JP2016088801A - 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
[本発明の実施形態の詳細]
本発明の実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造装置100の構成について説明する。
まず、炭化珪素単結晶の製造装置を準備する工程(S10:図7)が実施される。たとえば上述した炭化珪素単結晶の製造装置100が準備される。これにより、チャンバ6と、坩堝5と、第1抵抗ヒータ1と、第2抵抗ヒータ2と、第3抵抗ヒータ3とが準備される(図1参照)。坩堝5は、チャンバ6の内部に設けられ、かつ頂面5a1と、頂面5a1と反対側の底面5b2と、頂面5a1と底面5b2との間に位置する筒状の側面5b1とを有する。第1抵抗ヒータ1は、チャンバ6の内部において底面5b2に対面して設けられ、かつ炭素から構成されている。第2抵抗ヒータ2は、チャンバ6の内部において側面5b1を取り囲むように構成され、かつ炭素から構成されている。第3抵抗ヒータ3は、チャンバ6の内部において頂面5a1に対面して設けられ、かつ炭素から構成されている。第1抵抗ヒータ1、第2抵抗ヒータ2および第3抵抗ヒータ3の各々は、坩堝5の外部に設けられている。チャンバ6は、坩堝5と、第1抵抗ヒータ1と、第2抵抗ヒータ2と、第3抵抗ヒータ3とを収容している。
1a 上面
1b 下面
1x 第1部分
2 第2抵抗ヒータ(抵抗ヒータ)
2a 第1面
2b 第2面
2c 第3面
2d 第4面
2x 第2部分
3 第3抵抗ヒータ
3x 第3部分
4x 第4部分
5 坩堝
5a1 頂面
5a 台座
5a2 種結晶保持面
5b2 底面
5b 収容部
5b1 側面
6 チャンバ
6a,6b,6c 窓
7,8,14 電極
7a 第2電源(電源)
8a 第1電源
9a 下部放射温度計(放射温度計)
9b 側部放射温度計
9c 上部放射温度計
10x ヒータユニット
11 種結晶
11a 裏面
11b,12a 表面
12 原料(炭化珪素原料)
14a 第3電源
20 炭化珪素単結晶
100 製造装置
A1,A2 温度
CS 断面
P1,P2 圧力
T0,T1,T2,T3,T4,T5,T6 時間
W1,W2 幅
Claims (9)
- 頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、
前記坩堝の外部に設けられ、かつ炭素により構成された抵抗ヒータと、
前記抵抗ヒータに対して電力を供給可能に構成された電源とを備え、
前記電源によって前記抵抗ヒータに電力を供給することにより前記抵抗ヒータの温度が2000℃以上2400℃以下の間のある温度になった場合において、前記抵抗ヒータに流れる電流の値を、前記電流が流れる方向に対して垂直な前記抵抗ヒータの断面積で除した値が5A/mm2以下になるように前記電源および前記抵抗ヒータが構成されている、炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記抵抗ヒータを構成する前記炭素の密度は、1.7g/cm3以上1.9g/cm3以下である、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記抵抗ヒータを構成する前記炭素の抵抗率は、1200mΩ・cm以上である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記抵抗ヒータの前記断面積は、100mm2以上500mm2以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、
前記底面に対面して設けられ、かつ炭素から構成された第1抵抗ヒータと、
前記側面を取り囲むように構成され、かつ炭素から構成された第2抵抗ヒータと、
前記頂面に対面して設けられ、かつ炭素から構成された第3抵抗ヒータと、
前記第1抵抗ヒータに対して電力を供給可能に構成された第1電源と、
前記第2抵抗ヒータに対して電力を供給可能に構成された第2電源と、
前記第3抵抗ヒータに対して電力を供給可能に構成された第3電源とを備え、
前記第1電源によって前記第1抵抗ヒータに電力を供給して前記第1抵抗ヒータの温度が2000℃以上2400℃以下の間のある温度になった場合において、前記第1抵抗ヒータに流れる第1電流の値を、前記第1電流が流れる方向に対して垂直な前記第1抵抗ヒータの第1断面積で除した値が5A/mm2以下になるように前記第1電源および前記第1抵抗ヒータが構成されており、
