JPH06227891A - シリコン単結晶引上げ用ルツボ - Google Patents

シリコン単結晶引上げ用ルツボ

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JPH06227891A JP5040474A JP4047493A JPH06227891A JP H06227891 A JPH06227891 A JP H06227891A JP 5040474 A JP5040474 A JP 5040474A JP 4047493 A JP4047493 A JP 4047493A JP H06227891 A JPH06227891 A JP H06227891A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリコン単結晶引上げ用の二重構造のルツボ
における筒状隔壁の耐熱性を改善し、シリコン単結晶の
歩留りを向上させる。 【構成】 黒鉛製容器２に内挿した外ルツボ３内に筒状
隔壁５を同軸状に配設した二重構造のルツボ１におい
て、筒状隔壁５を、水酸基（ＯＨ基）含有量が３０ｐｐ
ｍ以下の石英ガラスにより構成する。筒状隔壁５の軟化
・変形が殆ど生じなくなるため、シリコン単結晶を高い
歩留りで製造することができるうえ、筒状隔壁５の固定
構造が単純となり、引上げ装置全体が簡単となって安価
に提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶の引上
げに用いられる二重構造のルツボに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン単結晶の引上げには、主
としてチョクラルスキー法が採用されている。この方法
を発展させたものとして、外ルツボ内に筒状隔壁を設け
て二重構造のルツボを構成し、固体状（粒状、小塊状
等）または溶融状態の原料シリコンを前記外ルツボの内
面と筒状隔壁の外面との間隙からルツボ内にバッチ式も
しくは連続式に供給し、筒状隔壁内のシリコン溶融体か
らシリコン単結晶を引上げる方法が注目されている。
【０００３】この引上げ法においては、ボロン、アンチ
モン、リン等のドーピング用不純物の偏析による単結晶
棒の抵抗率変化を無くすために、引上げられるシリコン
単結晶中の前記不純物濃度を均等化する手段としての
外、連続的に原料供給を行ないながら単結晶棒を引上げ
ることにより、その生産性や歩留り等を向上させ、コス
トダウンをはかるための手段としても期待されるわけで
ある。
【０００４】本発明の二重構造のルツボ１の代表的な構
成例は、図１及び図２に示される。すなわち、外ルツボ
３はいかなる場合であっても、高重量でかつ高温のシリ
コン溶融体２１を支えている関係上、その熱的な変形や
破損を防止すると共に、万一、破損があっても溶融体２
１が単結晶引上装置内に流出しないように、黒鉛製容器
２によって保護されている。他方、円筒型の容器である
外ルツボ３内に同軸状に配設される筒状隔壁５，１２
は、同じく円筒状のものが通常使用され、図１のよう
に、筒状隔壁５の下端部が外ルツボ３の底部内壁に固着
されず、融液中において宙釣りに支持された構造のもの
であるか、または図２のように筒状隔壁１２の下端部が
外ルツボ３に溶着され、同隔壁１２の下方部分に融液を
通過させるための貫通孔１１を設けたものである。
【０００５】前記筒状隔壁は一般に石英ガラスで形成さ
れているが、その理由は、石英ガラスが他の材料に比べ
て耐熱性および成形性が良好であるうえ、シリコン単結
晶に悪影響を与える不純物が極めて少ないためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、引上げ時の
ルツボ内シリコン溶融体の温度は通常１４５０℃前後と
高温であるため、従来の石英ガラスでは耐熱性が十分で
なく、軟化・変形し易い欠点があった。すなわち、前述
のように外ルツボ３は、この欠点を補うために、黒鉛製
容器２による保護があったが、このような保護手段のな
い筒状隔壁の場合は単結晶引上げ中の変形が著しい。こ
の筒状隔壁の変形により、先ず単結晶引上げ部分の確保
ができなくなるし、変形が少ない段階においてもシリコ
ン溶融体の流れが乱されたり、汚染物混入の原因となっ
たりして、単結晶の品質が低下する等の問題があった。
また、この変形は二重構造のルツボとしての耐用時間を
短くする。他方、筒状隔壁の軟化・変形に対応するため
に、筒状隔壁の構造を変えたり、特殊な構造の固定用留
め具を工夫することもできるが、そのため引上げ装置全
体が複雑で高価な物となる問題があった。
【０００７】本発明は、上記の点を解決しようとするも
ので、その目的は、石英ガラス製の筒状隔壁の軟化・変
形を少なくし、単結晶成長中におけるシリコン溶融体の
乱れをなくして、優れた品質の単結晶を引上げることが
でき、また、筒状隔壁が軟化・変形しにくいためにその
耐用時間を延長せしめ、筒状隔壁の固定が簡略化される
ことによって引上げ装置全体が、単純な構成となり、か
つ安価にすることができるシリコン単結晶引上げ用の二
重構造のルツボを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン単結晶
引上げ用ルツボは、シリコン原料の溶融体を収容する外
ルツボ内に筒状隔壁を同軸状に配設し、前記外ルツボを
加熱しながら同ルツボと筒状隔壁との間にシリコン原料
を供給し、生じた溶融体を前記外ルツボと筒状隔壁の内
側とを結ぶ湯面下の通路により筒状隔壁の内側に導入し
ながら、筒状隔壁の内側の融液より単結晶棒を引上げる
ために使用する二重構造のルツボにおいて、少なくとも
前記筒状隔壁は、水酸基（ＯＨ基）含有量が３０ｐｐｍ
以下の石英ガラスにより構成されることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のシリコン単結晶引上げ用ルツボにおい
ては、筒状隔壁の構成材料として水酸基含有量が３０ｐ
ｐｍ以下の石英ガラスを用いることにより、該筒状隔壁
の軟化・変形は殆ど生じなくなる。また、外ルツボにも
適用することにより、その耐用時間は更に向上する。
【００１０】この場合、石英ガラスの水酸基含有量が３
０ｐｐｍを超えると本発明の目的が達成されなくなる。
筒状隔壁の耐熱性およびシリコン単結晶の品質（歩留
り）を向上させるためには水酸基含有量は低い方が好ま
しいが、低すぎるものは石英ガラスの筒状隔壁が高価に
なるため、水酸基含有量の設定は、シリコン単結晶の品
質等と筒状隔壁の製造コストとを勘案して決定される。
【００１１】以下本発明を、図面を基にして説明する。
図１に示す引上げ用ルツボ（二重構造のルツボ）１は、
黒鉛製容器２に内挿された外ルツボ（石英ガラスルツ
ボ）３内に、石英ガラスよりなる円筒状の筒状隔壁５を
同軸状に、かつ該筒状隔壁５の下端部と外ルツボ３底面
との間に適宜間隙をあけて設けることにより構成する。
筒状隔壁５は水酸基含有量が３０ｐｐｍ以下の石英ガラ
スで構成する。また、外ルツボ３は黒鉛製容器２により
上下動および回転可能に支持し、筒状隔壁５は引上げ用
ルツボ１の上方に設けた支持部材（図示せず）により上
下動可能に支持する。この引上げ用ルツボ１では例え
ば、固体状または溶融状態の原料シリコン２３を導入管
１３を介して、外ルツボ３の内周面と筒状隔壁１２の外
周面との間隙に連続式に投入して溶融体とし、外ルツボ
３とシリコン単結晶２２を反対方向に回転させながら、
筒状隔壁５内のシリコン溶融体２１からシリコン単結晶
２２の引上げを行う。この場合、原料シリコン２３の連
続的供給により、シリコン単結晶２２の引上げに伴う溶
融体２１の液面降下を相殺し、該液面の高さを一定に維
持することができる。
【００１２】図２に示す引上げ用ルツボ１は、図１のル
ツボにおける筒状隔壁５に代えて、下方部に複数の貫通
孔１１を設けた円筒状の筒状隔壁１２を外ルツボ３内に
同軸状に、かつ下端部を外ルツボ３の底面に固着させて
設けたものである。この引上げ用ルツボ１では例えば、
固体状または溶融状態の原料シリコン２３を導入管１３
を介して、外ルツボ３の内周面と筒状隔壁１２の外周面
との間隙に連続的に投入して溶融体とし、貫通孔１１か
ら溶融状態で筒状隔壁１２内に供給し、筒状隔壁１２内
のシリコン溶融体２１から図１の場合と同様にしてシリ
コン単結晶２２の引上げを行う。
【００１３】つぎに、本発明の実施例および比較例につ
いて説明する。 実施例 図２に示した二重構造のルツボ１を使用し、チョクラル
スキー法による常用の条件でシリコン単結晶の引上げを
行った。外ルツボ３は、水酸基含有量が１８０ｐｐｍの
石英ガラスからなる直径４５０ｍｍのものであり、筒状
隔壁１２は、水酸基含有量が２０ｐｐｍの石英ガラスか
らなる直径３５０ｍｍのものである。この二重構造ルツ
ボにより、直径１２５ｍｍのシリコン単結晶と、直径１
５０ｍｍのシリコン単結晶を連続して２本ずつ、計４本
引上げた。その結果、原料シリコンの溶融開始後、１２
０時間以上経過しても筒状隔壁１２の変形は僅かであ
り、初期の直径からのずれは１ｃｍ以内であった。ま
た、引上げられたシリコン単結晶は、すべて無転位の結
晶であった。
【００１４】比較例 図２に示した二重構造のルツボ１を使用し、実施例１と
同じ条件でシリコン単結晶の引上げを行った。外ルツボ
３は、水酸基含有量が１８０ｐｐｍの石英ガラスからな
る直径４５０ｍｍのものであり、筒状隔壁１２は、水酸
基含有量が６０ｐｐｍの石英ガラスからなる直径３５０
ｍｍのものである。この二重構造ルツボにより、直径１
２５ｍｍのシリコン単結晶と、直径１５０ｍｍのシリコ
ン単結晶１本ずつ、計２本を引上げた。その結果、原料
シリコンの溶融開始時における筒状隔壁１２に変形は見
られなかったが、溶融後２０時間程度で極度に変形し
た。また、シリコン単結晶の品質については、筒状隔壁
１２の変形が始まる前までは無転位であったが、筒状隔
壁の極度の変形が起こってから後には有転位化した。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかように、本発明のシ
リコン単結晶引上げ用ルツボでは、二重構造のルツボに
おいて、少なくとも筒状隔壁を水酸基含有量が３０ｐｐ
ｍ以下の石英ガラスで構成したので、シリコン溶融体か
らの熱による筒状隔壁の軟化・変形が殆ど生じなくな
り、シリコン単結晶の品質が良好となってその引上げ歩
留りが向上する効果がある。また、筒状隔壁が軟化・変
形しにくいので、その固定が単純な構造で達成でき、引
上げ装置全体が単純な構造となり、安価に提供すること
ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシリコン単結晶引上げ用ルツボの一例
を示す縦断面図である。
【図２】シリコン単結晶引上げ用ルツボの別例を示す縦
断面図である。
【符号の説明】
１ 二重構造のルツボ ２ 黒鉛製容器 ３ 外ルツボ（石英ガラスルツボ） ５，１２ 筒状隔壁 １１ 貫通孔 １３ 導入管 ２１ シリコン溶融体 ２２ シリコン単結晶 ２３ 原料シリコン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岸 浩利 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリコン原料の溶融体を収容する外ルツ
    ボ内に筒状隔壁を同軸状に配設し、前記外ルツボを加熱
    しながら同ルツボと筒状隔壁との間にシリコン原料を供
    給し、生じた溶融体を前記外ルツボと筒状隔壁の内側と
    を結ぶ湯面下の通路により筒状隔壁の内側に導入しなが
    ら、筒状隔壁の内側の融液より単結晶棒を引上げるため
    に使用する二重構造のルツボにおいて、少なくとも前記
    筒状隔壁は、水酸基（ＯＨ基）含有量が３０ｐｐｍ以下
    の石英ガラスにより構成されることを特徴とするシリコ
    ン単結晶引上げ用ルツボ。
JP5040474A 1993-02-04 1993-02-04 シリコン単結晶引上げ用ルツボ Expired - Lifetime JP2888079B2 (ja)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2830990B2 (ja) * 1995-05-31 1998-12-02 信越石英株式会社 石英製二重ルツボの製造方法
US5913975A (en) * 1998-02-03 1999-06-22 Memc Electronic Materials, Inc. Crucible and method of preparation thereof
US6179914B1 (en) * 1999-02-02 2001-01-30 Seh America, Inc. Dopant delivery system and method
US6187089B1 (en) * 1999-02-05 2001-02-13 Memc Electronic Materials, Inc. Tungsten doped crucible and method for preparing same
KR100492808B1 (ko) * 1999-05-22 2005-06-03 카가쿠키쥬쯔 신코지교단 고품질 단결정의 육성방법과 그 장치
AUPR054000A0 (en) * 2000-10-04 2000-10-26 Austai Motors Designing Pty Ltd A planetary gear apparatus
US6984263B2 (en) * 2001-11-01 2006-01-10 Midwest Research Institute Shallow melt apparatus for semicontinuous czochralski crystal growth
JP4453954B2 (ja) * 2003-02-28 2010-04-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法および該製造方法で製造された石英ガラスルツボ
