JP2010016114A - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置において、ポテンシャルIの形状が主に縦方向に電荷を蓄積する形になる光電変換部211を有する。
【選択図】図3
Description
また、本発明は、係る固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。
本発明に係る電子機器によれば、固体撮像装置の画素が微細化しても光電変換部における飽和電荷量が確保できるので、ダイナミックレンジ確保、高画質化が図れる。
図1に、本発明に適用される固体撮像装置、すなわちCMOS固体撮像装置の一例の概略構成を示す。本例の固体撮像装置1は、半導体基板、例えばシリコン基板に複数の光電変換部を含む画素2が規則的に2次元配列された画素アレイ部(いわゆる撮像領域)3と、周辺回路部とを有して構成される。画素2は、後述するように、光電変換部となるフォトダイオード(PD)と、複数の画素トランジスタ(MOSトランジスタ)とを有して構成される。
図2に、画素2の等価回路の一例を示す。本回路例に係る画素2は、光電変換部となるフォトダイオード21と、4つの画素トランジスタ(22〜25)とから成る。4つの画素トランジスタは、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24及び選択トランジスタ25で構成される。これら画素トランジスタ22〜25は、例えばnチャネルのMOSトランジスタを用いている。
図3A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの基本構成となる第1実施の形態を示す。図3の固体撮像装置31は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置を例にしている。図3はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。
図4に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの基本構成となる第2実施の形態を示す。図4の固体撮像装置44は、表面照射型のCMOS固体撮像装置を例にしている。図4はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。
図5A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第3実施の形態を示す。図5Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置46は、半導体基板32に第1導電型、例えばp型半導体ウェル領域33が形成され、このp型半導体ウェル領域33に本発明のフォトダイオード212が形成されて成る。
図6A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第4実施の形態を示す。図6Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置51は、前記の図5Aの構成において、n型半導体領域48の転送ゲート電極41の近い部分に少し不純物濃度の濃いn型領域52を形成して構成される。それ以外の構成は図5Aと同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
図7A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第5実施の形態を示す。図7Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置54は、第1導電型、本例ではp型の半導体ウェル領域33にトレンチ55が形成され、このトレンチ55内に絶縁膜56が埋め込まれ、この絶縁膜56の周りに本発明のフォトダイオード214が形成されて成る。絶縁膜56は、例えばシリコン酸化膜が用いられる。
図8及び図9に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第6実施の形態を示す。図8はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図、図9は図8のA−A線上の単位画素に対応した断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置61は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に、各画素を区画するように深いトレンチ62に絶縁膜63を埋め込んでなるトレンチ素子分離領域64が形成され、このトレンチ素子分離領域64の内側面にフォトダイオード215が形成されて成る。トレンチ62に埋め込まれる絶縁膜63としては、例えばシリコン酸化(SiO2)膜が用いられる。
図10A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第7実施の形態を示す。図10Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置68は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に深いトレンチ69を形成し、トレンチ69に臨むp型半導体ウェル領域33の面にp型半導体領域71及びn型半導体領域72が順に形成される。p型半導体領域71はトレンチ69側に、n型半導体領域72はp型半導体領域71のトレンチ69とは反対側に形成される。n型半導体領域72の基板表面側には、前述の図8と同様に、p型半導体領域49が形成される。
図11A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第8実施の形態を示す。図11Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置77は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に深いトレンチ69を形成し、トレンチ69に臨むp型半導体ウェル領域33の面に、基板の表面近傍を除いて本発明のフォトダイオード217が形成される。フォトダイオード217は、トレンチ69に接するp型半導体領域71と、p型半導体領域71のトレンチ69とは反対面に接するn型半導体領域72とにより構成される。n型半導体領域72は、その上端がp方半導体領域71の上端より突出して形成される。
図12に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第9実施の形態を示す。図12はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置81は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に、本発明のフォトダイオード218が形成されて成る。このフォトダイオード218は、n型半導体領域82とp型半導体領域83を有して構成される。
次に、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の実施の形態について説明する。実施の形態はフォトダイオードの製造方法についてのみ示す。
図13〜図15に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第1実施の形態を示す。本実施の形態に係るフォトダイオードは、前述の図5、図6で示すフォトダイオードの製造に相当する。
図17〜図18に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第2実施の形態を示す。本実施の形態の製造方法は、深さ方向に長いn型半導体領域及びp型半導体領域を形成した後、p型半導体領域にトレンチを形成する工程を含むものである。
図19〜図21に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第3実施の形態を示す。
ボロン拡散については、気相拡散であればB2H6ガスを用い、液相拡散であれば液体ソースとしてBBr3を用いることができる。
図22〜図23に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第4実施の形態を示す。本実施の形態は、前述の図8及び図9で示すフォトダイオードの製造に適用できる。
本発明に係る固体撮像装置は、固体撮像装置を備えたカメラ、カメラ付き携帯機器、固体撮像装置を備えたその他の機器、等の電子機器に適用することができる。
図24に、本発明の電子機器の一例としてカメラに適用した実施の形態を示す。本実施の形態に係るカメラ130は、光学系(光学レンズ)131と、固体撮像装置132と、信号処理回路133とを備えてなる。固体撮像装置132は、上述した各実施の形態のいずれか1つの固体撮像装置が適用される。光学系131は、被写体からの像光(入射光)を固体撮像装置132の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置132の光電変換素子において一定期間信号電荷が蓄積される。信号処理回路133は、固体撮像装置132の出力信号に対して種々の信号処理を施して出力する。本実施の形態のカメラ130は、光学系131、固体撮像装置132、信号処理回路133がモジュール化したカメラモジュールの形態を含む。
さらに、図24の構成は、光学系131、固体撮像装置132、信号処理回路133がモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュ−ルとして構成することができる。本発明は、このような撮像機能モジュールを備えた電子機器を構成することができる。
Claims (15)
- ポテンシャルの形状が主に縦方向に電荷を蓄積する形になる光電変換部を有する
固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、
半導体基板の表面に平行なpn接合よりも、前記半導体基板の深さ方向の面に平行なpn接合に多くの電荷を蓄積する構成を有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記深さ方向の面に平行なpn接合が、前記深さ方向に延びる縦長状の第1導電型半導体領域の側面に形成されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記深さ方向の面に平行なpn接合が、絶縁膜の側面に形成された前記第1導電型半導体領域の、前記絶縁膜とは反対側に形成されている
請求項3記載の固体撮像装置。 - 縦長状の前記絶縁膜と、
前記絶縁膜を取り囲む前記第1導電型半導体領域
を有する請求項4記載の固体撮像装置。 - 画素の領域を取り囲む前記第1導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体領域を取り囲む前記絶縁膜と、
前記第1導電型半導体領域の内側に形成された前記深さ方向の面に平行なpn接合と
を有する請求項4記載の固体撮像装置。 - 半導体基板の深さ方向に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を取り囲むように形成された前記絶縁膜
を有する請求項4記載の固体撮像装置。 - 光電変換部の上に形成されたフローティングディフージョン部を有し、
前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフージョン部に向かって縦方向に転送する
請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部の電荷蓄積部のpn接合が、前記深さ方向に1μm以上形成されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 半導体基板の所要領域に、マスクを介して打ち込みエネルギーを異ならした複数回のイオン注入で第2導電型半導体領域を形成する工程と、
前記第2導電型半導体領域に打ち込みエネルギーを異ならした複数回のイオン注入で第1導電型半導体領域を形成して、前記半導体基板表面に平行な面に形成されるpn接合よりも、深さ方向の面に平行なpn接合に多くの電荷を蓄積する光電変換部を形成する工程
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記マスクの内面にサイドウォールを形成し、前記サイドウォールをマスクに前記第1導電型半導体領域を形成する
請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の所要領域に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内面から第2導電型不純物を拡散して第2導電型半導体領域を形成する工程と、
前記凹部の内面から第1導電型不純物を拡散して前記第2導電型半導体領域に第1導電型半導体領域を形成して、前記半導体基板表面に平行な面に形成されるpn接合よりも、深さ方向の面に平行なpn接合に多くの電荷を蓄積する光電変換部を形成する工程
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 各画素となる領域を区分する格子状の前記凹部を形成する工程と、
前記第2導電型半導体領域を形成する工程の後に、前記第2導電型半導体領域の底部を突き抜けるように、前記凹部の底部を深くする工程と
を有する請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、ポテンシャルの形状が主に縦方向に電荷を蓄積する形になる光電変換部を有している
電子機器。 - 前記固体撮像装置の光電変換部は、
半導体基板の表面に平行なpn接合よりも、前記半導体基板の深さ方向の面に平行なpn接合に多くの電荷を蓄積する構成を有する
請求項14記載の電子機器。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011239070A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2013168611A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Kyushu Institute Of Technology | 同一基板へのcmos及びトレンチダイオードの作製方法 |
US8785993B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-07-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
US8896734B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera |
JP2015002192A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 |
WO2015025637A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2015082592A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016048801A (ja) * | 2015-12-02 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US9601539B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
JP2017092149A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子 |
JP2017212453A (ja) * | 2017-07-11 | 2017-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2018139269A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
KR20200084845A (ko) * | 2018-07-18 | 2020-07-13 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 소자, 거리측정 모듈, 및, 전자 기기 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159757A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2011159756A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011253963A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
KR101083638B1 (ko) | 2010-07-05 | 2011-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
FR2963187A1 (fr) * | 2010-07-21 | 2012-01-27 | St Microelectronics Crolles 2 | Dispositif d'imagerie a performances ameliorees et procede de commande. |
US8507962B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-08-13 | International Business Machines Corporation | Isolation structures for global shutter imager pixel, methods of manufacture and design structures |
JP2012164768A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
FR2971887B1 (fr) * | 2011-02-17 | 2013-02-22 | St Microelectronics Sa | Photosite a transfert de charges amélioré |
JP5556851B2 (ja) | 2011-12-26 | 2014-07-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US8581307B1 (en) * | 2012-07-06 | 2013-11-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Large CMOS image sensor pixel with improved performance |
JP2014099582A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP6190392B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-08-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
US10363349B2 (en) | 2014-04-15 | 2019-07-30 | Tc1 Llp | Heart pump providing adjustable outflow |
TWI524878B (zh) * | 2014-09-16 | 2016-03-11 | 國立臺灣大學 | 疾病檢測方法及穿戴式裝置 |
CN106981495B (zh) * | 2016-01-15 | 2019-10-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制作方法 |
JP2017183636A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、センサ装置、および電子機器 |
JP2019165136A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2020013817A (ja) | 2018-07-13 | 2020-01-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2024141103A1 (zh) * | 2022-12-30 | 2024-07-04 | 上海联影微电子科技有限公司 | 光电二极管及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234172A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sony Corp | X線用固体撮像素子 |
JP2004282043A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hynix Semiconductor Inc | Cmosイメージセンサの製造方法 |
JP2005223084A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2008021875A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5633526A (en) * | 1992-11-01 | 1997-05-27 | Rohm Co., Ltd. | Photodiode array and method for manufacturing the same |
US6204087B1 (en) * | 1997-02-07 | 2001-03-20 | University Of Hawai'i | Fabrication of three-dimensional architecture for solid state radiation detectors |
JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
JP2003318383A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP3840203B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
US6921934B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-07-26 | Micron Technology, Inc. | Double pinned photodiode for CMOS APS and method of formation |
US7199411B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and camera |
JP4075797B2 (ja) | 2003-12-25 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
KR101105617B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2012-01-18 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 고체 촬상 장치, 라인 센서, 광 센서 및 고체 촬상 장치의동작 방법 |
US7541627B2 (en) * | 2004-03-08 | 2009-06-02 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors |
JP4496866B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4507769B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
JP4595464B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | Cmos固体撮像素子の製造方法 |
JP4867152B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2012-02-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4742602B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US7432121B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Isolation process and structure for CMOS imagers |
JP2008091840A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR101146590B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2012-05-16 | 삼성전자주식회사 | 다중우물 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-07-02 JP JP2008173626A patent/JP5374941B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-28 US US12/453,954 patent/US8785991B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-02 TW TW098118243A patent/TWI419312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-30 CN CN2009101500634A patent/CN101621067B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-02 KR KR1020090060141A patent/KR20100004064A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234172A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sony Corp | X線用固体撮像素子 |
JP2004282043A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hynix Semiconductor Inc | Cmosイメージセンサの製造方法 |
JP2005223084A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2008021875A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9601539B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US10529760B2 (en) | 2010-03-31 | 2020-01-07 | Sony Cororation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US9666632B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-05-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
US10050073B2 (en) | 2010-05-07 | 2018-08-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10720458B2 (en) | 2010-05-07 | 2020-07-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP2011239070A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US11671721B2 (en) | 2010-05-07 | 2023-06-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9923005B2 (en) | 2010-05-07 | 2018-03-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10177184B2 (en) | 2010-05-07 | 2019-01-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9438833B2 (en) | 2010-05-07 | 2016-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9653499B2 (en) | 2010-05-07 | 2017-05-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10978506B2 (en) | 2010-05-07 | 2021-04-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10355037B2 (en) | 2010-05-07 | 2019-07-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US8896734B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera |
US8785993B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-07-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device |
JP2013168611A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Kyushu Institute Of Technology | 同一基板へのcmos及びトレンチダイオードの作製方法 |
JP2015002192A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 |
US9876125B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method for manufacturing same |
WO2015025637A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
KR20210130248A (ko) * | 2013-10-23 | 2021-10-29 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
KR102499590B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2023-02-14 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
KR20160077055A (ko) * | 2013-10-23 | 2016-07-01 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US9985068B2 (en) | 2013-10-23 | 2018-05-29 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
JP2015082592A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR102318462B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2021-10-28 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
JP2017092149A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子 |
JP2016048801A (ja) * | 2015-12-02 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2018139269A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
JP7121468B2 (ja) | 2017-02-24 | 2022-08-18 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
CN108511471B (zh) * | 2017-02-24 | 2022-10-18 | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 | 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备 |
CN108511471A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 普里露尼库斯日本股份有限公司 | 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备 |
JP2017212453A (ja) * | 2017-07-11 | 2017-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
KR20200084845A (ko) * | 2018-07-18 | 2020-07-13 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 소자, 거리측정 모듈, 및, 전자 기기 |
KR20230002240A (ko) * | 2018-07-18 | 2023-01-05 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 소자, 거리측정 모듈, 및, 전자 기기 |
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US11538845B2 (en) | 2018-07-18 | 2022-12-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element, ranging module, and electronic apparatus |
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KR102663339B1 (ko) | 2018-07-18 | 2024-05-10 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 소자, 거리측정 모듈, 및, 전자 기기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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---|---|---|
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JP5564909B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US7855407B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
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JP5361110B2 (ja) | 非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法 | |
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