KR100249788B1 - 피아이엔 다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다중양자우물구조 PIN다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것으로서, 전기-광흡수(electro-absorption)를 갖는 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간층(intrinsic layer)으로 하는 반도체 PIN다이오드에서 광 흡수에 의한 광전류-전압(photocurrent-voltage)의 부저항(negative resistance) 특성을 이용하며, 이 다이오드구조에 강한 연속 레이져 빔(continuous laser beam)을 조사하여 다이오드의 부저항특성을 크게 증가시키므로써 발생된 다이오드의 광전류-전압의 부저항 지역에 정전압 (d.c. voltage)을 인가하여 다이오드의 진동(oscillation)을 유발시켜 전기적 교류 신호(electrical a.c.-signal) 및 다이오드의 진동에의해 연속-조사빔의 변조-광신호(modulated optical signal) 발생을 유발 시킨다. 이러한 본 발명에서는 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 구조를 PIN다이오드의 중간층으로 이용하여 고출력의 전기적 교류 신호 뿐만 아니라 변조- 광신호를 생성할 수 있으며, PIN 다이오드 및 구성 회로요소(electrical elements)들의 조절로 전기적 교류 신호의 주파수 및 신호 진폭(amplitude)을 조절할 수 있으며, 다중양자우물 구조의 조절로 변조광신호의 신호 주파수 및 변조신호의 크기차(signal difference) 및 명암비(extinction ratio)를 조절할 수 있어, 고출력 고주파수의 전기 및 광 신호를 생성할 수 있다.
Description
본 발명은 전기 오실레이터(electrical osillator), 광 변조기(optical modulator)에 관한 것으로서, 특히 기존의 전기 오실레이터와 광 변조기가 독립적으로 전기 및 광신호를 취급한 것과는 달리 광 신호처리 기능을 갖는 광 PIN(P-type semiconductor /Intrinsic/N-type semiconductor) 다이오드 단일 집적소자로부터 동일한 주파수로 광 신호변조 및 고주파 전기신호 생성을 동시에 수행하는 다중양자우물구조 PIN 다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것이다.
마이크로웨이브(microwave) 오실레이터(oscillator)와 광 변조기(optical modulator)는 정보통신 및 광 정보처리 등에 있어서 전기적 및 광학적 신호생성기(signal generator)역활로써 매우 중요한 기본 소자이다.
기존의 전기적 마이크로웨이브 소자로는 다이오드구조로서, 터널 다이오드(tunnel diode), 역방향 다이오드(backward diode) 등이 이용되며, 3-단자(terminal) 소자로 FET계열 소자가 많이 이용된다. 최근에는 장벽(barrier)구조를 통한 터널링 현상을 이용한 공진 터널링 다이오드(resonant tunneling diode) 등이 활발히 연구되고 있다.
또한, 광변조기로서는 일반적으로 PIN다이오드구조에서 외부의 전기적 신호에 의해 중간층(intrinsic layer)의 전기-광흡수(electro-absorption) 효과나 전기-굴절율(electro-refraction) 효과를 유발하여 광신호를 변조시키는 광변조기 등이 이용되고 있다. 최근에는 폴리머(polymer)나 유기물(organic)을 이용한 광변조기들도 활발히 연구되고 있다.
그러나, 상술한 종래의 두 소자의 기술은 독립적인 형태의 광 및 전기 신호제어 기술에 국한 되어 왔다.
따라서, 본 발명은 기존의 전기적 오실레이터에 국한되지 않고 광학적 신호와 전기적 신호를 동일한 주파수상에서 생성 및 변조하여 전기 신호와 광신호의 상호 연계성을 유발함으로써 유/무선 통합 통신망 소자에 응용하고자 한다.
이에 따른 본 발명은 고 효율의 전기신호와 광신호를 단일 집적소자에서 생성 변조하여 독립적인 전기적 및 광학적 목적에 유용한 소자를 제공함과 동시에 전기-광신호의 통합적 기능을 수행할 수 있는 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예로서, 수평으로 집적 전개된 광-유기 전기-광 오실레이터 구조도,
도 2는 본 발명의 다른 실시예로서, 수직으로 집적 전개된 광-유기 전기-광 오실레이터 구조의 단면도,
도 3은 도 1 및 도 2에서 PIN 다이오드 회로부의 간단한 등가 회로(equivalent circuit)의 일 예시도.
도 4는 도 1 및 도 2에서 상기 도 3의 일 예시에 따른 간단한 PIN 다이오드 회로상에서 광 조사 (optical illumination)에 따른 부저항 광전류-전압 특성의 일례로서,
(a)는 도 3의 외부 병렬 캐퍼시터(82)가 없는 경우의 일 예시도이고,
(b)는 병렬 캐패시터를 추가한 경우를 나타낸 예시도,
도 5는 상기 도 4에서 PIN다이오드의 부저항특성 전압대에서 실시된 전기적 교류 신호 및 변조-광출력 특성의 실시예로서,
(a)는 안정된 B,C 전압대에서 전기적 교류신호의 예시도이고, (b)는 변조 광출력의 예시도이고,
도 6은 본 발명의 전체적인 개념도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
2 : 레이저 광원 4a,4b : PIN 다이오드 구동전원
5 : 자체 진동 교류 신호 6 : 접합부
7 : 반도체 기판 11 : p 형 전극층
12 : 광흡수 다중양자우물 중간층 13 : n 형 전극층
14,15 : n형 및 p 형 오믹 금속패드층 21,22 : p형 및 n형 금속전극층
23 : p형 하부 거울층 24,34 : 레이저 다이오드 활성층
25 : n형 상부 거울층
26a,26b : 반도체 레이저 다이오드 구동 전원
31 : PIN 다이오드로 입사하는 레이저 광
32 : PIN 다이오드에 의해 변조된 광신호
본 발명은 단일소자 형태에서 전기적 진동(electrical oscillation)에 의해 동반되는 전기적 신호와 동일한 주파수(frequency)로 광신호 변조를 동시에 수행하므로써, 동일 주파수의 전기 신호 및 광신호를 생성하는 소자에 관한 것이다.
본 발명은 갈륨비소(GaAs)등의 화합물 반도체 물질이 갖고 있는 전광(electro-optic) 효과를 이용하여 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간흡수층으로한 PIN 다이오드를 구성함으로써, 반도체 수광 다이오드(photodetector)를 형성한다. 상기의 PIN 다이오드의 중간층으로 이용되는 반도체 다중양자우물구조는 매우 우수한 전기-광흡수효과를 가지며, 광흡수(optical absorption)량이 PIN 다이오드의 광전류(photocurrent)량을 결정한다. 이때, 최대흡수를 갖는 파장의 레이저 광을 조사하여 역방향전압(reverse bias voltage)을 인가하면, PIN 다이오드는 광전류는 부저항(negative resistance)특성을 보이게 된다. 이 광-유기(photo-induced) 부저항특성의 반도체 다이오드에 대하여 부저항 전압지역에 정전압(d.c.-voltage)을 인가하면 PIN다이오드 회로는 터널 다이오드와 유사한 진동(oscillation)을 일으킨다. 이때, 진동하는 다이오드의 교류전압특성은 PIN다이오드내의 중간층을 진동시킨다. 이와 같이 중간층을 진동시킴으로써 일정하게 입사되던 광신호의 흡수율에 변화를 주게 된다. 이에 따라서, 출력되는 광신호는 전기적 진동 주파수(oscillation frequency)와 동일한 주파수를 가지면서 변조(modulation)된다.
이러한 본 발명에서 전기적 진동(electrical oscillation)조건 및 광변조(optical modulation)의 조건은, PIN 다이오드의 부저항 조건 및 전기적 진동크기(oscillation amplitude)와 이 전기적 진동크기에 의해 전기-광흡수변화 크기가 변한다. 따라서 부저항 특성을 향상하기 위해서는 작은 전압 변화에 대하여 큰 광흡수차를 가지도록 하여, 이로 부터 광전류차를 크게 하여야 한다. 이와 같이 광전류차를 크게 함에 따라 광신호의 흡수율차가 커지기 때문에 출력 변조 광신호의 명암비 및 신호차 특성이 향상된다.
이에 따른 본 발명의 일 특징인 수평으로 집적 전광유기 전기광학 오실레이터는, 반절연성 화합물 반도체 기판상에 집적화된 도파형 PIN 다이오드 및 측면 방출 반도체 레이저 다이오드 구조로 구성된다. 그 도파형 PIN 다이오드는, 전기-광흡수변화를 갖는 광학적 활성층을 중간층으로 한다. 그리고 측면방출 반도체 레이저 다이오드는 도파형 PIN 다이오드의 중간층에 레이저 광을 조사할 수 있도록 상기 반도체 기판에 집적화된다. 또한, 그 반도체 레이저 다이오드의 파장은 도파형 PIN다이오드의 중간층에서 전기-광흡수변화를 유발할 수 있는 파장대를 갖는다. 또한, 상기 도파형 PIN 다이오드와 반도체 레이저 다이오드는 전기적으로 절연 상태로 되어 있고, 각각 독립된 전원을 갖는다. 그리고 도파형 PIN 다이오드는 PIN 다이오드의 안정된 진동 및 교류 추출을 위한 보조회로를 가진다. 이와 같은 광유기 전기광학 오실레이터는 기판 표면에 어레이로 이용되어 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성하기 위해 이용될 수 있다.
