JP2009517940A - 音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法 - Google Patents
音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009517940A JP2009517940A JP2008542704A JP2008542704A JP2009517940A JP 2009517940 A JP2009517940 A JP 2009517940A JP 2008542704 A JP2008542704 A JP 2008542704A JP 2008542704 A JP2008542704 A JP 2008542704A JP 2009517940 A JP2009517940 A JP 2009517940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micromachining
- diaphragm
- counter element
- micromachining structure
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
本発明は、請求項1の上位概念部に記載した、媒体内で音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体であって、該マイクロマシニング構造体が前記媒体によって少なくとも部分的に取り囲まれている形式のものに関する。
本発明の請求項に記載した、マイクロマシニング構造体を少なくとも部分的に取り囲んでいる媒体内で、音響的な信号を受信および/または発生させるための、本発明によるマイクロマシニング構造体もしくは、マイクロマシニング構造体を製造するための方法もしくは、本発明によるマイクロマシニング構造体の使用法は、前記従来技術のものに対して、次のような利点がある。すなわち、簡単な方法でマイクロマシニング構造体の音響特性を改善することができるにもかかわらず、このマイクロマシニング構造体は比較的簡単かつ頑丈な製造工程によって製造可能である。本発明によるマイクロマシニング構造体は、第1の対向エレメントと第2の対向エレメントとの間にダイヤフラムを埋め込む(埋設ダイヤフラム)ことによって、高い機械的な安定性を有している。
以下に本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。
Claims (9)
- 媒体内で音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体であって、該マイクロマシニング構造体(10)が前記媒体によって少なくとも部分的に取り囲まれている形式のものにおいて、マイクロマシニング構造体(10)が、該マイクロマシニング構造体(10)の第1の面(11)を実質的に形成している第1の対向エレメント(20)を有していて、該第1の対向エレメント(20)に第1の開口(21)が設けられており、マイクロマシニング構造体(10)が、該マイクロマシニング構造体(10)の第2の面(12)を実質的に形成している第2の対向エレメント(40)を有していて、該第2の対向エレメント(40)に第2の開口(41)が設けられており、マイクロマシニング構造体(10)が、前記第1の対向エレメント(20)と前記第2の対向エレメント(40)との間に配置されている、実質的に閉鎖されたダイヤフラム(30)を有していることを特徴とするマイクロマシニング構造体。
- 第1の対向エレメント(20)とダイヤフラム(30)との間に第1のキャビティ(25)が形成されていて、ダイヤフラム(30)と第2の対向エレメント(40)との間に第2のキャビティ(35)が形成されている、請求項1記載のマイクロマシニング構造体。
- 第1の対向エレメント(20)が、ダイヤフラム(30)と比較して数倍大きい質量を有しており、および/または、第2の対向エレメント(40)が、ダイヤフラム(30)と比較して数倍大きい質量を有している、請求項1から2までのいずれか1項記載のマイクロマシニング構造体。
- マイクロマシニング構造体(10)が、電子回路とモノリシックに一体化されて設けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載のマイクロマシニング構造体。
- 第1の対向エレメント(20)および/または第2の対向エレメント(40)が、実質的に半導体材料で形成されていて、ダイヤフラム(30)が、半導体材料を有している、請求項1から4までのいずれか1項記載のマイクロマシニング構造体。
- 第1の対向エレメント(20)が第1の電極を有していて、第2の対向エレメント(40)が第2の電極を有しており、ダイヤフラム(30)が第3の電極を有している、請求項1から5までのいずれか1項記載のマイクロマシニング構造体。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の、マイクロマシニング構造体を製造するための方法において、第2のキャビティ(35)を形成するために、第1の犠牲層(49)を未加工基板(15)上に微細加工して被着するか、または未加工基板(15)内に微細加工して導入し、それによって第1の前駆構造体(50)を提供し、次いでダイヤフラム(30)を形成するために、少なくとも第1のダイヤフラム層(31)を前記第1の前駆構造体(50)上に被着し、次いで第1のキャビティ(25)を形成するために、第1の犠牲層(29)を被着し、次いで第1の対向エレメント(20)を形成するために、エピタキシャル層(16)を被着し、次いで第1の開口(21)を前記第1の対向エレメント(20)内に設け、かつ第2の開口(41)を第2の対向エレメント(40)内に設け、第1のキャビティ(25)および第2のキャビティ(35)を形成するために、第1の犠牲層(29)および第2の犠牲層(49)を除去することを特徴とする、マイクロマシニング構造体を製造するための方法。
- マイクロマシニング構造体(10)の形成と平行して、電子回路(70)をマイクロマシニング構造体(10)とモノリシックに一体化して形成し、電子回路(70)を第1の面(11)上または第2の面(12)上に配置する、請求項7記載のマイクロマシニング構造体を製造するための方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載のマイクロマシニング構造体(10)をマイクロフォンおよび/またはスピーカとして使用することを特徴とする、マイクロマシニング構造体(10)の使用法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005056759.2 | 2005-11-29 | ||
DE102005056759A DE102005056759A1 (de) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | Mikromechanische Struktur zum Empfang und/oder zur Erzeugung von akustischen Signalen, Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und Verwendung einer mikromechanischen Struktur |
PCT/EP2006/068419 WO2007062975A1 (de) | 2005-11-29 | 2006-11-14 | Mikromechanische struktur zum empfang und/oder zur erzeugung von akustischen signalen, verfahren zur herstellung einer mikromechanischen struktur und verwendung einer mikromechanischen struktur |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009517940A true JP2009517940A (ja) | 2009-04-30 |
JP2009517940A5 JP2009517940A5 (ja) | 2012-01-05 |
JP5130225B2 JP5130225B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=37685892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008542704A Expired - Fee Related JP5130225B2 (ja) | 2005-11-29 | 2006-11-14 | 音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7902615B2 (ja) |
EP (1) | EP1958480A1 (ja) |
JP (1) | JP5130225B2 (ja) |
DE (1) | DE102005056759A1 (ja) |
WO (1) | WO2007062975A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013520118A (ja) * | 2010-02-16 | 2013-05-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Memsマイクロフォンと製造方法 |
JP2015505173A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | シングルエンド増幅器入力ポートを有するダブルバックプレートmemsマイクロフォン |
CN115442723A (zh) * | 2021-06-01 | 2022-12-06 | 知微电子股份有限公司 | 发声封装结构以及其制造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049490B2 (en) * | 2008-08-19 | 2011-11-01 | Infineon Technologies Ag | Silicon MEMS resonator devices and methods |
US8723276B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-05-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor structure with lamella defined by singulation trench |
US7832279B2 (en) * | 2008-09-11 | 2010-11-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a pressure sensor |
DE102009000583A1 (de) * | 2009-02-03 | 2010-08-05 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauelements |
DE102009028177A1 (de) * | 2009-07-31 | 2011-02-10 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements |
FR2963192B1 (fr) * | 2010-07-22 | 2013-07-19 | Commissariat Energie Atomique | Générateur d'impulsions de pression de type mems |
FR2963099B1 (fr) | 2010-07-22 | 2013-10-04 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de pression dynamique mems, en particulier pour des applications a la realisation de microphones |
EP2420470B1 (en) * | 2010-08-18 | 2015-10-14 | Nxp B.V. | MEMS Microphone |
US8518732B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-08-27 | Infineon Technologies Ag | Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure |
US8737674B2 (en) | 2011-02-11 | 2014-05-27 | Infineon Technologies Ag | Housed loudspeaker array |
US9031266B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Ag | Electrostatic loudspeaker with membrane performing out-of-plane displacement |
DE102012203373A1 (de) | 2012-03-05 | 2013-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Schallwandleranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
JP6130493B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2017-05-17 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Memsマイクロフォンアセンブリおよびmemsマイクロフォンアセンブリの作動方法 |
ITTO20130225A1 (it) * | 2013-03-21 | 2014-09-22 | St Microelectronics Srl | Struttura sensibile microelettromeccanica per un trasduttore acustico capacitivo includente un elemento di limitazione delle oscillazioni di una membrana, e relativo processo di fabbricazione |
ITTO20130540A1 (it) | 2013-06-28 | 2014-12-29 | St Microelectronics Srl | Dispositivo mems dotato di membrana sospesa e relativo procedimento di fabbricazione |
US9369804B2 (en) * | 2014-07-28 | 2016-06-14 | Robert Bosch Gmbh | MEMS membrane overtravel stop |
JP6589166B2 (ja) * | 2015-06-09 | 2019-10-16 | 株式会社オーディオテクニカ | 無指向性マイクロホン |
DE102016125082B3 (de) * | 2016-12-21 | 2018-05-09 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung, mikrofon und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
US10766763B2 (en) | 2018-09-28 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Sidewall stopper for MEMS device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60501784A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-10-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積化電気音響変換器 |
JPH01316099A (ja) * | 1988-03-05 | 1989-12-20 | Sennheiser Electron Kg | キャパシティブ音響トランスデューサ |
JPH09508777A (ja) * | 1994-08-12 | 1997-09-02 | ザ チャールズ スターク ドレイパー ラボラトリー インク | 改良された低周波応答性を備えた音響トランスデューサ |
JP2000508860A (ja) * | 1996-04-18 | 2000-07-11 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 薄膜エレクトレットマイクロフォン |
JP2002518913A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-25 | マイクロトロニック アクティーゼルスカブ | 所定張力を持つダイアフラムを有するトランスデューサを製造する方法 |
JP2002522248A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-07-23 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法 |
JP2003508998A (ja) * | 1999-09-06 | 2003-03-04 | マイクロトロニック アクティーゼルスカブ | シリコンベースのセンサーシステム |
JP2003163996A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-06-06 | Ind Technol Res Inst | エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
JP2005323193A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Univ Nihon | コンデンサ型音響変換装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5146435A (en) * | 1989-12-04 | 1992-09-08 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer |
ITVA20000042A1 (it) * | 2000-12-15 | 2002-06-15 | St Microelectronics Srl | Sensore di pressione monoliticamente integrato e relativo processo direalizzazione. |
US7146016B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-12-05 | Center For National Research Initiatives | Miniature condenser microphone and fabrication method therefor |
-
2005
- 2005-11-29 DE DE102005056759A patent/DE102005056759A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-11-14 WO PCT/EP2006/068419 patent/WO2007062975A1/de active Application Filing
- 2006-11-14 EP EP06807812A patent/EP1958480A1/de not_active Withdrawn