前記第2電源によって前記第2抵抗ヒータに電力を供給して前記第2抵抗ヒータの温度が2000℃以上2400℃以下の間のある温度になった場合において、前記第2抵抗ヒータに流れる第2電流の値を、前記第2電流が流れる方向に対して垂直な前記第2抵抗ヒータの第2断面積で除した値が5A/mm2以下になるように前記第2電源および前記第2抵抗ヒータが構成されており、
前記第3電源によって前記第3抵抗ヒータに電力を供給して前記第3抵抗ヒータの温度が2000℃以上2400℃以下の間のある温度になった場合において、前記第3抵抗ヒータに流れる第3電流の値を、前記第3電流が流れる方向に対して垂直な前記第3抵抗ヒータの第3断面積で除した値が5A/mm2以下になるように前記第3電源および前記第3抵抗ヒータが構成されており、
前記第1断面積、前記第2断面積および前記第3断面積の各々は、100mm2以上500mm2以下であり、
前記第1抵抗ヒータ、前記第2抵抗ヒータおよび前記第3抵抗ヒータの各々を構成する炭素の密度は、1.7g/cm3以上1.9g/cm3以下であり、
前記第1抵抗ヒータ、前記第2抵抗ヒータおよび前記第3抵抗ヒータの各々を構成する炭素の抵抗率は、1200mΩ・cm以上である、炭化珪素単結晶の製造装置。 - 頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、
前記坩堝の外部に設けられ、かつ炭素により構成された抵抗ヒータと、
前記坩堝の内部に設けられた原料と、
前記坩堝の内部において前記原料と対面して設けられた種結晶とを準備する工程と、
前記抵抗ヒータによって前記原料を昇華させることにより、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素単結晶を成長させる工程において、前記抵抗ヒータに流れる電流の値を、前記電流が流れる方向に対して垂直な前記抵抗ヒータの断面積で除した値は、5A/mm2以下に維持される、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記炭化珪素単結晶を成長させる工程において、前記抵抗ヒータの温度は、2000℃以上2400℃以下に維持される、請求項6に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記坩堝を収容するチャンバを準備する工程をさらに備え、
前記炭化珪素単結晶を成長させる工程における前記チャンバの圧力は、0.5kPa以上2kPa以下に維持される、請求項6または請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、かつ頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、
前記チャンバの内部において前記底面に対面して設けられ、かつ炭素から構成された第1抵抗ヒータと、
前記チャンバの内部において前記側面を取り囲むように構成され、かつ炭素から構成された第2抵抗ヒータと、
前記チャンバの内部において前記頂面に対面して設けられ、かつ炭素から構成された第3抵抗ヒータと、
前記坩堝の内部に設けられた原料と、
前記坩堝の内部において前記原料と対面して設けられた種結晶とを準備する工程と、
前記原料を昇華させることにより、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素単結晶を成長させる工程において、
前記第1抵抗ヒータの温度は2000℃以上2400℃以下であり、かつ前記第1抵抗ヒータに流れる第1電流の値を、前記第1電流が流れる方向に対して垂直な前記第1抵抗ヒータの第1断面積で除した値は5A/mm2以下に維持され、
前記第2抵抗ヒータの温度は2000℃以上2400℃以下であり、かつ前記第2抵抗ヒータに流れる第2電流の値を、前記第2電流が流れる方向に対して垂直な前記第2抵抗ヒータの第2断面積で除した値は5A/mm2以下に維持され、
前記第3抵抗ヒータの温度は2000℃以上2400℃以下であり、かつ前記第3抵抗ヒータに流れる第3電流の値を、前記第3電流が流れる方向に対して垂直な前記第3抵抗ヒータの第3断面積で除した値は5A/mm2以下に維持され、かつ
前記チャンバの圧力は、0.5kPa以上2kPa以下に維持される、炭化珪素単結晶の製造方法。
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