또 다른 본 발명의 특징인 수직으로 집적 전개된 광유기 전기광학 오실레이터는, 반절연성 화합물 반도체 기판상에 집적화된 수직형 PIN 다이오드 및 표면방출 반도체 레이저 다이오드 구조로 구성된다. 이 수직형 PIN 다이오드는 전기-광흡수를 갖는 광학적 활성층을 중간층으로 하고, 표면방출 반도체 레이저 다이오드는 수직형 PIN 다이오드의 중간층에 레이저 광을 조사할 수 있도록 집적화한다. 그리고, 표면방출 반도체 레이저 다이오드의 레이저 파장은 수직형 PIN 다이오드 구조의 광흡수 변화를 유발할 수 있는 파장대를 갖는다. 그리고 수직형 PIN 다이오드와 표면방출형 반도체 레이저 다이오드는 전기적으로 절연상태를 가지고, 각각 독립된 전원을 갖는다. 그리고 수직형 PIN 다이오드는 안정된 진동 및 교류 추출을 위한 보조회로를 갖는다. 이러한 광유기 전기광학 오실레이터는 기판 표면에 어레이로 이용되어 기판 수직방향으로 병렬 광신호를 생성하는데 이용될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하겠다.
본 발명의 바람직한 실시예는, PIN다이오드에서 중간층은 50nm AlxGa1-xAs/100nm GaAs의 다중양자우물을 사용하였으며, 낮은 전압변화에서 큰 광흡수 변화를 유기하기 위해 Al 몰분율(mole fraction) x값을 0.05이하로 하였다. 낮은 전압변화로 큰 전계를 유기하기 위해 중간층의 두께를 0.5㎛ 이하로 할 수가 있고, 본 발명의 일 예에서는 0.35 ㎛로 하였다. 그리고 광전류량을 향상하기 위해 PIN구조를 수직방향으로 적층하고, 실시 예에서는 바닥에 반도체 거울층을 적층하여 광 흡수를 높였다. 수평구조의 경우 도파로(waveguide)의 길이를 조절하여 광흡수를 조절하고, PIN 두께로부터 전압을 조절할 수 있다. 중간층의 다중양자우물구조에 의해 형성되는 광학적 흡수피크, 즉 여기자 흡수파장(exciton absorption wavelength)에 서 전계(electric field)에 따른 광흡수 변화가 최대이므로 조사(illumination) 레이저 파장은 이 여기자 파장 부근을 사용하였다.
본 발명에 따른 전체적인 개념도를 도 6에 도시하였다.
도 6에 도시된 바와 같이, p형 반도체 전극층(11), 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 중간층(12), 그리고 n형 반도체 전극층(13)으로 구성된 PIN다이오드의 상기 p형 반도체 전극층(11)에 p형 오믹(ohmic) 금속 패드층(15)을, 상기 n형 반도체 전극층(13)에 n형 오믹 금속 패드층(14)을 접합한 후, 레이저 광원(2)의 일정 조사빔(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때, 부저항 전압에 정전압(4)을 인가하여 PIN 다이오드의 전기적 진동을 유발하며, 이 유발된 자체 진동 교류 신호(5)에 의해 PIN 다이오드내의 중간층(12)에 유도된 전계변화에 의한 광흡수 변화는 일정 조사빔(31)을 변조하여 출력(32)시킨다. PIN 다이오드내의 중간층(intrinsic layer; MQW)은 전압변화에따라 광흡수가 변하는 전기-광흡수 효과를 가지는데, 다이오드 자체 진동으로 PIN 다이오드의 전압이 진동하면 진성(intrinsic)의 전계도 변화하여 전기 진동주파수와 동일하게 광흡수율 변화가 발생하여서 광신호의 변조가 발생된다. 따라서 이러한 구성에 따라 전기적 교류신호(5) 뿐만 아니라 동일한 주파수로 광신호 변조(32)를 동시에 생성할 수 있다.
