らは、集積素子と
同一の動作特性を持つＤＦＢレーザと光変調器を、集積
せずに電気的に独立して動作させて光パルス発生装置を
構成した場合の、光パルスの波形及びスペクトルもシミ
ュレーションを行った。光パルスを図４（ａ）、スペク
トルを同図（ｂ）に示す。
同一の動作特性を持つＤＦＢレーザと光変調器を、集積
せずに電気的に独立して動作させて光パルス発生装置を
構成した場合の、光パルスの波形及びスペクトルもシミ
ュレーションを行った。光パルスを図４（ａ）、スペク
トルを同図（ｂ）に示す。
【０００７】文献１で紹介されているように電気的に独
立して構成した光パルス発生装置では、発生したパルス
はトランスフォームリミッテッドパルスとなる。図３
（ａ）と図４（ａ）を比較するとパルス形状はほぼ同一
であるのに対し、図３（ｂ）と図４（ｂ）を比較すると
スペクトル包絡線の半値全幅は集積素子では集積しない
場合のほぼ倍にまで広がっている。もし、トランスフォ
ームリミッテッドパルスであれば、パルス形状が同一な
らば、スペクトルも同一でなければならない。従って、
従来の集積素子で構成した光パルス発生装置において、
発生した光パルスはトランスフォームリミッテッドパル
スではないことは、明らかであり、光ソリトン通信に利
用するには問題である。
立して構成した光パルス発生装置では、発生したパルス
はトランスフォームリミッテッドパルスとなる。図３
（ａ）と図４（ａ）を比較するとパルス形状はほぼ同一
であるのに対し、図３（ｂ）と図４（ｂ）を比較すると
スペクトル包絡線の半値全幅は集積素子では集積しない
場合のほぼ倍にまで広がっている。もし、トランスフォ
ームリミッテッドパルスであれば、パルス形状が同一な
らば、スペクトルも同一でなければならない。従って、
従来の集積素子で構成した光パルス発生装置において、
発生した光パルスはトランスフォームリミッテッドパル
スではないことは、明らかであり、光ソリトン通信に利
用するには問題である。
【０００８】本発明は、集積素子を用いて光パルスを発
生する際のこの問題点を解決するためになされたもの
で、トランスフォームリミッテッドな光パルスを発生す
ることができるパルス発生装置を提供することを目的と
する。
生する際のこの問題点を解決するためになされたもの
で、トランスフォームリミッテッドな光パルスを発生す
ることができるパルス発生装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光パルス発生装
置は、単一波長で連続発振する半導体レーザと、半導体
レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型光
変調器とが半導体基板上に一体集積され、半導体電気吸
収型光変調器に半導体レーザの出力光を十分に消光する
程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧発
生器と、半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を加
えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電気
吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波形
のフーリエ変換に相当するスペクトルを有するように半
導体レーザと半導体電気吸収型光変調器との間の分離抵
抗の値が大きく（例えば４００ｋΩ以上）設定された構
成を有している。
置は、単一波長で連続発振する半導体レーザと、半導体
レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型光
変調器とが半導体基板上に一体集積され、半導体電気吸
収型光変調器に半導体レーザの出力光を十分に消光する
程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧発
生器と、半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を加
えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電気
吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波形
のフーリエ変換に相当するスペクトルを有するように半
導体レーザと半導体電気吸収型光変調器との間の分離抵
抗の値が大きく（例えば４００ｋΩ以上）設定された構
成を有している。
【００１０】
【作用】前記の構成により本発明の特徴は、半導体レー
ザと半導体電気吸収型光変調器とを集積した素子におい
て、半導体電気吸収型光変調器の駆動によって引き起こ
される半導体レーザ駆動電流の変動を、分離抵抗を例え
ば４００ｋΩ以上にすることにより抑え、半導体レーザ
の発振波長を安定させてトランスフォームリミッテッド
光パルスを発生する点にある。
ザと半導体電気吸収型光変調器とを集積した素子におい
て、半導体電気吸収型光変調器の駆動によって引き起こ
される半導体レーザ駆動電流の変動を、分離抵抗を例え
ば４００ｋΩ以上にすることにより抑え、半導体レーザ
の発振波長を安定させてトランスフォームリミッテッド
光パルスを発生する点にある。
【００１１】本願発明者らはＤＦＢレーザとＩｎＧａＡ
ｓＰ電気吸収型光変調器とを集積した素子のレーザ側を
一定直流電流で駆動し、光変調器側を逆方向のバイアス
電圧と正弦波状変調電圧を足し合わせた電圧を加えて光
パルス発生装置を構成する場合において、レーザの駆動
