JP2010044824A - 半導体不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 定電流回路1と不揮発性メモリセル2を直列接続し、前記両者の接続点を出力とし、読出、もしくは保持モードにおいて、WRITE状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおきる。データ読出及び保持用の電源とデータ書換用の電源を独立に有し、前記出力とデータ書換用電源との間にトランジスタ3を有し、データ書換時には前記トランジスタが導通状態となる。
【選択図】 図1
Description
また、書き込みには比較的高い電圧が要求されるため、専用の高い耐圧を持つ素子が必要となり、工程数の増加、つまりコスト増大をもたらす要因になる。特にアナログ量のトリミングに不揮発性メモリを用いる場合、せいぜい100ビットほどのメモリ容量があれば十分な場合が多く、このためだけに専用の高い耐圧を持つ素子を追加することは半導体集積回路装置のコスト競争力を著しく低下させる要因となっている。(例えば、特許文献2参照)
「WRITE状態の不揮発性メモリセルの飽和電流」<「定電流回路の定電流」<「ERASE状態の不揮発性メモリセルの飽和電流」
を満たすように設定することができる。
VG(ゲート電圧)−VTH(閾値)<VDS(ソース/ドレイン間電圧) ・・・・・・・・・・・ 式(1)
の場合に飽和動作状態となり、流せる電流がVDSに依存しない、ほぼ一定の値となる。この現象を利用して定電流回路をP型トランジスタと、その入力電圧VPBIASで構成している。
2 不揮発性メモリセル
3 書き込み用セレクトトランジスタ
4 定電流回路を構成するP型トランジスタ
5 トリミング用トランジスタ
6 分割抵抗
7 ダイオード
8 抵抗
9 VCGのセレクトトランジスタ
Claims (5)
- 閾値の低いERASE状態と閾値の高いWRITE状態のどちらかひとつの状態を取ることによりデータを記憶する不揮発性メモリセルと前記メモリセルに直列接続された定電流回路とからなり、前記不揮発性メモリセルと前記定電流回路の接続点を出力とする半導体不揮発性記憶装置であって、
前記メモリセルに電圧が印加される読出モードおよび保持モードにおいては、前記ERASE状態における前記不揮発性メモリセルに流れる飽和電流をIERASE、前記WRITE状態における前記不揮発性メモリセルに流れる飽和電流をIWRITE、および前記定電流回路が出力する定電流をICONSTとしたときに、これらの電流の大きさは、IWRITE<ICONST<IERASEなる関係を満たしている半導体不揮発性記憶装置。 - 前記読出モードおよび前記保持モードのひとつにおいて、前記不揮発性メモリセルが前記ERASE状態の場合には前記不揮発性メモリセルのソース/ドレイン間にかかる電圧を0ボルトに近づけることで前記ERASE状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおこらず、前記不揮発性メモリセルが前記WRITE状態の場合には前記不揮発性メモリセルのソース/ドレイン間にかかる電圧を高い方の電源電圧に近づけるによって、前記WRITE状態の不揮発性メモリセルにはホットエレクトロンによる書き込みがおこることを特徴とする請求項1に記載の半導体不揮発性記憶装置。
- 前記読出モードおよび保持モードに用いる電源ラインと、前記不揮発性メモリセルのデータ書き換えに用いる電源ラインとを独立に有し、前記出力と前記不揮発性メモリセルのデータ書き換えに用いる電源ラインとの間にさらにトランジスタを有し、前記不揮発性メモリセルのデータ書き換え時に前記トランジスタが導通状態となることを特徴とする請求項1に記載の半導体不揮発性記憶装置。
- 前記定電流回路と前記不揮発性メモリセルを直列接続した回路には電源が印加されている間は常時電流が流れることを特徴とする請求項1に記載の半導体不揮発性記憶装置。
- 前記定電流回路は飽和動作状態にあるMOSトランジスタである請求項1に記載の半導体不揮発性記憶装置。
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