상술한 도 6에 대한 구체적인 실시예들을 다음과 같이 설명하겠다.
도 1은 본 발명에 따른 일 예로서, 반절연성 화합물 반도체 기판 상에 도파(waveguide)형 PIN 다이오드 및 측면 방출(edge-emitting) 반도체 레이저 다이오드 를 수평 방향으로 집적화한 광 유기 전기광학 오실레이터의 일 예시도이다. 본 실시예에 따른 광유기 전기 광학 오실레이터는, 하나의 측면방출 반도체 레이저 다이오드와 하나의 도파형 PIN 다이오드만을 예로 들었지만, 이 실시예로 한정하지 않고 기판 표면에 어레이(array) 형태로 구성함으로써 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성할 수가 있다.
도 1을 참조하여 그 구성을 살펴보면, 반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과, 이 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장(exciton absorption wavelength)대의 레이저 광(31)을 일정한 세기로 측면 방출하는 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)와, 상기 반도체 기판(7)상에 광학적 활성층이 상기 레이저 광을 수광할 수 있도록 형성되고 그 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)로부터 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류가 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압에 정전압을 인가하여 광학적 활성층을 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 도파형 PIN 다이오드(120)로 구성되어 있다. 위에서 언급한 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)와 도파형 PIN 다이오드(120)는, 전기적으로 절연(insulating) 상태이고, 동일한 반도체 기판(7)상에 수평으로 집적화된다.
상술한 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)의 구체적인 구조를 살펴보면, 레이저 발진을 위한 상기 도파형 PIN 다이오드(120) 구동 전원(직류 정전압 사용)(4)과는 독립된 측면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26a)과, p 형 금속전극층(21)과, n형 금속전극층(22)과, 그리고 그 금속전극층들(21, 22) 사이에 형성되고 각 금속 전극층(21, 22)에 상기 전원(26a) 인가시에 레이저 광을 측면 방출하는 측면 방출 레이저 다이오드 활성층(34)으로 구성된다.
또한, 도파형 PIN 다이오드(120)는, 상기 측면 방출 반도체 레이저 다이오드 (110)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하기 위해 상기 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)와는 독립된 도파형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과, 상부에 위치한 n형 오믹 금속 패드층(14)과, 하부에 위치한 p형 오믹 금속 패드층(15)과, 상기 n형 및 p형 전극(14, 15) 사이에 형성되고 이 금속 전극(14, 15)에 인가된 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(예 : 50nm AlxGa1-xAs/100nm GaAs다중양자우물층, x는 0.05 이하)(12)으로 구성되어, 상기 반도체 기판(7)상에 집적화된다.
이와 같은 구성에 따른 그 작용을 살펴보면 다음과 같다.
PIN 다이오드(120) 구조는 도파형으로 제작되며, 광원으로는 측면 방출(edge emitting) 레이저 다이오드가 동일한 기판상에서 수평으로 집적화 된다. 그 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)로부터 일정한 세기로 입력되는 레이저 광(31)은, 역방향 정전압(4)에 의해 PIN 다이오드의 부저항 지역에 인가되어 전기적 진동(5)을 유발한다. 이 전기적 진동에 의해 입력 레이저 광(31)은 전기적 진동 주파수와 일치하는 출력 광의 변조(32)를 얻는다. 이와 같은 도파형 PIN 다이오드 구조에서 낮은 전압변화로 큰 전계를 유기하고자 광흡수 다중양자우물 중간층(12)의 두께를 0.5㎛이하(본 예에서는 0.35㎛)로 조절함으로써 교류진동진폭을 조절한다. 그리고, 도파로 길이를 조절하여서 출력광신호의 변조광 신호차 및 변조광 명암비를 조절함으로써, 기존의 광변조기와 같은 광신호변조를 단지 외부 정전압 조건에서 얻을 수 있다. 또한, PIN 다이오드의 n형 및 p형 오믹 금속 패드층(14,15)을 통하여 전기적 자체 진동 교류신호(5)를 외부로 끌어냄으로써, 전기 신호 오실레이터(elctrical oscillator)로서도 이용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예로서, 표면방출(surface emitting) 반도체 레이저 다이오드를 광원으로 수직구조형 PIN 다이오드를 수직 방향에서 집적 전개한 형태의 광-유기 전기-광학 오실레이터를 나타낸 것이다. 본 실시예에 따른 광유기 전기 광학 오실레이터는, 하나의 표면방출 반도체 레이저 다이오드와 하나의 수직형 PIN 다이오드만을 예로 들었지만, 이 실시예로 한정하지 않고 기판 표면에 어레이(array) 형태로 구성함으로써 기판 수직방향으로 병렬 광신호를 생성할 수가 있다.