電流が増加するとキャリア効果によりレーザの発振波長
が短波長側へ移ることを考慮し、出力光パルスのスペク
トル包絡線の半値全幅とパルスの繰り返し周期の積と分
離抵抗の関係のシミュレーションを行ったＩｎＧａＡｓ
Ｐ電気吸収型光変調器のｄＢで表した消光比が印加電圧
に対し線形な関係を持つことを仮定した。結果を図１に
示す。また、分離抵抗４００ｋΩ近傍のスペクトルの包
絡線の半値全幅と周期の積の測定数値を表１に示す。
ｓＰ電気吸収型光変調器とを集積した素子のレーザ側を
一定直流電流で駆動し、光変調器側を逆方向のバイアス
電圧と正弦波状変調電圧を足し合わせた電圧を加えて光
パルス発生装置を構成する場合において、レーザの駆動
電流が増加するとキャリア効果によりレーザの発振波長
が短波長側へ移ることを考慮し、出力光パルスのスペク
トル包絡線の半値全幅とパルスの繰り返し周期の積と分
離抵抗の関係のシミュレーションを行ったＩｎＧａＡｓ
Ｐ電気吸収型光変調器のｄＢで表した消光比が印加電圧
に対し線形な関係を持つことを仮定した。結果を図１に
示す。また、分離抵抗４００ｋΩ近傍のスペクトルの包
絡線の半値全幅と周期の積の測定数値を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】電気的に完全に独立した場合のスペクトル
包絡線の半値全幅の値２. ４８より１％以上大きくなる
とトランスフォームリミテッドでなくなると判断される
ので、この測定例ではトランスフォームリミッテッドパ
ルスを得るには分離抵抗は４００ｋΩ以上必要である。
４００ｋΩ未満では、光変調器を正弦波電圧発生器が駆
動することにより、レーザの駆動電流が変動する。駆動
電流が変動するとレーザは周波数変調され、スペクトル
の包絡線幅は広がってトランスフォームリミッテッドで
はなくなる。
包絡線の半値全幅の値２. ４８より１％以上大きくなる
とトランスフォームリミテッドでなくなると判断される
ので、この測定例ではトランスフォームリミッテッドパ
ルスを得るには分離抵抗は４００ｋΩ以上必要である。
４００ｋΩ未満では、光変調器を正弦波電圧発生器が駆
動することにより、レーザの駆動電流が変動する。駆動
電流が変動するとレーザは周波数変調され、スペクトル
の包絡線幅は広がってトランスフォームリミッテッドで
はなくなる。
【００１４】
【実施例】図２は本発明の実施例であり、光パルス発生
装置の模式図である。単一波長で発振するλ／４シフト
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ１と、ＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器２とが、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に集積さ
れている。電気的にＤＦＢレーザ１と光変調器２を分離
するために両者の間に半絶縁性ＩｎＰ１２が配置されて
いるが、完全に絶縁することはできないので電気回路的
には分離抵抗１３がＤＦＢレーザ１と光変調器２の間に
接続されたのと同じである。ＤＦＢレーザ１は、レーザ
電極１５に直流電流発生器５から電流を供給され一定の
光出力で発振する。また、直流電圧発生器３から供給さ
れた逆方向のバイアス電圧と、正弦波電圧発生器４で発
生した正弦波状電圧との足し合わされた電圧が、光変調
器電極１６とｎ側共通電極１４の間に印加される。半絶
縁性ＩｎＰ１２による分離抵抗１３は、１０ＭΩより大
であり計測不能であった。分離抵抗１３の作製は、特開
平2-212804号に記載の製造方法によった。
装置の模式図である。単一波長で発振するλ／４シフト
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ１と、ＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器２とが、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に集積さ
れている。電気的にＤＦＢレーザ１と光変調器２を分離
するために両者の間に半絶縁性ＩｎＰ１２が配置されて
いるが、完全に絶縁することはできないので電気回路的
には分離抵抗１３がＤＦＢレーザ１と光変調器２の間に
接続されたのと同じである。ＤＦＢレーザ１は、レーザ
電極１５に直流電流発生器５から電流を供給され一定の
光出力で発振する。また、直流電圧発生器３から供給さ
れた逆方向のバイアス電圧と、正弦波電圧発生器４で発
生した正弦波状電圧との足し合わされた電圧が、光変調
器電極１６とｎ側共通電極１４の間に印加される。半絶
縁性ＩｎＰ１２による分離抵抗１３は、１０ＭΩより大
であり計測不能であった。分離抵抗１３の作製は、特開
平2-212804号に記載の製造方法によった。
【００１５】本実施例の光パルス発生装置で、実験を行
った。−２Ｖのバイアス電圧と５ＧＨｚの正弦波状電圧
を足し合わせた電圧で駆動した結果、パルス幅３３ピコ
秒の光短パルスが得られ、そのスペクトルの包絡線の半
値全幅と周期の積は１. ９であった。実験に用いたＩｎ
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器のｄＢで表した消光比が
印加電圧に対しほぼ線形な関係を持つのは３０ｄＢ程度
までであり、それ以上高い電圧を加えても消光しないの
で、光パルスの包絡線波形をそのままフーリエ変換して
得られるスペクトルの包絡線の半値全幅と周期の積は、
ｄＢで表した消光比が印加電圧に対し常に線形な関係を
持つことを仮定した値に比べ小さくなる。それ故、シミ
ュレーション値に比べ実験値が若干小さくなる。従っ
て、実験においてもトランスフォームリミッテッドパル
スが発生できたといえる。
った。−２Ｖのバイアス電圧と５ＧＨｚの正弦波状電圧
を足し合わせた電圧で駆動した結果、パルス幅３３ピコ
秒の光短パルスが得られ、そのスペクトルの包絡線の半
値全幅と周期の積は１. ９であった。実験に用いたＩｎ
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器のｄＢで表した消光比が
印加電圧に対しほぼ線形な関係を持つのは３０ｄＢ程度
までであり、それ以上高い電圧を加えても消光しないの
で、光パルスの包絡線波形をそのままフーリエ変換して
得られるスペクトルの包絡線の半値全幅と周期の積は、
ｄＢで表した消光比が印加電圧に対し常に線形な関係を
持つことを仮定した値に比べ小さくなる。それ故、シミ
ュレーション値に比べ実験値が若干小さくなる。従っ
て、実験においてもトランスフォームリミッテッドパル
スが発生できたといえる。
【００１６】以上の説明では、半導体レーザとしてλ／
４シフトＤＦＢレーザを用いて説明したが、シフト部分
のないＤＦＢレーザでも、ＤＢＲレーザでも適用可能で
ある。また、半導体光変調器としてＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器を用いて説明したが、その他、量子井戸
層がＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓで構成され、量
子障壁層が量子井戸層より禁制帯エネルギの大きいＩｎ
ＰまたはＩｎＧａＡｓＰで構成される量子井戸構造の吸
収型光変調器にも適用可能である。更に、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子
井戸構造の吸収型光変調器にも適用可能である
４シフトＤＦＢレーザを用いて説明したが、シフト部分
のないＤＦＢレーザでも、ＤＢＲレーザでも適用可能で
ある。また、半導体光変調器としてＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器を用いて説明したが、その他、量子井戸
層がＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓで構成され、量
子障壁層が量子井戸層より禁制帯エネルギの大きいＩｎ
ＰまたはＩｎＧａＡｓＰで構成される量子井戸構造の吸
収型光変調器にも適用可能である。更に、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子
井戸構造の吸収型光変調器にも適用可能である
【００１７】さらに、単一波長レーザと半導体電気吸収
型光変調器がおのおの１個ずつ集積されている素子を用
いた光パルス発生装置について説明したが、情報信号生
成用の半導体電気吸収型光変調器がさらに集積された素
子を用いた場合でも、各素子間の分離抵抗が４００ｋΩ
以上あればトランスフォームリミッテッド光パルスが発
生できる。また、単一波長レーザと２個の超短パルス発
生用の半導体電気吸収型光変調器と１個の情報信号生成
用の半導体電気吸収型光変調器とが集積化された素子を
用いた場合でも、各素子間の分離抵抗が４００ｋΩ以上
あればトランスフォームリミッテッドパルス光パルスが
発生できる。
型光変調器がおのおの１個ずつ集積されている素子を用
いた光パルス発生装置について説明したが、情報信号生
成用の半導体電気吸収型光変調器がさらに集積された素
子を用いた場合でも、各素子間の分離抵抗が４００ｋΩ
以上あればトランスフォームリミッテッド光パルスが発
生できる。また、単一波長レーザと２個の超短パルス発
生用の半導体電気吸収型光変調器と１個の情報信号生成
用の半導体電気吸収型光変調器とが集積化された素子を
用いた場合でも、各素子間の分離抵抗が４００ｋΩ以上
あればトランスフォームリミッテッドパルス光パルスが
発生できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザと半導体電気吸収型光変調器の分離抵抗が
例えば４００ｋΩ以上ある集積素子と、直流電流発生
器、直流電圧発生器、及び正弦波電圧発生器を用いるだ
けで、トランスフォームリミッテッドパルスが発生でき
るので、ワンチップソリトン光源として極めて有望であ
る。
半導体レーザと半導体電気吸収型光変調器の分離抵抗が
例えば４００ｋΩ以上ある集積素子と、直流電流発生
器、直流電圧発生器、及び正弦波電圧発生器を用いるだ
けで、トランスフォームリミッテッドパルスが発生でき
るので、ワンチップソリトン光源として極めて有望であ
る。
【図１】ＤＦＢレーザとＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変
調器を集積した素子を用いたパルス発生装置で発生した
光パルスのスペクトルの包絡線の半値全幅と周期の積の
分離抵抗依存性を示す図である。
調器を集積した素子を用いたパルス発生装置で発生した
光パルスのスペクトルの包絡線の半値全幅と周期の積の
分離抵抗依存性を示す図である。
【図２】本発明によるλ／４シフトＤＦＢレーザとＩｎ
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子を用いた
パルス発生装置の実施例を示す図である。
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子を用いた
パルス発生装置の実施例を示す図である。
【図３】従来のＤＦＢレーザとＩｎＧａＡｓＰ電気吸収
型光変調器を集積した素子を用いたパルス発生装置で発
生した光パルス波形（ａ）と従来のＤＦＢレーザとＩｎ
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子を用いた
パルス発生装置で発生した光パルスのスペクトル（ｂ）
を示す図である。
型光変調器を集積した素子を用いたパルス発生装置で発
生した光パルス波形（ａ）と従来のＤＦＢレーザとＩｎ
ＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を集積した素子を用いた
パルス発生装置で発生した光パルスのスペクトル（ｂ）
を示す図である。
【図４】ＤＦＢレーザとＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変
調器が集積せずに電気的に独立して駆動した場合に発生
する光パルスの波形（ａ）とＤＦＢレーザとＩｎＧａＡ
ｓＰ電気吸収型光変調器が集積せずに電気的に独立して
駆動した場合に発生する光パルスのスペクトル（ｂ）と
を示す図である。
調器が集積せずに電気的に独立して駆動した場合に発生
する光パルスの波形（ａ）とＤＦＢレーザとＩｎＧａＡ
ｓＰ電気吸収型光変調器が集積せずに電気的に独立して
駆動した場合に発生する光パルスのスペクトル（ｂ）と
を示す図である。
１ λ／４シフトＤＦＢレーザ ２ ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器 ３ 直流電圧発生器 ４ 正弦波電圧発生器 ５ 直流電流発生器 １１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ 半絶縁性ＩｎＰ １３ 分離抵抗 １４ ｎ側共通電極 １５ レーザ電極 １６ 変調器電極
Claims (1)
- 【請求項１】 単一波長で連続発振する半導体レーザ
と、該半導体レーザの出力光の強度変調を行なう半導体
電気吸収型光変調器とが半導体基板上に一体集積され、
該半導体電気吸収型光変調器に前記半導体レーザの出力
光を十分に消光する程度の逆方向のバイアス電圧を加え
るための直流電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調
器に正弦波状電圧を加えるための正弦波電圧発生器とを
備え、前記半導体電気吸収型光変調器から発生する光パ
ルスがその包絡線波形のフーリエ変換に相当するスペク
トルに近似するスペクトルを有するように前記半導体レ
ーザと前記半導体電気吸収型光変調器との間の分離抵抗
の値が大きく設定された光パルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06177476A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 光パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06177476A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 光パルス発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177476A true JPH06177476A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18405474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06177476A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 光パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177476A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774420A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Fujitsu Ltd | 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路 |
| JP2018067604A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 三菱電機株式会社 | 光変調器付き半導体レーザ装置 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP43A patent/JPH06177476A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774420A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Fujitsu Ltd | 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路 |
| JP2018067604A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 三菱電機株式会社 | 光変調器付き半導体レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040413 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |