JP2009295786A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に、圧電薄膜を有する圧電薄膜素子において、
   前記圧電薄膜は、一般式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０＜ｘ＜１）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の薄膜を有し、前記（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃薄膜の面外方向格子定数ｃと面内方向格子定数ａの比が、０．９８≦ｃ／ａ≦１.０１の範囲にあることを特徴とする圧電薄膜素子。
2. 請求項１に記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜に（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０＜ｘ＜１）層が複数ある場合には、これら複数層のうち、少なくとも、最も厚い（Ｋ₁−_xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０＜ｘ＜１）の同一組成層が、０．９８≦ｃ／ａ≦１.０１の範囲にあることを特徴とする圧電薄膜素子。
3. 請求項１または２に記載の圧電薄膜素子において、Ｎａ組成比である前記ｘが、０．３≦ｘ≦０．７の範囲であることを特徴とする圧電薄膜素子。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記基板と前記圧電薄膜との間に下部電極が形成されることを特徴とする圧電薄膜素子。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜に引張応力が生じ、前記（Ｋ _1-x Ｎａ _x ）ＮｂＯ ₃ 薄膜の面外方向格子定数ｃと面内方向格子定数ａの比が、０．９８０≦ｃ／ａ≦０．９９３の範囲であることを特徴とする圧電薄膜素子。
6. 請求項５に記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜は前記圧電薄膜より格子定数の小さい応力緩和層上に設けられることを特徴とする圧電薄膜素子。
7. 請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜に圧縮応力が生じ、前記（Ｋ _1-x Ｎａ _x ）ＮｂＯ ₃ 薄膜の面外方向格子定数ｃと面内方向格子定数ａの比が、１．００４≦ｃ／ａ≦１．０１０の範囲であることを特徴とする圧電薄膜素子。
8. 請求項７に記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜は前記圧電薄膜より格子定数の大きい応力緩和層上に設けられることを特徴とする圧電薄膜素子。
9. 請求項１乃至７のいずれかに記載の圧電薄膜素子と、電圧印加手段又は電圧検知手段とを備えることを特徴とする圧電薄膜デバイス。