|
KR101634411B1
(ko)
|
2008-10-31 |
2016-06-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
|
|
JP4752925B2
(ja)
*
|
2009-02-04 |
2011-08-17 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
WO2011001822A1
(en)
|
2009-07-03 |
2011-01-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
KR20210131462A
(ko)
|
2009-07-10 |
2021-11-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치의 제작 방법
|
|
KR101638978B1
(ko)
*
|
2009-07-24 |
2016-07-13 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
KR101693816B1
(ko)
*
|
2009-10-09 |
2017-01-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법
|
|
WO2011074407A1
(en)
|
2009-12-18 |
2011-06-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP5844030B2
(ja)
*
|
2010-01-14 |
2016-01-13 |
富士フイルム株式会社 |
電界効果型トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法、ｘ線撮像装置の製造方法及び光センサの製造方法
|
|
CN102725841B
(zh)
*
|
2010-01-15 |
2016-10-05 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件
|
|
KR102253973B1
(ko)
*
|
2010-01-20 |
2021-05-18 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
|
KR101921618B1
(ko)
*
|
2010-02-05 |
2018-11-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
|
|
WO2011096275A1
(en)
*
|
2010-02-05 |
2011-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8617920B2
(en)
*
|
2010-02-12 |
2013-12-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
CN102741915B
(zh)
*
|
2010-02-12 |
2015-12-16 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及驱动方法
|
|
WO2011102203A1
(en)
*
|
2010-02-19 |
2011-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device using the same
|
|
CN102754163B
(zh)
*
|
2010-02-19 |
2015-11-25 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件
|
|
KR102151495B1
(ko)
*
|
2010-02-23 |
2020-09-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
KR102420689B1
(ko)
*
|
2010-02-26 |
2022-07-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
JP2011203726A
(ja)
*
|
2010-03-05 |
2011-10-13 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
表示装置
|
|
KR102192753B1
(ko)
|
2010-03-08 |
2020-12-18 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
|
|
WO2011111502A1
(en)
*
|
2010-03-08 |
2011-09-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
|
WO2011111522A1
(en)
*
|
2010-03-08 |
2011-09-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
WO2011118509A1
(en)
|
2010-03-26 |
2011-09-29 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
JP5168599B2
(ja)
*
|
2010-03-31 |
2013-03-21 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
薄膜トランジスタの製造方法
|
|
KR102436902B1
(ko)
|
2010-04-02 |
2022-08-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
US9196739B2
(en)
*
|
2010-04-02 |
2015-11-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
|
|
KR101810592B1
(ko)
|
2010-04-07 |
2017-12-20 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
트랜지스터
|
|
CN106057907B
(zh)
|
2010-04-23 |
2019-10-22 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置的制造方法
|
|
WO2011132548A1
(en)
*
|
2010-04-23 |
2011-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
WO2011132625A1
(en)
|
2010-04-23 |
2011-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device
|
|
WO2011135987A1
(en)
*
|
2010-04-28 |
2011-11-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
WO2011135988A1
(en)
|
2010-04-28 |
2011-11-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor display device and driving method the same
|
|
WO2011142467A1
(en)
*
|
2010-05-14 |
2011-11-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
WO2011145467A1
(en)
*
|
2010-05-21 |
2011-11-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8895375B2
(en)
*
|
2010-06-01 |
2014-11-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Field effect transistor and method for manufacturing the same
|
|
WO2011155125A1
(ja)
*
|
2010-06-08 |
2011-12-15 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法
|
|
KR101938726B1
(ko)
*
|
2010-06-11 |
2019-01-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
JP5705559B2
(ja)
*
|
2010-06-22 |
2015-04-22 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
|
|
US9246010B2
(en)
*
|
2010-07-14 |
2016-01-26 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Thin film transistor substrate
|
|
US8519387B2
(en)
*
|
2010-07-26 |
2013-08-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing
|
|
US20120032172A1
(en)
*
|
2010-08-06 |
2012-02-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8467232B2
(en)
*
|
2010-08-06 |
2013-06-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
KR101809105B1
(ko)
|
2010-08-06 |
2017-12-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 집적 회로
|
|
JP2012256819A
(ja)
*
|
2010-09-08 |
2012-12-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
KR20120045178A
(ko)
*
|
2010-10-29 |
2012-05-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
|
|
KR101774256B1
(ko)
*
|
2010-11-15 |
2017-09-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
US8461630B2
(en)
*
|
2010-12-01 |
2013-06-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US9443984B2
(en)
|
2010-12-28 |
2016-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP5975635B2
(ja)
|
2010-12-28 |
2016-08-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
WO2012090974A1
(en)
|
2010-12-28 |
2012-07-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP5888990B2
(ja)
*
|
2011-01-12 |
2016-03-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP5766467B2
(ja)
|
2011-03-02 |
2015-08-19 |
株式会社東芝 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置
|
|
TWI521612B
(zh)
*
|
2011-03-11 |
2016-02-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
TWI624878B
(zh)
*
|
2011-03-11 |
2018-05-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
JP2012204548A
(ja)
*
|
2011-03-24 |
2012-10-22 |
Sony Corp |
表示装置およびその製造方法
|
|
US9082860B2
(en)
|
2011-03-31 |
2015-07-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US9960278B2
(en)
|
2011-04-06 |
2018-05-01 |
Yuhei Sato |
Manufacturing method of semiconductor device
|
|
US8709922B2
(en)
*
|
2011-05-06 |
2014-04-29 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8581625B2
(en)
|
2011-05-19 |
2013-11-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Programmable logic device
|
|
US9117920B2
(en)
*
|
2011-05-19 |
2015-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor
|
|
US8679905B2
(en)
*
|
2011-06-08 |
2014-03-25 |
Cbrite Inc. |
Metal oxide TFT with improved source/drain contacts
|
|
US9252279B2
(en)
|
2011-08-31 |
2016-02-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US9660092B2
(en)
|
2011-08-31 |
2017-05-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
|
|
US9082663B2
(en)
|
2011-09-16 |
2015-07-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP5740270B2
(ja)
*
|
2011-09-27 |
2015-06-24 |
株式会社東芝 |
薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置
|
|
KR102067051B1
(ko)
|
2011-10-24 |
2020-01-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
|
|
JP6122275B2
(ja)
*
|
2011-11-11 |
2017-04-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
|
US8962386B2
(en)
|
2011-11-25 |
2015-02-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP6125211B2
(ja)
*
|
2011-11-25 |
2017-05-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
US20130168668A1
(en)
*
|
2011-12-29 |
2013-07-04 |
E Ink Holdings Inc. |
Thin film transistor array substrate, method for manufacturing the same, and annealing oven for performing the same method
|
|
US8981368B2
(en)
|
2012-01-11 |
2015-03-17 |
Sony Corporation |
Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor, display, and electronic apparatus
|
|
KR102225396B1
(ko)
|
2012-01-25 |
2021-03-09 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
|
|
US9419146B2
(en)
*
|
2012-01-26 |
2016-08-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
US8956912B2
(en)
*
|
2012-01-26 |
2015-02-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
TWI642193B
(zh)
|
2012-01-26 |
2018-11-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
|
US8916424B2
(en)
|
2012-02-07 |
2014-12-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
JP2013183001A
(ja)
|
2012-03-01 |
2013-09-12 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
US8981370B2
(en)
|
2012-03-08 |
2015-03-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP2014038911A
(ja)
*
|
2012-08-13 |
2014-02-27 |
Sony Corp |
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置および電子機器
|
|
JP6013084B2
(ja)
*
|
2012-08-24 |
2016-10-25 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
KR102009017B1
(ko)
*
|
2012-09-28 |
2019-10-23 |
엘지디스플레이 주식회사 |
표시장치용 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
KR20140104792A
(ko)
*
|
2013-02-21 |
2014-08-29 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
JP6284140B2
(ja)
*
|
2013-06-17 |
2018-02-28 |
株式会社タムラ製作所 |
Ｇａ２Ｏ３系半導体素子
|
|
KR20160034262A
(ko)
*
|
2013-07-24 |
2016-03-29 |
아이엠이씨 브이제트더블유 |
금속 산화물 반도체층의 전기전도도의 개선 방법
|
|
KR102244553B1
(ko)
|
2013-08-23 |
2021-04-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
용량 소자 및 반도체 장치
|
|
KR20150033155A
(ko)
*
|
2013-09-23 |
2015-04-01 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
JP6104775B2
(ja)
*
|
2013-09-24 |
2017-03-29 |
株式会社東芝 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
DE112014004839T5
(de)
|
2013-10-22 |
2016-07-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Anzeigevorrichtung
|
|
US9960280B2
(en)
*
|
2013-12-26 |
2018-05-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US9397149B2
(en)
*
|
2013-12-27 |
2016-07-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
KR20250119662A
(ko)
*
|
2013-12-27 |
2025-08-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
발광 장치
|
|
US9318618B2
(en)
*
|
2013-12-27 |
2016-04-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP6488124B2
(ja)
*
|
2013-12-27 |
2019-03-20 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US10361290B2
(en)
|
2014-03-14 |
2019-07-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
|
|
CN110867469B
(zh)
*
|
2014-03-17 |
2023-12-29 |
三星显示有限公司 |
有机el显示装置
|
|
US10032924B2
(en)
*
|
2014-03-31 |
2018-07-24 |
The Hong Kong University Of Science And Technology |
Metal oxide thin film transistor with channel, source and drain regions respectively capped with covers of different gas permeability
|
|
CN103985639B
(zh)
*
|
2014-04-28 |
2015-06-03 |
京东方科技集团股份有限公司 |
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
|
|
TWI666776B
(zh)
*
|
2014-06-20 |
2019-07-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
|
|
US9685560B2
(en)
|
2015-03-02 |
2017-06-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
|
|
JP7007080B2
(ja)
|
2016-07-19 |
2022-02-10 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
Ｔｆｔ回路基板
|
|
KR20180011713A
(ko)
*
|
2016-07-25 |
2018-02-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 제작 방법
|
|
US10504939B2
(en)
|
2017-02-21 |
2019-12-10 |
The Hong Kong University Of Science And Technology |
Integration of silicon thin-film transistors and metal-oxide thin film transistors
|
|
CN107293493A
(zh)
*
|
2017-06-06 |
2017-10-24 |
武汉华星光电技术有限公司 |
铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法
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WO2019025893A1
(ja)
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2017-07-31 |
2019-02-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、および半導体装置の作製方法
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US11887993B2
(en)
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2019-05-13 |
2024-01-30 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Thin-film transistors
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CN110416063B
(zh)
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2019-06-27 |
2021-08-06 |
惠科股份有限公司 |
一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板
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CN119767712A
(zh)
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2024-11-20 |
2025-04-04 |
华中科技大学 |
一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
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