도 2를 참조하여 본 실시예에 따른 광-유기 전기-광학 오실레이터는, 반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과, 이 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장(exciton absorption wavelength)대의 레이저 광(31)을 일정한 세기의 수직 방향으로 방출하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와, 상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210) 상에 수직 전개 집적화를 위해 칩 본딩 방법으로 접합되고, 상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드(210)의 레이저 광(31)을 수광할 수 있도록 광학적 활성층이 형성되며, 그 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)로부터 수직 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류가 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압에 정전압을 인가하여 상기 광학적 활성층을 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 수직형 PIN 다이오드(220)로 구성되어 있다. 위에서 언급한 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와 수직형 PIN 다이오드(220)는, 전기적으로 절연(insulating) 상태이고, 동일한 반도체 기판(7)상에 수직방향으로 집적화된다.
상술한 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)의 구체적인 구조를 살펴보면, 반 절연성 반도체 기판(7)에 광흡수를 높이기 위해 순차로 적층된 p형 하부 거울층(23), 표면방출 반도체 레이저 다이오드 활성층(24) 및 n형 상부 거울층(25)과, 상기 n형 상부 거울층(25) 상면과 상기 수직형 PIN 다이오드에 칩 본딩되는 접합부(6) 사이에 형성되는 p형 금속 전극층(21)과, 상기 p형 하부 거울층(23) 하면에 형성되는 n형 금속 전극층(22)과, 그리고 상기 광학적 활성층인 중간층(12)을 향한 표면(즉, 수직) 방향으로 여기 흡수 파장을 갖는 레이저 광(31)을 방출하기 위해 상기 p형 금속 전극층(21)과 n형 금속 전극층(22)에 전원을 인가하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26b)으로 구성되어 있다.
또한, 수직형 PIN 다이오드(220)는, 상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드 (210)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압에 정전압을 인가하기 위해 상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와는 독립된 수직형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과, 하부에 위치하고 n형 전극층(13)에 부분적으로 형성된 n형 오믹 금속 패드층(14)과, 상부에 위치하고 p형 전극층(11)에 부분적으로 형성된 p형 오믹 금속 패드층(15)과, 상기 n형 및 p형 오믹 금속 패드층(14, 15)에 수직형 PIN 다이오드 구동전원(4b; 직류 정전압)을 인가하여 그 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(예 : 50nm AlxGa1-xAs/100nm GaAs다중양자우물층, x는 0.05 이하)(12)으로 구성된다. 이때, 상술한 수직형 PIN 다이오드는 투과(transmission)형으로 구성되며, 다이오드의 소자표면은 무반사막(anti-reflection layer)으로 처리되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 실시예에 따른 오실레이터의 작용은, 입력 레이저 광과 출력 변조광이 소자구조의 수직방향으로 발생된다는 것 이외에는 상기 도 1의 원리와 동일하므로 생략한다. 그리고, 이러한 본 실시예에 구성은, 수직으로 변조광원을 방출할 수 있으므로 자유공간 광 프로세싱(free-space optical processing)을 위한 어레이(array) 형태의 집적화가 가능한 장점이 있다.
도 3은 상기 도 1 및 도 2에서 PIN 다이오드 부분의 간단한 등가 회로도(equivalent circuit)를 나타낸다.
상술한 PIN 다이오드는, 역방향 전압에 대한 광흡수 감소로 인한 광전류감소의 부저항특성을 나타내는 부저항성분(84)과, 부저항과 병렬상태의 다이오드 캐패시터(85)와, 광흡수율을 향상하는 목적으로 병렬로 추가시 구성될 다이오드(86)와, 회로적으로 PIN 다이오드와 직렬로 접촉(contact) 및 회로저항에 의한 직렬(series)저항(81)과, 그리고 도선에 의한 직렬 인덕턴스(83)로 구성되며, 안정된 회로 진동을 돕기 위한 외부병렬 캐패시터(82)와 PIN 다이오드에 정전압(d.c. bias voltage)을 인가하기 위한 직류 전원(4)으로 구성되어 있다. 이러한 간단한 등가회로도로 PIN 다이오드의 안정된 동작조건을 구축할 수 있다.
도 4의 (a),(b)는 상기 도 3의 등가회로도상에서 PIN다이오드에 강한 레이저 광을 조사하는 동안 역방향 정전압(reverse d.c-bias voltage)의 변화에 따른 광전류의 특성 곡선을 실시예로서 나타내었다. 도 4의 (a)에서는 외부병렬 캐패시터(82)가 없는 경우이며, 도 4의 (b)는 병렬 캐패시터를 추가 후 얻어진 광전류-전압 특성곡선의 일례이다. 도면에서, A 전압대는 불안정 회로 진동대이며, B,C 전압대는 안정된 다이오드 진동대이다.
광전류-전압 특성 곡선에서 전압구역 A, B, C에서의 교류 전류 진동특성과 광변조 특성은 후술하는 도 5에 나타내었다. 전압대 구간은 다이오드 회로조건에 따라 A구간만 존재하기도 하며, A와 B가 공존하기도 한다. 외부 병렬 캐패시터의 추가는 특성곡선을 안정된 C 전압구간으로 만든다. B와 C구간은 매우 안정된 전기적 진동을 가지며, A구간은 회로의 불안정(circuit instability)으로 회로자체진동(bias circuit oscillation)이 추가되어, PIN다이오드 진동을 동반하여 발생된 신호의 질(quality)을 저하시킨다. 발생된 교류진폭은 A-B구간 혹은 C구간의 전압크기와 거의 일치하여 광출력의 변조값은 구간의 경계전압에서 흡수율 차이와 일치한다.
도 5의 (a)와 (b)는 각각 전기진동신호(electrical oscillation signal) 및 광변조 신호(optical modulation signal)특성의 일 예시도이다.
전기적 신호와 광변조 신호의 주파수는 일치하며, 도 5(b)의 광변조 특성은 변조신호 온(on)상태와 오프(off)상태의 신호값은 각각 광접지(optical ground)상태(54)에 대하여 도면부호 '51'과 '52'과 같이 서로 차이나는 소정 절대값으로 얻어진다.
본 발명의 일 실시예로서, 5 pF 다이오드 캐패시터(85)의 PIN 다이오드(86) 소자로부터 중간층의 다중양자우물의 흡수피크에 해당하는 PIN다이오드로 입사하는 일정한 크기의 레이저 입력광(31)의 조사에 의해 약 40 MHz의 주파수의 교류신호(5)를 생성하였으며, 이 교류 신호에 의해 변조 광 신호차 23% 및 2.2:1의 광신호 명암비를 얻었다. 그리고 상기 도 3에서 다이오드 캐패시턴스(85) 및 회로의 저항(81), 캐패시턴스(82), 인덕턴스(83)를 조절함으로써, 교류 주파수를 조절할 수 있으며, 또한 PIN 다이오드의 광흡수 변화를 최대로 하여 흡수층을 조절함으로써 전기적으로 얻어지는 신호로 광변조신호 특성을 크게 향상할 수 있다.
특히, 상기 도 1 및 도 2에서 제안하는 반도체 레이저 다이오드 및 PIN 다이오드 구조의 집적화는, 회로 불안정(circuit instability)요소를 극소화 하고, 전체 소자를 소형 경량화 및 신뢰성을 높임으로써, 고주파 전기신호 생성 및 고효율의 고주파 광신호 변조기를 구현할 수 있다.
상술한 각 PIN 다이오드는 부저항 특성향상을 위하여 병렬로 다이오드가 추가로 연결될 수 있으며, 거울층에 의한 공명(resonant)구조를 가질 수 있으며, 상기각 PIN 다이오드는 진동주파수, 진폭을 조절하기위해 중간층 구성물질의 두께비율 및 조성이 조절되며, 반도체전극의 불순물 도우핑 및 물질의 조성이 조절될 수 있다.
또한, 상술한 각 PIN 다이오드는 전기적 교류신호에 의한 진폭으로 광신호의 충분한 변조를위하여 최적조건을 가진다. 즉, 각 PIN 다이오드는 광학적 중간활성층은 주어진 전압변화에서 최적의 광흡수변화를 갖는 최적의 중간층 두께를 가지며, 최적의 중간층 두께로 최대광흡수를 위한 최적의 병렬 PIN 다이오드수를 가지고, 상기 광학적 중간 활성층은 화합물반도체의 장벽(barrier)물질과 우물(well)물질의 반복층으로 구성된 다중양자우물구조를 갖는다.
이러한 본 발명은 전계- 유도(electric field-induced)에 의해 광흡수 변화를 갖는 다중양자우물구조 PIN다이오드에 강한 레이저 광을 조사함으로써 다이오드의 부저항 특성을 유발시켜 자체 다이오드 진동을 유발하며, 이 진동 조건에서 PIN다이오드 구조를 최적의 광흡수 변화 및 광 유기에 의한 낮은 부저항 조건을 설계함으로써, 입사 레이저 광의 변조 특성을 향상시켜 고주파의 전기 신호 뿐만 아니라 고주파 변조된 광출력 신호를 얻으며, 이를 위해 PIN다이오드의 회로부분과 광원을 제공하는 레이져 다이오드 부분을 한 기판에 집적화 하여 효율적인 작용을 얻을 수 있는 것이다.
이상과 같은 본 발명의 광유기 PIN다이오드 전기-광 오실레이터는, 광유기된 부저항 특성으로부터 전기 회로적인 자체 진동신호 뿐만 아니라, 이로인해 유발되는 일정한 세기의 광출력을 변조할 수 있다. 이에 따라 전기-광학적 신호의 교환 및 광 교환, 유-무선 신호처리 등에서 응용할 수 있는 가능성을 갖는다.
Claims (13)
- 반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과;이 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장대의 레이저 광(31)을 일정한 세기로 측면 방출하는 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)와;상기 반도체 기판(7)상에 광학적 활성층이 상기 레이저 광을 수광할 수 있도록 형성되고 그 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)로부터 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류 전압 특성이 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하여 광학적 활성층을 전기적으로 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수(5)와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 도파형 PIN 다이오드(120)로 구성된 것을 특징으로 하는 광- 유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 1 항에 있어서,상기 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)는레이저 발진을 위한 상기 도파형 PIN 다이오드(120) 구동 전원(4)과는 독립된 측면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26a)과;p 형 금속전극층(21)과;n형 금속전극층(22)과; 및상기 금속 전극층들(21, 22) 사이에 형성되고 각 금속 전극층(21, 22)에 상기 전원(26a) 인가시에 레이저 광을 측면 방출하는 측면 방출 레이저 다이오드 활성층(34)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 1 항에 있어서,상기 도파형 PIN 다이오드(120)는상기 측면 방출 반도체 레이저 다이오드(110)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하기 위해 상기 측면방출 반도체 레이저 다이오드(110)와는 독립된 도파형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과;상부에 위치한 n형 오믹 금속 패드층(14)과;하부에 위치한 p형 오믹 금속 패드층(15)과;상기 n형 및 p형 전극(14, 15) 사이에 형성되고 이 금속 전극(14, 15)에 인가된 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 1 항에 있어서,상기 도파형 PIN 다이오드(120)는 광전류-전압의 부저항 특성을 향상시키기 위해 병렬로 다이오드가 부설되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 3 항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 중간층(12)은 이종접합 화합물 반도체 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 도파형 PIN 다이오드(120)는 진동주파수 및 진폭을 조절하기 위해 상기 중간층(12) 구성물질의 두께비율 및 조성이 조절되고, 그 반도체 전극의 불순물 도우핑 및 물질의 조성이 조절되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 유기 전기광학 오실레이터는 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성하기 위해 상기 기판 표면에 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 반 절연성 화합물 반도체 기판(7)과;상기 반도체 기판(7) 상에 형성되고 최대 광흡수를 갖는 여기 흡수 파장대의 레이저 광(31)을 일정한 세기의 수직 방향으로 방출하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와;상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210) 상에 수직 전개 집적화를 위해 칩 본딩 방법으로 접합되고, 상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드(210)의 레이저 광(31)을 수광할 수 있도록 광학적 활성층이 형성되며, 그 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)로부터 수직 방출된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압이 부저항 특성을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하여 상기 광학적 활성층을 진동시킴으로써 상기 일정하게 입사되는 광신호의 흡수율에 변화를 주어 전기적 진동 주파수(5)와 동일한 주파수로 변조된 광신호(32)를 출력하는 수직형 PIN 다이오드(220)로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 8 항에 있어서,상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)는반 절연성 반도체 기판(7)에 광흡수를 높이기 위해 순차로 적층된 p형 하부 거울층(23), 표면방출 반도체 레이저 다이오드 활성층(24) 및 n형 상부 거울층(25)과;상기 n형 상부 거울층(25) 상면과 상기 수직형 PIN 다이오드에 칩 본딩되는 접합부(6) 사이에 형성되는 p형 금속 전극층(21)과;상기 p형 하부 거울층(23) 하면에 형성되는 n형 금속 전극층(22)과; 및상기 광학적 활성층으로 여기 흡수 파장을 갖는 레이저 광(31)을 방출하기 위해 상기 p형 금속 전극층(21)과 n형 금속 전극층(22)에 전원을 인가하는 표면방출 반도체 레이저 다이오드 전원(26b)으로 구성된 것을 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 8 항에 있어서,상기 수직형 PIN 다이오드(220)는상기 표면 방출 반도체 레이저 다이오드 (210)에서 조사된 레이저 광(31)에 의해 광전류-전압특성이 부저항을 가질 때 부저항 전압구간에 정전압을 인가하기 위해 상기 표면방출 반도체 레이저 다이오드(210)와는 독립된 수직형 PIN 다이오드 구동 전원(4)과;하부에 위치하고 n형 전극층(13)에 부분적으로 형성된 n형 오믹 금속 패드층(14)과;상부에 위치하고 p형 전극층(11)에 부분적으로 형성된 p형 오믹 금속 패드층(15)과; 및상기 n형 및 p형 오믹 금속 패드층(14, 15)에 수직형 PIN 다이오드 구동전원(4b)을 인가하여 그 정전압에 의해 발생된 자체 진동 교류신호(5)에 의해 유도된 전계변화에 의한 광 흡수율의 변화를 주어 상기 일정하게 입사되는 레이저 광(31)을 변조시킨 광신호(32)를 출력하는 광흡수 다중양자우물 중간층(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 10 항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 중간층(12)은 이종접합 화합물 반도체 다중양자우물층인 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 8 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 수직형 PIN 다이오드(220)는 진동주파수 및 진폭을 조절하기 위해 상기 중간층(12) 구성물질의 두께비율 및 조성이 조절되고, 그 반도체 전극의 불순물 도우핑 및 물질의 조성이 조절되는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
- 제 8 항에 있어서,상기 광 유기 전기광학 오실레이터는 기판 수평방향으로 병렬 광신호를 생성하기 위해 상기 기판 표면에 어레이 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 광-유기 전기-광학 오실레이터.
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Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768572B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-07-27 | Teloptics Corporation | Solid state free space switch array on a substrate |
| US6310712B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6816296B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-11-09 | Teloptics Corporation | Optical switching network and network node and method of optical switching |
| JP2000028978A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Minolta Co Ltd | 光シャッタ装置 |
| WO2001028001A1 (en) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Lockheed Martin Corporation | Optical interconnect using multifunctional optical elements |
| KR100370822B1 (ko) * | 2000-08-26 | 2003-02-05 | 한국과학기술원 | 낙타 등 다이오드와 결합된 양자구조를 가지는 장파장적외선 감지 소자와 그 소자의 구동 방법 |
| US6774578B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
| US7308202B2 (en) * | 2002-02-01 | 2007-12-11 | Cubic Corporation | Secure covert combat identification friend-or-foe (IFF) system for the dismounted soldier |
| US6794734B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-09-21 | Mia-Com | Heterojunction P-I-N diode and method of making the same |
| US7679805B2 (en) * | 2007-07-11 | 2010-03-16 | Cubic Corporation | Flip chip quantum well modulator |
| US8027591B2 (en) * | 2007-10-29 | 2011-09-27 | Cubic Corporation | Resonant quantum well modulator driver |
| US7859675B2 (en) * | 2007-11-06 | 2010-12-28 | Cubic Corporation | Field test of a retro-reflector and detector assembly |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126553A (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-30 | Bell Communications Research, Inc. | Bistable optically switchable resonant-tunneling device and its use in signal processing |
| US5416338A (en) * | 1992-02-29 | 1995-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device with quantum well resonance states |
| US5226814A (en) * | 1992-05-07 | 1993-07-13 | Allen Michael D | Orthodonic bracket |
| KR970011140B1 (ko) * | 1993-12-08 | 1997-07-07 | 한국전자통신연구원 | 공명 투과광전 소자의 구조 |
| JP3071630B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2000-07-31 | ケイディディ株式会社 | 半導体光機能素子 |
| KR0138851B1 (ko) * | 1994-10-24 | 1998-04-27 | 양승택 | 광제어 공명투과 진동자 및 그의 제조방법 |
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-
1998
- 1998-07-17 US US09/118,958 patent/US6055087A/en not_active Expired - Fee Related
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