- 2006-11-14 JP JP2008542704A patent/JP5130225B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-14 US US12/084,477 patent/US7902615B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60501784A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-10-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積化電気音響変換器 |
JPH01316099A (ja) * | 1988-03-05 | 1989-12-20 | Sennheiser Electron Kg | キャパシティブ音響トランスデューサ |
JPH09508777A (ja) * | 1994-08-12 | 1997-09-02 | ザ チャールズ スターク ドレイパー ラボラトリー インク | 改良された低周波応答性を備えた音響トランスデューサ |
JP2000508860A (ja) * | 1996-04-18 | 2000-07-11 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 薄膜エレクトレットマイクロフォン |
JP2002518913A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-25 | マイクロトロニック アクティーゼルスカブ | 所定張力を持つダイアフラムを有するトランスデューサを製造する方法 |
JP2002522248A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-07-23 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法 |
JP2003508998A (ja) * | 1999-09-06 | 2003-03-04 | マイクロトロニック アクティーゼルスカブ | シリコンベースのセンサーシステム |
JP2003163996A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-06-06 | Ind Technol Res Inst | エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
JP2005323193A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Univ Nihon | コンデンサ型音響変換装置及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013520118A (ja) * | 2010-02-16 | 2013-05-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Memsマイクロフォンと製造方法 |
US9133016B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-09-15 | Epcos Ag | MEMS microphone and method for manufacture |
JP2015505173A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | シングルエンド増幅器入力ポートを有するダブルバックプレートmemsマイクロフォン |
US9516415B2 (en) | 2011-12-09 | 2016-12-06 | Epcos Ag | Double backplate MEMS microphone with a single-ended amplifier input port |
CN115442723A (zh) * | 2021-06-01 | 2022-12-06 | 知微电子股份有限公司 | 发声封装结构以及其制造方法 |
CN115442723B (zh) * | 2021-06-01 | 2024-06-04 | 知微电子股份有限公司 | 发声封装结构以及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007062975A1 (de) | 2007-06-07 |
US7902615B2 (en) | 2011-03-08 |
US20100002543A1 (en) | 2010-01-07 |
EP1958480A1 (de) | 2008-08-20 |
DE102005056759A1 (de) | 2007-05-31 |
JP5130225B2 (ja) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5130225B2 (ja) | 音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法 | |
US9266716B2 (en) | MEMS acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
US9809444B2 (en) | System and method for a differential comb drive MEMS | |
KR101593809B1 (ko) | Mems 디바이스, 인터페이스 회로 및 그 형성 방법 | |
US9938133B2 (en) | System and method for a comb-drive MEMS device | |
US7943413B2 (en) | Vibration sensor and method for manufacturing the vibration sensor | |
US10433068B2 (en) | MEMS acoustic transducer with combfingered electrodes and corresponding manufacturing process | |
US7386136B2 (en) | Sound detecting mechanism | |
US8509462B2 (en) | Piezoelectric micro speaker including annular ring-shaped vibrating membranes and method of manufacturing the piezoelectric micro speaker | |
US7377175B2 (en) | Sensor having a diaphragm | |
KR101438301B1 (ko) | 음향 센서, 음향 트랜스듀서, 그 음향 트랜스듀서를 이용한 마이크로폰 및 음향 트랜스듀서의 제조 방법 | |
US20060237806A1 (en) | Micromachined microphone and multisensor and method for producing same | |
Littrell | High performance piezoelectric MEMS microphones | |
US8722446B2 (en) | Acoustic sensor and method of manufacturing the same | |
KR20080034407A (ko) | 정전 압력 변환기 및 그 제조 방법 | |
TW201123921A (en) | Capacitive transducer and fabrication method | |
JP2011031385A (ja) | Memsセンサ | |
CN110149582B (zh) | 一种mems结构的制备方法 | |
EP2969911A1 (en) | Mems acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
KR101764314B1 (ko) | 음향 센서 및 그 제조 방법 | |
JP4737535B2 (ja) | コンデンサマイクロホン | |
JP2010506532A (ja) | 極低圧力センサーおよびその製造方法 | |
Tajima et al. | High-performance ultra-small single crystalline silicon microphone of an integrated structure | |
CN209608857U (zh) | 一种mems结构 | |
Yan et al. | Corrugated diaphragm for piezoelectric microphone |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110511 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110811 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110818 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110912 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111011 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111018 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20111109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120516 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120816 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120823 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121005 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |