JP6013467B2 - 結晶成長装置用の加熱部品 - Google Patents
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- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/14—Arrangements of heating devices
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F27D11/02—Ohmic resistance heating
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- F27D99/0001—Heating elements or systems
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Description
本出願は、2011年6月6日に出願された米国仮特許出願第61/493,804号の優先権を主張し、その全ては参照により本明細書に明確に取り込まれている。
本発明は、るつぼ内の原料物質に均一な熱供給をもたらす結晶成長装置に関する。
本発明のその他の態様及び実施態様は以下に検討する。
本発明は以下の定義を参照して最も明確に理解できる。
本発明の結晶成長装置は、シリコン又はアルミナのような、固体原料物質を、一般に1000℃以上の温度に加熱して溶融し、次いで、得られる溶融した原料物質の再凝固を促進して、多結晶シリコンインゴット又はサファイアブールのような、結晶物質を形成することができる炉、特に高温炉、であってよい。例えば、結晶成長装置は、方向性凝固システム(DSS)炉又は熱交換器法(HEM)炉を含む、結晶成長炉であってよい。
Claims (6)
- 結晶成長装置であって、
直方体の形状を有するるつぼ内に入っている原料物質、ここで当該るつぼは前記結晶成長装置内に配置されている;及び
前記結晶成長装置内に配置されている加熱システム、ここで当該加熱システムは少なくとも、前記るつぼの上方に配置されている第一発熱体及び前記るつぼの側面に配置されている第二発熱体を含有してなり、前記第一発熱体は円形に形成され、かつ原料物質に軸対称的に熱を供給するように構成され、前記第二発熱体は原料物質に対称的に熱を供給するように構成されている:を含有してなる、結晶成長装置であり、
前記第一発熱体及び前記るつぼは形状が異なり、前記第二発熱体は正方形である、結晶成長装置。 - 前記第二発熱体が前記るつぼを実質的に取り囲めるように前記るつぼの全側面に沿って形成されている、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記第一発熱体及び前記第二発熱体が独立して、前記結晶成長装置の前記第一発熱体及び前記第二発熱体に取り付けられて接続している電極に接続している制御器によって制御されている、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 結晶成長装置において原料物質を加熱する方法であって、
直方体の形状を有するるつぼに原料物質を入れること、ここで当該るつぼは前記結晶成長装置内に配置されている;及び
前記るつぼ内の原料物質を加熱して溶融するために、制御器によって加熱システムを操作すること、ここで前記加熱システムは少なくとも、前記るつぼの上方に配置されている第一発熱体及び前記るつぼの側面に配置されている第二発熱体を介して原料物質を加熱し、前記第一発熱体は原料物質に軸対称的に熱を供給し、そして前記第二発熱体は原料物質に対称的に熱を供給する:
を含有してなる、結晶成長装置において原料物質を加熱する方法であり、
前記第一発熱体及び前記るつぼは形状が異なり、前記第二発熱体は正方形である、方法。 - 前記第一発熱体が前記るつぼの上から原料物質に軸対称的に熱を供給するように円形に形成されている、請求項4に記載の方法。
- 前記第二発熱体と独立して前記第一発熱体を操作することを更に含んでいる、請求項4に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161493804P | 2011-06-06 | 2011-06-06 | |
US61/493,804 | 2011-06-06 | ||
PCT/US2012/035970 WO2012170124A2 (en) | 2011-06-06 | 2012-05-01 | Heater assembly for crystal growth apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014522371A JP2014522371A (ja) | 2014-09-04 |
JP2014522371A5 JP2014522371A5 (ja) | 2015-05-21 |
JP6013467B2 true JP6013467B2 (ja) | 2016-10-25 |
Family
ID=47292263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014514457A Expired - Fee Related JP6013467B2 (ja) | 2011-06-06 | 2012-05-01 | 結晶成長装置用の加熱部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9303331B2 (ja) |
JP (1) | JP6013467B2 (ja) |
KR (1) | KR101909439B1 (ja) |
CN (1) | CN103703170B (ja) |
TW (1) | TWI593839B (ja) |
WO (1) | WO2012170124A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101070608B (zh) * | 2006-12-29 | 2010-06-23 | 嘉兴学院 | 旋转多坩埚下降法晶体生长系统 |
KR101263082B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2013-05-09 | 주식회사 엘지실트론 | 사파이어 잉곳 성장장치 |
CN103374758B (zh) * | 2012-04-25 | 2016-03-02 | 志圣科技(广州)有限公司 | 晶体生长加热系统 |
WO2015009538A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Coated graphite heater configuration |
KR20160000956U (ko) * | 2013-07-15 | 2016-03-23 | 그라프텍 인터내셔널 홀딩스 인코포레이티드 | 실리콘 결정 생산 장치 |
CN103741212A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-04-23 | 镇江环太硅科技有限公司 | 长晶炉及长晶炉热场的控制方法 |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
CN104880069B (zh) * | 2015-05-27 | 2016-10-26 | 海南大学 | 一种防热散失烧结炉 |
CN104962864B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 坩埚装置和蒸镀设备 |
KR101639627B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2016-07-14 | 에스엠엔티 주식회사 | 도가니 지지체를 이용한 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법 |
