JPH09183690A - 熱遮蔽体及びその脱着用治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の熱遮蔽体では、単結晶成長装置を清掃
する際に邪魔になる。また原料をチャージする際にこれ
が当接し易いので、熱遮蔽体が破損し、また原料の充填
率が低下する。また熱遮蔽体下部に原料が付着すると反
応生成物が生成され、これが混入して転位を発生させる
ので、Ｓｉ単結晶６７の品質が低下し易い。また熱遮蔽
体が一体的に構成されており、この下部が破損したり、
この下部に原料が固着した場合、熱遮蔽体全体を更新し
なければならず、コストが嵩んでいた。 【解決手段】 上部熱遮蔽体１４と、上部熱遮蔽体１４
の下端部１４ａ内径ｄよりも大きい上端部１５ａ外径Ｄ
を有する下部熱遮蔽体１５とを備えた熱遮蔽体１３。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱遮蔽体及びその脱
着用治具に関し、より詳細には、例えばチョクラルスキ
ー法等によりシリコン単結晶を引き上げる際に使用され
る単結晶成長装置の内部に配設される熱遮蔽体及びその
脱着用治具に関する。

【０００２】

【従来の技術】単結晶を成長させるには種々の方法があ
り、その一つにチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と記
す）がある。図５はこのＣＺ法に用いられる従来の単結
晶成長装置の一部を摸式的に示した断面図であり、図中
６１ａは内層容器を示している。内層容器６１ａは石英
材料を用いて略有底円筒形状に形成され、内層容器６１
ａの外側には略有底円筒形状の黒鉛製外層容器６１ｂが
嵌合されており、これら内層容器６１ａと外層容器６１
ｂとにより坩堝６１が構成されている。坩堝６１は支持
軸６２により支持されており、支持軸６２は図中矢印方
向に回転し、かつ昇降するようになっている。また坩堝
６１の外周にはさらにヒータ６３が略同心円筒状に配設
され、ヒータ６３の外周には保温筒６４が略同心円筒状
に配設されており、坩堝６１内にはヒータ６３により結
晶用原料を溶融させた溶融液６５が充填されるようにな
っている。坩堝６１の中心軸上には引き上げ棒あるいは
ワイヤー等からなる引上軸６６が吊設され、引上軸６６
の下部にはシードチャック６６ａを介して種結晶６６ｂ
が取り付けられており、引上軸６６は支持軸６２の回転
と同一方向または逆方向に回転すると共に、上下方向に
移動するようになっている。そして種結晶６６ｂを溶融
液６５の表面に接触させ、引上軸６６を回転させながら
引き上げることにより、溶融液６５が凝固させられてＳ
ｉ単結晶６７が成長させられる。これら坩堝６１、ヒー
タ６３、引上軸６６等を含んで単結晶成長装置６０が構
成されている。

【０００３】ところで、このように構成された単結晶成
長装置６０を用いてＳｉ単結晶６７を引き上げる場合、
Ｓｉ単結晶６７の電気抵抗率や電気伝導型を調整するた
め、予め溶融液６５中に不純物を添加しておくことが多
い。しかし通常のＣＺ法においては、Ｓｉ単結晶６７と
溶融液６５との間に生じる偏析現象に起因し、成長軸方
向に均一な電気抵抗率を有するＳｉ単結晶６７が得られ
難いという問題があった。

【０００４】前記偏析現象とは、Ｓｉ単結晶６７と溶融
液６５との界面において、Ｓｉ単結晶６７中に取り込ま
れる不純物濃度と、溶融液６５中の不純物濃度とが一致
しないことをいい、実効偏析係数ｋｅ（Ｓｉ単結晶６７
中の不純物濃度／溶融液６５中の不純物濃度）は１より
小さくなる場合が多い。実効偏析係数ｋｅが１より小さ
いとこの偏析現象が生じ、Ｓｉ単結晶６７が成長するに
つれて溶融液６５中の不純物濃度が次第に高まり、電気
抵抗率が小さくなる。したがって前記通常のＣＺ法によ
り成長させたＳｉ単結晶６７では、電気抵抗率に関して
一部に基準を満たさないものが製造されてしまい、歩留
りが低くなるという問題があった。

【０００５】この問題に対処するため、溶融層法が開発
されている。この溶融層法の基本的な特徴は、図５に示
した単結晶成長装置６０と同様に構成された装置を用
い、坩堝６１内の前記結晶用原料をヒータ６３により溶
融させ、上層に溶融層、下層に固体層を形成する。次に
該固体層をＳｉ単結晶６７の引き上げと共に次第に溶出
させることにより、前記溶融層中の不純物濃度を一定に
保つことにある。この際、前記溶融層の厚さはヒータ６
３の長さやパワー、坩堝６１の位置、保温筒６４の材質
や形状等により制御している。この溶融層法として溶融
層厚一定法と、溶融層厚変化法とが提案されている。

【０００６】前記溶融層厚一定法としては、不純物を含
有しない固体層をＳｉ単結晶６７の引き上げに伴って溶
融させ、この溶融層の体積を一定に保ちつつ前記不純物
を連続的に添加することにより、前記溶融層中の不純物
濃度を一定に維持する方法が開示されている（以下、こ
の方法を溶融層厚一定法（１）と記す。特公昭３４−８
２４２号公報、特公昭６２−８８０号公報及び実開昭６
１−１５０８６２号公報）。また固体層中に所定濃度の
不純物を予め含有させておき、溶融層の体積を略一定に
保ちながら、Ｓｉ単結晶６７を引き上げつつ前記固体層
を溶融させていくことにより、前記溶融層中の不純物濃
度を一定に維持する方法が開示されている（以下、この
方法を溶融層厚一定法（２）と記す。特公昭６２−８８
０号公報及び特開昭６３−２５２９８９号公報）。

【０００７】また溶融層厚変化法として、溶融層の体積
を意図的に変化させることにより、前記不純物を追加す
ることなく、前記溶融層中の不純物濃度を一定に維持す
る方法が開示されている（特開昭６１−２０５６９１号
公報、特開昭６１−２０５６９２号公報及び特開昭６１
−２１５２８５号公報）。

【０００８】また従来の単結晶成長装置６０を用いてＳ
ｉ単結晶６７を引き上げる場合、溶融液６５表面、坩堝
６１上部からの輻射熱によりＳｉ単結晶６７が過度に加
熱されて冷却速度が遅くなり、Ｓｉ単結晶６７中に酸素
析出物や転位ループが発生し易い。このようなＳｉ単結
晶６７から形成したウエハでは、該ウエハ表面のデバイ
ス活性領域に前記酸素析出物や前記転位ループが存在す
る確率も高く、リーク電流が増大し易くなり、デバイス
特性が劣化するという問題があった。また冷却速度が遅
いので、生産効率が劣るという問題があった。

【０００９】これらの問題に対処するため、坩堝内の上
方に熱遮蔽体が配設された単結晶成長装置が開発されて
いる。図６は従来のこの種熱遮蔽体が配設された単結晶
成長装置の一部を模式的に示した断面図であり、図中６
１は坩堝を示している。坩堝６１内における溶融液６５
の上方には引上軸６６と同心上に熱遮蔽体７１が配設さ
れており、熱遮蔽体７１は略逆裁頭円錐筒形状を有する
黒鉛製の熱遮蔽体本体７２と、この上部に一体的に形成
された略リング形状を有する黒鉛製の支持板７３とによ
り構成されている。また熱遮蔽体７１は保温筒６４等に
接続された支持部（図示せず）において支持されてい
る。その他の構成は図５に示したものと同様であるの
で、ここではその構成の詳細な説明は省略することとす
る。これら坩堝６１、ヒータ６３、引上軸６６、熱遮蔽
体７１等を含んで単結晶成長装置７０が構成されてい
る。このように構成された単結晶成長装置７０では、溶
融液６５表面、坩堝６１上部からの輻射熱が熱遮蔽板７
１により遮られ、引き上げられるＳｉ単結晶６７におけ
る過度の加熱が防止され、冷却速度が速められる。この
結果、前記酸素析出物や前記転位ループの発生が抑制さ
れると共に、生産効率が高められる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した単結
晶成長装置７０内に配設された従来の熱遮蔽体７１は、
単結晶成長装置７０を解体して清掃する際に邪魔にな
り、構造的に弱い熱遮蔽体７１下部が破損し易いという
課題があった。

【００１１】また坩堝６１内に結晶用原料をチャージす
る際、該原料が熱遮蔽体７１下部に当接し易く、この結
果、熱遮蔽体７１下部が破損し易いという課題があっ
た。また坩堝６１内への原料の充填が困難なことから前
記原料の充填率が少なくなり、チャージ回数を多く必要
とするので、生産効率が低下するという課題があった。
また熱遮蔽体７１下部に前記原料が当接してこれが付着
し、この付着した原料と熱遮蔽体７１との反応で生成さ
れた反応物が溶融液６５中に落下すると、これがＳｉ単
結晶６７に混入して転位を発生させるので、Ｓｉ単結晶
６７の品質が低下するという課題があった。

【００１２】また熱遮蔽体７１は一体的に構成されてお
り、この下部が破損したり、この下部に原料が固着した
場合、熱遮蔽体７１全体を更新しなければならず、コス
トが嵩むという課題があった。

【００１３】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、引き上げられるＳｉ単結晶における過度の加
熱を防止し、冷却速度を速めて酸素析出物や転位ループ
の発生を抑制すると共に、生産効率を高めることがで
き、結晶用原料の挿入時や単結晶成長装置の清掃時に邪
魔になることなく、前記結晶用原料の充填率を高めると
共に、破損を防止することができ、交換が容易で常時反
応生成物の付着がない清浄なものにし易く、反応生成物
の混入による転位の発生を抑制することができ、かつコ
ストを削減することができる熱遮蔽体及びこの熱遮蔽体
を容易に脱着することができる脱着用治具を提供するこ
とを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る熱遮蔽体は、上部熱遮蔽体
と、該上部熱遮蔽体の下端部内径よりも大きい上端部外
径を有する下部熱遮蔽体とを備えていることを特徴とし
ている。

【００１５】上記した熱遮蔽体によれば、前記上部熱遮
蔽体の下端部により前記下部熱遮蔽体の上端部が確実に
支持されて一体化され、坩堝やこの内部に充填された溶
融液の表面からの輻射熱が引上げられる単結晶に伝わっ
てこれが過度に加熱されるのが防止される。また脱着用
治具を利用すると前記下部熱遮蔽体のみを前記上部熱遮
蔽体に簡単に脱着させることができ、結晶用原料の挿入
時や前記単結晶成長装置の清掃時に前記下部熱遮蔽体を
外すことができるため、前記結晶用原料の充填率を高め
ると共に、生産効率を高めることができ、また熱遮蔽体
自体の破損を防止することができる。また前記下部熱遮
蔽体の交換が容易で、常時反応生成物の付着がない清浄
なものとし易いため、該反応生成物の落下・混入による
転位の発生を抑制することができる。また破損や反応生
成物の付着が生じても、前記下部熱遮蔽体のみを更新す
ればよく、熱遮蔽体全体を更新する場合に比べてコスト
を大幅に削減することができる。

【００１６】また本発明に係る脱着用治具は、熱遮蔽体
の取り付け、取り外しを行なう脱着用治具であって、棒
状の軸部と、その先端あるいは途中に開閉可能に設けら
れた枝状の熱遮蔽体支持部とを備えていることを特徴と
している。

【００１７】上記した脱着用治具によれば、下部熱遮蔽
体を上部熱遮蔽体に容易に取り付け、取り外しすること
ができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る熱遮蔽体及び
その脱着用治具の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。なお、従来例と同一機能を有する構成部品には同一
の符号を付すこととする。図１は本発明に係る熱遮蔽体
の実施の形態１及びこの熱遮蔽体が配設された単結晶成
長装置を概略的に示した断面図であり、図中１１はメイ
ンチャンバーを示している。メインチャンバー１１は略
有底円筒形状の真空容器であり、メインチャンバー１１
内の略中央部には図５に示したものと同様の坩堝６１が
配設されており、坩堝６１を構成する内装容器６１ａの
形状は、例えば直径が約１６インチ、高さが約１４イン
チに設定されている。坩堝６１の外周には例えば約９０
ｍｍの発熱長を有するヒータ６３ａが同心円筒状に配設
されており、ヒータ６３ａの下方には例えば約９０ｍｍ
の発熱長を有するサブヒータ６３ｂが同心円筒状に配設
されている。またヒータ６３ａ及びサブヒータ６３ｂの
外周と、メインチャンバー１１下部の内面とには保温筒
６４ａ、６４ｂがそれぞれ配設されており、メインチャ
ンバー１１下部の側壁には排気系（図示せず）に接続さ
れた排気口１１ａが形成されている。また、メインチャ
ンバー１１上部からは略円筒形状を有するプルチャンバ
ー１２が連設されており、プルチャンバー１２上部から
図５に示したものと同様の引上軸６６が吊設されてい
る。

【００１９】坩堝６１内における溶融液６５の上方に
は、引上軸６６と同心状に熱遮蔽体１３が配設されてお
り、熱遮蔽体１３は略逆裁頭円錐筒形状を有する黒鉛製
の上部熱遮蔽体１４と、比較的小形の略逆裁頭円錐筒形
状を有する黒鉛製の下部熱遮蔽体１５とにより構成され
ている。上部熱遮蔽体１４の下端部１４ａと下部熱遮蔽
体１５の上端部１５ａとが対向する箇所には略鈎形状の
接続面１４ｂ、１５ｂがそれぞれ形成されており、上部
熱遮蔽体１４下端の内径ｄよりも下部熱遮蔽体１５上端
の外径Ｄが大きく設定されている。そして下部熱遮蔽体
１５と上部熱遮蔽体１４とが接続面１４ｂ、１５ｂで密
接し、下部熱遮蔽体１５が上部熱遮蔽体１４の下端部１
４ａにより支持されるようになっている。また上部熱遮
蔽体１４の上端部１４ｄは保温筒６４等に固定された支
持部１６により支持されている。その他の構成は図５に
示したものと同様であるので、ここではその構成の詳細
な説明は省略することとする。これら坩堝６１、ヒータ
６３ａ、６３ｂ、保温筒６４ａ、６４ｂ、引上軸６６、
熱遮蔽体１３等を含んで単結晶成長装置１０が構成され
ている。

【００２０】上記説明から明らかなように、実施の形態
１に係る熱遮蔽体１３では、上部熱遮蔽体１４と、上部
熱遮蔽体１４の下端部１４ａ内径ｄよりも大きい上端部
１５ａ外径Ｄを有する下部熱遮蔽体１５とを備えている
ので、上部熱遮蔽体１４の下端部１４ａにより下部熱遮
蔽体１５の上端部１５ａが確実に支持されて一体化さ
れ、坩堝６１やこの内部に充填された溶融液６５表面か
らの輻射熱が引き上げられる単結晶１７に伝わってこれ
が過度に加熱されるのが防止される。また脱着用治具２
０（図２）を利用すると下部熱遮蔽体１５のみを上部熱
遮蔽体１４から簡単に脱着させることができ、結晶用原
料の挿入時や単結晶成長装置１０の清掃時に下部熱遮蔽
体１５を外すことができるため、結晶用原料の充填率を
高めると共に、生産効率を高めることができ、また熱遮
蔽体１３自体の破損を防止することができる。また下部
熱遮蔽体１５の交換が容易で、常時反応生成物の付着が
ない清浄なものとし易いため、反応生成物の落下・混入
による転位の発生を抑制することができる。また破損や
反応生成物の付着が生じても、下部熱遮蔽体１５のみを
更新すればよく、熱遮蔽体１３全体を更新する場合に比
べてコストを大幅に削減することができる。

【００２１】図２は実施の形態２に係る脱着用治具と熱
遮蔽体とを概略的に示した断面図であり、図中２１ａは
略円筒形状の筐体を示している。筐体２１ａの所定箇所
には複数個の長孔２１ｂが形成される一方、筐体２１ａ
内には回転軸２１ｃが配設されており、回転軸２１ｃの
両端部はボール軸受け部２１ｄ、２１ｅにより回動可能
に支持されている。回転軸２１ｃの上端部は単結晶成長
装置１０の引上軸６６に接続される一方、回転軸２１ｃ
の所定箇所にはねじ部２１ｆが形成され、ねじ部２１ｆ
にはナット部２１ｇが螺合されている。これら筐体２１
ａ、回転軸２１ｃ、ボール軸受部２１ｄ、２１ｅ、ネジ
部２１ｆ、ナット部２１ｇ等を含んで略棒状の軸部２１
が構成されている。

【００２２】またナット部２１ｇには長孔２１ｂ内を通
る複数個の梁部２２ａの一端部が回動可能に軸支される
一方、ボール軸受け部２１ｄには複数個の支持部２２ｂ
の一端部が回動可能に軸支されている。また梁部２２ａ
の他端部には支持部２２ｂの所定箇所がそれぞれ回動可
能に軸支されている。これら梁部２２ａ、支持部２２ｂ
を含んで略枝状の熱遮蔽体支持部２２が構成されてい
る。筐体２１ａは熱遮蔽体１３に対して回転不能であ
り、引上軸６６を回転させると、回転軸２１ｃの回転に
伴ってナット部２１ｇが上下方向に移動し、梁部２２ａ
を介して複数個の支持部２２ｂ間の開度が約ゼロから角
度αまでの所定角度に設定されるようになっている。こ
れら軸部２１、熱遮蔽体支持部２２を含んで実施の形態
２に係る脱着用治具２０が構成されている。

【００２３】以下にこのように構成された脱着用治具２
０を用い、単結晶成長装置１０内に設置された上部熱遮
蔽体１４に下部熱遮蔽体１５を取り付ける場合について
説明する。まず開度を所定角度αに設定し、複数個の支
持部２２ｂ上部間に下部熱遮蔽体１５を下端部１５ａか
ら挿入し、下部熱遮蔽体１５の外面を支持部２２ｂによ
り支持した後、引上軸６６を下降させる。すると下部熱
遮蔽体１５の接続面１５ｂが上部熱遮蔽体１４の接続面
１４ｂに当接し、さらに引上軸６６を下降させると、下
部熱遮蔽体１５が上部熱遮蔽体１４の下端部１４ａによ
り支持されると共に、支持部２２ｂが下部熱遮蔽体１５
から離れる。次に所定の位置で引上軸６６の下降を停止
し、引上軸６６を回転させて例えば支持部２２ｂを仮想
線で示した支持部２２ｃの位置まで閉じた後、引上軸６
６を引き上げると、脱着用治具２０が単結晶成長装置１
０から取り出される。

【００２４】上記説明から明らかなように、実施の形態
２に係る脱着用治具２０では、下部熱遮蔽体１５を上部
熱遮蔽体１４に容易に取り付け、取り外しすることがで
きる。

【００２５】図３は実施の形態３に係る熱遮蔽体及び脱
着用治具を概略的に示した断面図であり、図中１４は図
１、２に示したものと略同様の上部熱遮蔽体を示してい
る。また下部熱遮蔽体３５は黒鉛を用いて比較的小形の
略逆裁頭円錐筒形状に形成され、下部熱遮蔽体３５上端
の外径Ｄは上部熱遮蔽体１４下端の内径ｄよりも大きく
設定されている。下部熱遮蔽体３５は上部熱遮蔽体１４
内にはめ込まれており、これら上部熱遮蔽体１４と下部
熱遮蔽体３５とにより、実施の形態３に係る熱遮蔽体３
０が構成されている。

【００２６】一方、図２に示したものと同様のナット部
２１ｇには長孔２１ｂ内を通る複数個の梁部４２ａの一
端部が回動可能に軸支される一方、図２に示したものと
同様のボール軸受け部２１ｄには複数個の支持部４２ｂ
の一端部が回動可能に軸支されている。また梁部４２ａ
の他端部には支持部４２ｂの所定箇所がそれぞれ回動可
能に軸支されている。また筐体２１ａは熱遮蔽体３０に
対して回転不能となっており、引上軸６６を回転させる
と、回転軸２１ｃの回転に伴ってナット部２１ｇが上下
方向に移動し、梁部４２ａを介して複数個の支持部４２
ｂ間の開度αが約ゼロから約１８０°までの所定角度に
設定されるようになっている。これら梁部４２ａ、支持
部４２ｂを含んで略枝状の熱遮蔽体支持部４２が構成さ
れている。その他の構成は図２に示したものと同様であ
るので、ここではその構成の詳細な説明は省略すること
とする。これら軸部２１、熱遮蔽体支持部４２を含んで
実施の形態３に係る脱着用治具４０が構成されている。

【００２７】上記説明から明らかなように、実施の形態
３に係る熱遮蔽体３０及び脱着用治具４０では、図１、
２に示したものと同様の効果を得ることができる。また
脱着用治具４０では、図２に示した脱着用治具２０に比
べて坩堝６１内への挿入深さを少なくすることができ、
ボール軸受部２１ｄ等の熱による損耗を防止することが
できる。

【００２８】なお上記した実施の形態１〜３のものでは
いずれも熱遮蔽体１３、３０の材質が黒鉛の場合につい
て説明したが、耐熱性を有し、反応性の少ないものであ
ればセラミックス等の材料でも差し支えない。

【００２９】

【実施例及び比較例】以下に熱遮蔽体１３が配設された
単結晶成長装置１０を用い、溶融層厚一定法（２）によ
り、Ｓｉ単結晶１７を引き上げる場合について説明す
る。まず坩堝６１内に結晶用原料としてのＳｉ多結晶
（約６５ｋｇ）をチャージし、さらにｎ型ドーパントと
してＰ（燐）−Ｓｉ合金（約０．６ｇ）を添加する。次
に排気系を駆動すると共にＡｒガスを導入し、メインチ
ャンバー１１内を約１０ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気に設定し
た後、ヒータ６３ａ、サブヒータ６３ｂのパワーをそれ
ぞれ５０ｋＷに設定し、一旦これら原料の全てを溶融さ
せる。次にヒータ６３ａのパワーを約７０ｋＷ、サブヒ
ータ６３ｂのパワーを０に設定し、溶融液６５の下部に
固体層６５ａを形成する。次に種結晶６６ｂ下端部を溶
融液６５に浸漬し、坩堝６１を約１ｒｐｍ、引上軸６６
を約１０ｒｐｍの速度で回転させつつ引上軸６６を引き
上げる。そして溶融層（溶融液６５）の厚さが常時一定
になるようにヒータ６３ａ、サブヒータ６３ｂのパワー
を調整しながら固体層６５ａを溶融させ、所定速度で引
上軸６６を引き上げると、溶融液６５が凝固し、熱遮蔽
体１３内を通ってＳｉ単結晶１７が成長させられる。

【００３０】次に、実施例に係る熱遮蔽体１３が配設さ
れた装置１０を用いて引き上げた単結晶１７について、
転位に関する歩留りを調査した結果を説明する。比較例
としては図６に示した熱遮蔽体７１が配設された装置７
０を用いて引き上げた単結晶６７を採用した。図４から
明らかなように、転位に関する歩留りは、比較例の装置
を用いて引き上げられた単結晶６７の場合に比べ、実施
例の装置を用いて引き上げられた単結晶１７の場合は高
くなった。

【００３１】なお、上記した実施例では、溶融層厚一定
法（２）によりＳｉ単結晶１７を引き上げた場合につい
て説明したが、溶融層厚一定法（１）や溶融層厚変化法
により引上げた場合にも略同様の効果を得ることができ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱遮蔽体の実施の形態１及びこの
熱遮蔽体が配設された単結晶成長装置を概略的に示した
断面図である。

【図２】実施の形態２に係る脱着用治具と熱遮蔽体とを
概略的に示した断面図である。

【図３】実施の形態３に係る熱遮蔽体及び脱着用治具を
概略的に示した断面図である。

【図４】引き上げられた単結晶の転位に関する歩留りを
示したグラフであり、（ａ）は実施例の装置を用いて引
き上げた場合、（ｂ）は比較例の装置を用いて引き上げ
た場合を示している。

【図５】ＣＺ法に用いられる従来の単結晶成長装置の一
部を摸式的に示した断面図である。

【図６】従来の熱遮蔽体が配設された単結晶成長装置の
一部を模式的に示した断面図である。

【符号の説明】

１０ 単結晶成長装置 １３ 熱遮蔽体 １４ 上部熱遮蔽体 １４ａ 下端部 １５ 下部熱遮蔽体 １５ａ 上端部

フロントページの続き (72)発明者 稲見 修一 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 和泉 輝郎 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 森田 洋 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上部熱遮蔽体と、該上部熱遮蔽体の下端
   部内径よりも大きい上端部外径を有する下部熱遮蔽体と
   を備えていることを特徴とする熱遮蔽体。
2. 【請求項２】 熱遮蔽体の取り付け、取り外しを行なう
   脱着用治具であって、棒状の軸部と、その先端あるいは
   途中に開閉可能に設けられた枝状の熱遮蔽体支持部とを
   備えていることを特徴とする脱着用治具。