JP2009535505A - Cvdリアクタにおけるポリシリコン蒸着の向上 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化学蒸着(CVD)によってバルクポリシリコンを生産するための方法および処理であって、シーメンス型リアクタで一般的に利用される従来のシリコン「スリムロッド」の代わりに、同等の電気的特性を有するが表面積の大きい成型シリコンフィラメント(シリコンチューブ、リボン、および、その他の形状の断面など)を利用する、方法および処理が開示されている。クロロシランまたはシランなどのシリコン含有ガスが、分解されて、フィラメントの加熱された表面上にシリコン蒸着物を形成する。これらのフィラメントの開始表面積が大きいことにより、リアクタのサイズを変更せずに、フィラメントの数および長さを増大させることなく、生産性が向上される。フィラメント支持部の適合または交換を行うだけで、この新しいフィラメントを既存のリアクタで利用することができる。フィラメントは、縁部限定薄膜供給結晶成長(EFG)法によって、溶融されたシリコンから成長される。また、フィラメントへのドープ、および、新しいリアクタでの電源の簡略化も可能である。
【選択図】図2
Description
Claims (20)
- ポリシリコンのバルク生産のためのCVDリアクタであって、
フィラメント支持部を有するよう構成されたベースプレートシステムと、
前記ベースプレートシステムに取り付けられて蒸着チャンバを形成するエンクロージャと、
前記チャンバ内で前記フィラメント支持部に配置された少なくとも1つのシリコンフィラメントと、
前記フィラメントを加熱するために、前記ベースプレートシステムの電気フィードスルーを介して前記フィラメントの両端に接続可能な電流源と、
シリコン含有ガス源に接続可能な前記ベースプレートシステムのガス流入口と、
前記チャンバからガスを放出できる前記ベースプレートシステムのガス流出口と、
を備え、
前記フィラメントは、少なくとも20mmの外径を有するチューブ状の断面を備え、前記外径に対するチューブの壁厚の比率は、1/4以下である、CVDリアクタ。 - 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントの開始直径は、20ないし100mmの範囲であり、前記フィラメントの前記壁厚は、1ないし6mmの範囲である、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントはチューブ状であり、前記フィラメントの開始直径は、40ないし80mmの範囲であり、前記フィラメントの前記壁厚は、1.75ないし6mmの範囲である、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントは、チューブ状であり、約50mmの開始直径と、約2mmの開始壁厚とを有する、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントは、長方形の断面を有する平坦な架橋部分を備える、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントは、中実の円形断面を有する架橋部分を備える、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメント支持部はグラファイトを含む、CVDリアクタ。
- 請求項1に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントは、周期表の3属および5属のいずれかに属する少なくとも1つの元素をドープされている、CVDリアクタ。
- 請求項8に記載のCVDリアクタであって、前記元素はホウ素を含む、CVDリアクタ。
- 請求項8に記載のCVDリアクタであって、前記元素はリンを含む、CVDリアクタ。
- ポリシリコンのバルク生産のためのCVDリアクタであって、
フィラメント支持部を有するよう構成されたベースプレートシステムと、
前記ベースプレートシステムに取り付けられて蒸着チャンバを形成するエンクロージャと、
前記チャンバ内で前記フィラメント支持部に配置された少なくとも1つのシリコンフィラメントと、
前記フィラメントを加熱するために、前記ベースプレートシステムの電気フィードスルーを介して前記フィラメントの両端に接続可能な電流源と、
シリコン含有ガス源に接続可能な前記ベースプレートシステムのガス流入口と、
前記チャンバからガスを放出できる前記ベースプレートシステムのガス流出口と、
を備え、
前記フィラメントはチューブ状であり、前記フィラメントの開始直径は、少なくとも20mmであり、前記外径に対するチューブの壁厚の比率は、1/4以下である、CVDリアクタ。 - 請求項11に記載のCVDリアクタであって、前記フィラメントは、周期表の3属および5属のいずれかに属する少なくとも1つの元素をドープされている、CVDリアクタ。
- 請求項12に記載のCVDリアクタであって、前記元素はホウ素を含む、CVDリアクタ。
- ポリシリコン生産のために、大表面積のフィラメントを製造してCVDリアクタで利用する方法であって、
シリコン溶融プール内のシリコンを加熱して溶融状態にする工程と、
型を用いてEFG法により前記溶融状態の前記シリコンでシリコン構造を成長させる工程であって、前記シリコン構造は、少なくとも20mmの外径を有するチューブ状の断面を備え、前記外径に対する壁厚の比率が1.4以下である、工程と、
前記シリコン構造の少なくとも一部を、前記CVDリアクタ内の2つの電極の間にフィラメントとして配置する工程と、
前記フィラメントを電流で加熱する工程と、
前記リアクタ内でシリコン含有ガスを用いてCVD処理を実行する工程と、
を備える、方法。 - 請求項14に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記少なくとも一部は、U字形フィラメントに組み立てられた3つの部分の前記シリコン構造を含む、方法。
- 請求項14に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型は、数個取りの型を含む、方法。
- 請求項14に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、
前記シリコン構造に、周期表の3属および5属のいずれかに属する少なくとも1つの元素をドープする工程を備える、方法。 - 請求項14に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型はグラファイトを含む、方法。
- 請求項14に記載のフィラメントを製造および利用する方法であって、前記型は石英を含む、方法。
- ポリシリコンの生産方法であって、
シリコン含有ガスとCVDリアクタとを用いる工程と、
前記CVDリアクタ内に、40ないし60mmの範囲の外径と1.75ないし6mmの範囲の壁厚とを有するチューブ状シリコンフィラメントを配置する工程と、
CVD処理を実行する工程と、
を備え、
前記チューブ状シリコンフィラメントが電流で加熱されて、前記チューブ状シリコンフィラメント上にシリコンが蒸着される、方法。
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