US10237921B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-03-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Cylindrical heater |
US10724796B2 (en) | 2018-05-24 | 2020-07-28 | Silfex, Inc | Furnace for casting near-net shape (NNS) silicon |
US11127572B2 (en) | 2018-08-07 | 2021-09-21 | Silfex, Inc. | L-shaped plasma confinement ring for plasma chambers |
CN112279260B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-08-16 | 江苏先导微电子科技有限公司 | 一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2599482B1 (fr) * | 1986-06-03 | 1988-07-29 | Commissariat Energie Atomique | Four de fusion a induction haute frequence |
JPH02116696A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-05-01 | Gos N I I Proekt Inst Redkometallicheskoj Prom | 石英るつぼを強化するためのシェル |
JP2987799B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-12-06 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
JP2956575B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-10-04 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶育成用抵抗発熱体 |
JPH10167876A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-23 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | Cz結晶製造装置 |
US6652649B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-11-25 | Act Optics & Engineering, Inc. | Supplemental heating unit for crystal growth furnace |
JP3775776B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2006-05-17 | ユニオンマテリアル株式会社 | 単結晶の製造方法 |
US6285011B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
JP3861548B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2006-12-20 | 株式会社Sumco | カーボンヒータ |
WO2002027076A1 (fr) * | 2000-09-26 | 2002-04-04 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Appareil et procede de production d'un mono-cristal semi-conducteur |
JP2005053722A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
US20050061804A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Norman Golm | Induction flux concentrator utilized for forming heat exchangers |
CN2848884Y (zh) * | 2005-12-21 | 2006-12-20 | 北京有色金属研究总院 | 一种热场中心轴线对称的装置 |
DE102006017621B4 (de) * | 2006-04-12 | 2008-12-24 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
TW200932963A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-01 | Green Energy Technology Inc | Crystal growing furnace with heating improvement structure |
CN101498038B (zh) * | 2008-01-31 | 2011-11-02 | 绿能科技股份有限公司 | 具有加热改良构造的长晶炉 |
TW200949027A (en) * | 2008-03-19 | 2009-12-01 | Gt Solar Inc | System and method for arranging heating element in crystal growth apparatus |
JP5167960B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-03-21 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成装置 |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
-
2012
- 2012-05-01 CN CN201280034180.4A patent/CN103703170B/zh active Active
- 2012-05-01 WO PCT/US2012/035970 patent/WO2012170124A2/en active Application Filing
- 2012-05-01 JP JP2014514457A patent/JP6013467B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-01 KR KR1020147000249A patent/KR101909439B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-17 TW TW101117525A patent/TWI593839B/zh active
- 2012-06-06 US US13/489,675 patent/US9303331B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201305399A (zh) | 2013-02-01 |
WO2012170124A2 (en) | 2012-12-13 |
CN103703170B (zh) | 2017-04-26 |
WO2012170124A3 (en) | 2013-05-02 |
US20120312800A1 (en) | 2012-12-13 |
US9303331B2 (en) | 2016-04-05 |
CN103703170A (zh) | 2014-04-02 |
JP2014522371A (ja) | 2014-09-04 |
TWI593839B (zh) | 2017-08-01 |
KR101909439B1 (ko) | 2018-10-18 |
KR20140039031A (ko) | 2014-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |