JP2014148464A - 多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2対のシリコン芯線12の間にはバイパス回路17が設けられており、スイッチ16をB端子側に接続することにより、2対のシリコン芯線12を直列に電源15に接続可能である。スイッチ16をA端子側に切り替えることで、1対のシリコン芯線(左側)のみを電源15に接続することもできる。先ず、カーボンヒーター13からの輻射Rにより2対のシリコン芯線を200℃〜400℃に加熱してする。その後、左側のシリコン芯線12のみに通電する状態(半通電状態)として初期印加電圧を加える。このような通電開始により左側のシリコン芯線は自己発熱してその温度が上昇し抵抗率は低下する。この通電開始の後に、左側のシリコン芯線と右側のシリコン芯線を直列に接続し(全通電状態)、2対のシリコン芯線に通電する。
【選択図】図2
Description
前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として通電用電源からの電力を供給し、バイパス回路の切り換えにより、前記直列接続状態とされるシリコン芯線の数を1ずつ増やし、前記n対のシリコン芯線を、第1番目のシリコン芯線からn番目のシリコン芯線に順次通電して予備加熱し、前記n番目のシリコン芯線の通電加熱終了後に前記n対のシリコン芯線をさらに通電加熱して所定温度とし、原料ガスを供給して前記n対のシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させる。
これにより、
半通電、全通電における瞬間的な電流値上昇幅によるシリコン芯線表面への通電傷の発生を確認するための実験を行った。反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として設置し、カーボンヒーターにて初期加熱を行い、シリコン芯線対を350℃に加熱した。次に、シリコン芯線に通電する電流値を電流制御により、それぞれ5A、10A、15Aの幅で0Aから50Aまで上昇させた。なお、電流値以外の条件は、全て同一の条件とした。通電テスト終了後、シリコン芯線対を取り出し、通電傷の観察を行った後に曲げ強度テストを行った。
反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として4つの電極にカーボン電極を介して2対の鳥居型シリコン芯線対を固定した。これら2対のシリコン芯線対に、図3に示したような態様でバイパス回路にスイッチを設置した。
反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として4つの電極にカーボン電極を介して2対の鳥居型シリコン芯線対を固定した。2対のシリコン芯線対は電源に直列に接続した。
2 のぞき窓
3 冷媒入口(ベルジャー)
4 冷媒出口(ベルジャー)
5 ベースプレート
6 冷媒入口(ベースプレート)
7 冷媒出口(ベースプレート)
8 反応排ガス出口
9 原料ガス供給ノズル
10 電極
11 シリコン棒
12 シリコン芯線
13 カーボンヒーター
14 芯線ホルダ
15 電源
100 反応炉
40 通電傷
50 電流の流れ
Claims (3)
- 通電加熱されたn対(nは2以上の整数)の鳥居型のシリコン芯線の表面に原料ガスを供給して多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法であって、
前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として通電用電源からの電力を供給し、
バイパス回路の切り換えにより、前記直列接続状態とされるシリコン芯線の数を1ずつ増やし、
前記n対のシリコン芯線を、第1番目のシリコン芯線からn番目のシリコン芯線に順次通電して予備加熱し、前記n番目のシリコン芯線の通電加熱終了後に前記n対のシリコン芯線をさらに通電加熱して所定温度とし、原料ガスを供給して前記n対のシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させる、多結晶シリコンの製造方法。 - 前記予備加熱から前記所定温度に至るまでの一連の通電加熱工程において、前記バイパス回路に流す電流値の増大量を所定値以下に抑える、請求項1に記載の多結晶シリコンの製造方法。
- 前記所定値は20アンペアである、請求項2に記載の多結晶シリコンの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018065717A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン反応炉 |
WO2021010051A1 (ja) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製造方法 |
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JPH01305810A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-11 | Osaka Titanium Co Ltd | 多結晶シリコンの通電加熱方法 |
US20090191336A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Mohan Chandra | Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon |
JP2011068553A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン |
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- 2014-03-25 JP JP2014061756A patent/JP5820896B2/ja active Active
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