JP2020055703A - 多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ - Google Patents
多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020055703A JP2020055703A JP2018186110A JP2018186110A JP2020055703A JP 2020055703 A JP2020055703 A JP 2020055703A JP 2018186110 A JP2018186110 A JP 2018186110A JP 2018186110 A JP2018186110 A JP 2018186110A JP 2020055703 A JP2020055703 A JP 2020055703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- heater
- seed assembly
- seed
- core wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】シード組立体の予熱に使用するヒータ材質による多結晶シリコンの汚染を低減する。【解決手段】シーメンス法によりクロロシラン含有反応ガスからシード組立体にシリコンを析出させて多結晶シリコンを製造する方法であって、表面が厚み0.1μm以上1000μm以下のシリコンコーティング層により被覆されたヒータでシード組立体の予熱を行い、その後、シード組立体を通電発熱させて、該シード組立体表面にシリコンを析出させる。【選択図】 図1
Description
本発明は、多結晶シリコン製造方法及びその製造方法に用いられるシード組立体を予熱するためのヒータに関する。
多結晶シリコンは半導体デバイス製造用単結晶基板や太陽電池製造用シリコン基板の原料である。
一般に、多結晶シリコンの製造は、クロロシランを含む原料ガスを加熱されたシード組立体(シリコン製)に接触させ、当該シード組立体表面に多結晶シリコンを気相成長させるシーメンス法により行われる。
近年、半導体デバイスなどの性能向上により半導体ウエーハの原料である多結晶シリコンにも品質の向上が求められ、中でも、炭素不純物はデバイス特性に影響を及ぼすことが指摘されている(例えば、特許文献1)。
一般に、多結晶シリコンの製造は、クロロシランを含む原料ガスを加熱されたシード組立体(シリコン製)に接触させ、当該シード組立体表面に多結晶シリコンを気相成長させるシーメンス法により行われる。
近年、半導体デバイスなどの性能向上により半導体ウエーハの原料である多結晶シリコンにも品質の向上が求められ、中でも、炭素不純物はデバイス特性に影響を及ぼすことが指摘されている(例えば、特許文献1)。
上述のシーメンス法による多結晶シリコン製造においては、気相成長によるシリコン析出反応が高温雰囲気下で行われることから、反応容器内で用いられる部材に炭素材料を用いることが多い。特に、シリコン析出反応では、シリコン芯線(シード組立体)を通電しては発熱状態とするために、予めシリコン芯線をカーボン製のヒータによる初期加熱により比抵抗を下げてから通電することにより発熱させてシリコン析出が行われていることが開示されている(例えば、特許文献2)。
また、特許文献3では、シリコン芯線の初期加熱のために抵抗性材料(高融点金属や炭素製)からなるヒータを使用すると不純物等でシリコンを汚染することが開示されており、電気抵抗を調整したシリコンによるヒータを使用することでこれらヒータ素材由来の汚染を抑制することができるとされている。
特許文献3による方法では炭素濃度の低い多結晶シリコンが得られるものの、あらかじめ電気抵抗を調整するための不純物の添加(例えば、リン、ヒ素、ホウ素等)を行ったヒータ材料を製作する必要があり、コスト的には不利である。
本発明は、シリコン製のシード組立体の予熱に使用するヒータ材質による多結晶シリコンの汚染を低減することを目的とする。
本発明の多結晶シリコン製造方法は、シーメンス法によりクロロシラン含有反応ガスからシリコン製のシード組立体にシリコンを析出させて多結晶シリコンを製造する方法であって、表面がシリコンコーティング層により被覆されたヒータで前記シード組立体の予熱を行い、その後、前記シード組立体を通電発熱させて、該シード組立体表面にシリコンを析出させる。
この多結晶シリコン製造方法においては、シリコンコーティング層により被覆されたヒータを用いることで、シード組立体の予熱を行う際にヒータ材質由来の不純物を析出反応炉内に飛散させないようにしている。ヒータ用芯線にコーティングするシリコンは高純度のものが好ましい。
多結晶シリコン製造方法の好ましい一つの実施態様として、前記ヒータは、ヒータ用芯線をシリコン析出反応炉内に組み立てた状態で加熱し、前記シリコン析出反応炉内に供給したクロロシラン含有反応ガスから前記ヒータ用芯線の表面にシリコンを析出させて前記シリコンコーティング層を形成することにより作製される。
この方法によれば、シーメンス法によるシリコン析出の前段階としてヒータ用芯線にシリコンコーティング層を形成し、その後、シード組立体を予熱するという、一連の工程を連続的に行うことができ、作業性がよい。
また、一連のシリコンコーティング層形成からシード組み立て体へのシリコン析出を密閉系で行うことができるので、ヒータ用芯線上のシリコンコーティング層表面の汚染も抑制でき、これによりシリコン析出時の汚染への影響も小さくすることができる。
また、一連のシリコンコーティング層形成からシード組み立て体へのシリコン析出を密閉系で行うことができるので、ヒータ用芯線上のシリコンコーティング層表面の汚染も抑制でき、これによりシリコン析出時の汚染への影響も小さくすることができる。
また、本発明のシード組立体予熱用ヒータは、シーメンス法によりクロロシラン含有反応ガスからシード組立体にシリコンを析出させる際に用いられ、前記シリコンを析出する前に前記シード組立体を予熱するためのヒータであって、ヒータ用芯線の表面がシリコンコーティング層により被覆されている。
この場合、シード組立体予熱用ヒータの好ましい一つの実施態様として、前記ヒータ用芯線は炭素素材であるとよい。
この場合、シード組立体予熱用ヒータの好ましい一つの実施態様として、前記ヒータ用芯線は炭素素材であるとよい。
シード組立体予熱用ヒータとして、前記シリコンコーティング層は厚み0.1μm以上1000μm以下であるとよい。シード組立体を予熱する際にヒータ用芯線の材質が飛散しない程度にシリコンコーティング層が形成されていればよい。
本発明によれば、シリコンコーティング層により被覆されたヒータを用いることで、ヒータ材質由来の不純物の飛散を防止し、多結晶シリコンの汚染を低減することができる。
以下、本発明に係る多結晶シリコン製造方法に用いられるシリコン析出反応炉の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態のシリコン析出反応炉100を模式的に表した全体図である。
このシリコン析出反応炉100は、炉底を構成する基台1と、この基台1上に着脱自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ2とを備えている。基台1の上面10は、ほぼ平坦な水平面に形成されており、その上面10には、シード組立体(シリコン製)3が取り付けられる接続用部材5Aと、ヒータ4が取り付けられる接続用部材5Bと、クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスを炉内に供給するための原料ガス供給口6と、反応後のガスを炉外に排出するためのガス排出口7とが、それぞれ複数設けられている。
図1は、本実施形態のシリコン析出反応炉100を模式的に表した全体図である。
このシリコン析出反応炉100は、炉底を構成する基台1と、この基台1上に着脱自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ2とを備えている。基台1の上面10は、ほぼ平坦な水平面に形成されており、その上面10には、シード組立体(シリコン製)3が取り付けられる接続用部材5Aと、ヒータ4が取り付けられる接続用部材5Bと、クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスを炉内に供給するための原料ガス供給口6と、反応後のガスを炉外に排出するためのガス排出口7とが、それぞれ複数設けられている。
シード組立体3は、析出される多結晶シリコンの種棒となるものであり、多結晶シリコンにより形成される。このシード組立体3は、基台10上の接続用部材5Aに立設される一対のシリコン芯棒31と、各シリコン芯棒31の上端部を連結する連結部材32とからなり、これら一対のシリコン芯棒31と連結部材32とにより一組のシード組立体3が構築され、反応炉100内に複数設けられる。
なお、接続用部材5Aは電源(図示略)に接続されており、接続用部材5Aを介して各シード組立体3に電流が流れるようになっている。
また、ヒータ4は、シード組立体3が通電発熱可能な状態となるように、シード組立体3を加熱して比抵抗を下げるために、シリコン析出反応炉100のシリコン析出前に用いられる。この場合、ヒータ4は、基台1のほぼ中央部に設けられ、ヒータ4よりも基台1の外周側にシード組立体3が複数立設されている。
なお、接続用部材5Aは電源(図示略)に接続されており、接続用部材5Aを介して各シード組立体3に電流が流れるようになっている。
また、ヒータ4は、シード組立体3が通電発熱可能な状態となるように、シード組立体3を加熱して比抵抗を下げるために、シリコン析出反応炉100のシリコン析出前に用いられる。この場合、ヒータ4は、基台1のほぼ中央部に設けられ、ヒータ4よりも基台1の外周側にシード組立体3が複数立設されている。
原料ガス供給口6は、各シード組立体3に対して均一に原料ガスを供給することができるように、基台1の上面10のほぼ全域に分散して適宜の間隔をあけて複数設置されており、外部の原料ガス供給源(図示略)に接続されている。また、ガス排出口7は、適宜の間隔をあけて複数設置され、外部の排ガス処理系(図示略)に接続されている。
そして、複数のシード組立体3は、ヒータ4による予熱により徐々に通電状態となり、その後発熱状態となることで実線矢印で示すように炉内に供給した原料ガスをシード組立体3の表面で反応させて、シード組立体3の表面に二点鎖線で示すように多結晶シリコンSを析出させる。
そして、複数のシード組立体3は、ヒータ4による予熱により徐々に通電状態となり、その後発熱状態となることで実線矢印で示すように炉内に供給した原料ガスをシード組立体3の表面で反応させて、シード組立体3の表面に二点鎖線で示すように多結晶シリコンSを析出させる。
ヒータ4は、炭素素材を基材としたヒータ用芯線41の表面にシリコンコーティング層42が被覆されており、シリコン析出反応炉100の基台1のほぼ中央部に位置する接続用部材5Bに取付けられている。このヒータ4は、近接した周辺のシード組立体3の全体に輻射熱が伝えられるように、シード組立体3の高さに見合う高さに設定されている。
また、ヒータ用芯線41は、シード組立体3と同様に、基台10上に立設される一対の棒部材43と、各棒部材43の上端部を連結する連結部材44とから構成される。また、このヒータ用芯線41が取り付けられる接続用部材5Bも電源(図示略)に接続されており、ヒータ用芯線41に電流が流れるようになっている。
そして、これら棒部材43及び連結部材44からなるヒータ用芯線41の表面に、シリコンコーティング層42が形成されている。
また、ヒータ用芯線41は、シード組立体3と同様に、基台10上に立設される一対の棒部材43と、各棒部材43の上端部を連結する連結部材44とから構成される。また、このヒータ用芯線41が取り付けられる接続用部材5Bも電源(図示略)に接続されており、ヒータ用芯線41に電流が流れるようになっている。
そして、これら棒部材43及び連結部材44からなるヒータ用芯線41の表面に、シリコンコーティング層42が形成されている。
シリコンコーティング層42の膜厚は、0.1μm以上1000μm以下が望ましい。シリコンコーティング層42の膜厚が薄すぎると、予熱時にヒータ材質が析出反応炉100内に飛散し、シード組立体3や析出シリコンSの汚染を招くおそれがある。ヒータ材質の飛散を防ぐためには、0.1μm以下の膜厚でも十分であるが、ヒータ用芯線41表面の粗さや、立体形状であることによるシリコンコーティング層42の膜厚の不均質を許容するためには0.1μm以上とすることが望ましい。
また、シリコンコーティング層42の膜厚が1000μmを超えると、ヒータ用芯線41の材質である炭素との熱膨張率の差によってシリコンコーティング層42が割れやすくなる。また、シリコンコーティング層42が1000μmの膜厚とすれば、ヒータ材質が炉内に飛散することはないため、1000μmを超える膜厚とする必要はない。
また、シリコンコーティング層42の膜厚が1000μmを超えると、ヒータ用芯線41の材質である炭素との熱膨張率の差によってシリコンコーティング層42が割れやすくなる。また、シリコンコーティング層42が1000μmの膜厚とすれば、ヒータ材質が炉内に飛散することはないため、1000μmを超える膜厚とする必要はない。
このように構成されるシリコン析出反応炉100により多結晶シリコンを析出させるには、図2のフローチャートに示すように、まずヒータ4を通電させて発熱状態とさせ(S1)、その輻射熱によってヒータ4周辺のシード組立体3を予熱させる(S2)。この場合、シード組立体3は電源に接続されており、所定の電圧が印加されている。そして、ヒータ4からの輻射熱によってヒータ4周辺のシード組立体3が熱せられると、シード組立体3の比抵抗が徐々に低下し、通電発熱可能な状態となる。これにより、シード組立体3は自己発熱状態となる。そして、反応炉100の中心部付近でヒータ4の近傍に配置されているシード組立体3の熱が、その外側のシード組立体3に伝わって、そのシード組立体3を通電発熱状態とさせる。
このようにして、反応炉100の中心部から放射状にシード組立体3に熱が伝わって、すべてのシード組立体3が通電発熱状態となる(S3)。
そして、反応炉100内の雰囲気を水素ガスに置換(S4)した後、原料ガス供給口6から原料ガスを供給(S5)すると、原料ガスが高温のシード組立体3に接触して、その表面に多結晶シリコンSが析出し、図1に二点鎖線で示すようにシード組立体3がほぼ全域にわたって略柱状となる(S6)。
このようにして、反応炉100の中心部から放射状にシード組立体3に熱が伝わって、すべてのシード組立体3が通電発熱状態となる(S3)。
そして、反応炉100内の雰囲気を水素ガスに置換(S4)した後、原料ガス供給口6から原料ガスを供給(S5)すると、原料ガスが高温のシード組立体3に接触して、その表面に多結晶シリコンSが析出し、図1に二点鎖線で示すようにシード組立体3がほぼ全域にわたって略柱状となる(S6)。
このようにしてシード組立体3を予熱するためのヒータとして、シリコンコーティング層42により被覆されたヒータ4を用いているので、ヒータ用芯線41の材質(実施形態では炭素)由来の不純物を炉内に飛散させることがない。したがって、シード組立体3に析出する多結晶シリコンSに不純物が取り込まれることがないため、汚染が抑制され、高純度の多結晶シリコンSを析出させることができる。
このヒータ4を製造する場合、シリコン析出反応炉100にヒータ用芯線41を立設した状態で、「その場」コーティングによりシリコンコーティング層42を形成することができる。
通常、カーボン製のヒータを通電発熱させる際は、熱伝導の良い水素雰囲気では熱ロスが大きくなるため、アルゴン雰囲気等にするが、この時、水素・クロロシラン混合ガス雰囲気で通電加熱すれば、カーボン製ヒータ上にシリコンが還元析出してコーティングされ、シリコンコーティング層42を形成することができる。ただし、この場合、同時にメタンなどの有機ガスも発生するため、シード組立体3の加熱に移行する前に、シリコン析出反応炉100内雰囲気の置換が必要になる。
通常、カーボン製のヒータを通電発熱させる際は、熱伝導の良い水素雰囲気では熱ロスが大きくなるため、アルゴン雰囲気等にするが、この時、水素・クロロシラン混合ガス雰囲気で通電加熱すれば、カーボン製ヒータ上にシリコンが還元析出してコーティングされ、シリコンコーティング層42を形成することができる。ただし、この場合、同時にメタンなどの有機ガスも発生するため、シード組立体3の加熱に移行する前に、シリコン析出反応炉100内雰囲気の置換が必要になる。
具体的には、図3のフローチャートに示すように、シリコン析出反応炉100内にヒータ用芯線41及びシード組立体3をそれぞれ立設した状態で取り付けておき(S11)、反応炉100内に多結晶シリコン析出用の原料ガスを供給し(S12)、その後、ヒータ用芯線41を通電発熱させる。ヒータ用芯線41が一定温度以上になると、表面に多結晶シリコンが析出する。そして、ヒータ用芯線41の表面に十分にシリコンコーティング層42が形成されたら(S13)、反応炉100内の雰囲気をアルゴンガス等を導入して置換(S14)した後、ヒータ4を通電発熱させる(S15)ことにより、周囲のシード組立体3を予熱し(S16)、シード組立体3を通電発熱可能な状態にする。
シード組立体3が通電発熱状態となった(S17)以降は、反応炉100内の雰囲気をアルゴンガス等から水素ガスに置換し(S18)、前述と同様にして原料ガスを供給し(S19)、シード組立体3の表面に多結晶シリコンSを析出させる(S20)。
シード組立体3の温度が上昇し、シード組立体3への通電が開始されたら、ヒータ4に接続されている電源を遮断する。なお、通電発熱時のヒータ4の温度は、シリコン溶融温度以下に維持してシード組立体3の予熱を行うことが望ましい。
シード組立体3が通電発熱状態となった(S17)以降は、反応炉100内の雰囲気をアルゴンガス等から水素ガスに置換し(S18)、前述と同様にして原料ガスを供給し(S19)、シード組立体3の表面に多結晶シリコンSを析出させる(S20)。
シード組立体3の温度が上昇し、シード組立体3への通電が開始されたら、ヒータ4に接続されている電源を遮断する。なお、通電発熱時のヒータ4の温度は、シリコン溶融温度以下に維持してシード組立体3の予熱を行うことが望ましい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、適宜変更可能である。
例えば、シリコンコーティング42層は、シリコン析出反応炉100とは別の装置にて予め施しておくこともできる。また、コーティング方法としては、スパッタリング法等を用いることもできる。その場合、シリコンコーティング層42は高純度のシリコンであることが望ましい。
また、ヒータ用芯線として炭素素材を基材として用いたが、通電加熱可能な抵抗性材料であれば炭素素材以外の、例えばタングステン等も用いることができる。ただし、シリコン析出反応炉100内雰囲気の汚染が少なく、かつ高温領域において安定した加熱ができることから、ヒータ用芯線としては炭素素材を基材とするのが好適である。
例えば、シリコンコーティング42層は、シリコン析出反応炉100とは別の装置にて予め施しておくこともできる。また、コーティング方法としては、スパッタリング法等を用いることもできる。その場合、シリコンコーティング層42は高純度のシリコンであることが望ましい。
