JP5167960B2 - シリコン単結晶の育成装置 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 69
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 69
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 54
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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Description
この点を解消するために、ルツボの上方部分に熱遮蔽板を設けたシリコン単結晶の育成装置(例えば、特許文献1参照。)や、シリコン単結晶の育成装置の炉体上方に、その育成装置に隣接してその育成装置とは別に原料溶解補助装置を設け、その補助装置からの赤外線やマイクロ波によりルツボに入れられた塊状物又は粒状物を直接加熱する装置が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。前者の装置では熱遮蔽板で覆われたルツボをカーボンヒータにより効率よく加熱することができ、後者の装置では、ルツボに入れられた塊状物又は粒状物を直接的に加熱することができるようになっている。このため、これらの装置では、ルツボに入れられたシリコンからなる塊状物又は粒状物の溶解を短時間で行うことが期待されている。
本発明の目的は、設備を大型化させることなく、シリコンからなる塊状物又は粒状物の溶解を短時間で簡便に行うことができるシリコン単結晶の育成装置及びシリコン原料の溶解方法を提供することにある。
請求項4に係る発明は、請求項1に係る発明であって、前記カーボン円盤の前記第2丸孔の周囲に前記炉体内部に流通させる不活性ガスを通過させる複数の扇状のガス孔が形成されたことを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項3に係る発明であって、前記筒状に形成されたヒータ本体が嵌入状態で前記カーボン円柱の外面と5〜10mmの間隔を有し、かつ、支持具により前記ルツボの上方で固定されることを特徴とする。
図1及び図2に示すように、CZ法によるシリコン融液から単結晶を育成する装置では、炉体11の内部に炉体11と同心円状に断熱材12とサイドヒータであるカーボンヒータ13が配置され、炉体11中央の回転軸14の上端に固定された黒鉛サセプタ16に有底円筒状の石英ルツボ17が嵌合される。炉体11の上部には円筒状のチャンバ15を介して回転・引上げ機構18が設けられ、ルツボ17の上方にはこの回転・引上げ機構18からワイヤ19が吊り下げられる。このワイヤ19はシリコン単結晶を引上げる際に必要となる図示しない種結晶を吊り下げるものであり、シリコン単結晶を育成させる際には、この回転・引上げ機構18はワイヤを繰り出してその種結晶をシリコン融液に接触させ、その後引上げることによりその種結晶から成長した高純度のシリコン単結晶インゴットを回転しつつ引上げて種結晶の下端に高純度のシリコン単結晶インゴットを成長させるようになっている。
図2に示すように、先ずシリコンからなる塊状物又は粒状物29を炉体内部に設けられたルツボ17に入れる。この実施の形態におけるシリコンは粒状物からなる新規の多結晶シリコンであるが、シリコンは育成に失敗した単結晶を砕いたものであっても良く、またシリコンは塊状物であってもよい。その後、炉体11の上部に設けられた回転・引上げ機構18から繰り出されたワイヤ19にサブヒータ23を取付ける。サブヒータ23の取付けは、炉体11に対してチャンバ15を傾動させてチャンバ15の下端からワイヤ19の下端を引出した状態で行われる。そして、図3に示すように、サブヒータ23中央の第1丸孔23aに円錐状物24をその頂部から挿入し、その後その円錐状物24をワイヤ19の下端に取付ける。このようにしてサブヒータ23をワイヤ19の下端に取付けた後、そのサブヒータ23をワイヤ19の下端とともに炉体11内部に戻す。
13 サイドヒータ
17 ルツボ
18 回転・引上げ機構
19 ワイヤ
23 サブヒータ
29 シリコンからなる塊状物又は粒状物
Claims (5)
- シリコンからなる塊状物又は粒状物を投入可能なルツボを内部に有する炉体と、前記炉体の上部に設けられ育成する単結晶をワイヤを介して回転及び引上げる回転・引上げ機構と、前記ルツボを包囲するように前記炉体の内部に配置され前記ルツボを加熱して前記ルツボに投入された前記塊状物又は粒状物を溶解するサイドヒータと、前記ルツボの上方の炉体内部に配置され前記サイドヒータとともに前記塊状物又は粒状物を加熱するためのサブヒータとを備えたシリコン単結晶の育成装置において、
前記サブヒータが、前記ルツボの開口部に水平状態に保たれかつ中央に第1丸孔を有する円盤状のカーボンヒータからなるか、又は前記ルツボの開口部に水平状態に保たれかつ中央に第2丸孔を有するカーボン円盤と前記カーボン円盤の上方に水平に設けられ前記カーボン円盤を発熱させるヒータ本体とからなり、
前記第1又は第2丸孔より小径の頂部と前記第1又は第2丸孔より大径の底部とを有し少なくとも頂部が電気絶縁性材料からなる円錐状物を前記カーボンヒータ又は前記カーボン円盤の下方より前記第1又第2丸孔に挿入し前記円錐状物の頂部を前記ワイヤの下端に取り付けることにより前記カーボンヒータ又は前記カーボン円盤を前記炉体内に吊り下げることを特徴とするシリコン単結晶の育成装置。 - 前記カーボンヒータを前記ワイヤを介して吊り下げる前記円錐状物が電気絶縁性セラミック製の円錐体である請求項1記載のシリコン単結晶の育成装置。
- 前記カーボン円盤を前記ワイヤを介して吊り下げる前記円錐状物が、その頂部が電気絶縁性セラミック製の円錐物とこの円錐物の下部に装着され底部が前記第2丸孔より大径に形成されたカーボン円柱とを有し、前記ヒータ本体が筒状に形成されて前記カーボン本体に嵌入され、かつ、前記ヒータ本体の発熱が前記カーボン円柱を介して前記カーボン円盤に伝達されるように構成された請求項1記載のシリコン単結晶の育成装置。
- 前記カーボン円盤の前記第2丸孔の周囲に前記炉体内部に流通させる不活性ガスを通過させる複数の扇状のガス孔が形成された請求項1記載のシリコン単結晶の育成装置。
- 前記筒状に形成されたヒータ本体が嵌入状態で前記カーボン円柱の外面と5〜10mmの間隔を有し、かつ、支持具により前記ルツボの上方で固定される請求項3記載のシリコン単結晶の育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008146700A JP5167960B2 (ja) | 2008-06-04 | 2008-06-04 | シリコン単結晶の育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008146700A JP5167960B2 (ja) | 2008-06-04 | 2008-06-04 | シリコン単結晶の育成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009292673A JP2009292673A (ja) | 2009-12-17 |
JP5167960B2 true JP5167960B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=41541221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008146700A Active JP5167960B2 (ja) | 2008-06-04 | 2008-06-04 | シリコン単結晶の育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5167960B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5691446B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2015-04-01 | 株式会社Sumco | 単結晶原料の溶融装置および溶融方法 |
CN103703170B (zh) | 2011-06-06 | 2017-04-26 | Gtat公司 | 用于晶体生长装置的加热器组件 |
KR101376923B1 (ko) * | 2012-07-23 | 2014-03-20 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 장치 및 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2987799B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-12-06 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
JPH09263481A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ装置及び該装置を用いた単結晶引き上げ方法 |
JP3873561B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2007-01-24 | 株式会社Sumco | 単結晶育成装置及びそれを用いたシリコンの融解方法 |
JP2005053722A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-06-04 JP JP2008146700A patent/JP5167960B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009292673A (ja) | 2009-12-17 |
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Legal Events
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