FR2963187A1 - Dispositif d'imagerie a performances ameliorees et procede de commande. - Google Patents
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Abstract
Dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite comprenant une zone semi-conductrice de stockage de charges, une zone semi-conductrice de collecte de charges (9) et des moyens de transfert configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges et la zone de collecte de charges (9), caractérisé en ce que la zone semi-conductrice de stockage de charges comprend une zone semi-conductrice inférieure (3) et un canal de conduction (8) enterré sous la surface supérieure du photosite et reliant ladite zone semi-conductrice inférieure (3) à la zone de collecte de charges (9).
Description
B 10-2071 FR 1 Dispositif d'imagerie à performances améliorées et procédé de commande.
L'invention concerne les photosites, et plus particulièrement l'amélioration des performances des photosites. Un photosite comprend au moins une photodiode et une zone de tranchées d'isolation de la ou des photodiodes. Les capteurs d'image à base de composants semi-conducteurs tirent profit du principe de la conversion des photons en paires électrons/trous dans le silicium. Plus précisément, les charges créées dans les zones photosensibles sont stockées dans la photodiode et sont ensuite lues grâce à un système électronique. Ce système électronique, qui commande la photodiode, comporte, notamment lorsque la photodiode est une photodiode totalement appauvrie («fully depleted» en langue anglaise), un transistor de transfert autorisant le transfert des charges stockées dans la photodiode vers une zone de collecte de charges. Cette zone de collecte de charges forme un noeud de mesure (« Sensing Node » en langue anglaise) au niveau duquel est connecté une électronique de contrôle classique comportant notamment un transistor de lecture. Un dispositif d'imagerie comprend généralement des photodiodes agencées en matrice. Chaque photodiode correspond à un pixel d'une image. La matrice comporte des rangées de photodiodes semiconductrices, chaque rangée étant bordée par des tranchées d'isolation profondes. Une tranchée d'isolation profonde comprend une partie interne conductrice entourée d'une couche isolante. Une photodiode fonctionne selon un cycle comprenant au moins une étape d'intégration, une étape de mesure, et une étape de réinitialisation.
L'étape d'intégration correspond à la photogénération de charges et leur accumulation lors de l'exposition de la photodiode. L'étape de mesure correspond à la génération d'un signal dépendant de la quantité de charges photogénérées accumulées dans la photodiode. L'étape de réinitialisation correspond à l'élimination des charges photogénérées.
Sous certaines conditions, la quantité d'électrons générés lors de l'étape d'intégration peut excéder la quantité d'électrons qui peuvent être stockés. Si l'on ne prend pas de précautions, les électrons qui ne peuvent plus être stockés dans la photodiode peuvent alors se diffuser dans les photodiodes adjacentes du photosite, ce qui conduit visuellement à la génération d'un halo blanc ou à des colonnes blanches de plus en plus importants sur l'image. Cet effet de halo est appelé sur-éclairement (en langue anglaise « Blooming) entre pixels adjacents.
Un autre défaut dont ces dispositifs peuvent être affligés est un retard (« lag » selon une dénomination anglosaxone bien connue de l'homme du métier), lors de la phase de mesure, du signal généré par chaque pixel dû au piégeage des électrons lors de leur transfert entre les couches profondes de stockage et la surface (phénomène d'absorption/réémission de charges). Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, on propose un procédé et un dispositif permettant de réduire, voire de supprimer, le retard (« lag ») lors de la phase de mesure. Selon un autre mode de mise en oeuvre et de réalisation, on propose un procédé et un dispositif permettant de réduire, voire de supprimer, le phénomène de sur-éclairement lorsque la quantité de charges accumulées dans un photosite excède la capacité dudit photosite. Selon un aspect, on propose un dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite comprenant une zone semi-conductrice de stockage de charges, une zone semi-conductrice de collecte de charges et des moyens de transfert configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges et la zone de collecte de charges, la zone semi-conductrice de stockage de charges comprend une zone semi-conductrice inférieure et un canal de conduction enterré sous la surface supérieure du photosite et reliant ladite zone semi-conductrice inférieure à la zone de collecte de charges.
Un tel canal permet d'éviter un retard de signal généré par les phénomènes d'absorption/réémission des charges. Le canal de conduction peut être du même type de conductivité que celui de ladite zone semi-conductrice inférieure et de la zone de collecte de charges, et le dopage du canal de conduction peut être supérieur au dopage de la zone semi-conductrice inférieure et inférieur au dopage de la zone de collecte de charges. Le canal de conduction peut avoir une profondeur inférieure à celle de la zone de collecte de charges.
Le canal de conduction peut posséder une partie entourant la partie supérieure de la zone de collecte de charges. Le photosite peut être délimité par une tranchée d'isolation profonde possédant une ouverture au niveau de laquelle peut être réalisée la zone de collecte de charges, et le canal de conduction pouvant s'étendre à travers ladite ouverture. Les moyens de transfert peuvent comprendre deux grilles isolées électriquement conductrices s'étendant verticalement de part et d'autre de la zone de collecte de charges, et séparées de celle-ci par des portions du canal de conduction.
I1 est aussi possible de créer localement un puits de potentiel asymétrique autour du canal de conduction permettant de diriger vers la zone de collecte de charge agissant en tant que drain, les électrons excédentaires ne pouvant être stockés. L'effet de sur-éclairement est donc limité voire supprimé.
Selon un mode de réalisation le dispositif comprend en outre une matrice de photosites comportant des rangées de photosites, chaque rangée comportant une couche semi-conductrice inférieure continue contenant lesdites zones semi-conductrices inférieures des photosites de la rangée, et une zone semi-conductrice supérieure continue contenant les canaux de conduction enterrés des photosites de la rangée. Selon un autre aspect, on définit un procédé de commande d'un dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite, dans lequel on transfère les charges photogénérées dans le photosite vers une zone de collecte de charges par un canal de conduction enterré. On peut modifier localement l'énergie potentielle autour du canal de conduction au voisinage de la zone de collecte de charges de sorte que cette énergie potentielle modifiée soit inférieure à l'énergie potentielle au niveau de la partie périphérique de la zone de stockage de charges. Le photosite peut comprendre au moins deux grilles isolées s'étendant verticalement de part et d'autre du canal de conduction et de la zone de collecte de charges, le photosite étant délimité sur au moins une partie de sa périphérie par une tranchée d'isolation profonde, dans lequel on peut modifier localement l'énergie potentielle en appliquant une différence de potentiel entre les grilles isolées et les tranchées d'isolation profonde.
D'autres buts, caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description suivante donnée uniquement en tant qu'exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre une rangée de photosites selon un mode de réalisation de l'invention, - la figure 2 est une vue en coupe d'un mode de réalisation du dispositif selon le plan de coupe II-II' de la figure 1, - la figure 3 est une vue en coupe d'un mode de réalisation du dispositif selon la coupe III-III' de la figure 1, - la figure 4 illustre la structure d'un mode de réalisation du dispositif au voisinage du plan de coupe II-II' de la figure 1 et l'évolution de l'énergie potentielle qui en découle, - la figure 5 illustre la structure d'un mode de réalisation du dispositif au voisinage du la coupe III-III' de la figure 1 et l'évolution de l'énergie potentielle qui en découle, - la figure 6 illustre la structure d'un mode de réalisation du dispositif au voisinage du plan de coupe VI-VI' de la figure 1 et l'évolution de l'énergie potentielle qui en découle, et - la figure 7 illustre les différentes phases de collecte et de détection des charges photogénérées selon une mode de mise en oeuvre du dispositif. Un dispositif d'imagerie comprend généralement des photosites agencés en matrice, une matrice comprenant une multitude de lignes et de colonnes. Les signaux issus de chaque photosite combinés à leurs coordonnées dans la matrice permettent de former une image. Un photosite fonctionne selon un cycle comprenant au moins une étape d'intégration, une étape de mesure, et une étape de réinitialisation.
L'étape d'intégration correspond à la photogénération de charges et leur accumulation lors de l'exposition du photosite. L'étape de mesure correspond à la génération d'un signal dépendant de la quantité de charges photogénérées accumulées dans le photosite. L'étape de réinitialisation correspond à l'élimination des charges photogénérées.
Si l'on se réfère maintenant à la figure 1, qui illustre une vue de dessus d'une rangée de photosites entrant dans la formation d'un dispositif d'imagerie, ainsi qu'aux figures 2 et 3, on voit que la rangée de photosites est isolée de l'environnement par des tranchées d'isolation profonde 6. Deux photosites disposés consécutivement dans une rangée sont également séparées par une tranchée d'isolation profonde 6 dans laquelle une ouverture 7 est ménagée. Une couche semi-conductrice, par exemple du silicium, dopée N-, de 1016 atomes/cm3 à 1017 atomes/cm3, typiquement 5.1016 atomes/cm3, appelée couche inférieure 3 est située sur un substrat semi-conducteur 4 dopé P de 1014 atomes/cm3 à 1019 atomes/cm3, typiquement 1015 atomes/cm3. Une couche de semi-conducteur 5 dopée P+ de 1016 atomes/cm3 à 1018 atomes/cm3, typiquement 5.1017 atomes/cm3 est formée sur la couche inférieure 3. Le semi-conducteur dopé 4 et la couche inférieure 3 forment une première photodiode 2, la couche supérieure 5 et la couche inférieure 3 formant une deuxième photodiode. La couche dopée 5 permet également de passiver la surface du photosite et de réduire la génération de charges par effet thermique.
Pour chaque rangée de photosites, le dispositif d'imagerie comprend une zone de stockage de charges pour chaque photosite et une zone de collecte de charges 9 pour chaque paire de photosites. Un canal de conduction 8 est formé sous la surface du dispositif, tandis que deux tranchées d'isolation profonde 6 s'étendent verticalement jusque dans le substrat semi-conducteur dopé 4. Le canal de conduction 8 présente une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la couche de semi-conducteur dopé 5. La couche inférieure 3 et le canal de conduction 8 forment la zone de stockage des charges.
Le canal de conduction 8 s'étend de façon continue sur la longueur de la rangée, et s'étend d'un photosite au suivant en passant par l'ouverture 7 ménagée dans la tranchée d'isolation profonde 6 entre deux photosites consécutifs. La zone de collecte de charges 9 se situe au niveau de l'ouverture 7 ménagée dans la tranchée d'isolation profonde 6 entre deux photosites consécutifs. Elle est formée en partie dans le canal de conduction 8. La zone de collecte de charges 9 est moins large mais plus profonde que le canal de conduction 8. La zone de collecte de charges 9 est réalisée en silicium N+ plus fortement dopé de 1014 atomes/cm3 à 1016 atomes/cm3, typiquement 1015 atomes/cm3 que le silicium dopé N- compris dans le canal de conduction 8 de 5.1015 atomes/cm3 à 1017 atomes/cm3, typiquement 1016 atomes/cm3. Une grille isolée est disposée de chaque coté de la zone de collecte de charges 9. Une grille isolée comprend une partie interne électriquement conductrice entourée d'une couche isolante. Les grilles isolées (10, 11) sont disposées essentiellement à l'extérieur du canal de conduction 8. Chaque grille isolée (10, 11) s'étend de la surface du dispositif jusque dans le substrat semi-conducteur dopé 4. Ces grilles isolées (10, 11) permettent de commander le blocage ou le déblocage du transfert de charges entre le canal de conduction 8 et la zone de collecte de charges 9, en fonction de la valeur du potentiel qui leur est appliqué. Les tranchées d'isolation profondes 6 sont polarisées de telle façon que les régions d'interface 6a soient portées au potentiel de référence correspondant par exemple au potentiel du substrat semi-conducteur 4. D'un point de vue fonctionnel, le canal de conduction 8, la zone de collecte de charges 9 et les grilles isolées (10, 11) forment source, drain et grille d'un transistor de transfert. La zone de collecte de charges 9 est connectée à l'électronique de contrôle du dispositif d'imagerie, notamment à la grille d'un transistor de lecture et à la source d'un transistor de réinitialisation. En d'autres termes, les grilles isolées (10, 11) font partie de moyen de transfert aptes à contrôler le transfert des électrons vers la zone de collecte de charges 9. Selon un principe général, des charges disposées dans un champ de potentiel évoluent spontanément vers des positions minimisant leur énergie potentielle. Parallèlement, on rappelle que l'énergie potentielle est égale au produit de la charge par le potentiel électrostatique. Un électron présente une charge négative et minimise son énergie en se déplaçant vers des potentiels électrostatiques croissants. Un trou présente une charge positive et minimise son énergie en se déplaçant vers des potentiels électrostatiques décroissants.
Les figures 4 à 6 illustrent les variations d'énergie potentielle lorsque les charges photogénérées sont des électrons. Pour une simplicité de lecture, l'axe vertical de ces figures fait référence à des potentiels électrostatiques. Comme expliqué ci-avant, dans le cas d'un électron, l'énergie potentielle est égale au produit du potentiel électrostatique par l'opposée de la charge élémentaire. On a choisi d'orienter cet axe vers le bas de chaque figure afin de faciliter la compréhension du déplacement des électrons. En effet, les zones de plus basse énergie potentielle soient situées en bas de la figure tandis que les zones de plus haute énergie potentielle sont situées en haut.
Dans le cas d'un dispositif fonctionnant avec des trous, les potentiels à considérer seraient de signe opposés à ceux présentés ci-après. La figure 4 illustre l'évolution de l'énergie potentielle générée par les différentes couches de matériaux comprises dans le dispositif, potentiels qui sont appliqués aux charges photogénérées. En partie supérieure de la figure 4 est rappelée la structure du dispositif au voisinage du plan de coupe II-II', en vue de dessus. La partie inférieure de la figure 4 schématise l'évolution de l'énergie potentielle en fonction de la position selon la ligne matérialisée par les repères II-II'. Sur cette dernière figure, la courbe 12 matérialise l'évolution de l'énergie potentielle en l'absence du canal de conduction 8 tandis que la courbe 13 matérialise l'évolution de l'énergie potentielle en présence du canal de conduction 8. Cette dernière courbe constitue donc une représentation réaliste, bien que simplifiée, de l'évolution de potentiel. I1 ressort de la comparaison des courbes 12 et 13 que la courbe illustrant la variation de l'énergie potentielle s'infléchit au niveau d'un minimum situé à l'aplomb du canal de conduction 8. Une telle variation de l'énergie potentielle est communément appelée puits de potentiel. On en conclut donc que, sans influence extérieure, les charges photogénérées ont tendance à se concentrer au niveau du canal de conduction 8. On voit que le puits de potentiel correspondant au canal de conduction 8 présente des extrémités (au niveau de la région d'interface 6a des tranchées d'isolation profonde 6) portées au potentiel de référence du substrat, par exemple 0V. Deux photosites adjacents sont physiquement séparées par une tranchée d'isolation profonde comprenant une ouverture. La tranchée d'isolation profonde comprend une partie conductrice entourée d'une partie diélectrique. La tranchée d'isolation profonde est polarisée de sorte que l'interface entre la partie diélectrique et le silicium dopé puisse atteindre le potentiel de référence de la zone 4, potentiel égal à 0V. La figure 5 illustre l'évolution de l'énergie potentielle selon la coupe III-III' présente sur la figure 1. A titre de référence, la partie supérieure de la figure 5 rappelle la structure du dispositif au voisinage de la coupe III-III', en vue de dessus. La partie inférieure de la figure 5 schématise l'évolution de l'énergie potentielle en fonction de la position selon la ligne matérialisée par les repères III-III'. La courbe 12 et la courbe 13 sont rappelées ici à titre de comparaison avec la figure 4. La courbe 14 matérialise l'évolution de l'énergie potentielle lorsque une tension de grille d'état bas est appliquée aux grilles isolées (10, 11). Dans cette situation, les grilles isolées (10, 11) génèrent une barrière de potentiel empêchant le transfert de charges. La courbe 15 matérialise l'évolution du potentiel lorsqu'une tension de grille d'état haut est appliquée aux grilles isolées (10, 11). Dans cette situation, les grilles isolées (10, 11) ne génèrent pas de barrière de potentiel.
I1 apparaît de la comparaison entre les courbes 14 et 15 que la tension de grille appliquée permet de contrôler de l'énergie potentielle au niveau de la zone entre les grilles isolées (10, 11). Plus précisément, la zone de collecte de charges 9 se comporte comme une capacité de stockage de charges assimilée à un puits de potentiel schématisé par la zone 16. Lorsqu'un potentiel d'état bas est appliqué aux grilles isolées (10, 11), une barrière de potentiel se forme autour du puits de potentiel de la zone de collecte de charges 9. Lors qu'un potentiel d'état haut est appliqué aux grilles isolées (10, 11), la barrière de potentiel autour du puits de potentiel de la zone de collecte de charges 9 disparaît. Les charges photogénérées présentes dans le canal de conduction 8 sont alors attirées dans la zone de collecte de charges 9. La figure 6 illustre l'évolution du potentiel selon la ligne VI-VI' de la figure 1. A titre de référence, la partie supérieure de la figure 6 rappelle la structure du dispositif au voisinage du plan de coupe VI-VI', en vue de dessus. La partie inférieure de la figure 6 schématise l'évolution de l'énergie potentielle en fonction de la position selon la ligne matérialisée par les repères VI-VI'. La ligne VI-VI' passe par deux zones de collecte de charges 9 successives et reliées par le même canal de conduction 8. La courbe 20 illustre l'énergie potentielle dans le dispositif lorsque des tensions d'état bas sont appliquées aux deux paires de grilles isolées (10, 11) générant des barrières de potentiel de part et d'autre du canal de conduction 8. Comme on peut le voir, les barrières de potentiel empêchent les charges accumulées dans le canal de conduction 8 de transiter vers les zones de collecte de charges 9. Sur la courbe 20, on voit que l'énergie potentielle de la barrière de potentiel au niveau des grilles isolées (10,11) est inférieure à l'énergie potentielle au niveau des tranchées d'isolation profonde 6. Le puits de potentiel correspondant au canal de conduction 8 est ainsi bordé sur deux cotés opposés (c'est-à-dire à la périphérie de la zone de stockage de charges) par une barrière de potentiel à 0V (figure 4) et sur les deux autres cotés par une barrière de potentiel à 300mV. Ainsi, en cas de remplissage excessif du photosite, les charges vont déborder par les barrières de plus basse énergie potentielle, ici les barrières à 300mV. Les charges en excès vont se déverser dans le puits de potentiel au niveau de la zone de collecte de charges 9. Par ailleurs, lors de la phase d'intégration au cours de laquelle les charges sont photogénérées, la zone de collecte de charges 9 est connectée à une zone de drainage. I1 est alors possible d'éliminer l'excès de charges dans la zone de drainage via la zone de collecte de charges 9. Le dispositif proposé permet ainsi de limiter, voire de prévenir l'effet de sur-éclairement.
La courbe 21 illustre les barrières de potentiel créées au niveau des grilles isolées (10, 11) par rapport à l'énergie potentielle dans le canal de conduction 8, lorsque le potentiel d'état haut est appliqué sur la paire de grilles isolées (10, 11) de gauche et un potentiel d'état bas est appliqué sur la paire de grilles isolées (10, 11) de droite. En pratique, cela correspond à l'abaissement de la barrière de potentiel générée par la paire de grilles isolées (10, 11) de gauche. Les charges accumulées dans le puits de potentiel en regard du canal de conduction 8 se déplacent alors spontanément vers la zone de collecte de charges 9 de gauche dont la barrière de potentiel a été abaissée.
La figure 7 illustre les différentes phases de stockage et de collecte des charges photogénérées. Au cours d'une première phase, des charges 17 sont photogénérées. Ces charges photogénérées 17 sont soumises aux potentiels illustrés par les figures 4 et 5. Les charges photogénérées dans le photosite migrent donc vers le canal de conduction 8. Ces déplacements sont symbolisés par les flèches 18. Lors d'une deuxième phase, un potentiel de grille correspondant à l'état haut est appliqué aux grilles isolées (10, 11). La topographie des potentiels est modifiée de sorte que les charges photogénérées en plus d'être attirées vers le canal de conduction 8 sont attirées vers la zone de collecte de charges 9. Les charges déjà présentes dans le canal de conduction 8 sont également attirées vers la zone de collecte de charges 9. Ces déplacements sont symbolisés par les flèches 19. On voit ainsi que les charges photogénérées ne transitent à aucun moment par la surface. Elles ne sont donc pas soumises à un phénomène de capture/réémission pouvant générer un retard dans le signal du photosite. De même, le canal de conduction 8 dans lequel les charges transitent permet une conduction en volume. Les phénomènes de piégeage sont donc limités à l'interface avec l'oxyde des grilles isolées. Par ailleurs, lors des phases de mesure des charges photogénérées, la zone de collecte de charge 9 est portée à un potentiel flottant qui est à un potentiel supérieur au potentiel maximum obtenu lorsque la couche inférieure 3 et le canal de conduction 8 des photodiodes sont complètement désertées de porteurs. Le procédé de commande du photosite permet de transférer les charges photogénérées dans la zone de collecte de charge afin de générer le signal de mesure. Lors du fonctionnement d'un imageur comprenant une matrice de photosites, les zones de détection de charges sont activées l'une après l'autre en abaissant les barrières de potentiel les entourant. Les charges accumulées dans les deux photosites adjacents s'écoulent alors vers la zone de collecte de charges 9 active. Afin de discriminer de quel photosite adjacent les charges proviennent, on a recours dans chaque rangée à un premier photosite dont le signal n'est pas considéré. Ce premier photosite subit une réinitialisation par des moyens connus de l'homme du métier, par exemple par drainage des charges photogénérées. Lors de l'activation de la première zone de détection de charge comprise entre le premier et le deuxième photosite, seul le deuxième photosite contient des charges photogénérées. Le signal provenant de la première zone de collecte de charges 9 est directement dépendant des charges accumulées dans le deuxième photosite. Lors de l'activation de la deuxième zone de collecte de charges 9 entre le deuxième et le troisième photosite, le deuxième photosite a été vidé de ses charges de la façon décrite ci- avant. Le signal de deuxième zone de collecte de charges 9 est alors directement dépendant des charges accumulées dans le troisième photosite. L'activation des zones de collecte de charges 9 se poursuit en séquence jusqu'à ce que toutes les zones de collecte de charges 9 aient été activées. La ligne est alors disponible pour une nouvelle phase d'intégration.
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite comprenant une zone semi-conductrice de stockage de charges, une zone semi-conductrice de collecte de charges (9) et des moyens de transfert configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges et la zone de collecte de charges (9), caractérisé en ce que la zone semi-conductrice de stockage de charges comprend une zone semi-conductrice inférieure (3) et un canal de conduction (8) enterré sous la surface supérieure du photosite et reliant ladite zone semi-conductrice inférieure (3) à la zone de collecte de charges (9).
- 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le canal de conduction (8) est du même type de conductivité que celui de ladite zone semi-conductrice inférieure (3) et de la zone de collecte de charges (9), le dopage du canal de conduction (8) étant supérieur au dopage de la zone semi-conductrice inférieure (3) et inférieur au dopage de la zone de collecte de charges (9).
- 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le canal de conduction (8) a une profondeur inférieure à celle de la zone de collecte de charges (9).
- 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le canal de conduction (8) possède une partie entourant la partie supérieure de la zone de collecte de charges (9).
- 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le photosite est délimité par une tranchée d'isolation profonde (6) possédant une ouverture (7) au niveau de laquelle est réalisée la zone de collecte de charges (9), le canal de conduction (8) s'étendant à travers ladite ouverture (7).
- 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les moyens de transfert comprennent deux grilles isolées (10, 11) électriquement conductrices s'étendant verticalement de partet d'autre de la zone de collecte de charge (9), et séparées de celle-ci par des portions du canal de conduction (8).
- 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant une matrice de photosites comportant des rangées de photosites, chaque rangée comportant une couche semi-conductrice inférieure continue contenant lesdites zones semi-conductrices inférieures (3) des photosites de la rangée, et une zone semi-conductrice supérieure continue contenant les canaux de conduction (8) enterrés des photosites de la rangée.
- 8. Procédé de commande d'un dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite, dans lequel on transfère les charges photogénérées dans le photosite vers une zone de collecte de charges (9) par un canal de conduction (8) enterré.
- 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel on modifie localement l'énergie potentielle autour du canal de conduction (8) au voisinage de la zone de collecte de charges (9) de sorte que cette l'énergie potentielle modifiée soit inférieure à l'énergie potentielle au niveau de la partie périphérique de la zone de stockage de charges.
- 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le photosite comprend au moins deux grilles isolées (10,
- 11) s'étendant verticalement de part et d'autre du canal de conduction (8) et de la zone de collecte de charges (9), le photosite étant délimité sur au moins une partie de sa périphérie par une tranchée d'isolation profonde (6), dans lequel on modifie localement l'énergie potentielle en appliquant une différence de potentiel entre les grilles isolées (10, 11) et les tranchées d'isolation profonde (6).
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