US7497907B2 (en) * 2004-07-23 2009-03-03 Memc Electronic Materials, Inc. Partially devitrified crucible
US8262797B1 (en) * 2007-03-13 2012-09-11 Solaicx, Inc. Weir design providing optimal purge gas flow, melt control, and temperature stabilization for improved single crystal growth in a continuous Czochralski process
US8389099B1 (en) 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316547C2 (de) * 1983-05-06 1985-05-30 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kalter Tiegel für das Erschmelzen nichtmetallischer anorganischer Verbindungen
US5053359A (en) * 1989-03-24 1991-10-01 Pyromatics, Inc. Cristobalite reinforcement of high silica glass
JPS6379790A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Toshiba Corp 結晶引上げ装置
CA1306407C (en) * 1987-06-08 1992-08-18 Michio Kida Apparatus for growing crystals of semiconductor materials
US4979973A (en) * 1988-09-13 1990-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate
JPH02107587A (ja) * 1988-10-13 1990-04-19 Mitsubishi Metal Corp 半導体単結晶育成装置
EP0388503B1 (en) * 1989-02-03 1993-09-01 Mitsubishi Materials Corporation Method for pulling single crystals
US5141786A (en) * 1989-02-28 1992-08-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them
JP2933404B2 (ja) * 1990-06-25 1999-08-16 信越石英 株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法
JPH04317493A (ja) * 1991-04-15 1992-11-09 Nkk Corp シリコン単結晶の製造装置
EP0546196B1 (en) * 1991-06-29 1997-05-02 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Synthetic quartz glass optical member for excimer laser and production thereof
JP2795036B2 (ja) * 1992-02-04 1998-09-10 信越半導体株式会社 単結晶引上装置
US5326729A (en) * 1992-02-07 1994-07-05 Asahi Glass Company Ltd. Transparent quartz glass and process for its production

Also Published As

Publication number Publication date
DE69400447D1 (de) 1996-10-10
US5720809A (en) 1998-02-24
JP2888079B2 (ja) 1999-05-10
EP0610065B1 (en) 1996-09-04
EP0610065A1 (en) 1994-08-10
DE69400447T2 (de) 1997-04-03

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