また、ヒータ用芯線として炭素素材を基材として用いたが、通電加熱可能な抵抗性材料であれば炭素素材以外の、例えばタングステン等も用いることができる。ただし、シリコン析出反応炉100内雰囲気の汚染が少なく、かつ高温領域において安定した加熱ができることから、ヒータ用芯線としては炭素素材を基材とするのが好適である。
1 基台
2 ベルジャ
3 シード組立体
4 ヒータ
5A 接続用部材
5B 接続用部材
6 原料ガス供給口
7 ガス排出口
10 上面
31 シリコン芯棒
32 連結部材
41 ヒータ用芯線
42 シリコンコーティング層
43 棒部材
44 連結部材
100 析出反応炉
2 ベルジャ
3 シード組立体
4 ヒータ
5A 接続用部材
5B 接続用部材
6 原料ガス供給口
7 ガス排出口
10 上面
31 シリコン芯棒
32 連結部材
41 ヒータ用芯線
42 シリコンコーティング層
43 棒部材
44 連結部材
100 析出反応炉
Claims (5)
- シーメンス法によりクロロシラン含有反応ガスからシード組立体にシリコンを析出させて多結晶シリコンを製造する方法であって、表面がシリコンコーティング層により被覆されたヒータで前記シード組立体の予熱を行い、その後、前記シード組立体を通電発熱させて、該シード組立体表面にシリコンを析出させることを特徴とする多結晶シリコン製造方法。
- 前記ヒータは、ヒータ用芯線をシリコン析出反応炉内に組み立てた状態で加熱し、前記シリコン析出反応炉内に供給したクロロシラン含有反応ガスから前記ヒータ用芯線の表面にシリコンを析出させて前記シリコンコーティング層を形成することにより作製されることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン製造方法。
- シーメンス法によりクロロシラン含有反応ガスからシード組立体にシリコンを析出させる際に用いられ、前記シリコンを析出する前に前記シード組立体を予熱するためのヒータであって、ヒータ用芯線の表面がシリコンコーティング層により被覆されていることを特徴とするシード組立体予熱用ヒータ。
- 前記ヒータ用芯線は炭素素材であることを特徴とする請求項3記載のシード組立体予熱用ヒータ。
- 前記シリコンコーティング層は厚み0.1μm以上1000μm以下であることを特徴とする請求項3又は4記載のシード組立体予熱用ヒータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018186110A JP2020055703A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018186110A JP2020055703A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020055703A true JP2020055703A (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=70106431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018186110A Pending JP2020055703A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020055703A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090191336A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Mohan Chandra | Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon |
JP2009536914A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-22 | コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー | 混合されたコア手段を使用した高純度シリコン棒の製造装置及び製造方法 |
JP2010006689A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
US20100080902A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Farid Arifuddin | Method and apparatus for low cost production of polysilicon using siemen's reactors |
-
2018
- 2018-09-28 JP JP2018186110A patent/JP2020055703A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009536914A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-22 | コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー | 混合されたコア手段を使用した高純度シリコン棒の製造装置及び製造方法 |
US20090191336A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Mohan Chandra | Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon |
JP2010006689A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
US20100080902A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Farid Arifuddin | Method and apparatus for low cost production of polysilicon using siemen's reactors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5974030B2 (ja) | Cvdリアクタ、大面積シリコンフィラメント、及び、ポリシリコンの生産方法 | |
KR101577452B1 (ko) | 다결정 실리콘 반응로 | |
US5344492A (en) | Vapor growth apparatus for semiconductor devices | |
TWI337208B (ja) | ||
CN111153407A (zh) | 多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 | |
JP2010171364A (ja) | シリコン膜の形成方法、pn接合の形成方法、及びこれを用いて形成されたpn接合 | |
WO2012147300A1 (ja) | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 | |
CN102031497B (zh) | 用于薄膜光伏材料的硒化的大规模方法和熔炉系统 | |
JPH0590165A (ja) | 気相成長装置 | |
RU2394117C2 (ru) | Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии | |
JP2020055703A (ja) | 多結晶シリコン製造方法及びシード組立体予熱用ヒータ | |
JP2017506206A (ja) | マルチゾーン可変電力密度ヒーター、そのヒーターを含む装置及びそのヒーターを使用する方法 | |
JP5865236B2 (ja) | 多結晶シリコン棒の製造装置および製造方法 | |
JP2009038294A (ja) | 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ | |
JP2006028625A (ja) | Cvd装置 | |
CN116397320A (zh) | 一种掺杂碳化硅晶体的生长方法 | |
JP5542031B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法および多結晶シリコンの製造システム | |
JP5780491B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4309509B2 (ja) | 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボの製造方法 | |
US20130068164A1 (en) | Heating unit and film-forming apparatus | |
KR101943313B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 시스템 | |
JP2015119005A (ja) | 成膜装置 | |
JP5877500B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2020203813A (ja) | セラミックス、セラミックスコーティング方法、およびセラミックスコーティング装置 | |
JP2013193931A (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220524 |