JP5820896B2 - 多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として通電用電源からの電力を供給し、バイパス回路の切り換えにより、前記直列接続状態とされるシリコン芯線の数を1ずつ増やし、前記n対のシリコン芯線を、第1番目のシリコン芯線からn番目のシリコン芯線に順次通電して予備加熱し、前記n番目のシリコン芯線の通電加熱終了後に前記n対のシリコン芯線をさらに通電加熱して、その表面温度を多結晶シリコンが析出する温度である900〜1200℃の範囲の所定温度とし、原料ガスを供給して前記n対のシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させる工程を備え、前記予備加熱から前記所定温度に至るまでの一連の通電加熱工程において、前記バイパス回路に流す電流値の増大量を20アンペア以下に抑える、ことを特徴とする。
これにより、
半通電、全通電における瞬間的な電流値上昇幅によるシリコン芯線表面への通電傷の発生を確認するための実験を行った。反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として設置し、カーボンヒーターにて初期加熱を行い、シリコン芯線対を350℃に加熱した。次に、シリコン芯線に通電する電流値を電流制御により、それぞれ5A、10A、15Aの幅で0Aから50Aまで上昇させた。なお、電流値以外の条件は、全て同一の条件とした。通電テスト終了後、シリコン芯線対を取り出し、通電傷の観察を行った後に曲げ強度テストを行った。
反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として4つの電極にカーボン電極を介して2対の鳥居型シリコン芯線対を固定した。これら2対のシリコン芯線対に、図3に示したような態様でバイパス回路にスイッチを設置した。
反応炉に7mm□の1800mm長さのシリコン芯線2本とそれをつなぐ7mm□の330mm長さのシリコン芯線を組み合わせて鳥居型のシリコン芯線対として4つの電極にカーボン電極を介して2対の鳥居型シリコン芯線対を固定した。2対のシリコン芯線対は電源に直列に接続した。
2 のぞき窓
3 冷媒入口(ベルジャー)
4 冷媒出口(ベルジャー)
5 ベースプレート
6 冷媒入口(ベースプレート)
7 冷媒出口(ベースプレート)
8 反応排ガス出口
9 原料ガス供給ノズル
10 電極
11 シリコン棒
12 シリコン芯線
13 カーボンヒーター
14 芯線ホルダ
15 電源
100 反応炉
40 通電傷
50 電流の流れ
Claims (1)
- 通電加熱されたn対(nは2以上の整数)の鳥居型のシリコン芯線の表面に原料ガスを供給して多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法であって、
前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として通電用電源からの電力を供給し、
バイパス回路の切り換えにより、前記直列接続状態とされるシリコン芯線の数を1ずつ増やし、
前記n対のシリコン芯線を、第1番目のシリコン芯線からn番目のシリコン芯線に順次通電して予備加熱し、前記n番目のシリコン芯線の通電加熱終了後に前記n対のシリコン芯線をさらに通電加熱して、その表面温度を多結晶シリコンが析出する温度である900〜1200℃の範囲の所定温度とし、原料ガスを供給して前記n対のシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させる工程を備え、
前記予備加熱から前記所定温度に至るまでの一連の通電加熱工程において、前記バイパス回路に流す電流値の増大量を20アンペア以下に抑える、ことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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JP2014061756A JP5820896B2 (ja) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 多結晶シリコンの製造方法 |
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JP2014061756A JP5820896B2 (ja) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 多結晶シリコンの製造方法 |
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- 2014-03-25 JP JP2014061756A patent/JP5820896B2/ja active Active
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