JP2009517940A5 - - Google Patents

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第１のダイヤフラム層３１と、第２のダイヤフラム層３２と、第３のダイヤフラム層３３から成るダイヤフラム３０の積層は、たとえば、シリコン窒化物、ポリシリコン、シリコン窒化物の順番より成っている。５つのダイヤフラム層を有するダイヤフラム構造は、たとえば、窒化物、酸化物、ポリシリコン、酸化物、窒化物の連続を有することができる。４つのダイヤフラム層から成るダイヤフラム構造は、たとえば酸化物、ポリシリコン、窒化物、再酸化された窒化物から成っていてよい。ダイヤフラムを形成する際には、ダイヤフラムが一般的に張力下に置かれるように留意すると有利である。これはたとえば、ダイヤフラム３０の積層内に引っ張られた層を、たとえば、ＬＰＣＶＤ（低圧化学気相成長）によるシリコン窒化物層によって導入することで達成される。ダイヤフラム内に張力を形成するためには、機械的な特性が良好に調節可能である材料が用いられる（たとえば、熱酸化物やＬＰＣＶＤによる窒化物）。ポリシリコン層は、いかなる場合でもドープされ、第２の電極３２の導電性のコンデンサ板として役立つ。ポリシリコン層の厚さは、ポリシリコン層の張力が、全張力にほとんど影響を与えることがない程度に選定されている。
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